CN101556830B - 移位寄存器及其栅极驱动装置 - Google Patents

移位寄存器及其栅极驱动装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101556830B
CN101556830B CN2008101037830A CN200810103783A CN101556830B CN 101556830 B CN101556830 B CN 101556830B CN 2008101037830 A CN2008101037830 A CN 2008101037830A CN 200810103783 A CN200810103783 A CN 200810103783A CN 101556830 B CN101556830 B CN 101556830B
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
film transistor
output terminal
shift register
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008101037830A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101556830A (zh
Inventor
韩承佑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
K Tronics Suzhou Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN2008101037830A priority Critical patent/CN101556830B/zh
Publication of CN101556830A publication Critical patent/CN101556830A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101556830B publication Critical patent/CN101556830B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

本发明涉及一种移位寄存器及其栅极驱动装置。移位寄存器包括直接沉积在阵列基板上的六个薄膜晶体管,其中第一薄膜晶体管的栅极与源极之间设置电容,其漏极与第一时钟信号输出端连接;第二薄膜晶体管的栅极与第三薄膜晶体管的栅极连接;第四薄膜晶体管的栅极与其漏极连接,其漏极与移位起始信号输出端或上一级输出端连接,其源极与第一薄膜晶体管的栅极连接;第五薄膜晶体管的栅极与第一时钟信号输出端连接;第六薄膜晶体管的栅极与第二时钟信号输出端连接。本发明保持了本级输出端的无效状态,栅线不会出现漂浮,也不会受到与栅线相连的其它噪声电压的影响,移位寄存器可靠地保持无效状态,不会导致错误操作。

