CN100479213C

CN100479213C - 发光装置及其制造方法

Info

Publication number: CN100479213C
Application number: CNB2007100061344A
Authority: CN
Inventors: 成田悟郎
Original assignee: Element Denshi Co Ltd
Current assignee: Element Denshi Co Ltd
Priority date: 2006-05-24
Filing date: 2007-01-31
Publication date: 2009-04-15
Anticipated expiration: 2027-01-31
Also published as: JP2007317803A; KR20070113097A; JP3914954B1; CN101079462A; US20070278483A1; KR100785554B1; TW200744232A; TWI350011B

Abstract

一种发光装置，由于现有的发光装置把反射镜另外设置，所以有在结构上和制造上都复杂的问题点。该发光装置包括：设置在绝缘基板(10)一主面上的厚的第一导电箔(11)、设置在相反主面上的薄的第二导电箔(12)、设置第一导电箔上的半蚀刻孔(25)、发光元件(31)、连接第一导电箔与第二导电箔的通孔电极(21a)、(21b)、(21c)、(21d)、(21e)、(21f)、导电性金属层(23a)、(23b)、(23c)、金属细线(30)和透明保护树脂(32)，发光元件的发光被设置在半蚀刻孔的弯曲面(26)上的导电性金属层(23b)反射，金属细线(30)焊接在导电金属层(23a)、(23c)上。

Description

发光装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及在厚的导电箔上形成半蚀刻孔，在其侧面上形成焊接用的导电性金属层并也作为反射面利用的发光装置及其制造方法。

背景技术

图6表示的是防止从发光元件发出的光在底座基板内被吸收，谋求抑制发光损失和提高整体亮度的发光装置。

该发光装置包括：发光元件100、底座基板200、基板电极300、连接电极部400、光反射部500、孔部600和电镀层700。发光元件100是三族氮化物系化合物半导体发光元件。底座基板200是由聚酰亚胺、玻璃环氧或BT树脂等树脂所形成的绝缘性基板，包括有：由从该表面到背面形成的铜箔膜构成的一对基板电极部300、由在与发光元件100的放置面相反侧的面上形成的铜箔膜构成的光反射部500、在一对基板电极部300相对的绝缘部向底座基板200的厚度方向开设的孔部600、在从该孔部600露出的光反射部500的露出面和孔部600的内周面上形成的金或银的电镀层700。由设置在底座基板200的背面并与基板电极部300导通的导电膜构成的电极，是安装在母板等装置基板上的连接电极部400。

专利文献1：日本国特开2005-175387号公报

但在上述的发光装置中有以下的问题点。

与安装了发光元件的背面对应而在底座基板上形成有孔部，从发光元件的下方发出的光是向上方反射，因此散热性不好，有难于长时间使用的问题点。

另外，由于是在底座基板的厚度方向上进行切削来形成孔部，所以孔部被发光元件覆盖而难于提高光反射量。

且为了提高发光元件的亮度，就需要有在底座基板上进行蚀刻而形成凹部的工序、在与发光元件的放置面相反侧的面或孔部的内周面上形成光反射部的工序，所以还有制造工序复杂的问题点。

发明内容

本发明鉴于该问题点而作出的，其包括：在绝缘基板的一主面上设置的厚的第一导电箔、

设置在所述绝缘基板的相反主面上且比所述第一导电箔薄的第二导电箔、

从所述第一导电箔的主面通过化学蚀刻形成，且把底面设置在所述第一导电箔中间的半蚀刻孔、

固着在该半蚀刻孔底面的所述发光元件、

通过贯通所述绝缘基板的通孔把所述第一导电箔与所述第二导电箔进行电连接的通孔电极、

设置在所述半蚀刻孔的弯曲侧面和所述通孔电极表面的能进行焊接的导电性金属层、

把所述发光元件的电极与所述通孔电极表面的所述导电性金属层进行连接的金属细线，

把设置在所述蚀刻孔侧面的所述导电性金属层作为所述发光元件的反射面使用。

本发明的制造方法包括：把厚的第一导电箔粘贴在一主面上，并把比该第一导电箔薄的第二导电箔粘贴在相反主面上的绝缘基板准备工序、

把贯通所述绝缘基板、所述第一导电箔和第二导电箔的通孔形成在预定位置的工序、

把所述通孔通过通孔电镀而形成电连接所述第一导电箔与第二导电箔的通孔电极的工序、

蚀刻所述第一导电箔而形成多个放置各发光元件的单元图形的工序、

把所述各单元的所述第一导电箔从表面进行半蚀刻，形成具有弯曲侧面的半蚀刻孔的工序、

在所述半蚀刻孔和所述通孔电极表面有选择地通过电镀附着能进行焊接的导电性金属层的工序、

在各单元的所述半蚀刻孔的底面固着所述发光元件的工序、

把所述发光元件的电极与所述导电性金属层通过金属细线的焊接进行连接的工序、

把所述发光元件和所述金属细线利用透明树脂进行覆盖的工序、

按各单元进行切割以分割成各个发光装置的工序。

根据本发明，能把发光元件安装在通过化学蚀刻第一导电箔而设置的半蚀刻孔处，能大幅度提高散热性。

在半蚀刻孔侧面的凹面状弯曲面形成有焊接使用的导电性金属层，能作为反射镜利用。弯曲面的倾斜角在第一导电箔的厚度和化学蚀刻的条件下能适当进行选择。

根据本发明，能符合发光元件厚度地来选择第一导电箔的厚度，能把发光元件容纳在半蚀刻孔中，并通过设置在侧面的导电性金属层进行高效率反射。

根据本发明的制造方法，由于在第一导电箔形成半蚀刻孔的工序中能同时形成成为反射镜的弯曲面，所以不需要特意形成反射镜的工序，能把制造工序简单化。

根据本发明的制造方法，通过把附着在半蚀刻孔侧面的导电性金属层兼用作设置在通孔电极上的焊接用导电性金属层而能在电镀工序中同时形成。因此，导电性金属层能从金、银或镍的任一个中选择一个，兼用作焊接用和反射用。这样虽然需要现有的反射镜用金属膜电镀工序，但本发明有所省略，能实现工序的简单化。

根据本发明的制造方法，通过选择第一导电箔的厚度而能调整半蚀刻孔的深度和弯曲面的倾斜，能形成符合发光元件高度的半蚀刻孔。这样，能按照所安装发光元件的大小来设计半蚀刻孔，能提供反射效率好的弯曲面。通过对齐第一导电箔的表面与发光元件的电极表面而能使金属细线的焊接容易。

根据本发明的制造方法，通过把各单元形成长方形，并且行列状地并列配置多个，能大量地制造发光装置，还能把必需的反射镜制造装入第一导电箔中。

附图说明

图1(A)是本发明发光装置的上面图、图1(B)是剖面图；

图2(A)是本发明所使用安装基板的上面图、图2(B)底面图；

图3(A)～(E)是说明本发明制造方法的剖面图；

图4(A)～(C)是说明本发明制造方法的剖面图；

图5是本发明安装基板的上面图；

图6是说明现有发光装置的剖面图。

附图标记说明

10绝缘基板 11第一导电箔 12第二导电箔

20a、20b、20c、20d、20e、20f通孔

21a、21b、21c、21d、21e、21f通孔电极

23a、23b、23c导电性金属层 25半蚀刻孔

26弯曲面 27、28分离槽 29连接图形

30金属细线 31发光元件 32透明树脂

33粘接剂 34对位孔

具体实施方式

首先，图1表示了本发明的发光装置。图1(A)是其上面图、图1(B)是其剖面图。

本发明的发光装置包括：绝缘基板10、设置在绝缘基板10一主面上的厚的第一导电箔11、设置在绝缘基板10相反主面上的薄的第二导电箔12、设置在第一导电箔11上的半蚀刻孔25、发光元件31、连接第一导电箔11与第二导电箔12的通孔电极21a、21b、21c、21d、21e、21f、导电性金属层23a、23b、23c、金属细线30和透明保护树脂32。

