CH707480B1 - Bondkopf mit einem heiz- und kühlbaren Saugorgan. - Google Patents

Bondkopf mit einem heiz- und kühlbaren Saugorgan. Download PDF

Info

Publication number
CH707480B1
CH707480B1 CH00245/13A CH2452013A CH707480B1 CH 707480 B1 CH707480 B1 CH 707480B1 CH 00245/13 A CH00245/13 A CH 00245/13A CH 2452013 A CH2452013 A CH 2452013A CH 707480 B1 CH707480 B1 CH 707480B1
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
suction member
channels
bonding head
cooling
head body
Prior art date
Application number
CH00245/13A
Other languages
English (en)
Other versions
CH707480A1 (de
Inventor
Mayr Andreas
Original Assignee
Besi Switzerland Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Besi Switzerland Ag filed Critical Besi Switzerland Ag
Priority to CH00245/13A priority Critical patent/CH707480B1/de
Priority to TW102148591A priority patent/TWI582881B/zh
Priority to SG2013096326A priority patent/SG2013096326A/en
Priority to JP2014002309A priority patent/JP6350932B2/ja
Priority to MYPI2014700117A priority patent/MY162252A/en
Priority to US14/158,747 priority patent/US8925608B2/en
Priority to KR1020140006635A priority patent/KR102228798B1/ko
Priority to CN201410027342.2A priority patent/CN103943520B/zh
Publication of CH707480A1 publication Critical patent/CH707480A1/de
Publication of CH707480B1 publication Critical patent/CH707480B1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0432—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/90—Measuring or controlling the joining process
    • B29C66/91—Measuring or controlling the joining process by measuring or controlling the temperature, the heat or the thermal flux
    • B29C66/912—Measuring or controlling the joining process by measuring or controlling the temperature, the heat or the thermal flux by measuring the temperature, the heat or the thermal flux
    • B29C66/9121—Measuring or controlling the joining process by measuring or controlling the temperature, the heat or the thermal flux by measuring the temperature, the heat or the thermal flux by measuring the temperature
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B30—PRESSES
    • B30B—PRESSES IN GENERAL
    • B30B15/00—Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
    • B30B15/06—Platens or press rams
    • B30B15/062—Press plates
    • B30B15/064—Press plates with heating or cooling means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B30—PRESSES
    • B30B—PRESSES IN GENERAL
    • B30B15/00—Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
    • B30B15/34—Heating or cooling presses or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07152—Means for cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07178—Means for aligning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Ein Bondkopf (1) zum Montieren von Halbleiterchips auf einem Substrat umfasst einen Bondkopfkörper (2) und ein einstückiges Saugorgan (3). Die für das Aufheizen, Abkühlen und Überwachen der Temperatur des Saugorgans (3) erforderlichen Elemente sind alle in das Saugorgan (3) integriert, so dass weder die Heizung noch die Kühlung durch eine den Wärmeübergang behindernde Fläche vom Halbleiterchip (11) getrennt sind, Der Bondkopfkörper (2) enthält nur die für die Versorgung des Saugorgans (3) mit elektrischer Energie und mit dem Kühlmedium nötigen Elemente.