Description

移位寄存器及其栅极驱动装置
技术领域
本发明涉及一种移位寄存器及其栅极驱动装置,特别是一种液晶显示器的移位寄存器及其栅极驱动装置。 
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有重量轻、厚度薄和耗电小等特点,广泛应用于手机、显示器、电视机等装置中。 
为了显示图像,TFT-LCD用m×n点排列的逐行扫描矩阵显示。TFT-LCD驱动器主要包括栅极驱动器和数据驱动器,数据驱动器将输入的显示数据及时钟信号定时顺序锁存,转换成模拟信号后输入到液晶面板的数据线,栅极驱动器将输入的时钟信号通过移位寄存器转换,切换成开启/关断电压,顺次施加到液晶面板的栅线上。在有源矩阵薄膜晶体管液晶显示器(AMTFT-LCD)中,栅极驱动器中的移位寄存器用于产生扫描栅线的扫描信号,数据驱动器中的移位寄存器用于选择数据线模块。 
在现有技术移位寄存器中,移位寄存器由数级(stage)连接构成,第一级中起始信号接于输入端,根据各级的输出信号,按顺序选择数个栅线。移位寄存器工作中,要求其各级在有效(inable)状态以外的其它全部时间均保持无效(disable)状态,但现有技术移位寄存器使栅线漂浮(floating),同时受噪声电压影响,移位寄存器的各级不能保持无效状态,导致错误操作。图4为现有技术移位寄存器的结构示意图,包括四个薄膜晶体管,其中第一薄膜晶体管M1的漏极连接时钟信号输出端CKV,栅极与源极之间设置电容Cb,源极与第二薄膜晶体管M2的漏极连接,且与本级输出端OUTn连接;第二薄膜晶体管M2的源极与电源负端VSS连接,栅极与第三薄膜晶体管M3 的栅极连接,且与下一级输出端OUTn+1连接;第三薄膜晶体管M3的源极与电源负端VSS连接,漏极分别与第一薄膜晶体管M1的栅极和第四薄膜晶体管M4的源极连接;第四薄膜晶体管M4的漏极与其栅极连接,且与上一级输出端OUTn-1连接。如图4所示,在第一薄膜晶体管M1和第二薄膜晶体管M2为关闭的无效状态时,栅线会出现漂浮,因此,受到与栅线相连的其它噪声电压的影响,移位寄存器不能保持无效状态,并导致错误操作。 
现有技术为了保持移位寄存器各级的无效状态防止错误操作,一般采用增加额外供电电路的方法,但该方法直接导致成本上升。 
发明内容
本发明的目的是提供一种移位寄存器及其栅极驱动装置,有效克服现有移位寄存器栅极漂浮导致错误操作等技术缺陷。 
为了实现上述目的,本发明提供了一种移位寄存器,包括直接沉积在阵列基板上的六个薄膜晶体管,其中六个薄膜晶体管分别为: 
第一薄膜晶体管,其栅极与源极之间设置电容,其漏极与第一时钟信号输出端连接,其源极与本级输出端连接; 
第二薄膜晶体管,其栅极与下一级输出端连接,其漏极与本级输出端连接,其源极与电源负端连接; 
第三薄膜晶体管,其栅极分别与第二薄膜晶体管的栅极和下一级输出端连接,其漏极与第一薄膜晶体管的栅极连接,其源极与电源负端连接; 
第四薄膜晶体管,其栅极与其漏极连接,其漏极与移位起始信号输出端或上一级输出端连接,其源极分别与第一薄膜晶体管的栅极和第三薄膜晶体管的漏极连接; 
第五薄膜晶体管,其栅极与第一时钟信号输出端连接,其漏极分别与第四薄膜晶体管的栅极和漏极连接,其源极与本级输出端连接; 
第六薄膜晶体管,其栅极与第二时钟信号输出端连接,其漏极与第五薄膜晶体管的源极和本级输出端连接,其源极与电源负端连接。 
为了实现上述目的,本发明还提供了一种栅极驱动装置,包括移位起始信号输出端和五个移位寄存器,其中五个移位寄存器分别与电源负端、第一时钟信号输出端和第二时钟信号输出端连接,并且所述五个移位寄存器中,第一移位寄存器与移位起始信号输出端连接,具有第一输出端;第二移位寄存器与第一移位寄存器的第一输出端连接,其第二输出端与所述第一移位寄存器连接;第三移位寄存器与第二移位寄存器的第二输出端连接,其第三输出端与所述第二移位寄存器连接;第四移位寄存器与第三移位寄存器的第三输出端连接,其第四输出端与所述第三移位寄存器连接;第五移位寄存器与第四移位寄存器的第四输出端连接,具有第五输出端。 
本发明提出了一种直接沉积在阵列基板上的移位寄存器和栅极驱动装置,通过第一时钟信号输出端和第二时钟信号输出端依次输出的高电平有效保持了本级输出端的无效状态,栅线不会出现漂浮,也不会受到与栅线相连的其它噪声电压的影响,移位寄存器可靠地保持无效状态,不会导致错误操作。与现有技术为了防止错误操作采用增加额外供电电路的技术方案相比,本发明不需增加额外供电电路,具有成本低等特点。 
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。 
附图说明
图1a为本发明移位寄存器一种结构的等效电路图; 
图1b为本发明移位寄存器另一种结构的等效电路图; 
图2为本发明移位寄存器的工作时序图; 
图3为本发明栅极驱动装置的结构示意图; 
图4为现有技术移位寄存器的结构示意图。 
具体实施方式
图1a为本发明移位寄存器一种结构的等效电路图,图1b为本发明移位寄存器另一种结构的等效电路图。如图1a、图1b所示,本发明移位寄存器的主体结构包括六个薄膜晶体管和相应的输入输出端,六个薄膜晶体管分别为第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6,输入输出端分别为本级输出端OUTn、上一级输出端OUTn-1、下一级输出端OUTn+1、第一时钟信号输出端CKV1、第二时钟信号输出端CKV2、移位起始信号输出端STV和电源负端VSS。 
