Claims (20)
PATENTANSPRÜCHE
1. Schaltplatte, gekennzeichnet durch a) ein elektrisch isolierendes Substrat (10), b) eine sich verjüngende Vertiefung (10') im Substrat, c) eine im Grund (10") der Vertiefung gebildete Ausnehmung (10"') mit ebenem Boden, und d) eine Mehrzahl auf der Oberfläche des Substrats angeordnete elektrische Leiter (20), die sich über die geneigte Wand der Vertiefung erstrecken und am Rand der Ausnehmung enden, so dass ein Halbleiterelement (A) in der Ausnehmung angeordnet, die Anschlüsse des Halbleiterelementes mit den Leitern verbunden und die Ausnehmung sowie die Vertiefung derart mit Kunstharz gefüllt werden können, dass dessen freie Oberfläche mit der des Substrats koplanar ist
PATENT CLAIMS
1. Circuit board, characterized by a) an electrically insulating substrate (10), b) a tapered depression (10 ') in the substrate, c) a recess (10 "') formed in the base (10") of the depression with a flat bottom , and d) a plurality of electrical conductors (20) arranged on the surface of the substrate, which extend over the inclined wall of the depression and end at the edge of the recess, so that a semiconductor element (A) is arranged in the recess, the connections of the semiconductor element connected to the conductors and the recess and the depression can be filled with synthetic resin in such a way that its free surface is coplanar with that of the substrate
2.
2nd
Schaltplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertiefung (10') eine geradlinig nach abwärts geneigte Wand und einen ebenen Grund (10") besitzt, d.h. die Form eines Kegel- oder Pyramidenstumpfes besitzt
Circuit board according to claim 1, characterized in that the recess (10 ') has a straight downward inclined wall and a flat base (10 "), i.e. has the shape of a truncated cone or pyramid
3. Schaltplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertiefung einen ebenen Grund besitzt und die an die Oberseite des Substrats und den ebenen Grund angrenzenden Teile (W) der Wand der Vertiefung abgerundet sind.
3. Circuit board according to claim 1, characterized in that the recess has a flat base and the parts (W) of the wall of the recess which are adjacent to the top of the substrate and the flat base are rounded.
4. Schaltplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Rand der Ausnehmung direkt an die Wand (t) der Vertiefung grenzt.
4. Switch plate according to claim 1, characterized in that the edge of the recess borders directly on the wall (t) of the recess.
5. Verfahren zum Herstellen der Schaltplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zum Anschluss des Halbleiterelements (A) dienenden Leitungen (21) auf der Oberseite des Substrats durch Drucken oder photographisches Abbilden eines entsprechenden Leitungsmusters (21') auf die Oberseite des Substrats erzeugt werden.
5. The method for producing the circuit board according to claim 1, characterized in that the lines (21) used to connect the semiconductor element (A) on the top of the substrate by printing or photographically imaging a corresponding line pattern (21 ') on the top of the substrate be generated.
6. Verfahren nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch: a) Überziehen der einen Hauptseite des plattenförmigen, elektrisch isolierenden Substrats (10), welches eine sich verjüngende Vertiefung enthält (10'), in der sich eine Ausnehmung (10"') befindet, mit einer Schicht (20) aus einem elektrisch leitenden Material und Aufbringen einer Photolackschicht (R) auf dieser Schicht, b) Anordnen einer Photomaske (D) mit einem Muster, das dem auf dem Substrat zu erzeugenden Leitungsmu ster entspricht, im Abstand von der einen Hauptseite des Substrats und eines Objektives (E) zwischen Photomaske und Substrat, c) Einstellen des Objektives zum scharfen Abbilden des Musters der Photomaske auf der einen Hauptseite des Substrats und der Wand (t) der Vertiefung, d) Belichten der Photolackschicht mit Licht durch die Photomaske und das Objektiv,
6. The method according to claim 5, characterized by: a) covering the one main side of the plate-shaped, electrically insulating substrate (10), which contains a tapering depression (10 ') in which there is a recess (10 "') a layer (20) of an electrically conductive material and applying a photoresist layer (R) on this layer, b) arranging a photomask (D) with a pattern which corresponds to the line pattern to be produced on the substrate, at a distance from the one main side the substrate and an objective (E) between the photomask and the substrate, c) adjusting the objective to sharply image the pattern of the photomask on one main side of the substrate and the wall (t) of the depression, d) exposing the photoresist layer to light through the photomask and the lens,
e) Entwickeln der Photolackschicht, und f) Entfernen der Bereiche der elektrisch leitenden Schicht ausserhalb des entwickelten Photolackmusters durch Ätzen der einen Hauptseite des Substrats.
