CH540495A - Verfahren und Einrichtung zur Bestimmung der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleitern mit hoher räumlicher Auflösung sowie Anwendung des Verfahrens zur Optimierung von Betriebsparametern von Halbleiter-Leistungsbauelementen - Google Patents
Verfahren und Einrichtung zur Bestimmung der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleitern mit hoher räumlicher Auflösung sowie Anwendung des Verfahrens zur Optimierung von Betriebsparametern von Halbleiter-LeistungsbauelementenInfo
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Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH6572A CH540495A (de) | 1972-01-05 | 1972-01-05 | Verfahren und Einrichtung zur Bestimmung der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleitern mit hoher räumlicher Auflösung sowie Anwendung des Verfahrens zur Optimierung von Betriebsparametern von Halbleiter-Leistungsbauelementen |
| DE19722203550 DE2203550A1 (de) | 1972-01-05 | 1972-01-26 | Verfahren und einrichtung zur bestimmung der lebensdauer von ladungstraegern in halbleitern mit hoher raeumlicher aufloesung sowie anwendung des verfahrens zur optimierung von betriebsparametern von halbleiterleistungsbauelementen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH6572A CH540495A (de) | 1972-01-05 | 1972-01-05 | Verfahren und Einrichtung zur Bestimmung der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleitern mit hoher räumlicher Auflösung sowie Anwendung des Verfahrens zur Optimierung von Betriebsparametern von Halbleiter-Leistungsbauelementen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH540495A true CH540495A (de) | 1973-08-15 |
Family
ID=4178500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH6572A CH540495A (de) | 1972-01-05 | 1972-01-05 | Verfahren und Einrichtung zur Bestimmung der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleitern mit hoher räumlicher Auflösung sowie Anwendung des Verfahrens zur Optimierung von Betriebsparametern von Halbleiter-Leistungsbauelementen |
Country Status (2)
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| DE (1) | DE2203550A1 (de) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4733175A (en) * | 1984-06-04 | 1988-03-22 | General Electric Company | Varistor defect detection by incipient hot spot observation |
| DD273695A1 (de) * | 1988-07-04 | 1989-11-22 | Univ Schiller Jena | Verfahren zur erfassung schnell ablaufender prozesse in integrierten schaltkreisen unter verwendung eines laser-raster-mikroskopes mit obic-stufe |
-
1972
- 1972-01-05 CH CH6572A patent/CH540495A/de not_active IP Right Cessation
- 1972-01-26 DE DE19722203550 patent/DE2203550A1/de active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2203550A1 (de) | 1973-07-19 |
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