具体地,第一薄膜晶体管T1的栅极与源极之间设置电容Cb,其漏极与第一时钟信号输出端CKV1连接,其源极与本级输出端OUTn连接;第二薄膜晶体管T2的栅极与第三薄膜晶体管T3的栅极连接,并连接下一级输出端OUTn+1,其漏极与第一薄膜晶体管T1的源极连接,并连接本级输出端OUTn,其源极与电源负端VSS连接;第三薄膜晶体管T3的栅极与第二薄膜晶体管T2的栅极连接,并连接下一级输出端OUTn+1,其漏极分别与第一薄膜晶体管T1的栅极和第四薄膜晶体管T4的源极连接,其源极与电源负端VSS连接;第四薄膜晶体管T4的栅极与其漏极连接,其漏极分别与第五薄膜晶体管T5的漏极连接,并连接移位起始信号输出端STV或上一级输出端OUTn-1,其源极分别与第一薄膜晶体管T1的栅极和第三薄膜晶体管T3的漏极连接;第五薄膜晶体管T5的栅极与第一时钟信号输出端CKV1连接,其漏极分别与第四薄膜晶体管T4的栅极和漏极连接,其源极与第六薄膜晶体管T6的漏极连接,并连接本级输出端OUTn;第六薄膜晶体管T6的栅极与第二时钟信号输出端CKV2连接,其漏极与第五薄膜晶体管T5的源极连接,并连接本级输出端OUTn,其源极与电源负端VSS连接。由于本发明上述薄膜晶体管直接沉积在阵列基板上,因此上述源极和漏极是相对的,实际使用中可以将相应的源极设置成漏极,将相应的漏极设置成源极。 
图2为本发明移位寄存器的工作时序图。如图1a和图2所示,对于位于 第一个位置的移位寄存器,首先第一时钟信号输出端CKV1输出高电平(第二时钟信号输出端CKV2为低电平),由于第五薄膜晶体管T5的栅极与第一时钟信号输出端CKV1连接,所以第五薄膜晶体管T5启动,第五薄膜晶体管T5的源极与漏极导通;由于第五薄膜晶体管T5的漏极与移位起始信号输出端STV连接,第五薄膜晶体管T5的源极与本级输出端OUTn连接,而此时移位起始信号输出端STV的输出为低电平,所以本级输出端OUTn也为低电平,保持无效状态。此过程中,由于下一级输出端OUTn+1为低电平,第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3处于截止状态;由于第二时钟信号输出端CKV2为低电平,第六薄膜晶体管T6处于截止状态。 
随后第二时钟信号输出端CKV2输出高电平(第一时钟信号输出端CKV1为低电平),由于第六薄膜晶体管T6的栅极与第二时钟信号输出端CKV2连接,所以第六薄膜晶体管T6启动,第六薄膜晶体管T6的源极与漏极导通;由于第六薄膜晶体管T6的漏极与本级输出端OUTn连接,第六薄膜晶体管T6的源极与电源负端VSS连接,所以本级输出端OUTn也为低电平,保持无效状态。此过程中,移位起始信号输出端STV的输出为高电平,由于第四薄膜晶体管T4的栅极与其漏极连接,所以第四薄膜晶体管T4则启动,第四薄膜晶体管T4的源极与漏极导通,第四薄膜晶体管T4的源极也为高电平,由于此时本级输出端OUTn为低电平,所以处于高电平的第四薄膜晶体管T4的源极与低电平的本级输出端OUTn之间的电容Cb充电。由于下一级输出端OUTn+1为低电平,第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3处于截止状态。 
随后第一时钟信号输出端CKV1输出高电平(第二时钟信号输出端CKV2和移位起始信号输出端STV为低电平),则第五薄膜晶体管T5处于导通状态,第四薄膜晶体管T4处于截止状态,电容Cb积累的电荷使第一薄膜晶体管T1的栅极处于高电平,第一薄膜晶体管T1则启动,第一薄膜晶体管T1的源极与漏极导通,第一时钟信号输出端CKV1输出的高电平由本级输出端OUTn输出。此过程中,由于下一级输出端OUTn+1为低电平,第二薄膜晶体管T2和 第三薄膜晶体管T3处于截止状态;由于第二时钟信号输出端CKV2为低电平,第六薄膜晶体管T6处于截止状态。 
在此之后,移位起始信号输出端STV一直为低电平,第二时钟信号输出端CKV2输出高电平(第一时钟信号输出端CKV1为低电平),第六薄膜晶体管T6启动,第六薄膜晶体管T6的源极与漏极导通;由于第六薄膜晶体管T6的漏极与本级输出端OUTn连接,第六薄膜晶体管T6的源极与电源负端VSS连接,所以本级输出端OUTn也为低电平,保持无效状态。此过程中,由于下一级输出端OUTn+1为高电平,第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3处于导通状态,第二薄膜晶体管T2的源极与漏极导通使本级输出端OUTn与电源负端VSS连接,进一步保证了本级输出端OUTn的低电平,第三薄膜晶体管T3的源极与漏极导通使第四薄膜晶体管T4的源极与低电平的本级输出端OUTn之间的电容Cb放电。因此,无论第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2是否处于上拉(pull-up)或下拉(pull-down),本级输出端OUTn均保持无效状态。 
对于位于第二个位置及其以后位置的移位寄存器,其工作原理与前述过程基本相同,所不同的是,由于第四薄膜晶体管T4的栅极与上一级输出端OUTn-1连接,在上一级输出端OUTn-1输出高电平时,第四薄膜晶体管T4启动,使处于高电平的第四薄膜晶体管T4的源极与低电平的本级输出端OUTn之间的电容Cb充电,并在下一个时刻实现本级的高电平输出。 