e) developing the photoresist layer, and f) removing the regions of the electrically conductive layer outside the developed photoresist pattern by etching the one main side of the substrate.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der elektrisch leitenden Schicht (211)2 bis 30 Mikron beträgt
7. The method according to claim 6, characterized in that the thickness of the electrically conductive layer (211) is 2 to 30 microns
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung der Schicht aus elektrisch leitendem Material zuerst eine dünne Schicht (21) aus elektrisch leitendem Material durch stromloses Plattieren, Ablagern von Metalldampf oder Aufstäuben von Metall auf dem Substrat erzeugt wird und auf der dünnen Schicht durch Elektroplattieren eine dicke Schicht (22) aus elektrisch leitendem Material aufgebracht wird.
8. The method according to claim 6, characterized in that to produce the layer of electrically conductive material, a thin layer (21) of electrically conductive material is first generated by electroless plating, deposition of metal vapor or sputtering of metal on the substrate and on the thin Layer is applied by electroplating a thick layer (22) of electrically conductive material.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne und die dicke Schicht aus Kupfer oder Nickel bestehen.
9. The method according to claim 8, characterized in that the thin and the thick layer consist of copper or nickel.
10. Verfahren nach den Ansprüchen 8 und 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der dünnen Schicht (21)0,2 bis 2 Mikron beträgt
10. The method according to claims 8 and 9, characterized in that the thickness of the thin layer (21) is 0.2 to 2 microns
11. Verfahren nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch: a) Erzeugen einer dünnen Schicht (21') aus elektrisch leitendem Material auf einer Hauptseite des plattenförmigen elektrisch isolierenden Substrats (10) durch stromloses Plattieren, welches Substrat auf der eine Hauptweise eine sich verjüngende Vertiefung (10") besitzt, in deren Boden eine Ausnehmung (10"') ausgebildet ist, b) Überziehen der dünnen Schicht (21') mit einer Photolackschicht (R), c) Anordnen einer Photomaske (D) mit einem Muster, das dem auf der einen Hauptseite des Substrats zu erzeugenden Leitungsmuster entspricht,
11. The method according to claim 5, characterized by: a) producing a thin layer (21 ') of electrically conductive material on a main side of the plate-shaped electrically insulating substrate (10) by electroless plating, which substrate has a tapered depression on one of the main ways ( 10 "), in the bottom of which a recess (10" ') is formed, b) coating the thin layer (21') with a photoresist layer (R), c) arranging a photomask (D) with a pattern corresponding to that corresponds to a line pattern to be generated on one main side of the substrate,
im Abstand von der einen Hauptseite des Substrats und Anordnen eines Objektives (E) zwischen Photomaske und Substrat, d) Einstellen des Objektives zum scharfen Abbilden des Musters der Photomaske auf der einen Hauptseite des Substrats und der geneigten Wand (t) der Vertiefung, e) Belichten der Photolackschicht mit Licht durch die Photomaske und das Objektiv, f) Entwickeln der Photolackschicht, und g) Aufbringen einer dikken Schicht (22) aus elektrisch leitendem Material auf die Bereiche der dünnen Schicht ausserhalb des entwickelten Photolackmusters.
