CH708887A2 - Einrichtung zur Ultraschallbehandlung. - Google Patents

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CH708887A2 CH01951/13A CH19512013A CH708887A2 CH 708887 A2 CH708887 A2 CH 708887A2 CH 01951/13 A CH01951/13 A CH 01951/13A CH 19512013 A CH19512013 A CH 19512013A CH 708887 A2 CH708887 A2 CH 708887A2
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Abstract

Die erfindungsgemässe Einrichtung zur Ultraschallbehandlung hat zumindest einen Aktuator (7), welcher einem Becken (1) für die Aufnahme der zu behandelnden Gegenstände zugeordnet ist. Die Einrichtung hat auch ein Steuergerät (10) für die Ansteuerung des Aktuators. Das Steuergerät (10) ist so ausgeführt, dass es Schwingungen variabler Frequenz innerhalb einer grossen Bandbreite bei variabler Spannungsamplitude für unterschiedliche Aktuatortypen und Aktuatoranzahlen liefern kann.

Description

Beschreibung
[0001 ] Die vorliegende Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Ultraschallbehandlung mit zumindest einem Aktuator, welcher einem Becken für die Aufnahme der zu behandelten Gegenstände zugeordnet ist, und mit einem Steuergerät für die Ansteuerung des Aktuators.
[0002] Solche Einrichtungen sind bereits bekannt. Eine dieser Einrichtungen ist in Fig. 1 schematisch dargestellt. Diese Einrichtung umfasst ein Becken 1 , in welchem sich die zu behandelten Gegenstände, beispielsweise aus einem Halbleitermaterial befinden können. Dieses Becken 1 ist während des Betriebes der Einrichtung mit einer Behandlungsflüssigkeit gefüllt, in welcher die zu behandelten Gegenstände eingetaucht sind. Ultraschallschwingungen werden in die Behandlungsflüssigkeit mit Hilfe eines Transducers 2 eingeleitet, welcher der Aussenseite (und/oder Innenseite) des Beckenbodens 4 zugeordnet ist.
[0003] Der Transducer 2 kann auf einer Schwingplatte 3, beispielsweise aus Metall, oder direkt auf dem Beckenboden 4 angeordnet befestigt sein. Eine der Grossflächen der Schwingplatte 3 ist der Aussenseite (und/oder Innenseite) des Beckenbodens 4 in einer derartigen Weise zugeordnet, dass die Ultraschallschwingungen von der Schwingplatte 3 in den Beckenbogen 4 möglichst wirkungsvoll übertragen werden. Der Beckenboden 4 gibt seine Ultraschallschwingung dann weiter an die Behandlungsflüssigkeit. Die Ultraschallschwingung pflanzt sich in der Flüssigkeit als eine Welle fort. Beim Auftreffen auf die behandelten Teile verursacht diese Welle Kavitation an der Oberfläche der Teile. Auf der dem Beckenboden abgewandten Grossfläche der Schwingplatte 3 sind Piezoelemente 7, 8 und 9 des Transducers 2 aufgebracht, die mit einem Steuergerät 10 mittels Leitern 6 elektrisch verbunden sind. Sinngemäss können die Transducer 2 auch an bzw. in den Beckenwänden angeordnet sein.
[0004] Als Transducer 2 werden industriell einsetzbare Bauteile bezeichnet, welche Ultraschallschwingungen erzeugen und diese an das Behandlungsmedium optimal abgeben. Ein Transducer 2 bestehen aus einem oder aus mehreren piezokeramischen Aktuatoren 7, 8 und 9, die in geeigneter Form zusammengebaut und angeordnet sind. Diese Aktuatoren 7, 8 und 9 haben Scheiben- oder plattenförmige Piezokeramikkörper mit metallisierten Oberflächen. Diese Oberflächen dienen als Elektroden für die elektrische Anregung einer mechanischen Schwingung im Keramikkörper. Der mechanische Aufbau der Aktuatoren bestimmt die Schwingungsmodi und die Schwingungsamplituden der Aktuatoren. In diesen Aktuatoren 7, 8 und 9 treten mehr oder weniger ausgeprägte Resonanzstellen auf.