如图1b、图2所示,首先第一时钟信号输出端CKV1输出高电平(第二时钟信号输出端CKV2为低电平),第五薄膜晶体管T5启动,其源极与漏极导通,由于第五薄膜晶体管T5的漏极与低电平的上一级输出端连接,所以本级输出端也为低电平,保持无效状态。此过程中,第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和第六薄膜晶体管T6处于截止状态。 
随后第二时钟信号输出端CKV2输出高电平(第一时钟信号输出端CKV1为低电平),第六薄膜晶体管T6启动,其源极与漏极导通,由于第六薄膜晶 体管T6的源极与电源负端VSS连接,所以本级输出端也为低电平,保持无效状态。此过程中,第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3处于截止状态。 
之后,第一时钟信号输出端CKV1输出高电平(第二时钟信号输出端CKV2为低电平),第五薄膜晶体管T5启动,其源极与漏极导通,由于此时上一级输出端输出高电平,而第五薄膜晶体管T5的漏极与上一级输出端连接,所以上一级输出端输出的高电平由本级输出端输出。此过程中,第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和第六薄膜晶体管T6处于截止状态。 
在此之后,上一级输出端一直为低电平,第二时钟信号输出端CKV2输出高电平(第一时钟信号输出端CKV1为低电平),第六薄膜晶体管T6启动,其源极与漏极导通,本级输出端为低电平,保持无效状态。此过程中,第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3处于导通状态,进一步保证了本级输出端的低电平,同时使第四薄膜晶体管T4的源极与低电平的本级输出端之间的电容Cb放电。因此,无论第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2是否处于上拉(pull-up)或下拉(pull-down),本级输出端均保持无效状态。 
其它位置移位寄存器的工作过程可通过如图1b所示结构和图2所示工作时序图得出,不再赘述。 
从本发明上述技术方案可以看出,本发明移位寄存器通过第一时钟信号输出端CKV1和第二时钟信号输出端CKV2依次输出的高电平有效保持了输出端的无效状态,栅线不会出现漂浮,也不会受到与栅线相连的其它噪声电压的影响,移位寄存器可靠地保持无效状态,不会导致错误操作。 
本发明移位寄存器可以通过液晶显示器阵列工艺中的5次掩膜工艺或4次掩膜工艺来实现,通过在基板有源区域外的空余部分或基板边缘处排列薄膜晶体管,然后将其直接沉积在阵列基板上。 
图3为本发明栅极驱动装置的结构示意图。如图3所示,栅极驱动装置的主体结构包括五个移位寄存器、移位起始信号输出端STV、第一时钟信号输出端CKV1、第二时钟信号输出端CKV2和电源负端VSS,每个移位寄存器分 别与电源负端VSS、第一时钟信号输出端CKV1和第二时钟信号输出端CKV2连接,其中每个移位寄存器与电源负端VSS连接用于接收栅极关断电压,每个移位寄存器与第一时钟信号输出端CKV1和第二时钟信号输出端CKV2连接用于接收第一时钟信号和第二时钟信号,进一步地,第一移位寄存器SFT1与第二移位寄存器SFT2的第二输出端OUT2连接,用于接收第二移位寄存器SFT2的第二输出信号,同时第一移位寄存器SFT1的第一输出端OUT1与第二移位寄存器SFT2连接,用于向第二移位寄存器SFT2输出第一输出信号。二移位寄存器SFT2与第三移位寄存器SFT3的第三输出端OUT3连接,用于接收第三移位寄存器SFT3的第三输出信号,同时第二移位寄存器SFT2的第二输出端OUT2与第三移位寄存器SFT3连接,用于向第三移位寄存器SFT3输出第二输出信号。第三移位寄存器SFT3与第四移位寄存器SFT4的第四输出端OUT4连接,用于接收第四移位寄存器SFT4的第四输出信号,同时第三移位寄存器SFT3的第三输出端OUT3与第四移位寄存器SFT4连接,用于向第四移位寄存器SFT4输出第三输出信号。第四移位寄存器SFT4与第五移位寄存器SFT5的第五输出端OUT5连接,用于接收第五移位寄存器SFT5的第五输出信号,同时第四移位寄存器SFT4的第四输出端OUT4与第五移位寄存器SFT5连接,用于向第五移位寄存器SFT5输出第四输出信号。第五移位寄存器SFT5的第五输出端OUT5与第四移位寄存器SFT4连接,用于向第四移位寄存器SFT4输出第五输出信号。 
移位起始信号输出端STV首先输出起始脉冲,之后第一移位寄存器SFT1分别从第一时钟信号输出端CKV1和第二时钟信号输出端CKV2接收第一时钟信号和第二时钟信号,第一时钟信号为一高电平脉冲,第二时钟信号为紧接着第一时钟信号的一高电平脉冲,具有图1a所示结构的本发明第一移位寄存器SFT1工作,工作过程不再赘述;第一移位寄存器SFT1的第一输出端OUT1向第二移位寄存器SFT2输出第一输出信号后,第二移位寄存器SFT2分别从第一时钟信号输出端CKV1和第二时钟信号输出端CKV2接收第一时钟信号和 第二时钟信号,第二时钟信号为一高电平脉冲,第一时钟信号为紧接着第二时钟信号的一高电平脉冲,具有图1b所示结构的本发明第二移位寄存器SFT2工作,重复上述流程,就实现了液晶显示器的逐行扫描。 
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围。 