at a distance from the one main side of the substrate and arranging an objective (E) between the photomask and the substrate, d) adjusting the objective to sharply image the pattern of the photomask on the one main side of the substrate and the inclined wall (t) of the depression, e) Exposing the photoresist layer to light through the photomask and the lens, f) developing the photoresist layer, and g) applying a thick layer (22) of electrically conductive material to the areas of the thin layer outside the developed photoresist pattern.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der dünnen Schicht (21)0,2 bis 2 Mikron und die Dicke der dicken Schicht (22)2 bis 30 Mikron beträgt.
12. The method according to claim 11, characterized in that the thickness of the thin layer (21) is 0.2 to 2 microns and the thickness of the thick layer (22) is 2 to 30 microns.
13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die dicke Schicht (22) ein elektrisch leitendes Material umfasst, das vom zum Abätzen der dünnen Schicht (21) verwendeten flüssigen Ätzmittel praktisch nicht angegriffen wird.
13. The method according to claim 11, characterized in that the thick layer (22) comprises an electrically conductive material which is practically not attacked by the liquid etchant used for etching off the thin layer (21).
14. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Schicht (21) aus Kupfer besteht.
14. The method according to claim 11, characterized in that the thin layer (21) consists of copper.
15. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die dicke Schicht (22) aus mehreren Teilschichten (22a, 22b) aus verschiedenen, elektrisch leitenden Materialien besteht.
15. The method according to claim 11, characterized in that the thick layer (22) consists of several partial layers (22a, 22b) made of different, electrically conductive materials.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die äusserste Teilschicht (22a) der dicken Schicht vom zum Abätzen der dünnen Schicht verwendeten flüssigen Ätzmittel praktisch nicht angegriffen wird.
16. The method according to claim 15, characterized in that the outermost partial layer (22a) of the thick layer is practically not attacked by the liquid etchant used for etching off the thin layer.
17. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Schicht (21) durch stromloses Plattieren von Kupfer oder Nickel und die dicke Schicht (22) durch elektrolytisches Plattieren von Kupfer, Nickel und Gold erzeugt wird.
17. The method according to claim 11, characterized in that the thin layer (21) is produced by electroless plating of copper or nickel and the thick layer (22) by electrolytic plating of copper, nickel and gold.
18. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass mit Hilfe einer Gummiwalze ein dem gewünschten elektrischen Leitungsmuster entsprechendes Muster aus elektrisch leitender Druckfarbe auf die eine Hauptseite eines plattenförmi gen, elektrisch isolierenden Substrats (10) gedruckt wird, das auf dieser Hauptseite eine sich verjüngende Vertiefung (10') und eine im Grund der Vertiefung ausgebildete Ausnehmung (10") aufweist, so dass sich ein Teil des Musters aus elektrisch leitender Druckfarbe über die geneigte Wand (t) der Vertiefung bis zum Rand der Ausnehmung erstreckt.
18. The method according to claim 5, characterized in that with the aid of a rubber roller, a pattern corresponding to the desired electrical line pattern made of electrically conductive printing ink is printed on the one main side of a plate-shaped, electrically insulating substrate (10) which has a tapering on this main side Has recess (10 ') and a recess (10 ") formed in the base of the recess, so that part of the pattern of electrically conductive printing ink extends over the inclined wall (t) of the recess to the edge of the recess.
19. Verfahren nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch: a) Ablagern einer Schicht (21) aus elektrisch leitendem Material auf die eine Hauptseite eines plattenförmigen, elektrisch isolierenden Substrats (10), welche Hauptseite eine sich verjüngende Vertiefung (10') aufweist, in deren Grund eine Ausnehmung (10"') ausgebildet ist, durch stromloses Plattieren, Ablagern von Metalldampf oder Aufstäuben von Metall, b) Übertragen eines aus ätzmittelfestem Material bestehenden Musters, das einem gewünschten Leitungsmuster entspricht, von einer Gummiwalze auf die genannte Schicht (21), sodass sich ein Teil des Musters längs der geneigten Wand (t) der Vertiefung bis zum Rand der Ausnehmung erstreckt, und c) Entfernen des nicht vom Muster bedeckten elektrisch leitenden Materials durch Ätzen.
