CH711247A2 - A micromechanical part with a decreased contact surface and its manufacturing process. - Google Patents
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Abstract
L’invention se rapporte à une pièce de micromécanique (51) à base de silicium, telle une roue de pièce d’horlogerie, avec au moins une surface de contact diminuée (54) formée à partir d’un procédé de fabrication combinant au moins une étape de gravage de flancs obliques (37) avec une étape de gravage ionique réactif profond de flancs verticaux (36). Ce procédé permet notamment l’amélioration tribologique de pièces formées par micro-usinage d’une plaquette à base de silicium.The invention relates to a silicon-based micromechanical part (51), such as a timepiece wheel, with at least one reduced contact surface (54) formed from a manufacturing process combining at least one an oblique flank etching step (37) with a deep vertical flanking ionic etching step (36). This method makes it possible in particular tribological improvement of parts formed by micromachining of a wafer based on silicon.
Description
Domaine de l’inventionField of the invention
[0001] L’invention se rapporte à une pièce de micromécanique avec une surface de contact diminuée et son procédé de fabrication. Plus particulièrement, l’invention se rapporte à une telle pièce formée par microusinage d’une plaquette de matière. The invention relates to a micromechanical part with a reduced contact surface and its manufacturing method. More particularly, the invention relates to such a piece formed by micromachining a wafer of material.
Arrière-plan de l’inventionBackground of the invention
[0002] Le document CH 698 837 divulgue la fabrication d’un composant horloger par micro-usinage d’une plaquette en matériau amorphe ou cristallin tel que du silicium sous forme cristalline ou polycristalline. The document CH 698 837 discloses the manufacture of a watch component by micromachining a wafer of amorphous or crystalline material such as silicon in crystalline or polycrystalline form.
[0003] Un tel micro-usinage est généralement obtenu à partir d’un gravage ionique réactif profond (connu également sous l’abréviation anglaise «DRIE»). Comme illustré aux fig. 1 à 3 , un micro-usinage connu consiste en une structuration d’un masque 1 sur un substrat 3 (cf. fig. 1 , étape A) suivi d’un gravage ionique réactif profond du type «Bosch» combinant successivement une phase d’attaque (cf. fig. 1 , étapes B, D, E) suivie d’une phase de passivation (cf. fig. 1 , étape C, couche 4) pour obtenir, à partir du motif du masque 1, d’une gravure anisotrope 5, c’est-à-dire sensiblement verticale, dans la plaquette (cf. fig. 2 ). Such micromachining is generally obtained from a deep reactive ion etching (also known by the abbreviation "DRIE"). As illustrated in FIGS. 1 to 3, a known micromachining consists of a structuring of a mask 1 on a substrate 3 (see Fig. 1, step A) followed by a deep reactive ion etching of the "Bosch" type, successively combining a phase of etching (see Fig. 1, steps B, D, E) followed by a passivation phase (see Fig. 1, step C, layer 4) to obtain, from the pattern of the mask 1, a anisotropic etching 5, that is to say substantially vertical, in the wafer (see FIG 2).
[0004] Comme illustré à la fig. 3 , un exemple de gravage ionique réactif profond du type «Bosch» est représenté avec, en trait plein, le flux en SCCM de SF6en fonction du temps en secondes permettant le gravage d’une plaquette en silicium et, en trait interrompu, le flux en SCCM de C4F8en fonction du temps en secondes permettant la passivation, c’est-à-dire la protection, de la plaquette en silicium. On peut ainsi très bien voir que les phases sont strictement consécutives et comportent un flux et un temps qui leur sont propres. As illustrated in FIG. 3, an example of deep-reactive ionic etching of the "Bosch" type is represented with, in full line, the SCCM flow of SF6 as a function of time in seconds allowing the etching of a silicon wafer and, in broken line, the flow in SCCM of C4F8 as a function of time in seconds allowing the passivation, that is to say the protection, of the silicon wafer. It can thus be clearly seen that the phases are strictly consecutive and have a flow and a time of their own.
[0005] Dans l’exemple de la fig. 3 , une première phase de gravage est représentée avec un flux de SF6à 300 SCCM pendant 7 secondes, suivie par une première phase de passivation avec un flux de C4F8à 200 SCCM pendant 2 secondes, suivie d’une deuxième phase de gravage avec un flux de SF6à 300 SCCM à nouveau pendant 7 secondes et, enfin, suivie d’une deuxième phase de passivation avec un flux de C4F8à 200 SCCM pendant 2 secondes. On remarque donc qu’un certain nombre de paramètres permet de faire varier le gravage ionique réactif profond du type «Bosch» pour avoir une ondulation plus ou moins marquée de la paroi de la gravure verticale 5. In the example of FIG. 3, a first etching phase is shown with a flow of SF6 at 300 SCCM for 7 seconds, followed by a first passivation phase with a flow of C4F8 at 200 SCCM for 2 seconds, followed by a second etching phase with a flow of SF6 at 300 SCCM again for 7 seconds and finally followed by a second passivation phase with a flow of C4F8 at 200 SCCM for 2 seconds. It is therefore noted that a certain number of parameters make it possible to vary the deep-reactive ionic etching of the "Bosch" type in order to have a more or less marked undulation of the wall of the vertical etching 5.
[0006] Après plusieurs années de fabrication, il s’est avéré que ces gravures 5 verticales n’étaient pas totalement satisfaisantes notamment au niveau tribologique. After several years of manufacture, it turned out that these vertical engravings were not completely satisfactory, especially at the tribological level.
Résumé de l’inventionSummary of the invention
[0007] Le but de la présente invention est de pallier tout ou partie les inconvénients cités précédemment en proposant un nouveau type de pièce de micromécanique et un nouveau type de procédé de fabrication permettant notamment l’amélioration tribologique de pièces formées par micro-usinage d’une plaquette de matière. The object of the present invention is to overcome all or part of the disadvantages mentioned above by proposing a new type of micromechanical part and a new type of manufacturing process including the tribological improvement of parts formed by micro-machining. a wafer of material.
[0008] A cet effet, l’invention se rapporte à un procédé de fabrication d’une pièce de micromécanique à base de silicium comportant les étapes suivantes: <tb>a)<SEP>se munir d’un substrat à base de silicium; <tb>b)<SEP>former un masque muni d’ajourages sur une partie horizontale du substrat; <tb>c)<SEP>graver, dans une chambre de g ravage, selon des parois sensiblement verticales, dans au moins une partie de l’épaisseur du substrat à partir d’ajourages du masque afin de former des parois périphériques de la pièce de micromécanique; <tb>d)<SEP>former une couche de protection sur les parois verticales en laissant le fond de gravure de l’étape c) sans couche de protection; <tb>e)<SEP>graver, dans la chambre de gravage, selon des parois obliques prédéterminées, dans le reste de l’épaisseur du substrat à partir du fond sans couche de protection afin de former des surfaces inférieures obliques sous les parois périphériques de la pièce de micromécanique. <tb>f)<SEP>libérer la pièce de micromécanique du masque et du substrat.For this purpose, the invention relates to a method for manufacturing a silicon-based micromechanical part comprising the following steps: <tb> a) <SEP> provide a silicon-based substrate; <tb> b) <SEP> forming a mask with perforations on a horizontal part of the substrate; <tb> c) <SEP> etching, in a grooming chamber, in substantially vertical walls, in at least a portion of the thickness of the substrate from perforations of the mask to form peripheral walls of the room micromechanics; <tb> d) <SEP> forming a protective layer on the vertical walls leaving the etching background of step c) without a protective layer; <tb> e) <SEP> etching, in the etching chamber, according to predetermined oblique walls, in the remainder of the thickness of the substrate from the bottom without a protective layer to form oblique lower surfaces under the peripheral walls of the micromechanical part. <tb> f) <SEP> release the micromechanical part of the mask and the substrate.
[0009] On comprend que, dans la même chambre de gravage, deux types distincts de gravage sont obtenus. On comprend immédiatement que le gravage oblique de l’étape e) permet de former une deuxième surface sensiblement oblique pour former plusieurs pièces de micromécanique sur le même substrat ayant une paroi périphérique à surface de contact réduite. On peut également s’apercevoir que, grâce à la couche de protection uniquement sur les parois verticales, le gravage oblique de l’étape e) autorise un angle largement plus ouvert et une direction de gravure sensiblement rectiligne qui évite d’être limité par les paramètres d’un gravage ionique réactif profond du type «Bosch» qui est, en revanche, utilisé lors de l’étape c) selon ses paramètres optimisés de gravure verticale. It is understood that in the same etching chamber, two distinct types of etching are obtained. It will be understood immediately that the oblique etching of step e) makes it possible to form a second substantially oblique surface to form several micromechanical parts on the same substrate having a peripheral wall with a reduced contact surface. It can also be seen that, thanks to the protective layer only on the vertical walls, the oblique engraving of step e) allows a much more open angle and a substantially straight etching direction that avoids being limited by the parameters of a deep-reactive ion etching of the "Bosch" type which is, on the other hand, used in step c) according to its optimized parameters of vertical etching.
[0010] Conformément à d’autres variantes avantageuses de l’invention: l’étape c) est réalisée en alternant un flux de gaz de gravage et un flux de gaz de passivation dans la chambre de gravage afin de former des parois sensiblement verticales; l’étape d) comporte les phases d1): oxyder la gravure obtenue lors de l’étape c) pour former la couche de protection en oxyde de silicium et d2): graver de manière directionnelle la couche de protection afin de retirer sélectivement la partie de couche de protection uniquement au niveau du fond de la gravure de l’étape c); l’étape e) est réalisée en mélangeant du gaz de gravage et du gaz de passivation dans la chambre de gravage afin de former des parois obliques; lors de l’étape e), les flux continus des gaz de gravage et de passivation sont puisés afin de favoriser le gravage en fond de cavité.According to other advantageous variants of the invention: step c) is performed by alternating a flow of etching gas and a passivation gas flow in the etching chamber to form substantially vertical walls; step d) comprises the phases d1): oxidizing the etching obtained in step c) to form the protective layer of silicon oxide and d2): directionally etching the protective layer to selectively remove the portion protective layer only at the bottom of the etching of step c); step e) is carried out by mixing etching gas and passivation gas in the etching chamber to form oblique walls; during step e), the continuous flows of etching and passivation gases are pulsed in order to promote etching in the cavity bottom.
[0011] De plus, l’invention se rapporte à une pièce de micromécanique obtenue à partir du procédé selon l’une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu’elle comporte un corps à base de silicium dont la paroi périphérique comporte une première surface sensiblement verticale et une deuxième surface oblique permettant de diminuer la surface de contact de la paroi périphérique. In addition, the invention relates to a micromechanical component obtained from the method according to one of the preceding claims, characterized in that it comprises a silicon-based body whose peripheral wall comprises a first surface. substantially vertical and a second oblique surface to reduce the contact surface of the peripheral wall.
[0012] Avantageusement selon l’invention, on comprend que la paroi périphérique ou interne verticale de la pièce de micromécanique offre une réduction de sa surface de contact ou quant à l’entrée d’un organe le long d’une paroi interne de la pièce de micromécanique permettant d’apporter une amélioration quant à la tribologie contre une autre pièce. Advantageously according to the invention, it is understood that the peripheral or vertical inner wall of the micromechanical part offers a reduction of its contact surface or the input of an organ along an inner wall of the micromechanical part for improving the tribology against another part.
[0013] Conformément à d’autres variantes avantageuses de l’invention: la pièce de micromécanique comporte en outre au moins une cavité comportant une paroi interne comprenant également une première surface sensiblement verticale et une deuxième surface sensiblement oblique; la pièce de micromécanique forme tout ou partie d’un organe de mouvement ou d’habillage d’une pièce d’horlogerie.According to other advantageous variants of the invention: the micromechanical part further comprises at least one cavity comprising an inner wall also comprising a first substantially vertical surface and a second substantially oblique surface; the micromechanical part forms all or part of a movement or dressing member of a timepiece.
Description sommaire des dessinsBrief description of the drawings
[0014] D’autres particularités et avantages assortiront clairement de la description qui en est faite ci-après, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels: <tb>les fig. 1 à 3<SEP>sont des représentations destinées à expliquer le gravage ionique réactif profond du type «Bosch» utilisé dans le cadre de l’invention; <tb>les fig. 4 à 10<SEP>sont des représentations d’étapes de fabrication d’une pièce de micromécanique de l’invention; <tb>la fig. 11<SEP>est une représentation d’une pièce de micromécanique selon l’invention; <tb>la fig. 12<SEP>est un schéma fonctionnel du procédé de fabrication selon l’invention.Other features and advantages will clearly match the description which is given below, for information only and not limiting, with reference to the accompanying drawings, in which: <tb> figs. 1 to 3 <SEP> are representations intended to explain the deep-reactive ion etching of the "Bosch" type used in the context of the invention; <tb> figs. 4 to 10 <SEP> are representations of manufacturing steps of a micromechanical component of the invention; <tb> fig. 11 <SEP> is a representation of a micromechanical component according to the invention; <tb> fig. <SEP> is a block diagram of the manufacturing process according to the invention.
Description détaillée des modes de réalisation préférésDetailed Description of the Preferred Embodiments
[0015] L’invention se rapporte à un procédé 11 de fabrication d’une pièce de micromécanique à base de silicium. Comme illustré à la fig. 12 , le procédé 11 comporte une première étape 13 destinée à se munir d’un substrat à base de silicium. The invention relates to a method 11 for manufacturing a micromechanical component based on silicon. As shown in fig. 12, the method 11 comprises a first step 13 intended to provide a substrate based on silicon.
[0016] Les termes à base de silicium signifient un matériau comportant du silicium monocristallin, du silicium monocristallin dopé, du silicium polycristallin, du silicium polycristallin dopé, du silicium poreux, de l’oxyde de silicium, du quartz, de la silice, du nitrure de silicium ou du carbure de silicium. Bien entendu, quand le matériau à base de silicium est sous phase cristalline, n’importe quelle orientation cristalline peut être utilisée. The silicon-based terms mean a material comprising monocrystalline silicon, doped monocrystalline silicon, polycrystalline silicon, doped polycrystalline silicon, porous silicon, silicon oxide, quartz, silica, silicon nitride or silicon carbide. Of course, when the silicon-based material is in crystalline phase, any crystalline orientation can be used.
[0017] Typiquement, comme illustré à la fig. 4 , le substrat 31 à base de silicium peut être du silicium sur isolant (également connu sous l’abréviation anglaise «SOI») comportant une couche supérieure 30 en silicium et une couche inférieure 34 en silicium reliées par une couche intermédiaire 32 en oxyde de silicium. Toutefois, alternativement, le substrat pourrait comporter une couche de silicium rapportée sur une autre type de base comme, par exemple, en métal. Typically, as illustrated in FIG. 4, the substrate 31 based on silicon may be silicon on insulator (also known by the abbreviation "SOI") having a top layer 30 of silicon and a lower layer 34 of silicon connected by an intermediate layer 32 of oxide silicon. However, alternatively, the substrate could comprise a silicon layer reported on another type of base such as, for example, metal.
[0018] Le procédé se poursuit avec l’étape 15 destinée à former un masque 33 muni d’ajourages 35 sur une partie horizontale du substrat 31. Dans l’exemple de la fig. 4 , le masque 33 est formé sur la partie supérieure de la couche supérieure 30 en silicium. Le masque 33 est formé à partir d’un matériau capable de résister aux futures étapes de gravage du procédé 11. A ce titre, le masque 33 peut être formé à partir de nitrure de silicium ou d’oxyde de silicium. Dans l’exemple de la fig. 4 , le masque 33 est formé à partir d’oxyde de silicium. The process continues with step 15 for forming a mask 33 provided with perforations 35 on a horizontal portion of the substrate 31. In the example of FIG. 4, the mask 33 is formed on the upper part of the upper layer 30 of silicon. The mask 33 is formed from a material capable of withstanding the subsequent etching steps of the method 11. As such, the mask 33 may be formed from silicon nitride or silicon oxide. In the example of FIG. 4, the mask 33 is formed from silicon oxide.
[0019] Avantageusement selon l’invention, le procédé 11 se poursuit avec une étape 17 destinée à graver, dans une chambre de gravage, selon des parois 36 sensiblement verticales, dans au moins une partie de l’épaisseur du substrat 31 à partir des ajourages 35 du masque 33 afin de former des parois périphériques ou internes de la pièce de micromécanique. Advantageously according to the invention, the method 11 is continued with a step 17 for engraving, in an etching chamber, according to substantially vertical walls 36, in at least a portion of the thickness of the substrate 31 from the perforations 35 of the mask 33 to form peripheral or internal walls of the micromechanical part.
[0020] L’étape 17 de gravage sensiblement vertical est typiquement un gravage ionique réactif profond du type «Bosch» décrit ci-dessus, c’est-à-dire en alternant un flux de gaz de gravage et un flux de gaz de passivation dans la chambre de gravage afin de former des parois sensiblement verticales. The step 17 of substantially vertical etching is typically a deep reactive ion etching of the "Bosch" type described above, that is to say by alternating a flow of etching gas and a flow of passivation gas in the etching chamber to form substantially vertical walls.
[0021] En effet, l’étape 17 autorise une direction de gravure sensiblement verticale par rapport au masque 33 comme visible à la fig. 5 . On obtient ainsi une gravure 39 dont la section, visible à la fig. 5 , est sensiblement sous forme d’un quadrilatère droit. Bien entendu, suivant la forme des ajourages 35, la forme du volume enlevé lors du gravage varie. Ainsi, un ajourage circulaire donnera une gravure cylindrique et un ajourage carré, un cube ou un parallélépipède rectangle. Indeed, step 17 allows a substantially vertical direction of etching relative to the mask 33 as shown in FIG. 5. An etching 39 is obtained, the section of which is visible in FIG. 5, is substantially in the form of a right quadrilateral. Of course, following the shape of the perforations 35, the shape of the volume removed during the etching varies. Thus, a circular opening will give a cylindrical engraving and a square openwork, a cube or a rectangular parallelepiped.
[0022] Le procédé 11 se poursuit avec l’étape 19 destinée à former une couche de protection 42 sur les parois verticales 36 en laissant le fond 38 de gravure 39 sans couche de protection comme visible à la fig. 7 . The method 11 continues with step 19 for forming a protective layer 42 on the vertical walls 36 leaving the bottom 38 of etching 39 without protective layer as shown in FIG. 7.
[0023] Préférentiellement, la couche de protection 42 est formée en oxyde de silicium. En effet, comme visible aux fig. 6 et 7 , l’étape 19 peut alors comporter une première phase 18 destinée à oxyder tout le dessus du substrat 31, c’est-à-dire le masque 33 et les parois 36, 38 formées par la gravure 39 pour former une surépaisseur sur le masque 33 et une épaisseur sur les parois verticales 36 et le fond 38 de la gravure 39 pour former la couche de protection 42 en oxyde de silicium. Preferably, the protective layer 42 is formed of silicon oxide. Indeed, as visible in figs. 6 and 7, step 19 can then comprise a first phase 18 for oxidizing the entire top of the substrate 31, that is to say the mask 33 and the walls 36, 38 formed by the etching 39 to form an extra thickness on the mask 33 and a thickness on the vertical walls 36 and the bottom 38 of the etching 39 to form the protective layer 42 of silicon oxide.
[0024] La deuxième phase 20 pourrait alors consister à graver, de manière directionnelle, la couche de protection 42 afin de retirer sélectivement les surfaces horizontales en oxyde de silicium d’une partie du masque 33 et de la totalité de la partie de couche de protection 42 uniquement au niveau du fond 38 de la gravure 39 comme visible à la fig. 7 . The second phase 20 could then consist of etching, in a directional manner, the protective layer 42 in order to selectively remove the horizontal silicon oxide surfaces of a portion of the mask 33 and the entire portion of the protection 42 only at the bottom 38 of the engraving 39 as visible in FIG. 7.
[0025] Le procédé 11 peut alors se poursuivre avec l’étape 21 destinée à graver, dans la même chambre de gravage, mais selon des parois obliques 37 prédéterminées, dans le reste de l’épaisseur du substrat 31 à partir du fond 38 sans couche de protection 42 afin de former des surfaces inférieures obliques sous les parois périphériques de la pièce de micromécanique. The method 11 can then continue with the step 21 for etching, in the same etching chamber, but according to predetermined oblique walls 37, in the rest of the thickness of the substrate 31 from the bottom 38 without protective layer 42 to form oblique lower surfaces under the peripheral walls of the micromechanical part.
[0026] L’étape 21 de gravage oblique n’est pas un gravage ionique réactif profond du type «Bosch» décrit ci-dessus. En effet, l’étape 21 autorise, grâce à la couche de protection 42, un angle largement plus ouvert et une direction de gravure sensiblement rectiligne qui évitent d’être limités par les paramètres d’un gravage ionique réactif profond du type «Bosch». En effet, on estime généralement que, même en modifiant les paramètres d’un gravage ionique réactif profond du type «Bosch», l’angle d’ouverture ne peut excéder 10 degrés en ayant une direction de gravure courbe. The oblique etching step 21 is not a deep reactive ion etching of the "Bosch" type described above. Indeed, step 21 allows, thanks to the protective layer 42, a much more open angle and a substantially straight direction of etching which avoid being limited by the parameters of a deep reactive ion etching of the "Bosch" type . Indeed, it is generally considered that, even by modifying the parameters of a deep reactive ion etching of the "Bosch" type, the opening angle can not exceed 10 degrees by having a curved etching direction.
[0027] Avantageusement selon l’invention, l’étape 21 est réalisée, préférentiellement, en mélangeant du gaz SF6de gravage et du gaz C4F8de passivation dans la chambre de gravage afin de former les parois 37 obliques. Plus précisément, les flux continus des gaz SF6de gravage et de passivation C4F8sont puisés afin de favoriser le gravage en fond de cavité. Advantageously according to the invention, step 21 is carried out, preferably, by mixing the etching gas SF6 and the passivation gas C4F8 in the etching chamber in order to form the oblique walls 37. More precisely, the continuous flows of the SF6 etching and passivation gases C4F8 are drawn in order to promote etching in the cavity bottom.
[0028] On comprend donc l’étape 21 autorise un angle largement plus ouvert typiquement autour de 45 degrés dans l’exemple de la fig. 8 au lieu des 10 degrés obtenus au mieux par un gravage ionique réactif profond du type «Bosch» avec une modification optimisée des paramètres. De plus, la pulsation des flux continus autorise une meilleure directivité de gravure, voire obtenir des parois en tronc de cônes parfaits, et non sphériques (parfois appelés gravures isotropes) comme avec un gravage humide ou un gravage sec comme, par exemple, avec du gaz SF6seul. Step 21 therefore allows a much wider angle typically around 45 degrees in the example of FIG. 8 instead of the 10 degrees best obtained by a deep reactive ion etching of the "Bosch" type with an optimized modification of the parameters. In addition, the pulsation of the continuous flows allows a better etching directivity, or even obtain perfect truncated cone walls, and not spherical (sometimes called isotropic etchings) as with a wet etching or dry etching as, for example, with SF6 only gas.
[0029] Pour obtenir la forme de parois 37 de la fig. 8 , on peut par exemple appliquer une séquence pouvant comporter une première phase avec un flux de SF6mélangé avec un flux de C4F8pendant une première durée, suivie par une deuxième phase avec un flux augmenté de SF6mélangé avec un flux diminué de C4F8pendant une deuxième durée, puis à nouveau les première et deuxième phases et ainsi de suite. To obtain the shape of walls 37 of FIG. 8, it is possible, for example, to apply a sequence that may comprise a first phase with a flow of SF6mixed with a flow of C4F8 for a first duration, followed by a second phase with an increased flow of SF6mixed with a decreased flow of C4F8 for a second duration, then again the first and second phases and so on.
[0030] A titre d’exemple, cette séquence pourrait comporter une première phase avec un flux de SF6à 500 SCCM mélangé avec un flux de C4F8à 150 SCCM pendant 1,2 seconde, suivie par une deuxième phase représentée avec un flux de SF6à 600 SCCM mélangé avec un flux de C4F8à 100 SCCM pendant 0,8 seconde, suivie d’une troisième phase avec, à nouveau, un flux de SF6à 500 SCCM mélangé avec un flux de C4F8à 150 SCCM pendant 1,2 seconde et suivie d’une quatrième phase avec un flux de SF6à 600 SCCM mélangé avec un flux de C4F8à 100 SCCM pendant 0,8 seconde et ainsi de suite. By way of example, this sequence could comprise a first phase with a flux of SF6 at 500 SCCM mixed with a flow of C4F8 at 150 SCCM for 1.2 seconds, followed by a second phase represented with a flow of SF6 at 600 SCCM mixed with a flow of C4F8 at 100 SCCM for 0.8 seconds, followed by a third phase with, again, a stream of SF6 at 500 SCCM mixed with a flow of C4F8 at 150 SCCM for 1.2 seconds and followed by a fourth phase with a flow of SF6 at 600 SCCM mixed with a flow of C4F8 at 100 SCCM for 0.8 seconds and so on.
[0031] On remarque donc que cette pulsation des flux continus favorise le gravage en fond de cavité ce qui va élargir, au fur et à mesure de l’étape 21, l’ouverture possible de la gravure 41 en fonction de sa profondeur et, incidemment, une ouverture de gravure 41 plus large au niveau de la partie inférieure de la couche supérieure 30 jusqu’à commencer à obtenir une ouverture de gravure 41 plus large que l’ajourage 35 du masque ou du fond 38 de gravure 39 en début d’étape 21 comme visible lors du passage de la fig. 7 à la fig. 8 . It is therefore noted that this pulsation of the continuous flows favors etching in the cavity bottom which will widen, as and when step 21, the possible opening of the etching 41 as a function of its depth and, Incidentally, a wider etching aperture 41 at the lower part of the upper layer 30 until starting to obtain an etching aperture 41 wider than the opening 35 of the mask or the bottom 38 of etching 39 at the beginning of step 21 as visible during the passage of FIG. 7 in fig. 8.
[0032] Le procédé 11 se finit avec l’étape 23 destinée à libérer la pièce de micromécanique du substrat 31 et du masque 33. Plus précisément, dans l’exemple présenté aux fig. 9 et 12 , l’étape 23 peut comporter une phase 24 de désoxydation permettant de retirer le masque 33 en oxyde de silicium et, éventuellement, tout ou partie de la couche intermédiaire 32 en oxyde de silicium puis une phase 25 de libération du substrat 31 à l’aide, par exemple, d’une attaque chimique sélective. The process 11 ends with step 23 for releasing the micromechanical part of the substrate 31 and the mask 33. More specifically, in the example shown in FIGS. 9 and 12, step 23 may comprise a deoxidation phase 24 making it possible to remove the mask 33 made of silicon oxide and, optionally, all or part of the intermediate layer 32 made of silicon oxide and then a phase 25 of release of the substrate 31 using, for example, a selective chemical attack.
[0033] Le procédé 11 illustré en trait simple à la fig. 12 permet, dans une même chambre de gravage, deux types distincts de gravage. On peut également s’apercevoir que le gravage oblique de l’étape 21 autorise un angle largement plus ouvert et une direction de gravure sensiblement rectiligne qui évitent d’être limités par les paramètres d’un gravage ionique réactif profond du type «Bosch» et d’utiliser ce dernier, lors de l’étape 17, selon ses paramètres optimisés de gravure verticale. The method 11 illustrated in single line in FIG. 12 allows, in the same etching chamber, two distinct types of etching. It can also be seen that the oblique etching of step 21 allows a much more open angle and a substantially straight direction of etching which avoid being limited by the parameters of a deep reactive ion etching of the "Bosch" type and to use the latter, in step 17, according to its optimized parameters of vertical engraving.
[0034] Avantageusement selon l’invention, la pièce de micromécanique 51 formant une roue dans l’exemple de la fig. 11 comporte une paroi périphérique 54 formant une denture qui comporte une surface de contact réduite. Advantageously according to the invention, the micromechanical part 51 forming a wheel in the example of FIG. 11 comprises a peripheral wall 54 forming a toothing which has a reduced contact surface.
[0035] Comme mieux visible à la fig. 10 qui est une vue agrandie sur une partie de la pièce 51, la pièce de micromécanique 51 comporte ainsi un corps 61 à base de silicium dont la paroi périphérique 54 borde une surface supérieure horizontale 53 et une inférieure horizontale 55 et comporte une première surface 56 sensiblement verticale et une deuxième surface 57 oblique. As best seen in FIG. 10 which is an enlarged view on part of the part 51, the micromechanical part 51 thus comprises a silicon-based body 61 whose peripheral wall 54 borders a horizontal upper surface 53 and a horizontal lower surface 55 and comprises a first surface 56 substantially vertical and a second oblique surface 57.
[0036] On comprend donc que la deuxième surface oblique 57 sensiblement rectiligne apporte à la paroi périphérique 54 formant denture, une diminution de la surface de contact permettant une amélioration quant à sa tribologie contre une autre pièce. On comprend également que la paroi interne 60 peut également recevoir plus facilement un organe. It is therefore understood that the second substantially rectilinear oblique surface 57 provides the peripheral wall 54 forming toothing, a reduction of the contact surface for improving its tribology against another room. It is also understood that the inner wall 60 can also more easily receive a member.
[0037] Bien entendu, la présente invention ne se limite pas à l’exemple illustré mais est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l’homme de l’art. En particulier, une étape d’oxydation 22 destinée à lisser les parois en silicium peut être exécutée entre les étapes 21 et 23. Of course, the present invention is not limited to the example shown but is susceptible to various variations and modifications that will occur to those skilled in the art. In particular, an oxidation step 22 for smoothing the silicon walls can be performed between steps 21 and 23.
[0038] De plus, une partie en métal ou en alliage métallique pourrait être déposée dans la gravure 41, lors d’une étape optionnelle entre les phases 24 et 25, de sorte à former une chemise 59 dans un trou 60 de la pièce de micromécanique 51 comme illustré à la fig. 11 . In addition, a portion of metal or metal alloy could be deposited in the etching 41, during an optional step between the phases 24 and 25, so as to form a jacket 59 in a hole 60 of the piece of micromechanical 51 as shown in FIG. 11.
[0039] Cette partie en métal ou en alliage métallique pourrait même déborder au-dessus de la gravure 41 afin de former un niveau fonctionnel supplémentaire de la pièce de micromécanique composite 51 uniquement formé en métal. This metal or metal alloy portion could even overflow above the etching 41 to form an additional functional level of the composite micromechanical part 51 only formed of metal.
[0040] Ainsi, après l’étape 24 désoxydant le substrat 31, le procédé 11, pourrait se poursuivre avec une étape destinée à remplir sélectivement une cavité formée lors des gravages 17 et 21, d’un métal ou d’un alliage métallique afin d’offrir une attache à la pièce de micromécanique. Thus, after the step 24 deoxidizing the substrate 31, the process 11 could be continued with a step intended to selectively fill a cavity formed during etching 17 and 21 of a metal or a metal alloy so to offer a fastener to the micromechanical part.
[0041] A titre d’exemple, préférentiellement, la couche inférieure 34 du substrat 31 pourrait alors être fortement dopée et utilisée comme base directe ou indirecte pour un remplissage par galvanoplastie. Ainsi, une première phase pourrait être destinée à former un moule, par exemple en résine photosensible, sur le dessus du masque 33 et dans une partie de la gravure 41. Une deuxième phase pourrait consister à électroformer une partie métallique, à partir de la couche inférieure 34, au moins entre la pièce de micromécanique en silicium et une partie du moule formé dans la gravure 41. Enfin, une troisième phase pourrait consister à retirer le moule formé lors de la première phase. Le procédé se finirait avec la phase 25 de libération de la pièce de micromécanique composite du substrat 31 par une attaque chimique sélective. By way of example, preferably, the lower layer 34 of the substrate 31 could then be heavily doped and used as a direct or indirect basis for electroplating filling. Thus, a first phase could be intended to form a mold, for example in photoresist, on the top of the mask 33 and in part of the etching 41. A second phase could consist of electroforming a metal part, from the layer 34, at least between the silicon micromechanical part and a part of the mold formed in the etching 41. Finally, a third phase could consist in removing the mold formed during the first phase. The process would end with the release phase of the composite micromechanical part of the substrate 31 by selective etching.
[0042] Avantageusement selon l’invention, on comprend alors que le dépôt galvanique 59 est, par les formes de la première surface sensiblement verticale 56 et une deuxième surface oblique 57, plus difficile à retirer qu’avec une surface essentiellement verticale et bénéficie d’une meilleure résistance au cisaillement. Advantageously according to the invention, it is understood that the galvanic deposition 59 is, by the forms of the first substantially vertical surface 56 and a second oblique surface 57, more difficult to remove than with a substantially vertical surface and benefits from better shear strength.
[0043] De plus, ladite au moins une cavité 60 qui est au moins partiellement remplie d’un métal ou d’un alliage métallique 59 permet d’offrir une attache à la pièce de micromécanique composite 51. Ainsi, dans l’exemple de la fig. 11 , la cavité 60 pourrait laisser un évidement cylindrique 62 apte à permettre le chassage de la pièce de micromécanique composite 51 sur un arbre avec une bonne résistance mécanique lors du dudgeonnage de la partie en métal ou en alliage métallique 59 grâce aux formes de la paroi périphérique 54. In addition, said at least one cavity 60 which is at least partially filled with a metal or a metal alloy 59 makes it possible to offer a fastener to the composite micromechanical part 51. Thus, in the example of fig. 11, the cavity 60 could leave a cylindrical recess 62 able to allow the composite micromechanical component 51 to be driven onto a shaft with good mechanical strength when the metal or metal alloy part 59 is swept out thanks to the shapes of the wall peripheral 54.
[0044] Enfin, la pièce de micromécanique 51 ne saurait se limiter à l’application d’une roue comme visible à la fig. 11 . Ainsi, la pièce de micromécanique 51 peut former tout ou partie d’un organe de mouvement ou d’habillage d’une pièce d’horlogerie. Finally, the micromechanical part 51 can not be limited to the application of a wheel as shown in FIG. 11. Thus, the micromechanical part 51 may form all or part of a movement or dressing member of a timepiece.
[0045] A titre d’exemples nullement limitatifs, la pièce de micromécanique 51 peut ainsi former tout ou partie d’un spiral, d’une cheville, d’un balancier, d’un axe, d’un plateau, d’une ancre comme une tige, une baguette, une fourchette, une palette et un dard, d’un mobile comme une roue, un arbre et un pignon, d’un pont, d’une platine, d’une masse oscillante, d’une tige de remontoir, d’un coussinet, d’un boîtier comme la carrure et les cornes, d’un cadran, d’un réhaut, d’une lunette, d’un poussoir, d’une couronne, d’un fond de boîtier, d’une aiguille, d’un bracelet comme un maillon, d’un décor, d’une applique, d’une glace, d’un fermoir, d’un pied de cadran, d’une tige de couronne ou d’une tige de poussoir. As non-limiting examples, the micromechanical part 51 can thus form all or part of a spiral, an ankle, a balance, an axis, a plate, a anchor such as a rod, a rod, a fork, a pallet and a dart, a mobile like a wheel, a shaft and a pinion, a bridge, a plate, an oscillating weight, a winding stem, a pad, a case like the case and horns, a dial, a flange, a bezel, a pusher, a crown, a bottom of case, a needle, a bracelet such as a link, a decoration, a wall lamp, an ice cream, a clasp, a dial, a crown stem or a a push rod.
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