Claims (2)

1.一种移位寄存器,其特征在于,包括直接沉积在阵列基板上的六个薄膜晶体管,其中六个薄膜晶体管分别为:
第一薄膜晶体管,其栅极与源极之间设置电容,其漏极与第一时钟信号输出端连接,其源极与本级输出端连接;
第二薄膜晶体管,其栅极与下一级输出端连接,其漏极与本级输出端连接,其源极与电源负端连接;
第三薄膜晶体管,其栅极分别与第二薄膜晶体管的栅极和下一级输出端连接,其漏极与第一薄膜晶体管的栅极连接,其源极与电源负端连接;
第四薄膜晶体管,其栅极与其漏极连接,其漏极与移位起始信号输出端或上一级输出端连接,其源极分别与第一薄膜晶体管的栅极和第三薄膜晶体管的漏极连接;
第五薄膜晶体管,其栅极与第一时钟信号输出端连接,其漏极分别与第四薄膜晶体管的栅极和漏极连接,其源极与本级输出端连接;
第六薄膜晶体管,其栅极与第二时钟信号输出端连接,其漏极与第五薄膜晶体管的源极和本级输出端连接,其源极与电源负端连接。
2.一种包含权利要求1所述移位寄存器的栅极驱动装置,其特征在于,包括移位起始信号输出端和五个移位寄存器,其中五个移位寄存器分别与电源负端、第一时钟信号输出端和第二时钟信号输出端连接,并且所述五个移位寄存器中,第一移位寄存器与移位起始信号输出端连接,具有第一输出端;第二移位寄存器与第一移位寄存器的第一输出端连接,其第二输出端与所述第一移位寄存器连接;第三移位寄存器与第二移位寄存器的第二输出端连接,其第三输出端与所述第二移位寄存器连接;第四移位寄存器与第三移位寄存器的第三输出端连接,其第四输出端与所述第三移位寄存器连接;第五移位寄存器与第四移位寄存器的第四输出端连接,具有第五输出端。
CN2008101037830A 2008-04-10 2008-04-10 移位寄存器及其栅极驱动装置 Expired - Fee Related CN101556830B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101037830A CN101556830B (zh) 2008-04-10 2008-04-10 移位寄存器及其栅极驱动装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101037830A CN101556830B (zh) 2008-04-10 2008-04-10 移位寄存器及其栅极驱动装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101556830A CN101556830A (zh) 2009-10-14
CN101556830B true CN101556830B (zh) 2011-06-15

