CN101889331A - 形成含硅膜的方法 - Google Patents

形成含硅膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101889331A
CN101889331A CN2008801163507A CN200880116350A CN101889331A CN 101889331 A CN101889331 A CN 101889331A CN 2008801163507 A CN2008801163507 A CN 2008801163507A CN 200880116350 A CN200880116350 A CN 200880116350A CN 101889331 A CN101889331 A CN 101889331A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
reaction chamber
sih
nitrogen
reactant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2008801163507A
Other languages
English (en)
Inventor
C·杜萨拉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
Original Assignee
LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude filed Critical LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
Publication of CN101889331A publication Critical patent/CN101889331A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
    • H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
    • H10P14/6687—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H10P14/6689—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H10P14/6336—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H10P14/6339—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE or pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
    • H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
    • H10P14/6682—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
    • H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
    • H10P14/6687—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/69215—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/694—Inorganic materials composed of nitrides
    • H10P14/6943—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon
    • H10P14/69433—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)

Abstract

形成含硅膜的方法，包括：在反应室中提供基底，向反应室注入至少一种含硅化合物；向反应室注入至少一种气态共反应物；以及使基底、含硅化合物和气态共反应物在等于或低于550℃的温度下发生反应以得到沉积在基底上的含硅膜。制备氮化硅膜的方法，包括：向反应室中引入硅晶片；向反应室中引入含硅化合物；用惰性气体吹扫反应室；以及在适于在硅晶片上形成单分子层氮化硅膜的条件下，向反应室中引入气态含氮共反应物。

