CH716518A2

CH716518A2 - Mécanisme régulateur d'horlogerie.

Info

Publication number: CH716518A2
Application number: CH01051/19A
Authority: CH
Inventors: Huot-Marchand Sylvain
Original assignee: Eta Sa Mft Horlogere Suisse
Priority date: 2019-08-22
Filing date: 2019-08-22
Publication date: 2021-02-26

Abstract

L'invention concerne un mécanisme régulateur (300) d'horlogerie, comportant un mécanisme résonateur (100) à pivot virtuel et à guidage flexible, de facteur de qualité supérieur à 1000, dont l'élément inertiel (2) coopère indirectement avec un mécanisme d'échappement (200) libre dans le cycle de fonctionnement duquel le mécanisme résonateur (100) possède au moins une phase de liberté où il est sans contact avec le mécanisme d'échappement (200), ce mécanisme régulateur (300) comporte un couple de composants comportant des surfaces de frottement agencées pour coopérer en contact l'une avec l'autre, où la première surface de frottement est constituée par la surface d'un élément comportant du carbure de silicium.

Description

Domaine de l'invention

[0001] L'invention concerne un mecanisme regulateur d'horlogerie, comportant, agences sur une platine, un mecanisme resonateur d'un facteur de qualite Q, et un mecanisme d'echappement lequel est soumis ä un couple de moyens moteurs que comporte un mouvement, ledit mecanisme resonateur comportant un element inertiel agence pour osciller par rapport ä ladite platine, ledit element inertiel etant soumis ä l'action de moyens de rappel elastique fixes directement ou indirectement ä ladite platine, et ledit element inertiel etant agence pour cooperer indirectement avec un mobile d'echappement que comporte ledit mecanisme d'echappement, ledit mecanisme regulateur comportant au moins un couple de composants comportant un premier composant et un deuxieme composant comportant respectivement une premiere surface de frottement et une deuxieme surface de frottement qui sont agencees pour cooperer en contact l'une avec l'autre.

[0002] L'invention concerne encore un mouvement d'horlogerie comportant un tel mecanisme regulateur.

[0003] L'invention concerne encore une montre comportant un tel mouvement et/ou un tel mecanisme regulateur.

[0004] L'invention concerne encore un procede de realisation d'un tel mecanisme d'echappement.

[0005] L'invention concerne le domaine des mecanismes horlogers comportant des composants en permanence en mouvement, et plus particulierement le domaine des mecanismes d'echappement.

Arriere-plan de l'invention

[0006] Les constructeurs horlogers se sont toujours efforces d'accroitre la fiabilite des mouvements, gräce ä la reduction de la frequence des entretiens, tout en assurant la marche precise des mouvements horlogers.

[0007] La lubrification des mobiles et composants en mouvement est un probleme difficile ä resoudre. De longues experimentations tribologiques sont necessaires pour mehre au point des Solutions permettant de simplifier ou meme de supprimer la lubrification.

[0008] Plus particulierement, on recherche un fonctionnement sans lubrification des mecanismes d'echappement, en tentant de definir des couples de materiaux en frottement presentant un coefficient de frottement bas et stable ainsi qu'une faible usure, et presentant une excellente tenue dans la duree.

[0009] Beaucoup de montres mecaniques actuelles sont munies d'un resonateur ä balancier-spiral, qui constitue la basede temps du mouvement, et associe ä un mecanisme d'echappement en general ä ancre suisse. Cet echappement, remplit deux fonctions principales:

- I'entretien des va-et-vient d'au moins une mässe inertielle, typiquement un balancier, que comporte le resonateur;

- et le comptage de ces va-et-vient.

[0010] En plus de ces deux fonctions principales, l'echappement doit etre robuste, resister aux chocs, et eviter de coincer le mouvement (renversement). Le mecanisme d'echappement ä ancre suisse a un rendement energetique faible (environ 30%). Ce faible rendement provient du falt que les mouvements de l'echappement sont saccades, qu'il y a des chutes ou chemins perdus pour s'accommoder des erreurs d'usinage, et, aussi du falt que plusieurs composants se transmettent leur mouvement via des plans inclines qui frottent les uns par rapport aux autres.

[0011] Pour constituer un resonateur mecanique, il faut au moins un element inertiel, un moyen de guidage et un moyen de rappel elastique. Traditionnellement, un ressort spiral joue le röle d'element de rappel elastique pour l'element inertiel que constitue un balancier.

[0012] Quand la mässe inertielle est guidee en rotation par des pivots qui tournent dans des paliers lisses en rubis, cela donne lieu ä des frottements, et donc ä des pertes d'energie et des perturbations de marche, qui dependent des positions de la montre dans l'espace par rapport au champ de gravite, et que l'on cherche ä supprimer.

[0013] Une nouvelle generation de resonateurs mecaniques comporte, en liaison avec l'element inertiel, au moins deux elements flexibles qui assurent les deux fonctions de guidage en pivotement et de moyen de rappel elastique. Ces nouveaux resonateurs permettent des frequences d'oscillation plus importantes, de l'ordre de 10 Hz, voire 50 Hz ou plus, et des facteurs de qualite bien plus eleves, souvent superieurs ä 1000, et notamment de l'ordre de 2000, que ceux des resonateurs mecaniques traditionnels avec balancier et spiral, generalement de l'ordre de 280. L'energie ä fournir au resonateur ä chaque alternance est donc bien plus faible, par exemple 20 fois plus faible.

[0014] L'energie transitant par l'echappement est donc relativement bien plus faible. Cela impose une conception des composants d'echappement avec des inerties reduites. Cette caracteristique est atteinte, d'une part en utilisant des materiaux de densite faible comme par exemple le silicium, ou similaire, et d'autre part en reduisant la taille des composants de l'echappement. Le silicium (ou un de ses oxydes, ou encore tout autre materiau micro-usinable desormais usuel enhorlogerie) peut avantageusement etre usine avec une des technologies issues de l'electronique comme le „Deep Reactive Ion Etching" (DRIE) qui permettent une precision adaptee aux contraintes de fonctionnement d'un tel echappement. Le silicium s'oxyde naturellement ä l'air mais il peut etre oxyde durant le processus de fabrication pour, par exemple, accroitre la tenacite des composants ou en modifier le coefficient thermoelastique. La croissance contrölee du dioxyde de silicium

SiO2 permet, en particulier, de creer des precontraintes dans des lames minces, et de creer des composants bistables ou multistables.