Description

[0001] Die Erfindung betrifft einen Bondkopf mit einem heiz- und kühlbaren Saugorgan.
[0002] Ein solcher Bondkopf wird beispielsweise in der Halbleiterindustrie zum normalen Bonden oder zum Thermokompressions(TC)-Bonden eines Halbleiterchips (englisch «die» genannt) auf ein Substrat eingesetzt. Die Verbindungsbildung erfolgt unter Einwirkung von Temperatur und fakultativ Druck.
[0003] Bestimmte Bondprozesse, wie beispielsweise das TC-Bonden, erfordern das Aufheizen und Abkühlen des Halbleiterchips während des Bondens auf dem Substrat. Dieses Aufheizen und Abkühlen nimmt Zeit in Anspruch und bestimmt wesentlich die Zykluszeit und damit den Durchsatz der Maschine.
[0004] Aus der US 6 821 381 ist ein Thermokompressionsbondkopf bekannt, der ein am Bondkopf angeschraubtes Saugorgan aus Keramik aufweist. Das Saugorgan enthält eine Widerstandsheizung, die in einer Ausnehmung des Saugorgans angebracht ist. Aussen am Saugorgan ist zudem ein Thermoelement angeordnet. Die Oberseite des Saugorgans enthält Vertiefungen, so dass zwischen dem Bondkopf und dem Saugorgan Kühlkanäle gebildet sind, die zum Kühlen des Saugorgans mit Druckluft beaufschlagbar sind. Die Druckluft strömt in horizontaler Richtung durch die Kühlkanäle und gelangt an deren Ende in die Umgebung.
[0005] Aus der WO 2 012 002 300 ist ein Thermokompressionsbondkopf bekannt, der einen Bondkopfkörper mit einem integrierten Heizer und einen mit Druckluft beaufschlagbaren Kühlkanal sowie ein mittels Vakuum am Bondkopfkörper haltbares Saugorgan aufweist. Das Saugorgan weist ebenfalls einen mit Druckluft beaufschlagbaren Kühlkanal auf.
[0006] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen solchen Bondkopf zu verbessern.
[0007] Die genannte Aufgabe wird erfindungsgemäss gelöst durch die Merkmale des Anspruchs 1. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
[0008] Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels und anhand der Zeichnung näher erläutert. <tb>Fig. 1<SEP>zeigt schematisch und im Schnitt einen erfindungsgemässen Bondkopf, <tb>Fig. 2<SEP>zeigt eine Unterseite eines Saugorgans, und <tb>Fig. 3<SEP>zeigt eine Oberseite des Saugorgans.
[0009] Eine Halbleiter-Montageeinrichtung umfasst ein Pick-und-Place-System, das einen Halbleiterchip nach dem andern aufnimmt und auf einem Substrat absetzt. Das Pick-und-Place-System umfasst einen Bondkopf 1. Die Fig. 1 zeigt schematisch die für das Verständnis der Erfindung erforderlichen Teile des Bondkopfs 1. Der Bondkopf 1 ist in einer senkrecht zu der Oberfläche eines Substrats verlaufenden Richtung, die üblicherweise die vertikale Richtung ist und hier als z-Richtung bezeichnet wird, verschiebbar am Pick-und-Place-System gelagert. Der Bondkopf 1 umfasst einen Bondkopfkörper 2 und ein lösbar am Bondkopfkörper 2 befestigtes heiz- und kühlbares Saugorgan 3.
[0010] Das Saugorgan 3 hat eine Unterseite 4 und eine Oberseite 5, die einander gegenüberliegen und parallel zueinander verlaufen. Der Bondkopfkörper 2 hat eine Unterseite 6, an der die Oberseite 5 des Saugorgans 3 anliegt. Die Unterseite 6 des Bondkopfkörpers 2 oder die Oberseite 5 des Saugorgans 3 ist mit einer oder mehreren ersten Vertiefungen 7 ausgebildet, in die ein erster Kanal 8 oder mehrere erste Kanäle 8 münden, die mit Vakuum beaufschlagbar sind, um das an der Unterseite 6 anliegende Saugorgan 3 anzusaugen und festzuhalten.
[0011] Die Fig. 2 zeigt die Unterseite 4 des Saugorgans 1. Die Unterseite 4 umfasst eine (wie dargestellt) oder mehrere Vertiefungen 9. Der Bondkopfkörper 2 und das Saugorgan 3 enthalten wenigstens einen zweiten Kanal 10, der in die besagte eine oder mehreren Vertiefungen 9 mündet und zum Ansaugen des Halbleiterchips 11 mit Vakuum beaufschlagbar ist. Der von der bzw. den Vertiefungen 9 insgesamt belegte Flächenanteil der Unterseite 4 bildet eine Saugfläche zum Ansaugen des Halbleiterchips 11, während der von der bzw. den Vertiefungen 9 nicht belegte Flächenanteil der Unterseite 4 die Übertragung der Wärme beim Aufheizen bzw. das Abführen der Wärme beim Kühlen des Halbleiterchips 11 ermöglicht. Diese beiden Flächenanteile sind im Verhältnis derart festzulegen, dass der Halbleiterchip 11 einerseits mit der nötigen Kraft angesaugt und andererseits effizient aufgeheizt und gekühlt werden kann.
[0012] Das Saugorgan 3 enthält einen oder mehrere Kühlkanäle 12, die je einen Einlass 13 und einen Auslass 14 umfassen, die in eine Seitenwand 15 oder vorzugsweise in die Oberseite 5 des Saugorgans 3 münden. Die Unterseite 6 des Bondkopfkörpers 2 ist mit einer oder mehreren zweiten Vertiefungen 16 und mit einer oder mehreren dritten Vertiefungen 17 ausgebildet. Der Bondkopfkörper 2 enthält einen dritten Kanal oder mehrere dritte Kanäle 18, der/die in die besagte eine oder mehreren zweiten Vertiefungen 16 mündet/münden, sowie einen vierten Kanal oder mehrere vierte Kanäle 19, der/die in die besagte eine oder mehreren dritten Vertiefungen 17 mündet/münden. Wenn das Saugorgan 3 an der Unterseite 6 des Bondkopfkörpers 2 anliegt, dann bildet/bilden die besagte eine oder mehreren Vertiefungen 16 einen oder mehrere Hohlräume, die die Einlasse 13 der Kühlkanäle 12 verbinden, und die besagte eine oder mehreren Vertiefungen 17 bildet/bilden einen oder mehrere Hohlräume, die die Auslasse 14 der Kühlkanäle 12 verbinden. Das Saugorgan 3 kann somit durch Zuführen eines Kühlmediums durch den dritten Kanal 18 bzw. die dritten Kanäle 18 und Abführen des Kühlmediums durch den vierten Kanal 19 bzw. die vierten Kanäle 19 gekühlt werden. Das Kühlmedium ist beispielsweise Druckluft, die in den dritten Kanal 18 bzw. die dritten Kanäle 18 eingespeist wird, dann durch die Kühlkanäle 12 strömt und über den vierten Kanal bzw. die vierten Kanäle in die Umgebung abgelassen wird. Der dritte Kanal 18 bzw. die dritten Kanäle 18 und der vierte Kanal 19 bzw. die vierten Kanäle 19 können auch ein Teil eines geschlossenen Kühlkreislaufes sein, in dem ein gasförmiges oder flüssiges Kühlmedium zirkuliert werden kann.
[0013] Das Saugorgan 3 enthält weiter eine elektrische Widerstandsheizung 20 und einen Temperatursensor 21, die in das Saugorgan 3 integriert sind. Der Temperatursensor 21 ist vorzugsweise ein temperaturabhängiger elektrischer Widerstand und dient dazu, die aktuelle Temperatur des Saugorgans 3 zu messen. Das Saugorgan 3 enthält beispielsweise wie hier dargestellt einen seitlich vorstehenden Fortsatz 22, dessen Oberseite tiefer liegt als die Oberseite 5 des Saugorgans 3 und dessen Unterseite höher liegt als die Unterseite 4 des Saugorgans 3. Die Oberseite des Fortsatzes 22 enthält zwei erste elektrische Kontaktflächen 23, die mit der elektrischen Widerstandsheizung 20 verbunden sind, und zwei zweite elektrische Kontaktflächen 24, die mit dem temperaturabhängigen elektrischen Widerstand, der den Temperatursensor 21 bildet, verbunden sind. Die elektrischen Kontaktflächen können auch in die Oberseite 5 und/oder die Seitenwände 15 des Saugorgans 3 integriert sein.
[0014] Die Fig. 3 zeigt das Saugorgan 3 in Aufsicht. Zu sehen sind die Oberseite 5 mit den Einlässen 13 und Auslässen 14 der Kühlkanäle 12 sowie die ersten und zweiten elektrischen Kontaktflächen 23 und 24.
[0015] Am Bondkopfkörper 2 sind elektrische Kontaktelemente 25 wie z.B. Kontaktstifte (wie dargestellt) oder Bügel und dergleichen angebracht, die vorzugsweise federnd gelagert und elektrisch mit einer Steuereinheit verbunden sind, die den für den Betrieb der Widerstandsheizung nötigen Strom und den für den Betrieb des Temperatursensors 21 nötigen Strom liefert. Wenn das Saugorgan 3 an der Unterseite 6 des Bondkopfkörpers 2 angesaugt wird, dann kommen die elektrischen Kontaktelemente 25 in Berührung mit den Kontaktflächen 23 bzw. 24, so dass die elektrischen Verbindungen zur elektrischen Widerstandsheizung 20 und zum Temperatursensor 21 hergestellt sind.