作为绝缘基板10使用玻璃环氧基板或玻璃聚酰亚胺基板是优选的。发挥作为第一和第二导电箔11、12支承基板的作用。

第一导电箔11和第二导电箔12是通过粘接剂按压并粘贴在绝缘基板10两面上的铜箔。第一导电箔11比发光元件31的厚度厚，第二导电箔12由于是起配线的作用，所以比第一导电箔11薄很多。

半蚀刻孔25被设置在第一导电箔11的大致中央附近，通过化学蚀刻形成。因此，半蚀刻孔25的底面位于第一导电箔11厚度方向的中间位置，多数情况是在一半的位置。半蚀刻孔25形成为大小比所容纳的发光元件31大的正方形、圆形、椭圆形或多边形等形状，在侧面形成有通过化学蚀刻形成的凹面状的弯曲面26。

发光元件31是三族氮化物系化合物半导体发光元件。发光元件的形状使用的是底面是0.15mm的四方形、高度是90μm的形状。发光元件31通过粘接剂33被固着在半蚀刻孔25的底面上。把阴极从发光元件31的底面引出时，粘接剂33使用导电糊剂，把阴极从发光元件31的上面引出来时，粘接剂33使用绝缘糊剂便可。

通孔电极21a、21b、21c、21d、21e、21f由对设在半蚀刻孔25左右的通孔20a、20b和对在以达到绝缘基板10的周端的方式而设在四角附近的通孔20c、20d、20e、20f进行通孔电镀而形成的铜等的金属层形成。通孔电极21a、21c、21f与第一和第二导电箔11、12一起形成发光元件31的阳极侧电极，通孔电极21b、21d、21e与第一和第二导电箔11、12一起形成发光元件31的阴极侧电极。阳极侧和阴极侧的电极都分别通过三处通孔电极把第一导电箔11与第二导电箔12进行电连接。

导电性金属层23a、23b、23c由能焊接的金属形成，通过有选择的电镀附着在半蚀刻孔的底面和侧面以及通孔电极21a、21b上。作为导电性金属层选择能焊接的金、银、镍的任一个。在此使用银。在半蚀刻孔25的底面和侧面附着该导电性金属层23b，附着在侧面弯曲面26上的导电性金属层23b有反射镜的作用。由于弯曲面26是凹面，所以把来自发光元件31的发光高效率地向其焦点方向(上方)反射。

金属细线30把发光元件31表面的阳极和阴极电极与通孔电极21a、21b上的导电性金属层23a、23c进行电连接。

透明保护树脂32覆盖整体，在保护发光元件31和金属细线30的同时，作为发光元件31的透镜而起作用。

半蚀刻孔的形状是上面开口径是0.3mm、下面开口径是0.16mm、高度是0.1mm。半蚀刻孔的倾斜角度是125度。

在第一导电箔11上，形成的是图1(A)所示的长方形图形，在中央的左侧形成有凸状图形和与凸状图形相对的凹状图形。通过把凹状图形形成得大而保持半蚀刻孔25的周围宽广，能提高固着在半蚀刻孔25底面的发光元件31的散热性。

接着，图2表示了本发明的各个单元。图2(A)是其上面图、图2(B)是其底面图。

单元是把厚的第一导电箔11一体粘贴在绝缘基板10的上面，把薄的第二导电箔12一体粘贴在下面。在第一导电箔11的大致中央设置有放置发光元件31的半蚀刻孔25。在该半蚀刻孔25的紧左侧设置有分离槽27，把第一导电箔11分离成左右并把一侧作为阳极电极，把另一侧作为阴极电极。第二导电箔12与第一导电箔11对应地也被分离槽28分离成左右并作为阳极电极和阴极电极。

在半蚀刻孔25附近左右形成有通孔20a、20b，通过该通孔内形成的通孔电极21a、21b而把成为阳极电极和阴极电极的第一导电箔11和第二导电箔12连结而进行电连接。在单元的周端部形成有比上述通孔20a、20b大的通孔20c、20d、20e、20f，通过该通孔内形成的通孔电极21c、21d、21e、21f，即使在单元周端部也把成为阳极电极和阴极电极的第一导电箔11和第二导电箔12连结，在三处可靠地进行通孔连接。

本发明中，准备了在绝缘基板10上面粘贴有比发光元件31厚的第一导电箔11、在绝缘基板10下面粘贴有薄的第二导电箔12的安装基板。半蚀刻孔25通过从表面半蚀刻第一导电箔11而形成，半蚀刻孔25的深度形成得能收容发光元件31的高度。发光元件31也不一定被完全收容在半蚀刻孔25内。

作为绝缘基板10使用玻璃环氧基板或玻璃聚酰亚胺基板是优选的，但根据情况也可以采用氟基板、玻璃PPO基板或陶瓷基板等。也可以是柔性板、膜片等。本实施例采用了厚度200μm左右的玻璃环氧基板。

作为第一导电箔11和第二导电箔12只要是能进行蚀刻的金属便可。本实施例采用了由铜构成的金属箔。第一导电箔11采用的是膜厚175μm左右的铜箔。该膜厚由与半蚀刻孔25的深度相对应来决定。能采用最大230μm左右膜厚的导电箔。因此，能通过半蚀刻孔25的深度来选择第一导电箔11的厚度。

第二导电箔12使用具有配线所需厚度的导电箔。本实施例把第二导电箔12的膜厚设定是18μm左右。配线的厚度通过安装的电路元件的电流容量等能任意确定。

导电性金属层23a、23b、23c重叠设置在半蚀刻孔25的内面和通孔电极21a、21b上，选择能焊接的金属即金、银、镍中的任一个，通过电镀形成1～3μm。

如图5所示，上述单元行列状地并列配置在大的安装基板上，形成得配列有多个。

接着参照图3和图4说明本发明的制造方法。

本发明的制造方法包括：把厚的第一导电箔粘贴在一主面上，并把比第一导电箔薄的第二导电箔粘贴在相反主面上的绝缘基板准备工序、把贯通绝缘基板、第一导电箔和第二导电箔的通孔形成在预定位置的工序、把通孔通过通孔电镀而形成电连接第一导电箔与第二导电箔的通孔电极的工序、蚀刻第一导电箔而形成放置各发光元件的多个单元图形的工序、把各单元的第一导电箔从表面进行半蚀刻，形成具有弯曲侧面的半蚀刻孔的工序、在半蚀刻孔和通孔电极表面有选择地通过电镀附着能进行焊接的导电性金属层的工序、在各单元的半蚀刻孔的底面固着发光元件的工序、把发光元件的电极与导电性金属层通过金属细线的焊接进行连接的工序、把发光元件和金属细线利用透明树脂进行覆盖的工序、按各单元进行切割以分割成各个发光装置的工序。

如图3(A)所示，本发明第一工序准备在一主面上粘贴有比发光元件厚的铜等的第一导电箔11、而在相反主面粘贴有比该第一导电箔11薄的铜等的第二导电箔12的玻璃环氧基板10。

作为第一导电箔11和第二导电箔12只要是能进行蚀刻的金属便可。本实施例采用了由铜构成的金属箔。在第一导电箔11上，采用的是膜厚175μm左右的铜箔。该膜厚由与后述半蚀刻孔25的深度相对应来决定。能采用最大230μm左右膜厚的导电箔。因此，能通过导电箔的厚度来选择半蚀刻孔25的深度。