[0015] L'oxyde de silicium (silice) est connu pour sa propension ä adsorber de l'eau. Ce caractere hygroscopique est d'ailleurs utilise pour assecher l'air de certains conditionnements pour eviter que la marchandise y transportee ne soit alteree par l'humidite (par exemple sous forme de sachets de silica-gel).

[0016] Dans le cas de mecanismes transmettant des energies tres faibles, comme le sont ces nouveaux resonateurs, des phenomenes d'adhesion peuvent se produire. Ces phenomenes de surface peuvent devenir preponderants si la taille des composants de l'echappement est fälble. Ces effets de surface (frottement et adhesion) deviennent en effet plus importants que les effets de volume (inertie, mässe) au für et ä mesure que la dimension des pieces diminue. II en resulte in fine des collements potentiellement nefastes. Les essais realises ont en effet montre une perte significative de rendement lorsque l'humidite relative augmente. Les forces d'adhesion dependent des differentes tensions de surface et du volume de liquide, et non de la force appliquee par un composant sur un autre. L'influence de ces collements peut conduire ä des arrets du mouvement lorsque le couple ä l'echappement est fälble et que l'humidite est elevee, ce qui risque d'entrainer des pertes de reserve de marche. En l'absence de precaution particuliere quant aux surface de contact, on peut constater, quand une montre fonctionne dans une atmosphere avec une humidite superieure ä 80%, des phenomenes de chute brutale d'amplitude de l'oscillateur, voire son arret, et ceci d'autant plus que l'energie ä l'echappement est faible ; ces phenomenes peuvent dejä se produire avec une humidite plus reduite, de l'ordre de 50%. Notons qu'avec une humidite faible, de l'ordre de 20%, on ne constate en principe pas de perte d'amplitude ni d'arret.

[0017] On constate en effet, que l'energie echangee entre un tel nouveau resonateur et l'echappement est tres faible, et n'est que peu superieure ä l'energie necessaire pour decoller des surfaces en contact et rompre un menisque de lubrifiant. Par exemple l'energie echangee entre le mecanisme resonateur et l'echappement est de l'ordre de trois fois ä dix fois l'energie de rupture de contact. Cette circonstance rend naturellement l'auto-demarrage difficile apres un arret inopine,par exemple suite ä un choc.

[0018] Une alternative pour remedier ä ce probleme consiste ä deposer un revetement hydrophobe en surface des composants en materiau micro-usinable (notamment en silicium ou/et oxyde de silicium). Mais, du fait des contraintes de fonctionnement de l'echappement, ce revetement doit etre resistant ä l'abrasion de maniere ä garantir le fonctionnement ä long terme. Les monocouches autoassemblees ou les lubrifiants filmogenes greffables en surface peuvent etre insuffisamment resistants, et reveler ä l'usure la surface en materiau micro-usinable, notamment silicium et oxyde de silicium, rendant denouveau le mecanisme sensible ä l'humidite.

[0019] Un depöt d'epilame presente l'inconvenient d'un vieillissement dans le temps, c'est pourquoi il est important de rechercher des materiaux avec la moindre usure possible, pour les surfaces de contact des composants en frottement tels que cheville de plateau, dard, fourchette avec cornes, palette d'ancre, dent de roue d'echappement, etoqueau, et similaires.

[0020] Le document XP002734688, „A study of static friction between Silicon and Silicon compounds", de MM. Deng et Ko, decrit l'utilisation en micro-mecanique de precision du couple nitrure de silicium - silicium, pour une faible usure dansla duree, et une tribologie amelioree.

[0021] Le document XP002734924, „LPCVD against PECVD for micromechanical applications", de MM, Stoffel, Kovacs, Kronast, Müller, decrit l'utilisation de nitrure de silicium non stoechiometrique, obtenu par PECVD ou LPCVD, pour assurer des proprietes tribologiques.

[0022] Le document W02009/049591 au nom de Damasko decrit un procede de fabrication d'elements fonctionnels mecaniques de mouvements, en particulier d'elements fonctionnels pour faire osciller les systemes de mouvements, dont le materiau ou le materiau de depart est choisi dans un groupe comportant une grande variete de composes, dont le nitrure de silicium.

Resume de l'invention

[0023] L'invention se propose de fournir une solution au probleme du collement des composants ä contact intermittent dans un mouvement d'horlogerie pour montre, comportant un nouveau resonateur ä guidages flexibles et pivot virtuel, de facteur qualite superieur ä 1000, associe ä un mecanisme d'echappement.

[0024] L'invention concerne plus particulierement l'utilisation du carbure de silicium, ou de materiaux derives comportant essentiellement du carbure de silicium, comme materiau tribologique ä haute performance dans l'echappement.

[0025] A cet effet, l'invention concerne un mouvement d'horlogerie pour montre, comportant un nouveau resonateur ä guidages flexibles et pivot virtuel, de facteur qualite superieur ä 1000, et un mecanisme d'echappement, ä tribologie amelioree, selon la revendication 1.

[0026] L'invention concerne encore un procede de realisation d'un tel mecanisme d'echappement, caracterise en ce qu'on realise chaque couple constitue par une premiere surface de frottement et une deuxieme surface de frottement antagonistes, en realisant un composant en carbure de silicium avec un Substrat pour constituer lachte premiere surface de frottement et/ou la deuxieme surface de frottement, ou bien par frittage, ou bien par elaboration massive.

Description sommaire des dessins

[0027] D'autres caracteristiques et avantages de l'invention apparaitront ä la lecture de la description detaillee qui va suivre, en reference aux dessins annexes, oü :

- la figure 1 represente, de fagon schematisee et en vue en plan, un mecanisme d'echappement traditionnel comportantnotamment une palette d'ancre cooperant en contact avec une roue d'echappement, au niveau de surfaces de contact agencees selon l'invention ;

- la figure 2 represente, de fagon schematisee, la Cooperation entre les surfaces de contact antagonistes ;

- la figure 3 represente, de fagon schematisee et en vue en plan, un mecanisme regulateur d'horlogerie, selon l'invention,comportant un mecanisme resonateur ä guidages flexibles et pivot virtuel avec un haut facteur de qualite superieur ä 1000, comportant une mässe inertielle oscillante porteuse d'une cheville de plateau agencee pour cooperer avec une fourchette d'une ancre laquelle est par ailleurs agencee pour cooperer avec les dents d'une roue d'echappement;

- la figure 4 est un detail de la figure 3 ;

- la figure 5 represente, sous forme d'un schema-blocs, une montre comportant un mouvement lequel comporte un telmecanisme regulateur d'horlogerie, selon l'invention.