[0016] Die Kühlkanäle 12 sind bevorzugt unmittelbar unterhalb der Oberseite 5 des Saugorgans 3 angeordnet. Die elektrische Widerstandsheizung 20 ist bevorzugt unterhalb der Kühlkanäle 12 angeordnet, kann aber auch oberhalb der Kühlkanäle 12, d.h. zwischen den Kühlkanälen 12 und der Oberseite 5, angeordnet sein. Der Temperatursensor 21 ist bevorzugt direkt oberhalb der Unterseite 4 des Saugorgans 3 angeordnet, kann aber auch an einem anderen Ort in dem Saugorgan 3 platziert sein. Das Saugorgan 3 besteht aus einem einzigen Stück gesinterter Keramik. Die Herstellung erfolgt beispielsweise, indem mehrere Lagen aus Keramik, die Widerstandsheizung 20 und der Temperatursensor 21 in der gewünschten Reihenfolge übereinandergelegt und dann zusammen gesintert werden, so dass ein einziges Keramikstück entsteht, das das Saugorgan 3 bildet.
[0017] Der erfindungsgemässe Bondkopf 1 zeichnet sich dadurch aus, dass einerseits die für das Aufheizen, Abkühlen und Überwachen der Temperatur des Saugorgans 3 erforderlichen Elemente alle in das Saugorgan 3 integriert sind und der Bondkopfkörper 2 nur die für die Versorgung des Saugorgans 3 mit elektrischer Energie und mit dem Kühlmedium nötigen Elemente aufweist. Zudem ist andererseits die Anordnung und Ausbildung der genannten Elemente derart vorgenommen, dass das Saugorgan 3 flach ist, d.h., der Abstand A zwischen der Unterseite 4 und der Oberseite 5 ist deutlich geringer als die maximale Breite B, d.h. der maximale Abstand zwischen einander gegenüberliegenden Seitenwänden 15 (ohne Berücksichtigung des Fortsatzes 22). Der kompakte Aufbau des Saugorgans 3 aus einem einzigen Stück gesinterter Keramik mit integrierter elektrischer Widerstandsheizung 20 und integriertem Temperatursensor 21 ergibt zum einen eine sehr geringe thermische Masse des Saugorgans 3, und zum anderen sind weder die Heizung noch die Kühlung vom Halbleiterchip 11 durch eine den Wärmeübergang behindernde Fläche getrennt, was der Fall wäre, wenn die Widerstandsheizung 20 und/oder die Kühlkanäle 12 in den Bondkopfkörper 2 integriert wären.
[0018] Die Kühlkanäle 12 sind bevorzugt nur in einer einzigen Ebene, die parallel zur Oberseite 5 des Saugorgans 3 verläuft, und nicht in mehreren, übereinanderliegenden Ebenen angeordnet. Die Kühlkanäle 12 beanspruchen bei dieser Ausbildung nur eine geringe Höhe, so dass die flache Struktur des Saugorgans 3 resultiert. Flache Struktur bedeutet geringe Bauhöhe.
[0019] Bei einer für die Kühlung mit Druckluft oder einem Inertgas vorgesehenen Ausführungsbeispiel verlaufen der bzw. die vierten Kanäle 19 wie dargestellt bevorzugt in einer in Bezug auf die Unterseite 4 des Saugorgans 3 schräg verlaufenden Richtung und münden ins Freie. Die Austrittsöffnung des bzw. der vierten Kanäle 19 ist somit weiter von der Unterseite 4 des Saugorgans 3 entfernt als die Eintrittsöffnung des bzw. der vierten Kanäle 19. Die austretende Druckluft strömt daher nach oben weg, wodurch die Gefahr vermindert wird, dass die ausströmende Druckluft benachbarte, bereits montierte Halbleiterchips, deren Verbindungen zum Substrat noch nicht ganz fest geworden sind, verschiebt oder wegbläst, oder bei benachbarten Substratplätzen, die mit einem Klebstoff beschichtet, aber noch nicht mit einem Halbleiterchip bestückt sind, Verwehungen des Klebstoffes bewirkt.
[0020] Da das Saugorgan 3 lösbar am Bondkopfkörper 2 befestigt ist bzw. mit Vakuum am Bondkopfkörper 2 gehalten wird, kann es problemlos und automatisch ausgewechselt werden, um die Halbleiter-Montageeinrichtung an Halbleiterchips unterschiedlicher Grösse anzupassen.

Claims (5)

1. Bondkopf (1), umfassend einen Bondkopfkörper (2) und ein flaches Saugorgan (3), wobei das Saugorgan (3) aus einem einzigen Stück gesinterter Keramik besteht und eine Unterseite (4) und eine Oberseite (5) aufweist, die einander gegenüberliegen, wobei beim Saugorgan (3) die Unterseite (4) mit mindestens einer Vertiefung (9) ausgebildet ist, unterhalb der Oberseite (5) ein oder mehrere Kühlkanäle (12) vorhanden sind, die einen Einlass (13) und einen Auslass (14) umfassen, unterhalb oder oberhalb der Kühlkanäle (12) eine elektrische Widerstandsheizung (20) angeordnet und ein Temperatursensor (21) integriert ist, wobei die elektrische Widerstandsheizung (20) mit ersten Kontaktflächen (23) und der Temperatursensor (21) mit zweiten Kontaktflächen (24) verbunden ist, wobei eine Unterseite (6) des Bondkopfkörpers (2) oder die Oberseite (5) des Saugorgans (3) eine oder mehrere Vertiefungen (7) aufweist und wobei der Bondkopfkörper (2) einen oder mehrere erste Kanäle (8) aufweist, der/die in die eine oder mehreren Vertiefungen (7) mündet/münden und zum Ansaugen des Saugorgans (3) mit Vakuum beaufschlagbar ist/sind, wobei der Bondkopfkörper (2) und das Saugorgan (3) mindestens einen zweiten Kanal (10) aufweisen, der in die mindestens eine Vertiefung (9) in der Unterseite (4) des Saugorgans (3) mündet und zum Ansaugen eines Halbleiterchips (11) mit Vakuum beaufschlagbar ist, wobei der Bondkopfkörper (2) einen oder mehrere dritte Kanäle (18), der/die mit den Einlässen (13) der Kühlkanäle (12) in kommunizierender Verbindung ist/sind, und einen oder mehrere vierte Kanäle (19), der/die mit den Auslässen (14) der Kühlkanäle (12) in kommunizierender Verbindung ist/sind, aufweist, und wobei am Bondkopfkörper (2) Kontaktelemente (25) angebracht sind, die beim Ansaugen des Saugorgans (3) mit den ersten Kontaktflächen (23) bzw. zweiten Kontaktflächen (24) in Berührung kommen, so dass das Saugorgan (3) mit der elektrischen Widerstandsheizung (20) erwärmbar, durch Zuführen eines Kühlmediums durch den dritten Kanal bzw. die dritten Kanäle (18) und Abführen des Kühlmediums durch den vierten Kanal bzw. die vierten Kanäle (19) kühlbar und die vom Temperatursensor (21) gemessene Temperatur an eine Steuereinheit übermittelbar ist.
2. Bondkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der bzw. die vierten Kanäle (19) in einer in Bezug auf die Unterseite (4) des Saugorgans (3) schräg angeordneten Richtung verlaufen und ins Freie münden, so dass eine Austrittsöffnung des bzw. der vierten Kanäle (19) weiter von der Unterseite (4) des Saugorgans (3) entfernt ist als die Eintrittsöffnung des bzw. der vierten Kanäle (19).
3. Bondkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlkanäle (12), der dritte Kanal bzw. die dritten Kanäle (18) und der vierte Kanal bzw. die vierten Kanäle (19) an einen geschlossenen Kreislauf anschliessbar sind.
4. Bondkopf nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlkanäle (12) in einer einzigen, parallel zur Oberseite (5) des Saugorgans (3) verlaufenden Ebene angeordnet sind.
5. Bondkopf nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktelemente (25) federnd am Bondkopfkörper (2) gelagert sind.
CH00245/13A 2013-01-21 2013-01-21 Bondkopf mit einem heiz- und kühlbaren Saugorgan. CH707480B1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH00245/13A CH707480B1 (de) 2013-01-21 2013-01-21 Bondkopf mit einem heiz- und kühlbaren Saugorgan.
TW102148591A TWI582881B (zh) 2013-01-21 2013-12-27 具有可加熱和可冷卻抽吸構件的接合頭
SG2013096326A SG2013096326A (en) 2013-01-21 2013-12-27 Bonding head with a heatable and coolable suction member
JP2014002309A JP6350932B2 (ja) 2013-01-21 2014-01-09 加熱及び冷却可能な吸引部材を有するボンディングヘッド
MYPI2014700117A MY162252A (en) 2013-01-21 2014-01-16 Bonding Head with a Heatable and Coolable Suction Member
US14/158,747 US8925608B2 (en) 2013-01-21 2014-01-17 Bonding head with a heatable and coolable suction member
KR1020140006635A KR102228798B1 (ko) 2013-01-21 2014-01-20 가열가능 및 냉각가능 흡인 부재를 갖춘 본딩 헤드
CN201410027342.2A CN103943520B (zh) 2013-01-21 2014-01-21 具有可加热和可冷却抽吸构件的结合头

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH00245/13A CH707480B1 (de) 2013-01-21 2013-01-21 Bondkopf mit einem heiz- und kühlbaren Saugorgan.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CH707480A1 CH707480A1 (de) 2014-07-31
CH707480B1 true CH707480B1 (de) 2016-08-31

Family

ID=51191130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH00245/13A CH707480B1 (de) 2013-01-21 2013-01-21 Bondkopf mit einem heiz- und kühlbaren Saugorgan.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8925608B2 (de)
JP (1) JP6350932B2 (de)
KR (1) KR102228798B1 (de)
CN (1) CN103943520B (de)
CH (1) CH707480B1 (de)
MY (1) MY162252A (de)
SG (1) SG2013096326A (de)
TW (1) TWI582881B (de)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9282650B2 (en) * 2013-12-18 2016-03-08 Intel Corporation Thermal compression bonding process cooling manifold
US10192847B2 (en) * 2014-06-12 2019-01-29 Asm Technology Singapore Pte Ltd Rapid cooling system for a bond head heater
CN104767124B (zh) * 2015-04-20 2017-05-03 扬州云多多环境科技有限公司 负离子发射头装置、发生器和成型工艺
US10500661B2 (en) * 2015-11-06 2019-12-10 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Methods and apparatuses for high temperature bonding controlled processing and bonded substrates formed therefrom
TWI673805B (zh) * 2017-01-30 2019-10-01 Shinkawa Ltd. 安裝裝置以及安裝系統
KR102439617B1 (ko) * 2017-06-27 2022-09-05 주식회사 미코세라믹스 본딩 헤드 및 이를 갖는 본딩 장치
US10700038B2 (en) * 2017-08-25 2020-06-30 Micron Technology, Inc. Methods and systems for inhibiting bonding materials from contaminating a semiconductor processing tool
CN107696575A (zh) * 2017-10-18 2018-02-16 浙江西维亚进出口有限公司 具有降温结构的压件装置
KR102454462B1 (ko) * 2017-11-09 2022-10-14 주식회사 미코세라믹스 척 플레이트, 상기 척 플레이트를 갖는 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 본딩 장치
FR3073763B1 (fr) 2017-11-17 2021-05-14 Besi Switzerland Ag Tete de soudage pour monter des composants et microsoudeuse de puce avec une telle tete de soudage
CH714351A1 (de) * 2017-11-17 2019-05-31 Besi Switzerland Ag Bondkopf für die Montage von Bauelementen.
US10312126B1 (en) * 2017-12-04 2019-06-04 Micron Technology, Inc. TCB bond tip design to mitigate top die warpage and solder stretching issue
KR102205035B1 (ko) * 2019-05-28 2021-01-19 주식회사 다우에프에이 자기유변 탄성체를 구비하는 열압착 본딩 장치의 헤드 마운트
KR102719349B1 (ko) * 2019-09-27 2024-10-18 삼성전자주식회사 본딩 헤드, 이를 포함하는 다이 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
TWI834007B (zh) * 2019-11-19 2024-03-01 日商新川股份有限公司 半導體裝置的製造裝置及製造方法
KR102604789B1 (ko) * 2020-11-30 2023-11-21 세메스 주식회사 히터 조립체 및 이를 포함하는 본딩 헤드
KR102498914B1 (ko) * 2020-12-08 2023-02-13 주식회사 미코세라믹스 본딩 헤드 및 이를 갖는 본딩 장치
US11652080B2 (en) 2021-05-27 2023-05-16 Intel Corporation Thermal compression bonder nozzle with vacuum relief features
TWI790118B (zh) * 2022-02-10 2023-01-11 友達光電股份有限公司 接合設備
US12604733B2 (en) 2022-03-31 2026-04-14 Intel Corporation Package structures with collapse control features
US12604754B2 (en) 2022-03-31 2026-04-14 Intel Corporation Package structures with non-uniform interconnect features
US12598989B2 (en) 2022-03-31 2026-04-07 Intel Corporation Package structures with patterned die backside layer
US20230317676A1 (en) * 2022-04-01 2023-10-05 Intel Corporation Bond head design for thermal compression bonding
CN115172231B (zh) * 2022-09-08 2022-11-25 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 一种带有气氛保护的快速升降温共晶加热台
KR20240054811A (ko) * 2022-10-19 2024-04-26 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
US20250326073A1 (en) * 2024-04-23 2025-10-23 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Bond head heater incorporating fluid chamber for cooling