[0005] Technologisch bedingt, stellen Piezokeramik-Aktuatoren primär kapazitive Lasten dar. Nur im Bereich der Resonanzstellen zeigen sie ohmsches und induktives Impedanzverhalten. Die Leistungselektronik 10 für die Ansteuerung der Transducer 2 muss deshalb in der Lage sein, neben den Wirkströmen hohe kapazitive Blindströme mit kleinen Verlusten zu liefern. Beim Stand der Technik ist dies ohne Bauteilanpassung nur in einem engen Frequenzbereich möglich.
[0006] Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, die Einrichtung der eingangs genannten Gattung so auszuführen, dass sie den genannten Nachteil sowie noch weitere Nachteile des Standes der Technik nicht aufweist.
[0007] Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung anhand der beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 schematisch eine der vorbekannten Einrichtungen der vorliegenden Gattung,
Fig. 2 eine Schaltungsanordnung, mit deren Hilfe die Verluste, welche beim direkten Schalten von kapazitiven Lasten entstehen, vermieden werden können,
Fig. 3 eine weitere Schaltungsanordnung, mit deren Hilfe die Verluste, welche beim direkten Schalten von kapazitiven Lasten entstehen, vermieden werden können,
Fig. 4 Impulsmuster ohne Vorladung, mit welchen die Schaltungsanordnungen gemäss Fig. 2 und 3 angesteuert werden können,
Fig. 5 Impulsmuster mit Vorladung, mit welchen die Schaltungsanordnungen gemäss Fig. 2 und 3 angesteuert werden können,
[0008] Fig. 2 zeigt eine Schaltungsanordnung bzw. eine Steuervorrichtung 10, welche zur Ansteuerung von Aktuatoren 7, 8 und 9 des Transducers 2 verwendbar ist. Diese Steuervorrichtung 10 weist ein Speisegerät 15 auf, welches die vorliegende Schaltungsanordnung mit elektrischer Energie aus dem Netz versorgt. Parallel zu diesem Speisegerät 15 ist ein erster Kreis 16 der Steuervorrichtung 10 geschaltet, welcher aus zwei in Serie geschalteten Kondensatoren 17 und 18 besteht. Zum Speisegerät 15 parallel ist ausserdem auch ein zweiter Kreis 20 geschaltet. Dieser zweite Kreis 20 setzt sich aus zwei Ästen 21 und 22 zusammen, welche in Serie geschaltet sind. Es ist ein Grundleiter 23 vorgesehen, welcher die einzelnen Teile dieser Schaltungsanordnung miteinander verbindet.
[0009] Der erste Ast 21 des zweiten Kreises 20 weist zwei in Serie geschalteten MOS-FET-Transistoren 24 und 25 sowie eine Diode 26. Der zweite Ast 22 des zweiten Kreises 20 weist zwei in Serie geschalteten MOSFET-Transistoren 27 und 28 sowie eine Diode 29 auf. Zwischen den Ästen 21 und 22 gibt es einen Mittelpunkt 30. Je eine dieser Dioden 26 und 29 ist
2 an den Mittelpunkt 30 unmittelbar angeschlossen. Die Dioden sind gleich polarisiert. Zwischen den in Serie geschalteten Kondensatoren 17 und 18 des ersten Kreises 16 gibt es ebenfalls einen Mittelpunkt 31 in den Kreisen 16 und 20. Die Mittelpunkte 30 und 31 sind verbunden.
[0010] Einen weiteren Mittelpunkt 33 gibt es zwischen den in Serie geschalteten MOSFET-Transistoren 24 und 25 des ersten Astes 21. Einen noch weiteren Mittelpunkt 34 gibt es zwischen den in Serie geschalteten MOSFET-Transistoren 24, 27 und 28 des zweiten Astes 22. Diese zweiten bzw. inneren Mittelpunkte 33 und 34 sind mittels eines Leiters 35 miteinander verbunden. An diesen Verbindungsleiter 35 ist einerends eine Serienschaltung 36 angeschlossen, welche aus Serienschaltung einer Induktivität 37 und aus zumindest einem der Aktuatoren 7, 8 bzw. 9 besteht.
[0011 ] Fig. 3 zeigt eine Schaltungsanordnung bzw. eine Steuervorrichtung 10, welche zur Ansteuerung der Aktuatoren 7, 8 und 9 ebenfalls verwendbar ist. Diese Schaltungsanordnung weist eine Spannungsquelle 45 auf. An diese ist ein dritter Kreis 46 angeschlossen. Dieser dritte Kreis 46 besteht aus einem ersten MOSFET-Transistor 47 und einem zweiten MOSFET-Transistor 48. Parallel dazu ist ein vierter Kreis 50 geschaltet, welcher aus einem ersten Kondensator 51 und aus einem zweiten Kondensator 52 besteht, welche in Serie geschaltet sind. Zwischen den MOSFET-Transistoren 46 und 47 gibt es einen Mittelpunkt 49. Zwischen den Kondensatoren 51 und 52 gibt es ebenfalls einen Mittelpunkt 53. An diese Mittelpunkte 49 und 53 sind die Anschlussleiter der Primärwicklung eines Transformators 60 angeschlossen.
[0012] Die Sekundärwicklung 62 des Transformators 60 weist einen ersten Anschlussleiter 58 und einen zweiten Anschlussleiter 59 auf. Ein fünfter Kreis 63 der Steuervorrichtung 10 ist an die Sekundärwicklung 62 des Transformators 60 angeschlossen. Dieser Kreis umfasst einen MOSFET-Transistor 64 und eine Diode 65, welche in Serie geschaltet sind. Parallel zu diesem fünften Kreis 63 ist ein sechster Kreis 66 geschaltet. Dieser Kreis 66 weist ebenfalls einen MOSFETTransistor 67 und ebenfalls eine Diode 68, welche auch in Serie geschaltet sind.
[0013] Der fünfte Kreis 63 ist so orientiert, dass die Diode 65 an den ersten Anschlussleiter 58 der Sekundärwicklung 62 angeschlossen ist, und dass der MOSFET-Transistor 64 an den zweiten Anschlussleiter 59 der Sekundärwicklung 62 angeschlossen ist. Der sechste Kreis 66 ist an die Anschlussleiter 58 und 59 in umgekehrter Reihenfolge angeschlossen. Dies bedeutet, dass die Diode 68 an den zweiten Anschlussleiter 59 der Sekundärwicklung 62 angeschlossen ist, und dass der MOSFET-Transistor 67 an den ersten Anschlussleiter 58 der Sekundärwicklung 62 angeschlossen ist. Die Induktivität 37 ist den Aktuatoren 7, 8 und 9 vorgeschaltet. Diese serielle Schaltung ist zwischen den Anschlüssen 58 und 59 der Sekundärwicklung 62 des Transformators 60 geschaltet.
[0014] Elektrisch betrachtet, stellen Piezokeramik-Aktuatoren primär kapazitive Lasten dar. Nur im Bereich die Resonanzstellen ist ohmsches und induktives Impedanzverhalten feststellbar. Kapazitive Lasten sind für den Schaltbetrieb eher ungeeignet, weil hohe Umschaltspitzen des Stromes resultieren und weil dies wiederum hohe Verluste in den Halbleiterschaltern verursacht. Es wird deshalb ohmsches und induktives Verhalten der Last angestrebt.
[0015] Durch eine passende Wahl des Wertes der Induktivität 37, welche mit den Aktuatoren 7, 8 und 9 in Serie geschaltet ist, kann das gewünschte induktive Impedanzverhalten mittels der Ansteuerfrequenz eingestellt werden. Wir sprechen dann von Schmalbandbetrieb, wobei die Bandbreite im Prozentbereich um die Resonanzfrequenz liegt.
[0016] Die heutigen Ultraschallgeneratoren mit hoher Dauerleistung werden praktisch ausschliesslich mit ResonanzTransducern für Schmalbandbetrieb ausgeführt. Die Serie-Induktivität wird bei diesen Ultraschallgeneratoren üblicherweise im Ausgangsübertrager als Streuinduktivität realisiert. Eine galvanische Trennung ist aus Sicherheitsgründen zwischen Bad und Netzt in der Regel erforderlich, und sie wird ebenfalls mittels des Ausgangsübertragers erreicht.
[0017] Breitband-Transducer weisen eine Reihe wenig ausgeprägter Resonanzstellen auf, wobei die Bandbreite einige zehn Prozent um die Mittelfrequenz beträgt. Breitband-Transducer stellen ebenfalls hohe kapazitive Lasten dar. Eine Impedanzanpassung, wie diese oben beschrieben ist, ist für die grosse gewünschte Bandbreite nicht möglich. Demzufolge muss die Ansteuerung der Aktuatoren für hohe kapazitive Blindströme ausgelegt sein. Dies verlangt ein neuartiges Schaltungs- und Ansteuerungskonzept.
[0018] Das harte Schalten einer kapazitiven Last verursacht in den Halbleiterschaltern 24, 25, 27 und 28 normalerweise hohe Verluste. Mit den nicht vermeidbaren Streuinduktivitäten der Zuleitungen 6 von Steuergerät 10 zu den Aktuatoren 7, 8 und 9 bilden sich zudem noch parasitäre Schwingkreise mit hoher Resonanzfrequenz. Diese Schwingkreise erzeugen hohe Strom- und Spannungsamplituden bei Ansteuerung im Schaltbetrieb. Die Strom- und Spannungsamplituden können bis zur Zerstörung der Bauteile führen. Ferner werden unerwünschte EMV-Störungen verursacht. Deshalb ist es erforderlich, dass eine Induktivität 37 in Serie mit den Aktuatoren 7, 8 bzw. 9 geschaltet ist. Daraus resultiert ein zusätzlicher definierter Resonanzkreis. Für einen Breitbandbetrieb der Schaltungsanordnung muss die Resonanz-Frequenz dieses seriellen Schwingkreises oberhalb der höchsten Arbeitsfrequenz der Schaltungsanordnung liegen.
[0019] Für Breitbandanwendungen bei hohen Frequenzen kommen nur übertragerlose Endstufenschaltungen in Frage, weil die Streuinduktivität eines Übertragers zu hoch wird. Eine galvanische Trennung zwischen Behandlungsbad und Netz muss mit einer entsprechenden Speisung gelöst werden.
[0020] Der Resonanzkreis besteht aus der Serie-Induktivität 37 und der Anschlusskapazitäten der Aktuatoren 7, 8 und 9. Eine übertragerlose Leistungsendstufe mit einer geeigneten Topologie und mit einem geeigneten Pulsmuster erlaubt eine schnelle und verlustarme Umladung der Lastkapazität 7, 8 und 9. Multi-Level-Topologien bieten den notwendigen Freiraum für die Reduktion der Halbleiterverluste. Die Three Level Topologie wurde im vorliegenden Fall gewählt, weil sie einen guten
3

Claims (12)

  1. Kompromiss zwischen Bauteilaufwand und Verlusten darstellt. Die entwickelte Topologie erlaubt die Bauteiloptimierung für die schnelle Umladung der Anschlusskapazität der Aktuatoren mit hohem Strom. [0021 ] Durch die Ansteuerung der Halbleiter 24, 25, 27 und 28 mit geeigneten Pulsmustern wird eine schnelle Umladung der Lastkapazität des Seriekreises 36 bei kleinen Verlusten erreicht. Fig. 4 zeigt Impulsmuster ohne Vorladung, mit welchen die Schaltungsanordnungen gemäss Fig. 2 und 3 angesteuert werden können. Fig. 5 zeigt Impulsmuster mit Vorladung, mit welchen die Schaltungsanordnungen gemäss Fig. 2 und 3 ebenfalls angesteuert werden können. Die mit Q1 bezeichnete Impulsreihe betrifft die Ansteuerung des ersten Transistors 24 im ersten Ast 21 des zweiten Kreises 20 der Steuervorrichtung bzw. des Steuergerätes 10. Die mit Q2 bezeichnete Impulsreihe betrifft die Ansteuerung des zweiten Transistors 25 im gleichen Ast 21 des Steuergerätes 10. Die mit Q3 bezeichnete Impulsreihe betrifft die Ansteuerung des dritten Transistors 27 im zweiten Ast 22 des Steuergerätes 10. Die mit Q4 bezeichnete Impulsreihe betrifft die Ansteuerung des vierten Transistors 28 im gleichen Ast 22 des Steuergerätes 10. [0022] Diese spezielle Ansteuerung führt zu einem schnellen und verlustarmen Umladen der Kapazität. Die Umladeströme entsprechend Q2 fliessen durch den zweiten Transistor 25 im Ast 21 des Steuergerätes 10. Die Umladeströme entsprechend Q3 fliessen durch den dritten Transistor 27 im Ast 22 des Steuergerätes 10. Die Umladeströme sind halbsinusförmig und abhängig von der Lastkapazität C0und von der Serieninduktivität Li. Mit der Regelung der Pulsmuster kann der Punkt minimaler Schaltverluste eingestellt werden. Zudem werden Oberwellen reduziert oder ausgelöscht. Ob das Pulsmuster mit oder ohne Vorladung gewählt wird, dies ergibt sich aus der Arbeitsfrequenz und aus dem Ziel der Verlustminimierung. [0023] Der wesentliche Fortschritt der vorliegenden Einrichtung besteht darin, dass diese Leistungselektronik Ultraschall variabler Frequenz und variabler Amplitude stufenlos erzeugen kann. Dies erleichtert und erlaubt den Einsatz dieser Einrichtung in allen Bereichen der Ultraschallbehandlung. Ferner ermöglicht diese Ausführung der vorliegenden Einrichtung ein Breitband-Endstufendesign für hohe kapazitive Blindströme. Eine individuelle Anpassung an die Anzahl der Transducer und die Frequenz ist nicht mehr erforderlich. Pro Generatortyp wird mindestens ein Frequenzbereich von 1 :3 an ein Kapazitätsbereich von 1 :4 abgedeckt. [0024] Nur eine optimierte Ansteuerung der Endstufen-Halbleiter führt zu einem schnellen, verlustarmen Umladen der Lastkapazität. Die Ansteuerung ist derart gewählt, dass die Umladeströme der Lastkapazität durch den Transistor 25 beziehungsweise durch den Transistor 27 fliessen. Sie sind halbsinusförmig, abhängig von der Lastkapazität C0, der Serieinduktivität 24 und 28 führen primär den Wirkstrom, der die gewünschte Ultraschallschwingung im Transducer erzeugt. Mit der Regelung des Pulsmusters von Q2 und Q3 wird der Punkt minimaler Schaltverluste eingestellt, zudem werden Oberwellen reduziert und die Resonanzfrequenz des Serienkreises ausgelöscht. Das Pulsmuster mit oder ohne Vorladung ergibt sich je nach Arbeitsfrequenz und dem Ziel der Verlustminimierung. Das Pulsmuster der Ansteuerung ist geregelt. [0025] Gegenüber dem Stand der Technik in der Ultraschallbehandlung sind folgende Innovationen umgesetzt: - Breitband-Endstufe für hohe kapazitive Blindströme. Eine individuelle Hardware-Anpassung an die Anzahl der Transducer und die Frequenz ist nicht mehr erforderlich. Pro Generatortyp wird mindestens ein Frequenzbereich von 1 :3 und ein Kapazitätsbereich der Last (Transducer) von 1 :4 abgedeckt. - Die Schaltungstopologie ist für minimale Verluste bei den spezifizierten kapazitiven Lasten ausgelegt und optimiert. - Die Regelung des Pulsmusters der Ansteuerung erfolgt nach einem Algorithmus für die Minimalwertbestimmung der Leistung und ist insofern für das Gebiet der Ultraschallbehandlung neuartig. - Die Amplitude der Schwingung wird bei Breitband-Transducern durch eine Speisung der Endstufe mit variabler Spannung eingestellt werden. - Die hochauflösende Frequenzerzeugung mittels PLL (Phase Locked Loop) erlaubt die Einstellung des optimalen Betriebspunktes auch bei schmalbandiger Resonanz-Transducern. - Die Frequenzerzeugung mittels PLL erlaubt rasche Frequenzwechsel und den Sweep-Modus (Frequenzvariation nach bestimmtem Muster). - Phasensynchroner Betrieb von Generatoren erlaubt die einfache Parallelschaltung von Leistungsendstufen und damit eine Leistungserhöhung. - Phasensynchroner Betrieb von Generatoren und Arrayanordnung der Transducer erlaubt die zeitlich variable Ultraschall-Strahlausrichtung und damit eine wirksamere Behandlung des Gutes. - Bei schmalbandiger Resonanz-Transducern wird der Arbeitspunkt maximaler Amplitude in einem gegebenen Frequenzbereich gesucht und gehalten. Die Leistung in diesem Arbeitspunkt wird ebenfalls über die Speisespannung der Endstufe geregelt. Patentansprüche 1. Einrichtung zur Ultraschallbehandlung mit zumindest einem Aktuator, welcher einem Becken für die Aufnahme der zu behandelten Gegenstände zugeordnet ist, und mit einem Steuergerät für die Ansteuerung des Aktuators, dadurch gekennzeichnet, dass das Steuergerät (10) so ausgeführt ist, dass ein Gerätetyp eine variable Anzahl Breitband- oder Schmalband-Transducer in einem grossen Frequenzbereich stufenlos und mit variabler Leistung ansteuern kann.
  2. 2. Einrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass das Steuergerät so ausgeführt ist, dass ein Gerätetyp eine variable Anzahl Breitband- oder Schmalband-Transducer in einem grossen Frequenzbereich stufenlos und mit variabler Leistung ansteuern kann. 4
  3. 3. Einrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Breitband-Fähigkeit der Einrichtung durch die beschriebenen Schaltungstopologien erreicht werden kann, wobei die gewünschte Amplitude für die ausgewählte Frequenz und Leistung innerhalb der Bandbreite der Einrichtung frei wählbar sind und geregelt werden kann.
  4. 4. Einrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass ein frequenz- und phasensynchroner Betrieb mehrerer Schaltungsanordnungen vorgesehen ist und dass in Verbindung mit einer geeigneten Anordnung der Aktuatoren eine Strahlausrichtung im Bad erreicht werden kann.
  5. 5. Einrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Steuervorrichtung (10) ein Speisegerät (15, 45) aufweist, welches die vorliegende Schaltungsanordnung mit elektrischer Energie aus dem Netz versorgt.
  6. 6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass parallel zum Speisegerät (15) ein erster Kreis (16) der Steuervorrichtung (17, 18) besteht, dass ein zweiter Kreis (20) zum Speisegerät (15) parallel geschaltet ist, dass dieser zweite Kreis (20) sich aus zwei Ästen (21 , 22) zusammensetzt, welche in Serie geschaltet sind, und dass ein Grundleiter 23 vorgesehen ist, welcher die einzelnen Teile dieser Schaltungsanordnung miteinander verbindet.
  7. 7. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Ast (21) des zweiten Kreises (20) zwei in Serie geschalteten MOSFET-Transistoren (24, 25) sowie eine Diode (26) aufweist, dass der zweite Ast (22) des zweiten Kreises (20) zwei in Serie geschalteten MOSFET-Transistoren (27, 28) sowie einen Diode (29) aufweist, dass die Dioden (26, 29) gleich polarisiert sind, dass zwischen den Ästen (21 , 22) es einen Mittelpunkt (30) gibt, dass es zwischen den in Serie geschalteten Kondensatoren (17, 18) des ersten Kreises (16) ebenfalls einen Mittelpunkt (31) gibt, und dass ein weiterer Kondensator (32) die genannten Mittelpunkte (30, 31) in den Kreisen (16, 20) verbindet.
  8. 8. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass es einen weiteren Mittelpunkt (33) zwischen den in Serie geschalteten MOSFET-Transistoren (24, 25) des ersten Astes (21) gibt, dass es einen noch weiteren Mittelpunkt (34) zwischen den in Serie geschalteten MOSFET-Transistoren (27, 28) des zweiten Astes (22) gibt, dass diese zweiten bzw. inneren Mittelpunkte (33, 34) mittels eines Leiters (35) miteinander verbunden sind, und dass eine Serienschaltung (36) an diesen Verbindungsleiter (35) einer ends angeschlossen ist, welche aus einer Induktivität (37) und aus zumindest einem der Aktuatoren (7, 8 bzw. 9) besteht.
  9. 9. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein dritter Kreis (46) an die Spannungsquelle (45) angeschlossen ist, dass dieser dritte Kreis (46) aus einem ersten MOSFET-Transistor (47) und einem zweiten MOSFETTransistor (48) besteht, dass parallel dazu ein vierter Kreis (50 geschaltet ist, welcher aus einem ersten Kondensator (51) und aus einem zweiten Kondensator (52) besteht, die in Serie geschaltet sind, dass es zwischen den MOSFETTransistoren (46, 47) einen Mittelpunkt (49) gibt, dass es zwischen den Kondensatoren (51 , 52) einen Mittelpunkt (53) ebenfalls gibt, und dass diese Mittelpunkte (49, 53) an die Anschlussleiter der Primärwicklung eines Transformators (60) angeschlossen sind.
  10. 10. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass ein fünfter Kreis (63) der Steuervorrichtung (10) an die Sekundärwicklung (62) des Transformators (60) angeschlossen ist, dass dieser Kreis einen MOSFET-Transistor (64) und eine Diode (65) umfasst, welche in Serie geschaltet sind, dass parallel zu diesem fünften Kreis (63) ein sechster Kreis (66) geschaltet ist, dass dieser Kreis (66) ebenfalls einen MOSFET-Transistor (67) und ebenfalls eine Diode (68) aufweist, welche auch in Serie geschaltet sind.
  11. 11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der fünfte Kreis (63) so orientiert ist, dass die Diode (65) an den ersten Anschlussleiter (58) der Sekundärwicklung (62) des Transformators (60) angeschlossen ist, dass der MOSFET-Transistor (64) an den zweiten Anschlussleiter (59) der Sekundärwicklung (62) angeschlossen ist, und dass der sechste Kreis (66) an die Anschlussleiter (58, 59) in umgekehrter Reihenfolge angeschlossen sind.
  12. 12. Einrichtung nach Anspruch 11 , dadurch gekennzeichnet, dass die Induktivität (37) den Aktuatoren (7, 8, 9) vorgeschaltet ist und dass diese serielle Schaltung zwischen den Anschlüssen (58, 59) der Sekundärwicklung (62) des Transformators (60) geschaltet ist. 5
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