Description detaillee des modes de realisation preferes

[0028] L'invention concerne l'utilisation du carbure de silicium en tant que materiau permettant le fonctionnement ä lubrification minimale d'un mecanisme regulateur d'horlogerie comportant un mecanisme resonateur ä guidages flexibles et pivot virtuel avec un haut facteur de qualite superieur ä 1000, associe ä un mecanisme d'echappement.

[0029] Le fonctionnement sans lubrification est un cas particulier. Mais les caracteristiques exposees ci-apres conviennentaussi ä un mecanisme regulateur lubrifie, dont l'avantage est de pouvoir atteindre une amplitude superieure ä cette d'un regulateur fonctionnant ä sec, avec notamment un gain de 10% ä 20% d'amplitude dans certains cas. Le mecanisme regulateur 300 comporte alors de preference un lubrifiant avec une tension de surface inferieure ä 50 mN/m, et plus particulierement inferieure ä 40 mN/m, et plus particulierement encore inferieure ou egale ä 36 mN/m ; la tension de surface du lubrifiant horloger utilise est alors significativement plus faible que celle de l'eau, laquelle est de 72 mN/m soit entre la moitie et les deux tiers environ. L'invention est plus particulierement decrite pour un fonctionnement ä sec, mais l'homme du metier n'aura aucune difficulte pour l'extrapoler ä un mecanisme lubrifie.

[0030] Par commodite de langage, on appellera ci-apres „carbure de silicium" au sens large un materiau qui est compose:

- ou bien par du carbure de silicium stoechiometrique SiC, qui peut etre massif dans le cas le plus general, ou encoreen couche mince ;

- ou bien selon une composition dite non stoechiometrique SixCyHz, avec x egal ä 1, y compris entre 0.8 et 5.0, et zcompris entre 0.00 et 0.70, et plus particulierement entre 0.04 et 0.70, qui est de preference applique en couche mince, mais qui peut aussi etre constitutive d'un composant massif.

[0031] On appelle ici „massif" un composant dont la plus petite dimension est superieure ä 0,10 mm, tandis qu'une „couche mince" a sa plus petite dimension inferieure ä 10 micrometres, et de preference inferieure ä 1 micrometre. Bien sür, beaucoup de composants horlogers comportent des zones dont la plus faible dimension est inferieure ä 0.10 mm, comme des bras ou des dents de roue d'echappement, ou similaire ; les composants horlogers utilises dans le cas d'espece des resonateurs ä haut facteur de qualite sont generalement issues d'un wafer d'epaisseur superieure ä 0.10 mm, ou d'un assemblage de plusieurs wafers plus minces (wafer bonding) pour realiser un wafer resultant d'epaisseur superieure ä 0.10 mm.

[0032] En effet l'experimentation permet d'etablir que le frottement du carbure de silicium contre du silicium ou de l'oxyde de silicium presente des proprietes particulierement souhaitees dans un mecanisme horloger, et tout particulierement dans le cas d'un mecanisme d'echappement.

[0033] Un tel couple de frottement presente un coefficient de frottement bas, inferieur ä 0.17, sur une large plage de force - vitesse (ImN - 200mN et 1 cm/s - 10 cm/s).

[0034] La litterature enseigne que, pour des materiaux durs elastiques, en raison de l'augmentation de la contrainte de cisaillement en fonction de la pression, le coefficient de frottement varie habituellement une loi de type: p = S/P+a, oü : S : contrainte de cisaillement limite, P: pression de Hertz, a: parametre de valeur constante.

[0035] Le parametre S determine la dependance du couple en fonction de la pression, et est de ce fait particulierement utile ä prendre en compte dans le cas du frottement ä sec dans l'echappement oü les forces et pressions de contact varient grandement, ainsi que dans l'interface entre l'echappement et le resonateur.

[0036] En comparaison d'autres couples en frottement, les couples carbure de silicium/Si ou carbure de silicium/SiO2 presentent une faible dependance du coefficient de frottement en fonction de la force normale appliquee. Cela se traduit par un parametre S tres faible. Ce comportement est particulierement utile dans l'echappement puisque la force normale varie grandement, typiquement de 0 ä 200 mN lors des mises en contact et impacts. Durant les pertes de contact et mises en contact, le carbure de silicium permet de conserver un coefficient de frottement bas inferieur ä 0.2, valeur qui est habituellement consideree comme le seuil critique de fonctionnement de l'echappement.

[0037] Lors des decollements (Separation de la dent de la roue d'echappement d'une part, et de la levee de l'ancre d'autre part, par exemple), ce sont les forces d'adhesion qui interviennent. A sec agissent des forces electrostatiques, de van der Waals, Hydrogene, et autres. Dans le cas d'un contact avec medium liquide (ou fluide), ce sont les forces de tension de surface qui s'opposent au decollement et ainsi consomment de l'energie. Dans l'absolu, on ne peut pas les considerer comme des forces de frottement. Dans le cas des mecanismes regulateurs classiques ä balancier-spiral, on tend ä lesassimiler ä des forces de frottement car les forces d'adhesion sont beaucoup plus faibles que celles de frottement, et sont presque negligeables devant elles. Dans le cas d'espece des regulateurs ä haut facteur de qualite, elles sont du meme ordre de grandeur, et peuvent meme etre preponderantes dans certains cas. Les mecanismes sous-jacents et lesstrategies pour diminuer frottement ou adhesion sont differentes, et peuvent meme se reveler antagonistes dans certaines configurations.

[0038] De surcroit le carbure de silicium resiste bien ä l'usure, ce qui garantit une bonne tenue dans la duree.

[0039] L'experimentation comparee avec des composants de contact en silicium ou oxyde de silicium montrent que l'emploi du carbure de silicium superficiel permet de reduire ä neant les arrets de l'oscillateur.

[0040] L'invention concerne ainsi un mecanisme regulateur 300 d'horlogerie, comportant, agences sur une platine 1, un mecanisme resonateur 100 ä pivot virtuel et ä guidage flexible, d'un facteur de qualite Q superieur ä 1000, et un mecanisme d'echappement 200 lequel est soumis ä un couple de moyens moteurs 400 que comporte un mouvement 500, notamment pour l'equipement d'une montre 1000.

[0041] Par exemple, le mecanisme regulateur 300 illustre aux figures 3 et 4 a une puissance ä l'echappement de l'ordre de 0.7 microwatt, ce qui est environ vingt fois plus faible que dans le cas d'un regulateur traditionnel.