Family

ID=41174901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101037830A Expired - Fee Related CN101556830B (zh) 2008-04-10 2008-04-10 移位寄存器及其栅极驱动装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101556830B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102081969B (zh) * 2009-12-01 2014-06-25 群康科技(深圳)有限公司 移位寄存电路及双向传输栅极驱动电路
CN102110420B (zh) * 2009-12-24 2013-07-10 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及设置于其上的移位寄存器
CN102568401B (zh) * 2010-12-21 2015-02-18 上海天马微电子有限公司 移位单元、移位装置和液晶显示器
CN103646636B (zh) * 2013-12-18 2015-11-25 合肥京东方光电科技有限公司 移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置
CN112885279B (zh) * 2021-01-22 2022-04-22 中山大学 带保护晶体管的goa电路及其控制方法
CN113808653B (zh) * 2021-09-07 2024-06-28 深圳知微创新技术有限公司 移位寄存器单元电路及移位寄存器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1480952A (zh) * 2002-09-05 2004-03-10 ���ǵ�����ʽ���� 移位寄存器和具有同样移位寄存器的液晶显示器
CN1523553A (zh) * 2002-12-17 2004-08-25 ���ǵ�����ʽ���� 驱动显示装置的装置
CN1553456A (zh) * 2003-06-04 2004-12-08 友达光电股份有限公司 移位寄存电路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1480952A (zh) * 2002-09-05 2004-03-10 ���ǵ�����ʽ���� 移位寄存器和具有同样移位寄存器的液晶显示器
CN1523553A (zh) * 2002-12-17 2004-08-25 ���ǵ�����ʽ���� 驱动显示装置的装置
CN1553456A (zh) * 2003-06-04 2004-12-08 友达光电股份有限公司 移位寄存电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN101556830A (zh) 2009-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI425771B (zh) 移位暫存器電路
US7289594B2 (en) Shift registrer and driving method thereof
CN102654968B (zh) 移位寄存器、栅极驱动器及显示装置
US9564097B2 (en) Shift register, stage-shift gate driving circuit and display panel
KR101933332B1 (ko) 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 의한 goa회로
US7734003B2 (en) Shift register arrays
CN104282285B (zh) 移位寄存器电路及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
WO2014166251A1 (zh) 移位寄存器单元及栅极驱动电路
TWI406503B (zh) 移位暫存器電路
CN104934011B (zh) 移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置
US7843421B2 (en) Gate driver and driving method thereof in liquid crystal display
CN103489425B (zh) 电平转换电路、阵列基板及显示装置
CN102855938B (zh) 移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置
US20080068326A1 (en) Shift register, shift register array, and flat display apparatus
WO2014131229A1 (zh) 移位寄存器单元及栅极驱动电路
WO2017133117A1 (zh) 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置
US10825412B2 (en) Liquid crystal panel including GOA circuit and driving method thereof
CN103514840B (zh) 集成门极驱动电路及液晶面板
WO2017045346A1 (zh) 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动装置以及显示装置
KR20170068582A (ko) 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 의한 goa회로
WO2014172965A1 (zh) 移位寄存器单元、栅极驱动电路及阵列基板
CN101976581B (zh) 移位寄存器电路
WO2020019426A1 (zh) 包括goa电路的液晶面板及其驱动方法
CN101556830B (zh) 移位寄存器及其栅极驱动装置
CN102034423A (zh) 移位暂存器电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY

Effective date: 20141215

Owner name: JINGDONGFANG SCIENCE AND TECHNOLOGY GROUP CO., LTD

Free format text: FORMER OWNER: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20141215

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 100176 DAXING, BEIJING TO: 100015 CHAOYANG, BEIJING

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20141215

Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No.

Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Patentee after: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, West Central Road, No. 8

Patentee before: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201202

Address after: 215200 No. 1700, Wujiang economic and Technological Development Zone, Suzhou, Jiangsu, Zhongshan North Road

Patentee after: K-TRONICS (SUZHOU) TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Address before: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No.

Patentee before: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Patentee before: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110615

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee