CH658758A5 - Steuerschaltung fuer gategesteuerte diodenschalter. - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Steuerschaltung für eine erste gategesteuerte Diodenschaltvorrichtung, die einen Halbleiterkörper aufweist, der einen Hauptmasseabschnitt mit einem relativ hohen spezifischen Widerstand, eine 25 erste Zone eines ersten Leitungstyps mit einem relativ niedrigen spezifischen Widerstand und eine zweite und eine dritte Zone besitzt, die von einem zweiten, dem ersten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyp sind, wobei die erste und die dritte Zone an Ausgangsanschlüsse der ersten Schaltvorrichtung ange-30 schlössen sind, die zweite Zone an einen Steueranschluss der Schaltvorrichtung gekoppelt ist, die erste, die zweite und die dritte Zone durch Abschnitte der Hauptmasse des Halbleiterkörpers voneinander getrennt sind, mit einer zweiten gategesteuerten Diodenschaltvorrichtung desselben Typs und mit im 35 wesentlichen denselben elektrischen Eigenschaften wie die erste Schaltvorrichtung, wobei ein Ausgangsanschluss der zweiten Schaltvorrichtung an den Steueranschluss der ersten Schaltvorrichtung angeschlossen ist.

Die US-PS 4 250 409 beschreibt eine Steuerschaltung zum 40 Steuern des Zustands von für den Betrieb bei hoher Spannung und relativ starkem Strom ausgelegten Festkörperschaltern wie z.B. gategesteuerten Diodenschaltern (GDS), die in dem Artikel «A 500 V Monolithic Bidirectional 2x2 Crosspoint Array», 1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference-Digest 45 of Technical Papers, Seiten 170 und 171 beschrieben sind. Wie in der Patentschrift hervorgehoben wird, ergeben sich besondere Probleme beim Steuern der GDS dadurch, dass die Notwendigkeit besteht, beim Ausschalten des Bauelements einen starken Strom bereitzustellen oder aus dem Gate zu ziehen. Die so Steuerschaltung besteht aus einer kleineren Anzahl von Transistoren und einem Strombegrenzerelement. Ein Problem bei dieser Steuerschaltung besteht darin, dass Ströme mit unerwünschten Stromstärken in die Lastschalter und die zugehörigen Schaltungsteile aufgrund von Schwankungen in dem Strombegrenzer 55 injiziert werden.

Es wäre wünschenswert, eine Schaltung zur Verfügung zu haben, die dieselbe grundlegende Funktion hat wie die oben beschriebene Steuerschaltung, die jedoch keinen Strombegrenzer benötigt und weniger Bauelemente und weniger Chipfläche für 60 die Realisierung benötigt.

Erfindungsgemäss werden diese Probleme bei einer Steuerschaltung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass eine dritte und eine vierte Schaltvorrichtung vorgesehen sind, die jeweils einen Steueranschluss und einen ersten und einen zweiten r.5 Ausgangsanschluss aufweisen, dass der Steueranschluss der dritten Schaltvorrichtung und ein erster Ausgangsanschluss der vierten Schaltvorrichtung an einen ersten Steuerschaltungs-Ein-gangsanschluss angeschlossen sind, dass ein zweiter Ausgangs-

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anschluss der vierten Schaltvorrichtung an einen ersten Ausgangsanschluss der zweiten Schaltvorrichtung angeschlossen ist, Jass der Steueranschluss der vierten Schaltvorrichtung und der erste Ausgangsanschluss der dritten Schaltvorrichtung zusammengeschaltet und an einen zweiten Steuerschaltungsanschluss gekoppelt sind, und dass ein zweiter Ausgangsanschluss der dritten Schaltvorrichtung an den Steueranschluss der zweiten Schaltvorrichtung angeschlossen ist, um durch die zweite Schaltvorrichtung einen Strom bis zu einer vorgegebenen Stärke zu schicken.

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Die einzige Figur zeigt eine Ausführungsvariante der Erfindung.

Die vorliegende Erfindung schafft eine Steuerschaltung, bei Jer ein Steuerschalter GDSC eingesetzt ist, der mit einem Ausgangsanschluss an den Steueranschluss eines ähnlichen Last->chalters GDSL1 oder GDSL2 angeschlossen ist. Steuerschalter und Lastschalter besitzen jeweils einen Steueranschluss und einen ersten und einen zweiten Ausgangsanschluss. In einer bevorzugten Ausführungsform sind diese Schalter gategesteuerte Diodenschalter, deren Ausgangsanschlüsse die Anode und die Kathode sind, während ihr Steueranschluss das Gate ist. Die er-t'indungsgemässe Steuerschaltung 12 enthält im wesentlichen zwei Schaltvorrichtungen Q2 und Q3, die jeweils einen Steueranschluss und einen ersten und einen zweiten Ausgangsanschluss besitzen. In einer Ausführungsform sind die erste und die zweite Schaltvorrichtung PNP-Bipolartransistoren. Die Basis von Q2 und der Emitter von Q3 sind zusammen an einen Eingangsanschluss gekoppelt. Der Emitter von Q2 und die Basis von Q3 sind an einen gemeinsamen Anschluss 26 gekoppelt. Der Kollektor von Q3 ist an die Anode von GDSC gekoppelt, während der Kollektor von Q2 an das Gate von GDSC gekoppelt ist. Q2 und Q3 dienen im wesentlichen zum Steuern des Zustands von GDSC.

Es soll nun speziell auf die Figur Bezug genommen werden. Die Figur zeigt eine Schaltanordnung 10 mit einer Steuerschal-tung 12 (innerhalb des grössten Rechtecks), die mit einen Ausgangsanschluss 34 an die Gates eines Paares von gategesteuerten Hochspannungs-(Durchlass)-DiodenlastschaItvorrichtungen GDSL1 und GDSL2 angeschlossen ist. Die Anode von GDSL1 und die Kathode von GDSL2 sind an einen Anschluss XO und an einen ersten Anschluss eines Widerstands R3 angeschlossen. Ein zweiter Anschluss von R3 ist an einen Anschluss 36 und an eine Potentialquelle VI angeschlossen. Die Anode von GDSL2 und die Kathode von GDSL1 sind an einen Anschluss YO und an einen ersten Anschluss eines Widerstands R4 angeschlossen. Ein zweiter Anschluss von R4 ist an einen Anschluss 38 und an eine Potentialquelle V2 gekoppelt. Die aus GDSL1 und GDSL2 bestehende Kombination arbeitet als bidirektionaler Schalter, der über einen Pfad relativ niedrigen Widerstands durch GDSL1 oder GDSL2 selektiv ein Leiten zwischen den Anschlüssen XO und YO bewirkt. Als anschauliches Beispiel sei angenommen. dass es sich bei diesen Schaltern um gategesteuerte Diodenschalter handle. Die Steuerschaltung 12 arbeitet so, dass Me die zum Steuern der Zustände von GDSLI und GDSL2 benötigten Potentiale an den Anschlüssen 34 und XO und die benotigten Potentiale und Stromquellen und -senken bereitstellt.

Ein gategesteuerter Diodenschalter enthält in an sich bekannter Weise einen Halbleiterkörper, der einen Hauptmasse-ubschnitt eines ersten Leitungstyps und mit einem relativ hohen spezifischen Widerstand, eine Anodenzone des ersten Leitungstyps und mit einem relativ niedrigen spezifischen Widerstand, und eine Gate- und eine Kathodenzone eines zweiten Leitungstyps, der dem ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist, aufweist. Die Anoden- und die Kathodenzone sind mit Ausgangsanschlüssen des Schalters verbunden. Die Gatezone ist an einen Steueranschluss des Schalters angeschlossen. Die Anoden-, die Gate- und die Kathodenzone sind durch Abschnitte der Hauptmasse des Halbleiterkörpers voneinander getrennt. Während des EIN-Zustands erfolgt ein Leiten zwischen der Kathoden- und der Anodenzone durch Doppelträgerinjektion, die ein leitendes Plasma bildet. Die Vorrichtung wird dadurch in den AUS-Zu-5 stand geschaltet, dass an die Gatezone eine Spannung gelegt wird, die ausreicht, um den Hauptmasseabschnitt zwischen der Anoden- und der Kathodenzone von Trägern zu verarmen.

Die Steuerschaltung 12 enthält im wesentlichen einen Hochspannungsschalter GDSC, eine erste Spannungsverzweigungs-lo Schaltung 14 (diese ist durch ein getricheltes Rechteck dargestellt) und eine zweite Spannungsverzweigungsschaitung 16 (diese ist durch ein weiteres gestricheltes Rechteck dargestellt). Als Beispiel sei angenommen, GDSC sei ein gategesteuerter Dioden Schalter. Die Verzweigungsschaltung 14 hält GDSL1 und 15 GDSL2 selektiv derart im EIN-Zustand, dass ein Leiten durch entweder GDSL1 oder GDSL2 möglich ist, wenn die Potentiale an dem jeweiligen Anoden- und Kathodenanschluss ausreichen, um den leitenden Zustand zu unterstützen. Die Verzweigungsschaltung 14 kann ein Leiten durch beide Lastschalter verhin-2o dem, indem die Lastschalter im AUS-Zustand gehalten werden, oder sie kann zur Erzielung eines relativ schwachen Stromflus-ses durch GDSL1 und/oder GDSL2 eine Unterbrechung des Stromflusses verursachen (GDSL1 oder GDSL2 wird in den AUS-Zustand geschaltet). Die Verzweigungsschaltung 14 dient 25 im wesentlichen dazu, GDSL1 und GDSL2 in einen AUS-Zu-stand zu schalten, sie unterstützt daher das Unterbrechen (Sperren) eines relativ starken Stroms zwischen den Anschlüssen XO und YO unabhängig von den an sich angelegten Potentialen, solange diese Potentiale innerhalb vorgegebener Grenzen liegen. 30 Die Verzweigungsschaltung 14 enthalt PNP-Transistoren Ql, Q2 und Q3, einen NPN-Transistor Q4 sowie Widerstande Rl und R2. Ein V|N-Eingangsanschluss 18 ist an einen ersten Anschluss von Rl angeschlossen. Ein zweiter Anschluss von Rl liegt an der Basis von Ql und Q2, dem Emitter von Q3 und an 35 einem Anschluss 20. Der Emitter von Ql ist an einen ersten Anschluss von R2 und an einen Anschluss 22 angeschlossen. Einzweiter Anschluss von R2 ist an den Emitter von Q2, die Basis von Q3 und an einen Anschluss 26 angeschlossen, der an eine Spannungsquelle V + + gekoppelt ist. Der Kollektor von Ql ist 40 an die Basis von Q4 und an einen Anschluss 24 gekoppelt. Der Kollektor von Q2 ist an das Gate von GDSC und an einen Anschluss 28 angeschlossen. Der Kollektor von Q3 ist an die Anode von GDSC und an einen Anschluss 30 angeschlossen. Der Emitter von Q4 ist an XO angeschlossen, und der Kollektor 45 von Q4 ist an die Gates von GDSL1 und GDSL2, an die Kathode von GDSC und an einen Ausgangsanschluss 34 angeschlossen.

Die Verzweigungsschaltung 16 enthält im wesentlichen eine Diode Dl, deren Kathode an den Anschluss 30 und deren Anso ode an einen Anschluss 32 sowie eine Spannungsversorgung V + angeschlossen ist. Typischerweise hat die Spannungsversorgung V + ein weniger positives Potential als die Spannungsversorgung V + +.

Die Anordnung 10 arbeitet grundsatzlich wie folgt: Unter 55 der Annahme, dass GDSL1 und GDSL2 nicht leiten und die an den Eingangsanschluss 18 angelegte Spannung eine «1» ist (was typischerweise gleichbedeutend damit ist, dass diese Spannung 2,5 Volt positiver ist als V + + ), sind Q l, Q2 und Q4 derart vorgespannt, dass sie ausgeschaltet sind, wahrend Q3 in den 60 eingeschalteten Zustand vorgespannt ist. GDSC ist eingeschaltet, da dessen Anode (Anschluss 30) auf einem nah bei V + + befindlichen Potential liegt und sein Gateanschluss typischerweise bei dem Pegel von V + + oder einem weniger positiven Pegel potentialmässig schwimmt. Kriechstrome von GDSLI 65 und GDSL2 können vom Anschluss 18 durch die Emitter-Kol-lektor-Strecke von Q3 über die Anoden-Kuthoden-Streeke von GDSC und in die Gates \on GDSLI und GDSL2 fliessen. An dem Anschluss 34 erscheint annahernd der Potentialpegel von

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V + +. GDSLI und GDSL2 sind ausgeschaltet und können keinen Strom leiten.

Es sei nun angenommen, V[N schalte von «1» auf «0» (der Spannungspegel «0» ist typischerweise 2,2 Volt weniger positiv als V + +). Dann sind Ql, Q2 und Q4 eingeschaltet, während Q3 ausgeschaltet ist. Wenn Q2 eingeschaltet wird, steigt das Potential am Gate von GDSC (Anschluss 28) auf V + +. Das Potential der Anode von GDSC (Anschluss 30), das ebenfalls etwa V h—v betragen hatte, beginnt abzufallen, da GDSC und Q4 beide eingeschaltet sind. Das Potential der Anode und der Kathoden von GDSC fällt ab, bis sie etwa 20 Volt unterhalb des Potentials des Gate von GDSC liegen, und dann schaltet GDSC aus. Da Q4 eingeschaltet ist, wird der Anschluss 34 weiter in Richtung auf das Potential am Anschluss XO entladen.

Es sei angenommen, dass VI +200 Volt und V2 Erdpotential entspreche, und dass V + + = 315 Volt und V + = + 275 Volt betrage. Wenn der Anschluss 34 auf etwa + 20 Volt oberhalb des Potentials am Anschluss XO entladen wird, wird GDSLI eingeschaltet und veranlasst dann ein rasches Entladen des Anschlusses 34 auf etwa das Potential am Anschluss XO. Somit ist GDSLI eingeschaltet und leitet Strom vom Anschluss XO zum Anschluss YO. Wenn alternativ das Potential von V2 + 200 Volt und das Potential von VI Massepotential wäre, würde GDSL2 eingeschaltet werden und Strom vom Anschluss YO zum Ausgangsanschluss XO leiten.

Wenn nun Strom entweder durch GDSLI oder GDSL2 fliesst, soll Vi„ von «0» auf «1» schalten. Nun werden Ql, Q2 und Q4 ausgeschaltet, während Q3 eingeschaltet wird. Zu Beginn liegt das Gate von GDSC (Anschluss 28) etwa auf V + +, und die Anode (Anschluss 30) liegt auf etwa 20 Volt niedrigerem Potential. Dies führt dazu, dass GDSC im AUS-Zustand ist. Dann beginnt das Potential an der Anode von GDSC in Richtung auf V + + anzusteigen, wobei GDSC eingeschaltet wird. Die Potentiale an der Anode, der Kathode und dem Gate von GDSC beginnen nun abzufallen, während Strom in den eingeschalteten und leitenden gategesteuerten Last-Diodenschal-ter GDSLI oder GDSL2 fliesst. Das Gate (Anschluss 28) von GDSC wird auf etwa 0,7 Volt unterhalb des Potentials der Anode (Anschluss 30) von GDSC gehalten, da GDSC leitet. Wenn das Potential der Anode von GDSC etwa um einen Diodenspannungsabfall unter den Potentialpegel von V + abfällt, wird Dl leitend und liefert einen beträchtlichen Strom durch GDSC und in den Anschluss 34 sowie das Gate von GDSLI oder GDSL2.

Das Potential von V + (Anschluss 32) und der in das Gate von GDSLI oder GDSL2 geschickte Strom sind beide so vorgewählt, dass sie ausreichen, den Stromfluss durch den leitenden gategesteuerten Dioden-Lastschalter zu sperren und den Schalter dadurch auszuschalten. Wenn GDSLI oder GDSL2 ausgeschaltet wird, wird der in sein Gate fliessende Strom signifikant reduziert. Dies ermöglicht, dass das Potential am Anschluss 30 auf etwa den Pegel von V+ + ansteigt und dadurch Dl in Sperrichtung vorspannt. Dies sperrt jeglichen Stromfluss von V + .

Wenn der Pegel des Stromflusses durch GDSLI oder GDSL2 ausreichend niedrig ist, reicht der relativ mässige, durch

Q3 und in GDSC hineinfliessende Strom aus, den Stromfluss durch GDSLI oder GDSL2 zu unterbrechen, und das Potential am Anschluss 30 fällt nicht so weit ab, dass es zum Vorspannen von Dl in Durchlassrichtung ausreicht.

Die Kombination der Transistoren Q2 und Q3 steuert GDSC und steuert wenigstens teilweise den Zustand von GDSLI und GDSL2 relativ unabhängig von V + und Dl und der Kombination von Ql und Q4, die den entsprechenden Transistoren gemäss der US-PS 4 250 409 äquivalent sind.

R3 und R4 dienen zum Begrenzen des Stroms, der durch GDSLI und/oder GDS2 fliessen kann und ermöglichen, dass die Potentialdifferenz zwischen den Anschlüssen XO und YO typischerweise etwa 2,2 Volt beträgt, wenn GDSLI oder GDSL2 eingeschaltet und leitend ist.

Die Schaltanordnung 10 wurde aufgebaut und geprüft, und es stellte sich heraus, dass sie einwandfrei arbeitet. Die Steuerschaltung 12 und GDSLI und GDSL2 wurden sämtlich auf einem einzigen Halbleitersubstrat unter Verwendung dielektrischer Trennung realisiert. Die hergestellte Schaltung enthielt auch ein zweites Paar von gategesteuerten Last-Diodenschaltern mit zwei zusätzlichen Transistoren ähnlich den Transistoren Ql und Q4. Die Kathode von GDSC dieser aufgebauten Schaltung war an die Anoden eines Paares zusätzlicher Dioden (nicht dargestellt) gekoppelt, die den entsprechenden Dioden ähnlich waren, die in Fig. 4 der US-PS 4 250 409 dargestellt sind.

Bei der realisierten Schaltung betrug V + + = +315 Volt, V+ = +275 Volt, VI = ±200 Volt, V2 = ±200 Volt, Rl = 18k Ohm, R2 = 10k Ohm, V]N «1» = +317,5 Volt, V|N «0» = +312,8 Volt, während GDSC, GDSLI und GDSL2 samtlich den grundsätzlichen Aufbau hatten, wie er in dem Artikel «A 500 V Monolithic Bidirectional 2x2 Crosspoint Array», 1980 IEEE International Solid-States Circuits Conference Digest of Technical Papers, Seiten 170 und 171 beschrieben ist.

Die hier beschriebenen Ausführungsbeispiele haben lediglich beispielhaften Charakter. Es sind verschiedene Abweichungen möglich, ohne vom Grundgedanken der Erfindung abzuweichen. Beispielsweise könnten die Bipolartransistoren Ql, Q2, Q3 und Q4 Feldeffekttransistoren oder andere Arten von Schaltvorrichtungen sein, die für den Betrieb mit hohen Spannungen und massigen Strömen ausgelegt sind. Weiterhin kann ein Transistor oder eine andere Schaltvorrichtung die Diode Dl ersetzen. Ferner können elektrisch oder optisch aktivierte Schalter, wie sie in Fig. 4 der US-PS 4 250 409 beschrieben sind, zwischen die Diode Dl und die Spannungsversorgung V + geschaltet werden. Darüber hinaus könnte ein Strombegrenzer oder dergleichen zwischen den Anschluss 34 und die Anschlüsse XO oder YO oder an eine negative Spannungsversorgung gekoppelt werden, und R2, Ql und Q4 könnten fortgelassen werden. GDSC und/oder GDSLI und/oder GDSL2 könnten durch Schaltvorrichtungen ersetzt werden, bei denen es sich nicht um gategesteuerte Diodenschalter handelt. Derartige Schalter wären dadurch gekennzeichnet, dass sie eine hohe Steuerspannung zum Anlegen an den Steueranschluss und das Aufnehmen von Strom in den Steueranschluss benötigen, um das Leiten zwischen den Ausgangsanschlüssen der Schalter zu unterbrechen (zu Sperren).

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1 Blatt Zeichnungen

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   PATENTANSPRÜCHE

   1. Steuerschaltung für eine erste gategesteuerte Dioden-schaltvorrichtung (GDSL1), die einen Halbleiterkörper aufweist, der einen Hauptmasseabschnitt mit einem relativ hohen spezifischen Widerstand, eine erste Zone eines ersten Leitungstyps mit einem relativ niedrigen spezifischen Widerstand und eine zweite und eine dritte Zone besitzt, die von einem zweiten, dem ersten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyp sind, wobei die erste und die dritte Zone an Ausgangsanschlüsse (XO, YO) der ersten Schaltvorrichtung angeschlossen sind, die zweite Zone an einen Steueranschluss (34) der Schaltvorrichtung gekoppelt ist, die erste, die zweite und die dritte Zone durch Abschnitte der Hauptmasse des Halbleiterkörpers voneinander getrennt sind, mit einer zweiten gategesteuerten Diodenschaltvor-richtung (GDSC) desselben Typs und mit im wesentlichen denselben elektrischen Eigenschaften wie die erste Schaltvorrichtung, wobei ein Ausgangsanschluss der zweiten Schaltvorrichtung an den Steueranschluss (34) der ersten Schaltvorrichtung angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine dritte (Q2) und eine vierte (Q3) Schaltvorrichtung vorgesehen sind, die jeweils einen Steueranschluss und einen ersten und einen zweiten Ausgangsanschluss aufweisen, dass der Steueranschluss (20) der dritten Schaltvorrichtung und ein erster Ausgangsanschluss der vierten Schaltvorrichtung (Q3) an einen ersten Steuerschal-tungs-Eingangsanschluss (18) angeschlossen sind, dass ein zweiter Ausgangsanschluss (30) der vierten Schaltvorrichtung an einen ersten Ausgangsanschluss der zweiten Schaltvorrichtung (GDSC) angeschlossen ist, dass der Steueranschluss (26) der vierten Schaltvorrichtung (Q3) und der erste Ausgangsanschluss der dritten Schaltvorrichtung (Q2) zusammengeschaltet und an einen zweiten Steuerschaltungsanschluss (V+ + ) gekoppelt sind, und dass ein zweiter Ausgangsanschluss (28) der dritten Schaltvorrichtung (Q2) an den Steueranschluss der zweiten Schaltvorrichtung (GDSC) angeschlossen ist, um durch die zweite Schaltvorrichtung einen Strom bis zu einer vorgegebenen Stärke zu schicken.
2. 2. Steuerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass an die zweite Schaltvorrichtung (GDSC) eine Verzweigungsschaltung (16) angeschlossen ist, die zum Abschalten der ersten Schaltvorrichtung (GDSL1) im Stande ist, in die zweite Schaltvorrichtung einen Strom mit einer Stärke zu schicken, die grösser ist als die erwähnte vorgegebene Stromstärke, wenn die Stärke des durch die erste Schaltvorrichtung (GDSL1) fliessenden Stroms einen vorgegebenen Wert überschreitet, dass eine fünfte (Ql) und eine sechste (Q4) Schaltvorrichtung vorgesehen sind, die jeweils einen Steueranschluss und einen ersten und einen zweiten Ausgangsanschluss aufweisen und für den Betrieb bei hoher Spannung ausgelegt sind, dass der Steueranschluss (20) der fünften Schaltvorrichtung an den Steueranschluss der dritten Schaltvorrichtung gekoppelt ist, dass der zweite Ausgangsanschluss der fünften Schaltvorrichtung an den Steueranschluss (24) der sechsten Schaltvorrichtung angeschlossen ist, dass der erste Ausgang der fünften Schaltvorrichtung an den Steueranschluss (26) der vierten Schaltvorrichtung angeschlossen ist, dass der erste Ausgangsanschluss der sechsten Schaltvorrichtung an einen der Ausgangsanschlüsse (XO) der ersten . Schaltvorrichtung angeschlossen ist, und dass der zweite Ausgangsanschluss der sechsten Schaltvorrichtung an den zweiten Ausgangsanschluss (34) der zweiten Schaltvorrichtung (GDSC) angeschlossen ist.
3. 3. Steuerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste (Rl) und eine /.weite (R2) Widerstandsanordnung vorgesehen sind, die jeweils einen ersten und einen zweiten Anschluss aufweisen, dass der erste Anschlusss der ersten Widerstandsanordnung an den ersten Steuerschaltungs-Eingangsanschluss (Vis) angeschlossen ist, dass der zweite Anschluss (20) der ersten Widerstandsanordnung an die Steueranschlüsse der dritten (Q2) und der fünften (QU Schaltvorrichtung und an den ersten Ausgangsanschluss der vierten Schaltvorrichtung (Q3) angeschlossen ist, dass der erste Anschluss (22) der zweiten Widerstandsanordnung an den ersten Ausgangsanschluss der fünften Schaltvorrichtung angeschlossen ist, s und dass 3er zweite Anschluss (26) der zweiten Widerstandsanordnung an den ersten Ausgangsanschluss der dritten Schaltvorrichtung und an den Steueranschluss der vierten Schaltvorrichtung angeschlossen ist.
4. 4. Steuerschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich-lo net, dass die erste (GDSL1) und die zweite (GDSL2) Schaltvorrichtung für den Betrieb bei hoher Spannung und starkem Strom ausgelegt sind, dass die dritte (Q2), die vierte (Q3), die fünfte (Ql) und die sechste (Q4) Schaltvorrichtmig für den Betrieb bei hoher Spannung und einem kleineren Strom als die er-i5 ste und zweite Schaltvorrichtung ausgelegt sind, und dass die erste und die zweite Widerstandsanordnung ein erster (Rl) bzw. • zweiter (R2) Widerstand ist.

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