[0042] Le mecanisme resonateur 100 comporte au moins un element inertiel 2 agence pour osciller par rapport ä la platine 1. Cet element inertiel 2 est soumis ä l'action de moyens de rappel elastique 3 fixes directement ou indirectement ä la platine 1. Et cet element inertiel 2 est agence pour cooperer indirectement avec un mobile d'echappement 4 que comporte le mecanisme d'echappement 200.

[0043] Les figures montrent, de fagon non limitative, une cheville de plateau 6 solidaire d'une mässe inertielle 2, et agencee pour cooperer avec une ancre 7, laquelle est ä son tour agencee pour cooperer avec un tel mobile d'echappement 4 ici constitue par une roue d'echappement.

[0044] Ce mecanisme resonateur 100 est ici un resonateur rotatif ä pivot virtuel, autour d'un axe principal DP, ä guidage flexible comportant au moins deux lames flexibles 5, et comportant une teile cheville de plateau 6 solidaire de l'element inertiel 2.

[0045] Le mecanisme d'echappement 200 comporte une ancre 7 pivotant autour d'un axe secondaire DS et comportant une fourchette d'ancre 8 agencee pour cooperer avec la cheville de plateau 6. Ce mecanisme d'echappement 200 est un mecanisme d'echappement libre, dans le cycle de fonctionnement duquel le mecanisme resonateur 100 possede au moins une phase de liberte oü la cheville de plateau 6 est ä distance de la fourchette d'ancre 8.

[0046] Ce mecanisme regulateur 300 est un mecanisme ä tribologie amelioree, en fonction des constats exposes plus haut, et est congu pour minimiser les phenomenes de collement entre les surfaces des composants ä contact variable et/ou discontinu.

[0047] Plus particulierement, ce resonateur 100 a un facteur de qualite superieur ä 1000, plus particulierement superieur ä 1800, plus particulierement encore superieur ä 2500.

[0048] La technologie des resonateurs ä pivot virtuel, et en particulier ä lames flexibles, n'autorise pas encore de grandes amplitudes d'oscillation de la mässe inertielle. Dans le cas de l'invention, l'amplitude d'oscillation du resonateur 100 est inferieure ä 180°, plus particulierement inferieure ä 90°, plus particulierement encore inferieure ä 40°.

[0049] La frequence d'oscillation du resonateur 100 est superieure ä 8Hz, plus particulierement superieure ou egale ä 10 Hz, plus particulierement encore superieure ou egale ä 15 Hz.

[0050] De fagon propre ä l'invention, ce mecanisme regulateur 300 comporte, au niveau du mecanisme resonateur 100 et/ ou du mecanisme d'echappement 200 et/ou entre le mecanisme resonateur 100 et le mecanisme d'echappement 200, au moins un couple de composants, comportant un premier composant 22 et un deuxieme composant 32, lesquels comportent respectivement une premiere surface de frottement 20 et une deuxieme surface de frottement 30 qui sont agencees pour cooperer en contact l'une avec l'autre.

[0051] Par exemple et non limitativement, ce premier composant 22 et ce deuxieme composant 32 sont pris parmi : cheville de plateau 6, ancre 7, dard d'ancre, fourchette 8 d'ancre avec ses cornes 26, palette d'ancre 72, 81, 82, dent de roue d'echappement 4, etoqueau 36 fixe ä la platine, et similaires.

[0052] Dans une execution particuliere, toutes les paires de composants ä contact variable et/ou discontinu d'un tel mecanisme regulateur comportent des surfaces antagonistes selon les caracteristiques de l'invention, dont au moins un composant 22 ou 32 comporte du carbure de silicium ou son äquivalent c'est-ä-dire un materiau comportant au moins 90%en mässe de carbure de silicium SiC et au moins un autre materiau, pris parmi une liste exposee ci-dessous.

[0053] L'invention concerne plus particulierement le cas des mecanismes resonateurs dans lesquels l'energie ä transmettre lors de chaque impulsion est Interieure ä 200 nJ.

[0054] Plus particulierement, l'invention concerne plus particulierement le cas des mecanismes resonateurs dans lesquels ä la fois l'energie ä transmettre lors de chaque impulsion est inferieure ä 200 nJ, et le facteur de qualite est superieur ä 1000.

[0055] La premiere surface de frottement 20 est la surface d'un composant qui comporte du carbure de silicium qui est, ou bien du carbure de silicium stcechiometrique SiC, ou bien du carbure de silicium non stoechiometrique SixCyHz, avec x egal ä 1, y compris entre 0.8 et 5.0, et z compris entre 0.00 et 0.70, ou bien encore un materiau, dit äquivalent, c'est-ä-direcomportant au moins 90% en mässe de carbure de silicium SiC et au moins un autre materiau, pris parmi la liste suivante dont les proportions sont affichees en mässe :

alpha-SiC 6H, beta-SiC 3C, SiC 4H, SiC fluore, carbonitrure de silicium SiCN, aluminium 400 ä 2000 ppm, ter Interieur ä 3000 ppm, bore et/ou carbure de bore B4C et/ou bore polyphenylique et/ou decaborane B^Hu et/ou du carborane B1oH12C2, le total de materiaux contenant du bore etant compris entre 0.04% ä 0.14%, carbone inferieur ä 8000 ppm, carbure de Vanadium, carbure de zirconium, oxynitrure de silicium alpha : alpha-SiAION dope yttrium, graphene, autres impuretes sous 500 ppm.

[0056] Toutefois les impuretes sont souvent nuisibles pour les problematiques de contact, et il est preferable de les limiter ä la valeur la plus basse possible, surtout en ce qui concerne le ter qui risque de reagir avec l'humidite pour former des oxydes perturbateurs, qu'il vaut mieux limiter sous 400 ppm. Les autres impuretes sont ä limiter, de preference sous 100 ppm. Le bore n'est avantageux que quand il est rendu stable par une liaison avec un autre element, on evite alors de preference le bore seul.

[0057] Et la deuxieme surface de frottement 30 est la surface d'un composant qui comporte au moins un materiau assurant une bonne Cooperation avec le carbure de silicium tel que :

- AI2O3, ou CBN, ou TiO2, ou verre, ou quartz, ou diamant, ou DLC ;

- ou bien un materiau ä base de silicium pris parmi un groupe comportant le silicium Si, le silicium desoxyde, le dioxyde de silicium SiO2, le silicium amorphe a-Si, le silicium polycristallin p-Si, le silicium poreux, ou un melange de silicium et d'oxyde de silicium, le nitrure de silicium stoechiometrique Si3N4, le nitrure de silicium dans une composition dite non stcechiometrique SixNyHz avec x egal ä 1 et y compris entre 0.8 et 5.0 et z compris entre 0.00 et 0.70, les oxynitrures SixOyNz, ;

- ou bien la deuxieme surface de frottement 30 est la surface d'un composant qui comporte au moins un materiau äbase de silicium pris, comme la premiere surface de frottement 20, parmi le carbure de silicium qui est, ou bien du carbure de silicium stoechiometrique SiC, ou bien du carbure de silicium non stoechiometrique SixCyHz, avec x egal ä 1, y compris entre 0.8 et 5.0, et z compris entre 0.00 et 0.70, ou bien encore un materiau comportant au moins 90% en mässe de carbure de silicium SiC et au moins un autre materiau pris parmi la liste suivante dont les proportions sont affichees en mässe :

alpha-SiC 6H, beta-SiC 3C, SiC 4H, SiC fluore, carbonitrure de silicium SiCN, aluminium 400 ä 2000 ppm, ter inferieur ä 3000 ppm, bore et/ou carbure de bore B4C et/ou bore polyphenylique et/ou decaborane BwHm et/ou du carborane B10H12C2, le total de materiaux contenant du bore etant compris entre 0.04% ä 0.14%, carbone inferieur ä 8000 ppm, carbure de Vanadium, carbure de zirconium, oxynitrure de silicium alpha : alpha-SiAION dope yttrium, graphene, autres impuretes sous 500 ppm.

[0058] On entend ici par „silicium amorphe a-Si" du silicium depose par procede PECVD en couche mince, de 50 nm ä10 micrometres, de structure amorphe ; il peut egalement etre hydrogene ou dope type N ou type P.

[0059] On entend ici par „silicium polycristallin p-Si" du silicium depose par procede LPCVD, compose de grains de siliciummicrocristallin, la taille des grains etant de 10 ä 2000 nm ; il peut egalement etre dope type N ou type P. Le module d'elasticite E est voisin de 160 GPa.

[0060] On entend ici par „silicium poreux" un materiau avec une taille de pores de 2 nm ä 10 micrometres, realise selon un procede de fabrication complexe base sur une anodisation (electrolyte HF et courant electrique).

[0061] Plus particulierement, une au moins de ces premiere ou deuxieme surface de frottement 20, 30, est constituee, ou bien par la surface d'un element massif en carbure de silicium massif, de preference mais non limitativement dans la formulation stoechiometrique SiC, ou bien par la surface d'une couche mince 21, 31, de carbure de silicium dans la formulation stoechiometrique SiC, ou selon une composition non stoechiometrique SixCyHz, avec x egal ä 1, y compris entre 0.8 et 5.0, et z compris entre 0.00 et 0.70. Plus particulierement, z est compris entre 0.04 et 0.70.

[0062] De la meme fagon que pour le premier composant 22 avec sa premiere surface de frottement comportant du carbure de Silicium, la deuxieme surface de frottement 30 peut etre, ou bien la surface d'un composant massif, ou bien la surface d'une couche mince.

[0063] Une application particulierement interessante et voisine de l'invention est la Cooperation de levees en SiC, en contact avec des roues Si + SiO2.

[0064] Une autre application avantageuse concerne l'application dite „carbure de silicium massif", avec des roues en SiC, par exemple decoupees ou laser, ou similaire, qui sont en frottement contre une ancre monobloc en Si + SiO2, ou contre une ancre classique equipee de levees en Si + SiO2

[0065] Les combinaisons utilisables en horlogerie sont notamment:

- roue en SiO2, sous toutes ses formes, quartz massif SiO2, Si + SiO2, cooperant avec des palettes en carbure desilicium, sous toutes ses formes, en couches minces, ou carbure de silicium massif;

- roues carbure, sous toutes ses formes, Si + carbure de silicium, carbure de silicium massif, cooperant avec des palettesen SIO2, sous toutes ses formes, Si + SiO2, SiO2 massif notamment;

- les palettes peuvent etre d'une seule piece avec l'ancre.

[0066] Une application avantageuse concerne une roue en Si oxyde, et des palettes en SiC massif, ou encore des palettes en Si oxyde recouvertes de carbure de silicium.

[0067] Dans une mise en oeuvre avantageuse de l'invention, la surface de frottement 20, 30, qui est la surface d'un composant qui comporte du carbure de silicium, est la surface d'un composant qui comporte du carbure de silicium SiC, ou encore est constitue de carbure de silicium SiC.

[0068] De tagen particuliere, la premiere surface de frottement 20 et la deuxieme surface de frottement 30 sont les surfaces de composants 22 et 32 qui comportent chacun du carbure de silicium ou son äquivalent tel que defini plus haut. Plus particulierement encore, la premiere surface de frottement 20 et la deuxieme surface de frottement 30 sont les surfaces de composants qui comportent chacun du carbure de silicium SiC, ou encore est constitue de carbure de silicium SiC.

[0069] Dans une Variante particuliere, la surface de frottement 20, 30, qui est la surface d'un composant qui comporte du carbure de silicium est une surface d'une couche de carbure de silicium d'epaisseur inferieure ä 2 micrometres. Plus particulierement, les surfaces de frottement 20, 30, sont chacune la surface d'une couche de carbure de silicium d'epaisseur inferieure ä 2 micrometres.

[0070] Le phenomene d'adhesion concerne la surface du materiau, et ä la limite seulement au niveau de la couche atomique ; toutefois les phenomenes d'abrasion inevitables rendent necessaire l'existence d'une couche sacrificielle, aussi avantageusement la surface de frottement 20, 30, qui est la surface d'un composant qui comporte du carbure de silicium est une surface d'une couche de carbure de silicium d'epaisseur superieure ä 0.5 micrometres. Plus particulierement, les surfaces de frottement 20, 30, sont chacune la surface d'une couche de carbure de silicium d'epaisseur superieure ä 0.5 micrometres.

[0071] De preference, l'epaisseur d'une teile couche de carbure de silicium est comprise entre 50 et 2000 nm. Plus particulierement, cette couche, dite mince, de carbure de silicium est d'epaisseur comprise entre 50 nanometres et 500 nanometres.

[0072] Dans une Variante particuliere de l'invention, la surface de frottement 20, 30, qui est la surface d'un composant qui comporte du carbure de silicium est la surface d'une couche de carbure de silicium, laquelle couche recouvre un Substrat constitue de quartz ou de silicium ou d'un oxyde de silicium, ou d'un melange de silicium et d'oxyde de silicium. Plus particulierement, les surfaces de frottement 20, 30, sont chacune la surface d'une couche de carbure de silicium, laquelle couche recouvre un Substrat constitue de quartz ou de silicium ou d'un oxyde de silicium, ou d'un melange de silicium et d'oxyde de silicium.

[0073] Dans une Variante particuliere, la surface de frottement 30, 20, antagoniste ä celle 20, 30, qui est la surface d'un composant qui comporte du carbure de silicium, est la surface d'un composant qui comporte au moins un materiau ä base de silicium pris parmi un groupe comportant le silicium Si, le dioxyde de silicium SiO2, le silicium amorphe a-Si, le siliciumpolycristallin p-Si, le silicium poreux, et est une surface d'une couche constituee exclusivement d'un ou plusieurs materiauxä base de silicium pris parmi ledit groupe. Plus particulierement, les surfaces de frottement 20, 30, sont chacune la surface d'un composant qui comporte au moins un materiau ä base de silicium pris parmi un groupe comportant le silicium Si, le dioxyde de silicium SiO2, le silicium amorphe a-Si, le silicium polycristallin p-Si, le silicium poreux, et est une surface d'unecouche constituee exclusivement d'un ou plusieurs materiaux ä base de silicium pris parmi ledit groupe.

[0074] Le couple SiC/Si donne des resultats particulierement interessants, le couple de frottement est sensiblement constant, et ceci sans necessiter la moindre lubrification. Toutefois il subsiste des pertes par frottement, et le choix d'une lubrification ä l'huile fluide peut permettre de reduire ces pertes par frottement, les phenomenes de collement inherents ä la presence d'huile pouvant etre contrecarres par une tension de surface relativement fälble.

[0075] De faqon avantageuse, la surface de frottement 20, 30, qui est la surface d'un composant qui comporte du carbure de silicium, a une rugosite superieure ou egale ä 5 nanometres Ra, et plus particulierement superieure ou egale ä

9 nanometres Ra, plus particulierement encore superieure ou egale ä 25 nanometres Ra, au meins au niveau d'au meins une surface de contact. Plus particulierement cette surface de frottement 20, 30, a une rugosite superieure ou egale ä 5 nanometres Ra au niveau de chaque surface de contact. Plus particulierement encore, ces surfaces de frottement 20, 30, ont chacune une rugosite superieure ou egale ä 5 nanometres Ra au niveau de chaque surface de contact.

[0076] Dans une Variante particuliere, une des deux surfaces de frottement 20, 30, est lisse de maniere ä eviter un frottement trop important (interpenetration des rugosites par exemple). La surface rugueuse doit etre en deplacement rotatif avec une surface lisse de maniere ä eviter l'usure. La rugosite de surface de la contrepiece doit de preference etre faible pour limiter l'usure, et sa rugosite est avantageusement inferieure ä celle de la surface de contact, et plus particulierement mais non limitativement inferieure ä 5 nanometres Ra.

[0077] Dans une autre Variante particuliere, pour permettre une supra-lubrification, une des surfaces est la surface d'uncomposant qui comporte un premier relief trame, en relief, par exemple sous la forme d'une juxtaposition de pyramides, ou similaires, et la surface antagoniste est la surface d'un composant qui comporte un deuxieme relief trame, qui peut etre ou non analogue au premier relief trame, mais qui s'en distingue par une inclinaison relative de sa direction de trame avec celle du premier relief trame, de fagon ä prevenir tout encastrement de Tun dans l'autre.

[0078] L'invention concerne encore un procede de realisation d'un tel mecanisme d'echappement 200.

[0079] Selon ce procede :

- dans une premiere alternative on applique une couche de carbure de silicium sur un Substrat pour constituer une deces premiere ou deuxieme surface de frottement 20, 30 :

- ou bien par un depöt chimique en phase vapeur assiste par plasma PECVD,

- ou bien par un depöt chimique en phase vapeur DVD,

- ou bien par un depöt par pulverisation cathodique „sputtering";

- ou dans une deuxieme alternative on effectue une gravure profonde du composant dans un bulk massif de carburede silicium.

[0080] Ces variantes ne sont pas exclusives, ce sont les plus economiques. On peut, encore, effectuer une croissance de SIC dans un masque en silicium sacrificiel, mais l'operation est difficile et coüteuse. On peut aussi carburer (ou nitrurer si Ton souhaite obtenir du Si3N4 pour une des surfaces antagonistes) un wafer en silicium, mais il est difficile de contröler la deformation de la maille qui peut aller jusqu'ä la dislocation ou ä une modification dimensionnelle notable.

[0081] Plus particulierement, on realise un composant en carbure de silicium avec un Substrat pour constituer la base d'une des premiere ou deuxieme surfaces de frottement 20, 30, ou bien par frittage, ou bien par elaboration massive.

[0082] On peut notamment utiliser, pour le depöt d'une couche comportant du carbure de silicium, ou constituee de carbure de silicium, une ou plusieurs des technologies connues de l'homme de metier specialiste des „MEMS" : LPCVD (depöt chimique en phase vapeur sous basse pression sous-atmospherique), PECVD (depöt chimique en phase vapeurassiste par plasma), CVD (depöt chimique en phase vapeur ä pression atmospherique), ALD (depöt de couches minces atomiques), „sputtering" (pulverisation cathodique), implantation ionique, et similaires.

[0083] De preference, on choisit le rapport Si/C compris entre 0.8 ä 1.2. Plus particulierement, la valeur Si/C de 1 est stoechiometrique

[0084] De preference, quand il s'agit de SixCyHz, on choisit une concentration en hydrogene comprise entre 2 ä 30% de H.

[0085] De preference, on choisit, de fagon non limitative, un Substrat habituel en Si.

[0086] En ce qui concerne la sous-couche, on peut choisir, de maniere non limitative du SiO2, typiquement dans uneepaisseur comprise entre 50 et 2000 nm, ou du poly-Si, SiC, ou similaire.

[0087] Les limitations technologiques liees ä la deposition du carbure de silicium sont connues de l'homme de metier dans le domaine des MEMS.

[0088] Ainsi, l'epaisseur d'une couche de carbure de silicium est de preference comprise entre 50 et 2000nm.

[0089] En ce qui concerne l'etat de compression du carbure de silicium, il est connu de l'homme de metier specialiste des „MEMS" que l'accroissement de la concentration du Si reduit les tensions dans le carbure de silicium et peut meme le rendre compressif. II est connu que les materiaux presentant un stress compressif favorisent generalement une reduction de l'usure en frottement. Cela correspond ä du carbure de silicium riche en Si. II convient toutefois d'eviter que trop de silicium en surface ne s'oxyde sous forme d'oxyde de silicium, car alors on retombe dans un phenomene d'adhesion que l'on veut precisement combattre.