19. The method according to claim 5, characterized by: a) depositing a layer (21) of electrically conductive material on the one main side of a plate-shaped, electrically insulating substrate (10), which main side has a tapered depression (10 '), in the A recess (10 "') is formed by electroless plating, deposition of metal vapor or sputtering of metal, b) transferring a pattern consisting of etch-resistant material, which corresponds to a desired line pattern, from a rubber roller onto said layer (21), so that a part of the pattern extends along the inclined wall (t) of the recess to the edge of the recess, and c) removing the electrically conductive material not covered by the pattern by etching.
20. Verfahren nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch: a) Ablagern einer dünnen Schicht (21) aus elektrisch leitendem Material auf die eine Hauptseite eines plattenförmigen, elektrisch isolierenden Substrats (10), welche Hauptseite eine sich verjüngende Vertiefung (10') aufweist, in deren Grund eine Ausnehmung (10"') ausgebildet ist, durch stromloses Plattie ren, Ablagern von Metalldampf oder Aufstäuben von Metall, b) Übertragen eines aus ätzmittelfestem Material bestehenden Musters, das dem Negativbild eines gewünschten elektrischen Leitungsmusters entspricht, von einer Gummiwalze auf die dünne Schicht (21), c) Aufbringen einer dicken Schicht (22) aus elektrisch leitendem Material auf diejenigen Bereiche der dünnen Schicht, die nicht vom Muster bedeckt sind, durch elektrolytisches Plattieren, d) Entfernen des Musters aus ätzmittelfestem Material,
20. The method according to claim 5, characterized by: a) depositing a thin layer (21) of electrically conductive material on the one main side of a plate-shaped, electrically insulating substrate (10), which main side has a tapered depression (10 '), in the bottom of which is formed a recess (10 "') by electroless plating, deposition of metal vapor or sputtering of metal, b) transferring a pattern made of caustic material, which corresponds to the negative image of a desired electrical wiring pattern, from a rubber roller to the thin one Layer (21), c) applying a thick layer (22) of electrically conductive material to those areas of the thin layer which are not covered by the pattern, by electrolytic plating, d) removing the pattern from etchant-resistant material,
und e) Entfernen der freigelegten Teile der dünnen Schicht mit einem flüssigen Ätzmittel.
and e) removing the exposed parts of the thin layer with a liquid etchant.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schaltplatte und ein Verfahren zu deren Herstellung.
The present invention relates to a circuit board and a method for its production.
Die Fig. 1 zeigt eine bekannte Schaltplatte, auf der ein Halb.
Fig. 1 shows a known circuit board on which a half.
leiterelement oder eine integrierte Schaltung angeordnet ist.
conductor element or an integrated circuit is arranged.
Die Schaltplatte besitzt ein aus elektrisch isolierendem Material bestehendes Substrat 1, in dessen mittleren Teil das Halbleiterelement A fest montiert ist. Wie die Schnittansicht nach der Fig. 2 zeigt, sind die Enden 2' von elektrischen Leitern 2 über Verbindungsdrähte B mit den Anschlüssen des Halbleiterelements verbunden. Die Verbindungsdrähte und das Haltleiterelement sind von einem Kunstharztropfen P bedeckt, der auf das Substrat aufgebracht ist.
The circuit board has a substrate 1 made of electrically insulating material, in the middle part of which the semiconductor element A is fixedly mounted. As the sectional view according to FIG. 2 shows, the ends 2 ′ of electrical conductors 2 are connected to the connections of the semiconductor element via connecting wires B. The connecting wires and the semiconductor element are covered by a drop of synthetic resin P which is applied to the substrate.
Bei einem elektronischen Rechner muss eine Schaltplatte im Gehäuse untergebracht werden, wobei zur Verringerung der Gesamtdicke des Gehäuses die Schaltplatte so dünn als möglich sein muss. Die beschriebene bekannte Schaltplatte hat an der Stelle, an der sich der runde Kunststofftropfen befindet, eine beträchtliche Dicke, so dass sie für flache elektronische Rechner nicht mit Vorteil verwendet werden kann.
In the case of an electronic computer, a circuit board must be accommodated in the housing, the circuit board having to be as thin as possible in order to reduce the overall thickness of the housing. The known circuit board described has a considerable thickness at the point where the round plastic drop is located, so that it cannot be used with advantage for flat electronic computers.
Zur Behebung dieses Nachteils hat die in der Fig. 3 dargestellte bekannte Schaltplatte eine Ausnehmung 1 S in der das Halbleiterelement A angeordnet ist. Bei der Schaltplatte nach der Fig. 3 erstrecken sich jedoch in Enden B' der Verbindungsdrähte B über die Ausnehmung 1 S so dass der Kunstharztropfen über die Oberfläche 1" des Substrats ragt, wodurch die Dicke des Gehäuses nicht genügend verringert werden kann.
To remedy this disadvantage, the known circuit board shown in FIG. 3 has a recess 1 S in which the semiconductor element A is arranged. 3, however, the ends B 'of the connecting wires B extend over the recess 1 S in the ends B', so that the synthetic resin drop projects over the surface 1 "of the substrate, as a result of which the thickness of the housing cannot be reduced sufficiently.
Bei den Schaltplatten nach den Fig. 1 bis 3 besteht zudem die Gefahr, dass die Verbindungsdrähte B infolge der Oberflächenspannung des Kunstharzes bei der Herstellung des Tropfens P nicht vollständig eingebettet werden, so dass zur Isolierung und zum Schutz der Verbindungsdrähte eine zusätzliche Kunstharzschicht auf dem Tropfen P aufgebracht werden muss.
1 to 3 there is also the risk that the connecting wires B will not be completely embedded due to the surface tension of the synthetic resin in the manufacture of the drop P, so that an additional synthetic resin layer on the drop for insulation and protection of the connecting wires P must be applied.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung einer Schaltplatte, welche die Nachteile der bekannten Schaltplatten nicht aufweist
Die Schaltplatte nach der Erfindung ist gekennzeichnet durch: a) ein elektrisch isolierendes Substrat, b) eine sich verjüngende Vertiefung im Substrat, c) eine im Grund der Vertiefung gebildete Ausnehmung mit ebenen Boden, und d) eine Mehrzahl auf der Oberfläche des Substrats angeordnete elektrische Leiter, die sich über die geneigte Wand der Vertiefung erstrecken und am Rand der Ausnehmung enden, so dass ein Halbleiterbauelement in der Ausnehmung angeordnet, die Anschlüsse des Halbleiterelements mit den Leitern verbunden und die Ausnehmung sowie die Vertiefung mit Kunstharz derart gefüllt werden können,
The object of the present invention is to provide a circuit board which does not have the disadvantages of the known circuit boards
The circuit board according to the invention is characterized by: a) an electrically insulating substrate, b) a tapered depression in the substrate, c) a recess formed in the base of the depression with a flat bottom, and d) a plurality of electrical ones arranged on the surface of the substrate Conductors which extend over the inclined wall of the depression and end at the edge of the recess, so that a semiconductor component is arranged in the recess, the connections of the semiconductor element can be connected to the conductors, and the recess and the depression can be filled with synthetic resin in this way,
dass dessen freie Oberfläche mit der des Substrats koplanar ist
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der beiliegenden Zeichnungen beispielsweise beschrieben. In den Zeichnungen zeigt: Fig. 1 eine Draufsicht auf eine bekannte Schaltplatte,
Fig. 2 eine Schnittansicht der Schaltplatte nach der Fig. 1 mit einem Halbleiterelement, Fig. 3 eine Schnittansicht einer anderen bekannten Schalt.
that its free surface is coplanar with that of the substrate
The invention is described below with reference to the accompanying drawings, for example. 1 shows a plan view of a known circuit board,
Fig. 2 is a sectional view of the circuit board of FIG. 1 with a semiconductor element, Fig. 3 is a sectional view of another known circuit.
platte mit einer Ausnehmung, die ein Halbleiterelement enthält, Fig. 4 eine Schnittansicht eines ersten Ausführungsbeispiels der Schaltplatte nach der Erfindung, Fig. 5 eine Schnittansicht der Schaltplatte nach der Fig. 4 mit montiertem Halbleiterelement, Fig. 6A bis 6D Stufen eines Verfahrens zur Herstellung einer Schaltplatte nach der Erfindung, Fig. 7 eine Schnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels der Schaltplatte nach der Erfindung, bei dem der obere und untere Randbereich der Vertiefung abgerundet ist, und Fig. 8 eine Schnittansicht eines dritten Ausführungsbeispiels der Schaltplatte nach der Erfindung.
4 shows a sectional view of a first exemplary embodiment of the circuit board according to the invention, FIG. 5 shows a sectional view of the circuit board according to FIG. 4 with the semiconductor element mounted, FIGS. 6A to 6D show steps of a method for manufacturing 7 is a sectional view of a second embodiment of the circuit board according to the invention, in which the upper and lower edge region of the recess is rounded, and FIG. 8 is a sectional view of a third embodiment of the circuit board according to the invention.
Die Fig. 1 bis 3 zeigen die bereits beschriebenen, bekannten Schaltplatten. Die Fig. 4 zeigt ein erstes Ausführungsbeipiel der Schaltplatte nach der Erfindung. Die Schaltplatte nach der Fig.
1 to 3 show the known circuit boards already described. Fig. 4 shows a first exemplary embodiment of the circuit board according to the invention. The circuit board according to Fig.
4 umfasst ein elektrisch isolierendes Substrat 10, das in seiner Mitte eine sich verjüngende Vertiefung 10 und im Grund 10tut der Vertiefung eine Ausnehmung 10' mit ebenem Boden besitzt Auf die ebene Oberseite f des Substrats, die geneigte Wand der Vertiefung 10 und den Grund 10tut der Vertiefung sind elektrische Leitungen 20 aufgedruckt.
4 comprises an electrically insulating substrate 10, which has a tapering depression 10 in its center and a recess 10 'with a flat bottom in the bottom 10tut of the depression Electrical lines 20 are printed on the recess.
Die Dicke des Substrats 10 beträgt 0,6 bis 5 mm, vorzugsweise 1 bis 2 mm, und die Tiefe d der Vertiefung 0,2 bis 0,6 D, wobei D die Dicke des Substrats ist, so dass die in der Fig. 5 dargestellten Verbindungsdrähte B in der Vertiefung angeordnet werden können. Die Tiefe d kann 0,2 bis 1 mm, vorzugsweise 0,3 bis 0,5 mm betragen.
The thickness of the substrate 10 is 0.6 to 5 mm, preferably 1 to 2 mm, and the depth d of the depression is 0.2 to 0.6 D, where D is the thickness of the substrate, so that that in FIG. 5 connecting wires B shown can be arranged in the recess. The depth d can be 0.2 to 1 mm, preferably 0.3 to 0.5 mm.
Der Neigungswinkel a der geneigten Wand der Vertiefung liegt im Bereich von 30 bis 800 und ist vorzugsweise kleiner als 80#, so dass die elektrischen Leitungen mit hoher Genauigkeit auf die Wand der Vertiefung gedruckt werden können. Die Tiefe der Ausnehmung 10t hängt von der Dicke des Halblei- terelements ab und beträgt 0,2 bis 0,5 mm.
The angle of inclination a of the inclined wall of the depression is in the range from 30 to 800 and is preferably less than 80 #, so that the electrical lines can be printed on the wall of the depression with high accuracy. The depth of the recess 10t depends on the thickness of the semiconductor element and is 0.2 to 0.5 mm.
Durch diese Ausbildung der erfindungsgemässen Schaltplatte können das Halbleiterelement A und die Verbindungsdrähte B völlig in Kunstharz eingebettet werden, wobei die freie Oberfläche des Kunstharzes P in der gleiche Ebene liegt wie die Oberseite f des Substrats (Fig.5). Ferner befinden sich die Enden 20t der elektrischen Leitungen auf dem ebenen Grund der Vertiefung, so dass diese Enden leicht mit den Verbindungsdrähten B verbunden werden können. Da die Oberfläche des Kunstharzes P mit der Oberseite des Substrats koplanar ist, kann das ganze Substrat, wenn gewünscht, auf einfache Weise mit einem Überzug versehen werden.
This configuration of the circuit board according to the invention allows the semiconductor element A and the connecting wires B to be completely embedded in synthetic resin, the free surface of the synthetic resin P lying in the same plane as the upper side f of the substrate (FIG. 5). Furthermore, the ends 20t of the electrical leads are on the flat bottom of the recess, so that these ends can be easily connected to the connecting wires B. Since the surface of the synthetic resin P is coplanar with the upper side of the substrate, the entire substrate can, if desired, be provided with a coating in a simple manner.
Bei der Herstellung von erfindungsgemässen Schaltplatten müssen die elektrischen Leitungen infolge der Form der Vertiefung 10t auf eine relativ komplizierte oder unebene Oberfläche erzeugt werden. Mit den bekannten Verfahren, bei denen eine Photomaske belichtet wird, ist es jedoch schwierig die elektrischen Leitungen mit hoher Genauigkeit zu erzeugen. Mit den nachstehend beschriebenen Verfahren können jedoch auch die erfindungsgemässen Schaltplatten auf einfache Weise hergestellt werden.
When manufacturing circuit boards according to the invention, the electrical lines have to be produced on a relatively complicated or uneven surface due to the shape of the recess 10t. However, with the known methods in which a photomask is exposed, it is difficult to produce the electrical lines with high accuracy. However, the circuit boards according to the invention can also be produced in a simple manner using the methods described below.
Zur Herstellung einer erfindungsgemässen Schaltplatte wird ein elektrisch isolierendes Substrat, welches eine sich verjüngende Vertiefung und eine Ausdehnung in der Vertiefung zur Aufnahme eines Halbleiterelements besitzt, mit einer Schicht aus elektrisch leitendem Material überzogen und auf diese Schicht eine Photolackschicht aufgebracht. Dann wird eine Photomaske mit dem gewünschten Leitungsmuster mit Hilfe einer Linse auf die Oberfläche des Substrats abgebildet, so dass die Photolackschicht mit dem Leitungsmuster belichtet wird. Die Photolackschicht wird dann entwickelt und die belichteten Teile der Photolackschicht zusammen mit dem darunter liegenden Teil der Metallschicht durch Ätzen entfernt,
**WARNUNG** Ende CLMS Feld konnte Anfang DESC uberlappen**.
To produce a circuit board according to the invention, an electrically insulating substrate, which has a tapering depression and an expansion in the depression for receiving a semiconductor element, is coated with a layer of electrically conductive material and a photoresist layer is applied to this layer. A photomask with the desired line pattern is then imaged onto the surface of the substrate with the aid of a lens, so that the photoresist layer is exposed to the line pattern. The photoresist layer is then developed and the exposed parts of the photoresist layer together with the underlying part of the metal layer are removed by etching,
** WARNING ** End of CLMS field could overlap beginning of DESC **.