第二导电箔12使用具有与配线高度对应的厚度的导电箔。本实施例把第二导电箔12的膜厚设定是18μm左右。配线的厚度通过安装的电路元件的电流容量等能任意决定。

如图3(B)所示，本发明第二工序把贯通绝缘基板、第一导电箔和第二导电箔的通孔形成在预定位置。

本工序使用NC机床通过钻头等贯通第一导电箔11、第二导电箔12和绝缘基板10来钻出用于形成通孔电极的通孔20a、20b、20c、20d、20e、20f。通孔20a、20b设置在图2(A)所示的半蚀刻孔左右，直径是0.3mm大小，通孔20c、20d、20e、20f为了达及绝缘基板10的周端而设置成直径0.4mm大小。图3为了方便就把通孔20a、20b、20c、20d、20e、20f表示在了同一剖面图上，但实际的配置是图2(A)、图2(B)所示。

如图3(C)所示，本发明第三工序把通孔通过通孔电镀而形成电连接所述第一导电箔11与第二导电箔12的通孔电极21a、21b、21c、21d、21e、21f。

本工序把整体浸渍在钯溶液中，把第一导电箔11和第二导电箔12作为电极而在通孔20a、20b、20c、20d、20e、20f的内壁上通过铜的无电解电镀和电解电镀形成膜厚约20μm的通孔电极21a、21b、21c、21d、21e、21f。

如图3(D)所示，本发明第四工序是蚀刻第一导电箔11而形成放置各发光元件31的多个单元图形。

本工序把绝缘基板10的第一导电箔11和第二导电箔12用保护层(未图示)覆盖，把图2(A)所示长方形图形在第一导电箔11上进行曝光显影，把残留的保护层作为掩模对第一导电箔11进行蚀刻。这样就行列状形成多个放置各发光元件31的单元图形。第一导电箔11是铜时，作为蚀刻溶液是使用氯化铁。然后把保护层进行剥离除去。关于各单元图形的形状已经参照图2(A)进行了说明，在此省略。分离槽27也在该工序中一起形成。

如图3(E)所示，本发明第五工序把各单元的第一导电箔11从表面进行半蚀刻，形成具有弯曲侧面26的半蚀刻孔25。

本工序再次把绝缘基板10的第一导电箔11和第二导电箔12用保护层(未图示)覆盖，把图2(A)所示圆状图形在第一导电箔11中央附近进行曝光显影，把残留的保护层作为掩模从第一导电箔11的表面进行半蚀刻。这样就在第一导电箔11上形成具有弯曲侧面26的半蚀刻孔25。在第一导电箔11是铜时，同样地是使用氯化铁。然后把保护层进行剥离除去。

本工序中通过半蚀刻孔25的深度来选择蚀刻条件，从其蚀刻速度到蚀刻时间进行控制。

在本工序后如图4(A)所示，还进行第二导电箔12的化学蚀刻。再次把绝缘基板10的第一导电箔11和第二导电箔12用保护层(未图示)覆盖，把图2(B)所示长方形图形和中央左侧的凸状图形在第二导电箔12进行曝光显影，把残留的保护层作为掩模对第二导电箔12进行蚀刻，形成分离槽28。这样就行列状完成多个单元图形。第二导电箔12是铜时，同样地是使用氯化铁。然后把保护层进行剥离除去。第二导电箔12的单元图形分别通过连接图形29[参照图2(B)]被电连接。这是为了在下工序电镀导电金属层时把第二导电箔12作为共通电极使用。

如图4(B)所示，本发明第六工序是在半蚀刻孔25和通孔电极21a、21b表面有选择地通过电镀附着能进行焊接的导电性金属层23a、23b、23c。

本工序把连结的第二导电箔12的单元图形作为共通电极，在由通孔电极21a、21b、21c、21d、21e、21f电连接的第一导电箔11的单元图形的半蚀刻孔25和通孔电极21a、21b表面有选择地通过电镀附着能进行焊接的导电性金属层。作为导电性金属层选择金、银或镍中的任一个，多数情况下是设置银电镀层23a、23b、23c，能进行金属细线的焊接。

如图4(C)所示，本发明第七工序是在各单元的半蚀刻孔25的底面固着发光元件31。

本工序中把发光元件31的芯片用绝缘性环氧树脂等粘接剂33固着在半蚀刻孔25的底面上。发光元件的上面有阳极电极和阴极电极，底面是与第一导电箔11电绝缘并固着在半蚀刻孔25上。在发光元件31的固着中使用芯片插装。作为粘接剂33是使用导电糊剂时，要把阴极从第一导电箔11取出来。

如图4(C)所示，本发明第八工序把发光元件31的电极(未图示)与导电性金属层23a、23c通过金属细线30的焊接进行连接。

本工序中使用金的金属细线30通过连接机一边图形辨认电极位置，一边通过超声波热压接把发光元件31的电极与通孔电极21a、21b上的导电性金属层23a、23c进行连接。由于利用半蚀刻孔25而发光元件31的电极与导电性金属层23a、23c是位于大致同一平面上，所以金属细线30的焊接能没有高低差地高效率进行。

如图4(C)所示，本发明第九工序把发光元件31和金属细线30利用透明树脂32进行覆盖。

本工序把发光元件31和金属细线30利用透明树脂32进行覆盖，与外部大气隔绝，且还有把光取出来的凸透镜作用。

如图5所示，本发明的第十工序按各单元进行切割以分割成各个发光装置。

本工序把行列状配列在绝缘基板10上的多个单元通过切割以分割成各个完成了的发光装置。这时连结第二导电箔12的连接图形29[参照图2(B)]也被切断，第二导电箔12的单元也各个被电分离。

具体说就是，绝缘基板10使用68mm×100mm的玻璃环氧基板。周边设置有多个对位孔，内部在行列上配置有多个长方形的各单元。对位孔34在上述的工序中被利用来定位。

Claims

1、一种发光装置，其特征在于，其包括：

在绝缘基板的一主面上设置的厚的第一导电箔、

固着在该半蚀刻孔底面的所述发光元件、

2、如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述半蚀刻孔底面的长度设定成是所述第一导电箔表面开口部长度的一半。

3、如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，把所述发光元件的上面与所述第一导电箔表面对齐。

4、如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一和第二导电箔由铜构成，

所述导电性金属层从金、银、镍任一个中选择。

5、一种发光装置的制造方法，其特征在于，其包括：

把厚的第一导电箔粘贴在一主面上，并把比该第一导电箔薄的第二导电箔粘贴在相反主面上的绝缘基板准备工序、

蚀刻所述第一导电箔而形成多个放置各发光元件的单元图形、

在各单元的所述半蚀刻孔的底面固着所述发光元件的工序、

把所述发光元件和所述金属细线利用透明树脂覆盖的工序、

按各单元进行切割以分割成各个发光装置的工序。

6、如权利要求5所述的发光装置制造方法，其特征在于，所述第一导电箔和第二导电箔由铜构成，通孔电极由电镀铜形成。

7、如权利要求5所述的发光装置制造方法，其特征在于，各单元形成长方形状，行列状配列多个。

8、如权利要求5所述的发光装置制造方法，其特征在于，在形成所述半蚀刻孔的工序后，具备把所述第二导电箔形成为与所述各单元对应的长方形状的工序。

9、如权利要求5所述的发光装置制造方法，其特征在于，作为所述导电性金属是使用金、银、镍的任一个，把所述第二导电箔作为共通电极通过电解电镀进行附着。

10、如权利要求5所述的发光装置制造方法，其特征在于，在把所述发光元件的电极与所述导电性金属层通过金属细线的焊接进行连接的工序中，把所述发光元件的电极与所述导电性金属层的表面对齐来进行焊接。