[0090] Pour une bonne mise en oeuvre de l'invention, il Importe que la couche de carbure de silicium adhere bien au substrat, et que les modules d'elasticite des materiaux ne soient pas trop eloignes. La nature des materiaux sous-jacents

Claims

est de moindre importance. Si la couche de carbure de silicium depasse une epaisseur voisine de 200nm, pour eviter que l'usure fasse apparaitre trop vite le silicium, rapidement oxyde en oxyde de silicium nefaste pour l'adhesion, le frottement est determine par les tous Premiers nanometres peripheriques de cette couche de carbure de silicium.

[0091] Des palettes en SiC monobloc peuvent etre realisees par les memes techniques que celles utilisees pour la fabrication des levees en rubis polycristallin, connues de l'homme du metier.

[0092] Par ailleurs, on peut avantageusement considerer du carbure de silicium massif en frottement contre du Si ou SiO2, par exemple pour une palette en carbure de silicium contre une roue en SiO2.

[0093] L'invention presente de nombreux avantages dans le cas de la nonlubrification de l'echappement:

- une faible dependance du coefficient de frottement en fonction de la vitesse de frottement. Particulierement utile dansle cas de l'echappement puisque la vitesse varie typiquement entre 0 et 3 cm/s.

- un coefficient de frottement stable en fonction de la vitesse et pression reduit le risque d'apparition d'effet stick-slip setraduisant generalement par une degradation acceleree des materiaux en frottement.

- I'absence de risque de formation d'un troisieme corps defavorable au frottement.

- une faible reactivite chimique du carbure de silicium, particulierement dans sa forme stoechiometrique SiC, le rendantpeu sensible aux nettoyages, ä la degradation, ä l'interaction avec le milieu ambiant.

- une faible usure.

[0094] On notera que la solution proposee par l'invention est dediee ä la diminution des phenomenes d'adhesion (separation/deplacement normal et deplacement tangentiel) qui sont differents des phenomenes de frottement (deplacement tangentiel uniquement).

Le carbure de silicium presente egalement l'avantage d'une mise en oeuvre facile, particulierement par revetement conforme PECVD, notamment sur du silicium ou de l'oxyde de silicium. Ce procede de depose est largement connu et repandu dans Industrie du silicium.

[0095] La presente invention permet une Utilisation du carbure de silicium sous differentes formes : depöt PECVD, CVD, „sputtering", massif, fritte, et autres.

[0096] Des applications voisines de l'invention incluent un frottement du carbure de silicium contre des partenaires non limitatifs tels que : Si, SiO2, le silicium amorphe a-Si, le silicium polycristallin p-Si, le silicium poreux.

[0097] L'invention permet de resoudre le Probleme de collement qui entravait jusqu'ici le developpement et l'industrialisation des mecanismes regulateurs pour montres ä facteur de qualite superieur ä 1000, et on comprend que d'autres problematiques horlogeres peuvent egalement trouver une amelioration. Par exemple, le contact entre la cheville et la fourchette de l'ancre dans un mecanisme traditionnel est egalement sujet ä collements. Plus generalement, cette solution est applicable dans tous les cas oü les energies en jeu sont faibles.

Revendications

1. Mecanisme regulateur (300) d'horlogerie, comportant, agences sur une platine (1), un mecanisme resonateur (100) ä pivot virtuel, autour d'un axe principal (DP), et ä guidage flexible, d'un facteur de qualite Q superieur ä 1000, et un mecanisme d'echappement (200) lequel est soumis ä un couple de moyens moteurs (400) que comporte un mouvement (500), ledit mecanisme resonateur (100) comportant un element inertiel (2) agence pour osciller par rapport ä ladite platine (1), ledit element inertiel (2) etant soumis ä l'action de moyens de rappel elastique (3) fixes directement ou indirectement ä ladite platine (1), et ledit element inertiel (2) etant agence pour cooperer indirectement avec un mobile d'echappement (4) que comporte ledit mecanisme d'echappement (200), caracterise en ce que ledit element inertiel (2) est agence pour cooperer indirectement avec ledit mecanisme d'echappement (200) libre dans le cycle de fonctionnement duquel le mecanisme resonateur (100) possede au moins une phase de liberte oü il est sans contact avec ledit mecanisme d'echappement (200), ledit mecanisme regulateur (300) comportant au moins un couple de composants comportant un premier composant (22) et un deuxieme composant (32) comportant respectivement une premiere surface de frottement (20) et une deuxieme surface de frottement (30) agencees pour cooperer en contact l'une avec l'autre, caracterise en ce que un ledit premier composant (22) comporte, au niveau de sa dite premiere surface de frottement (20), du carbure de silicium qui est, ou bien du carbure de silicium stoechiometrique SiC, ou bien du carbure de silicium non stoechiometrique SixCyHz, avec x egal ä 1, y compris entre 0.8 et 5.0, et z compris entre 0.00 et 0.70, ou bien encore un materiau comportant au moins 90% en mässe de carbure de silicium SiC et au moins un autre materiau pris parmi la liste suivante dont les proportions sont affichees en mässe : alpha-SiC 6H,beta-SiC 3C, SiC 4H, SiC fluore, carbonitrure de silicium SiCN, aluminium 400 ä 2000 ppm, fer inferieur ä 3000 ppm,bore et/ou carbure de bore B4C et/ou bore polyphenylique et/ou decaborane B^Hu et/ou du carborane B10H12C2, le total de materiaux contenant du bore etant compris entre 0.04% ä 0.14%, carbone inferieur ä 8000 ppm, carbure de Vanadium, carbure de zirconium, oxynitrure de silicium alpha : alpha-SiAION dope yttrium, graphene, autres impuretessous 500 ppm,

et encore caracterise en ce que ledit deuxieme composant (32) comporte, au niveau de sa dite deuxieme surface de frottement (30), au moins un materiau assurant une bonne Cooperation avec le carbure de silicium, parmi:

- AI2O3, ou CBN, ou TiO2, ou verre, ou quartz, ou diamant, ou DLC ;

- ou bien un materiau ä base de silicium pris parmi un groupe comportant le silicium Si Interieur ä 400 ppm enmässe, le silicium desoxyde, le dioxyde de silicium SiO2 inferieur ä 8000 ppm en mässe, le silicium amorphe a-Si, lesilicium polycristallin pSi, le silicium poreux, ou un melange de silicium et d'oxyde de silicium, le nitrure de silicium stoechiometrique Si3N4, le nitrure de silicium dans une composition dite non stcechiometrique SixNyHz avec x egal ä 1 et y compris entre 0.8 et 5.0 et z compris entre 0.00 et 0.70, les oxynitrures SixOyNz, ;

- ou bien la deuxieme surface de frottement 30 est la surface d'un composant qui comporte au moins un materiau äbase de silicium pris, comme la premiere surface de frottement 20, parmi le carbure de silicium qui est, ou bien du carbure de silicium stoechiometrique SiC, ou bien du carbure de silicium non stoechiometrique SixCyHz, avec x egal ä 1, y compris entre 0.8 et 5.0, et z compris entre 0.00 et 0.70, ou bien encore un materiau comportant au moins 90% en mässe de carbure de silicium SiC et au moins un autre materiau pris parmi la liste suivante dont les proportions sont affichees en mässe :

alpha-SIC 6H, beta-SIC 3C, SiC 4H, SiC fluore, carbonitrure de silicium SiCN, aluminium 400 ä 2000 ppm, fer inferieurä 3000 ppm, bore et/ou carbure de bore B4C et/ou bore polyphenylique et/ou decaborane B^Hu et/ou du carborane BwHuCs, le total de materiaux contenant du bore etant compris entre 0.04% ä 0.14%, carbone inferieur ä 8000 ppm, carbure de Vanadium, carbure de zirconium, oxynitrure de silicium alpha : alpha-SiAION dope yttrium, graphene,autres impuretes sous 500 ppm.
2. Mecanisme regulateur (300)selon la revendication 1, caracterise en ce que ledit premier composant (22) et ledit deuxieme composant (32) comportent chacun du carbure de silicium qui est, ou bien du carbure de silicium stoechiometrique SiC, ou bien du carbure de silicium non stcechiometrique SixCyHz, avec x egal ä 1, y compris entre 0.8 et 5.0, et z compris entre 0.00 et 0.70, ou bien encore un materiau comportant au moins 90% en mässe de carbure de silicium SiC et au moins un autre materiau pris parmi la liste suivante dont les proportions sont affichees en mässe : alpha-SiC 6H, beta-SiC 3C, SiC 4H, SiC fluore, carbonitrure de silicium SiCN, aluminium 400 ä 2000 ppm, fer inferieurä 3000 ppm, bore et/ou carbure de bore B4C et/ou bore polyphenylique et/ou decaborane B10H14 et/ou du carborane BwHuCs, le total de materiaux contenant du bore etant compris entre 0.04% ä 0.14%, carbone inferieur ä 8000 ppm, carbure de Vanadium, carbure de zirconium, oxynitrure de silicium alpha : alpha-SiAION dope yttrium, graphene,autres impuretes sous 500 ppm
3. Mecanisme regulateur (300)selon la revendication 2, caracterise en ce que ledit premier composant (22) et ledit deuxieme composant (32) comportent chacun du carbure de silicium.
4. Mecanisme regulateur (300) selon l'une des revendications 1 ä 3, caracterise en ce que ladite premiere surface de frottement (20) est constituee par la surface d'un element massif qui est en carbure de silicium massif dans la formulation stoechiometrique SiC.
5. Mecanisme regulateur (300) selon l'une des revendications 1 ä 4, caracterise en ce que ladite deuxieme surface de frottement (30) est constituee par la surface d'un element massif en carbure de silicium massif.
6. Mecanisme regulateur (300) selon la revendication 5, caracterise en ce que ladite deuxieme surface de frottement (30) est constituee par la surface d'un element massif en carbure de silicium massif dans la formulation stoechiometrique SiC.
7. Mecanisme regulateur (300) selon l'une des revendications 1 ä 6, caracterise en ce que ledit mecanisme resonateur (100) est un resonateur rotatif ä pivot virtuel, autour d'un axe principal (DP), ä guidage flexible comportant au moins deux lames flexibles (5), et comporte une cheville de plateau (6) solidaire dudit element inertiel (2), en ce que ledit mecanisme d'echappement (200) comporte une ancre (7) pivotant autour d'un axe secondaire (DS) et comportant une fourchette d'ancre (8) agencee pour cooperer avec ladite cheville de plateau (6), et est un mecanisme d'echappement libre dans le cycle de fonctionnement duquel ledit mecanisme resonateur (100) possede au moins une phase de liberte oü ladite cheville de plateau (6) est ä distance de ladite fourchette d'ancre (8), et en ce que ledit premier composant (22) et ledit deuxieme composant (32) sont pris parmi ladite cheville de plateau (6), une ancre (7), un dard de ladite ancre (7), une fourchette (8) de ladite ancre (7) ou l'une de ses cornes (26), une palette (72, 81,82) de ladite ancre (7), une dent de roue d'echappement (4), un etoqueau (36) fixe ä ladite platine (1)
8. Mecanisme regulateur (300) selon l'une des revendications 1 ä 7, caracterise en ce que ledit mecanisme regulateur (300) est depourvu de lubrifiant.
9. Mecanisme regulateur (300) selon l'une des revendications 1 ä 7, caracterise en ce que ledit mecanisme regulateur (300) comporte un lubrifiant avec une tension de surface inferieure ä 50 N/m.
10. Mouvement d'horlogerie (500) comportant au moins un mecanisme regulateur (300) selon l'une des revendications 1 ä 9.
11. Montre (1000) comportant au moins un mouvement d'horlogerie (500) selon la revendication 10 et/ou au moins un mecanisme regulateur (300) selon l'une des revendications 1 ä 9.
12. Procede de realisation d'un mecanisme regulateur (300) selon l'une des revendications 1 ä 9, caracterise en ce qu'on realise chaque couple constitue par une premiere surface de frottement (20) et une deuxieme surface de frottement (30) antagonistes comportant du carbure de silicium, et caracterise en ce qu'on realise un composant en carbure de

silicium avec un Substrat pour constituer ladite prämiere surface de frottement (20) et/ou ladite deuxieme surface de frottement (30) par frittage.
13. Procede de realisation d'un mecanisme regulateur (300) seien Tune des revendications 1 ä 9, caracterise en ce qu'on realise chaque couple constitue par une premiere surface de frottement (20) et une deuxieme surface de frottement (30) antagonistes comportant du carbure de silicium, et caracterise en ce qu'on realise un composant en carbure de silicium avec un substrat pour constituer ladite premiere surface de frottement (20) et/ou ladite deuxieme surface de frottement (30), par elaboration sous forme d'un composant massif dont l'epaisseur est superieure ä 0,10 mm.