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW277139B (de) * 1993-09-16 1996-06-01 Hitachi Seisakusyo Kk
US6544379B2 (en) * 1993-09-16 2003-04-08 Hitachi, Ltd. Method of holding substrate and substrate holding system
JP3255064B2 (ja) * 1997-01-22 2002-02-12 松下電器産業株式会社 ワークの熱圧着装置
JP3454154B2 (ja) * 1998-06-26 2003-10-06 松下電器産業株式会社 ワークの熱圧着装置および熱圧着方法
JP3440838B2 (ja) * 1998-09-10 2003-08-25 松下電器産業株式会社 熱圧着装置および熱圧着方法
US6821381B1 (en) 1999-03-16 2004-11-23 Toray Engineering Co., Ltd. Tool for thermo-compression-bonding chips, and chip packaging device having the same
JP4014481B2 (ja) * 2002-04-30 2007-11-28 東レエンジニアリング株式会社 ボンディング方法およびその装置
JP3801966B2 (ja) * 2002-07-31 2006-07-26 京セラ株式会社 加熱装置
JP4354873B2 (ja) * 2004-06-04 2009-10-28 パナソニック株式会社 電子部品実装ツール
JP2005347303A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Canon Inc 熱圧着装置
US7544251B2 (en) * 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
KR100993079B1 (ko) * 2005-10-12 2010-11-08 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 접합장치
JP4508124B2 (ja) * 2006-02-15 2010-07-21 パナソニック株式会社 半導体部品の熱圧着装置
JP4631796B2 (ja) * 2006-05-22 2011-02-16 パナソニック株式会社 電子部品の熱圧着装置
JP5057799B2 (ja) * 2007-03-01 2012-10-24 パナソニック株式会社 部品吸着ヘッド及び部品吸着ツール保持方法
JP4958655B2 (ja) * 2007-06-27 2012-06-20 新光電気工業株式会社 電子部品実装装置および電子装置の製造方法
JP2009147068A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置の製造方法及び製造装置
KR101114180B1 (ko) * 2009-07-14 2012-02-22 (주)창조엔지니어링 평탄도 유지 장치
JP4808283B1 (ja) 2010-06-30 2011-11-02 株式会社新川 電子部品実装装置及び電子部品実装方法
JP2013026268A (ja) * 2011-07-15 2013-02-04 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ２軸駆動機構及びダイボンダ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140094458A (ko) 2014-07-30
US20140202636A1 (en) 2014-07-24
SG2013096326A (en) 2014-08-28
TWI582881B (zh) 2017-05-11
CN103943520B (zh) 2017-11-17
CH707480A1 (de) 2014-07-31
US8925608B2 (en) 2015-01-06
TW201436080A (zh) 2014-09-16
JP2014140032A (ja) 2014-07-31
MY162252A (en) 2017-05-31
KR102228798B1 (ko) 2021-03-17
JP6350932B2 (ja) 2018-07-04
CN103943520A (zh) 2014-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH707480B1 (de) Bondkopf mit einem heiz- und kühlbaren Saugorgan.
DE112005000414T5 (de) Miniaturisierte fluidgekühlte Wärmesenke mit integraler Heizeinrichtung
DE102008048005B3 (de) Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung
DE102010040610A1 (de) Systeme und Vorrichtungen mit einer Wärmesenke
EP3103138B1 (de) Verfahren zum montieren eines elektrischen bauelements, bei der eine haube zum einsatz kommt
DE3616494A1 (de) Integrierte schaltungspackung und verfahren zur herstellung einer integrierten schaltungspackung
DE102008047416A1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstelllung von Halbleiteranordnungen
DE102019105356B4 (de) Verfahren zum Ausbilden von Kontakten zu einem eingebetteten Halbleiterchip
DE102014117020A1 (de) Verfahren zum herstellen einer stoffschlüssigen verbindung zwischen einem halbleiterchip und einer metallschicht
DE102012202282A1 (de) Lötverfahren
WO2018055034A1 (de) Siegelorgan
DE69110596T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Betätigen einer elektronischen Vorrichtung.
DE102011003998A1 (de) Stromsensor, der eine gesinterte Metallschicht umfasst
EP3618993A1 (de) Lötvorrichtung und verfahren zum herstellen einer lötverbindung von bauteilen unter verwendung von haftmaterial für provisorische verbindung der bauteile
CH708881A1 (de) Durchlaufofen für Substrate, die mit Bauteilen bestückt werden, und Die Bonder.
DE102013104572A1 (de) Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
WO2021228540A1 (de) Herstellen von fügeverbindungen auf einer elektronischen baugruppe mit einem heizelement
EP3618994A1 (de) Lötvorrichtung und verfahren zum herstellen einer lötverbindung unter verwendung von basis- und andruckplatten und einer anschlagvorrichtung
DE10345576B4 (de) Durchlaufende Vorrichtung zum Löten von Solarzellen
DE60010890T2 (de) Gerät und verfahren zur temperaturkontrolle von integrierten schaltungen während der prüfung
DE19931113A1 (de) Verfahren zum Aufbringen von Verbindungsmaterialien für eine Verbindung zwischen einem Mikrochip und einem Substrat, Verfahren zum Herstellen einer elektrischen und mechanischen Verbindung zwischen einem Mikrochip und einem Substrat sowie Verwendung eines nach dem Tintendruckprinzip arbeitenden Druckkopfes
DE112005001736T5 (de) A method of manufacturing a plurality of electronic assembles
DE102015103885B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung
DE102013113770A1 (de) Verfahren zum Überprüfen von Halbleiterchips oder Halbleiterchipmodulen
DE102017010404B4 (de) Vibrationswandler

Legal Events

Date Code Title Description
NV New agent

Representative=s name: IP.DESIGN KANZLEI AND PATENTBUERO DR. MARC-TIM, CH

PCOW Change of address of patent owner(s)

Free format text: NEW ADDRESS: HINTERBERGSTRASSE 32A, 6312 STEINHAUSEN (CH)

PCAR Change of the address of the representative

Free format text: NEW ADDRESS: ARBONERSTRASSE 35, 8580 AMRISWIL (CH)

PL Patent ceased