Description

形成含硅膜的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2007年9月18日提交的美国临时专利申请第60/973,210号的权利，其公开内容通过引用方式并入本文。
技术领域
本发明一般涉及半导体制造领域，更具体地涉及形成含硅膜的方法。更具体地，本发明涉及使用硅前体(silicon precursor)和气态共反应物(co-reactant)形成含硅膜的方法。
背景技术
在互补型金属氧化物半导体(CMOS)器件的前端制造中，在每一金属氧化物半导体(MOS)晶体管的栅电极上形成钝化膜如氮化硅(SiN)。为了增强每一晶体管的击穿电压，在栅电极(如多晶硅或金属层)的顶部和侧表面上沉积SiN膜。人们尝试降低沉积这种SiN膜的温度，以达到不高于400℃的温度。然而，在低于400℃的温度下沉积的SiN膜通常显示较差的膜质量。为了克服这个问题，人们已经提议使用二氧化硅(SiO2)膜以增强SiN膜的性能(即“双间隔物，dual spacer”)并由此制造可以显著改善器件性能的有效电阻挡层(electrical barrier layer)。
SiO2膜可用于多种功能，如浅沟槽隔离(STI)层、层间介电(ILD)层、钝化层和蚀刻停止层。因此开发用于在低温下，例如在低于400℃下沉积这些SiO2层的改进方法是令人期待的。在应用双间隔物的情况下，在低沉积温度(例如300℃)下实施的极薄膜(例如厚度为20-50埃
Figure GPA00001138368800011
)的沉积可能不会导致金属电极的氧化，并可能沿着栅极(gate)始终一致。因此，原子层沉积方法通常适于这样的需要。只要涉及到STI应用，可以在低于500℃下以高沉积速度(每分钟数百
Figure GPA00001138368800021
)沉积共形膜(conformal film)。
为了达到高沉积速度，可以考虑新的分子以改善在期望沉积条件下的反应性，即在化学气相沉积(CVD)和/或原子层沉积(ALD)过程中的硅源、共反应物和基底表面之间的反应性。对于ALD，为了将分子可以反应的部位数增至最大，应当考虑的一个参数是最小空间位阻。
附图说明
为了详细说明本发明的优选实施方案，现在参考附图，其中：
图1是在惰性气体吹扫步骤开始用于膜形成方法的膜形成装置的示意图。
图2是在含硅化合物气体脉冲步骤开始的图1的膜形成装置的示意图。
图3是在共反应物混合气体脉冲开始的图1的膜形成装置的示意图。
图4是包含含硅膜的金属氧化物晶体管(MOS)晶体管的侧视图。
发明概述
本文所公开的是形成含硅膜的方法，该方法包括：
a)在反应室中提供基底；
b)向反应室注入至少一种含硅化合物；
c)向反应室注入至少一种气态共反应物；以及
d)使基底、含硅化合物和气态共反应物在等于或低于550℃的温度下发生反应以得到沉积在基底上的含硅膜。
在某些实施方案中，该方法进一步包括含硅化合物，其中该含硅化合物包括氨基硅烷、二硅烷胺、硅烷或者其组合。氨基硅烷可以包括具有通式(R1R2N)xSiH4-x的化合物，其中R1和R2独立为H，C1-C6直链、支化或环状碳链，或甲硅烷基如三甲基甲硅烷基，并且x是1或2。或者，氨基硅烷包括具有通式LxSiH4-x的化合物，其中L是C3-C12环状氨基配体，并且x是1或2。二硅烷胺可以包括具有通式(SiH3)2NR的二硅烷胺化合物，其中R独立为H，C1-C6直链、支化或环状碳链。硅烷可以包括具有通式(SiH3)nR的化合物，其中所含n为1至4，R选自H、N、NH、O、SO3CF3、CH2、C2H4、SiH2、SiH和Si。共反应物可以包括含氧气体、含氮气体、包含氧和氮的气体或包含氧和氮的气体混合物。含氧气体可以包括臭氧、氧气、水蒸气、过氧化氢，或者其组合。含氮气体可以包括氨、氮气、肼，或者其组合。气体混合物可以包括氨和氧气。共反应物可以包括一氧化氮。
该方法可以进一步包括产生包含氧自由基或氮自由基的共反应物，其中产生该共反应物包括在适于产生氧自由基或氮自由基的条件下将含氧化合物或含氮化合物暴露在等离子体中。在一个实施方案中，在反应室中产生等离子体。在另一个实施方案中，向反应室中供给自由基，在反应室中产生自由基，或者两者均有发生。
该方法可以进一步包括在步骤a、b、c、d之后用惰性气体吹扫反应室或者其组合，其中该惰性气体包括氮气、氩气、氦气，或者其组合。
该方法可以进一步包括重复步骤b)至d)直至得到期望的含硅膜厚度。该方法可以在实施步骤b)、c)和/或d)之前，在将基底引入反应室后，进一步加热反应室中的该基底，其中将基底加热到等于或低于反应室温度的温度。
该基底可以包括用于制造半导体器件的硅晶片(或SOI)、沉积于其上的层、用于制造液晶显示器的玻璃基底或者沉积于其上的层。
该方法可以进一步包括通过不连续注入至少一种所述化合物和/或气体来实施步骤b)、c)，或者其全部。可以在反应室中实施脉冲化学气相沉积或原子层沉积。
在一个实施方案中，可以在反应室中实施含硅化合物和气态共反应物的同时注入。在另一个实施方案中，在反应室中实施含硅化合物和气态共反应物的交替注入。在另一个实施方案中，在注入另一化合物和/或至少一种气态共反应物之前，将含硅化合物或气态共反应物吸附到基底表面。
可以以等于或高于1
Figure GPA00001138368800041
/循环的沉积速度形成含硅膜，并且反应室压力可以为0.1至1000torr(13至1330kPa)。
在一个实施方案中，气态共反应物是包含氧气和臭氧的气体混合物，其中臭氧与氧气的比例低于20体积％。在另一个实施方案中，气态共反应物是包含氨和肼的气体混合物，其中肼与氨的比例低于15体积％。
在一个实施方案中，含硅化合物选自三甲硅烷基胺(TSA)(SiH3)3N；二硅氧烷(DSO)(SiH3)2；二甲硅烷基甲胺(DSMA)(SiH3)2NMe；二甲硅烷基乙胺(DSEA)(SiH3)2NEt；二甲硅烷基异丙胺(DSIPA)(SiH3)2N(iPr)；二甲硅烷基叔丁胺(DSTBA)(SiH3)2N(tBu)；二乙氨基硅烷SiH3NEt2；二异丙氨基硅烷SiH3N(iPr)2；二叔丁氨基硅烷SiH3N(tBu)2；甲硅烷基哌啶或哌啶硅烷(piperidinosilane)SiH3(pip))；甲硅烷基吡咯烷或吡咯烷硅烷(pyrrolidinosilane)SiH3(Pyr)；双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)SiH2(NEt2)2；双(二甲氨基)硅烷(BDMAS)SiH2(NMe2)2；双(叔丁氨基)硅烷(BTBAS)SiH2(NHtBu)2；双(三甲基甲硅烷基氨基)硅烷(BITS)SiH2(NHSiMe3)2；双哌啶硅烷(bispiperidinosilane)SiH2(pip)2；双吡咯烷硅烷(bispyrrolidinosilane)SiH2(Pyr)2；甲硅烷基三氟甲磺酸酯(silyltriflate)SiH3(OTf)；二(三氟甲磺酸)硅烷(ditriflatosilane)SiH2(OTf)2；及其组合。
本文还公开了制备氮化硅膜的方法，包括：
向反应室中引入硅晶片；
向反应室中引入含硅化合物；
用惰性气体吹扫反应室；以及
在适于在硅晶片上形成单分子层氮化硅膜的条件下，向反应室中引入气态含氮共反应物。
本文还公开了制备氧化硅膜的方法，包括：
向反应室中引入硅晶片；
向反应室中引入含硅化合物；
用惰性气体吹扫反应室；以及
在适于在硅晶片上形成单分子层氧化硅膜的条件下，向反应室中引入气态含氧共反应物。
优选实施方案详述
下列说明书和权利要求书通篇所使用的某些术语是指具体系统部件。本文并不期望区分名称不同而非功能不同的部件。
在下列论述和权利要求中，术语“包括”和“包含”以开放式使用，并因此应当解释为意味着“包括但不限于……”。
如本文所用，缩写“Me”是指甲基；缩写“Et”是指乙基；缩写“Pr”是指丙基；缩写“iPr”是指异丙基；
本文公开的是在基底上形成含硅膜的方法。在一个实施方案中，该方法包括在反应室中提供基底；向反应室注入至少一种含硅化合物；向反应室注入至少一种气态共反应物；以及使含硅化合物和气态共反应物在低于550℃的温度下发生反应以得到沉积在基底上的含硅膜。在一个实施方案中，该含硅膜包含氧化硅、或者氮化硅、或者同时包含氧化硅和氮化硅。为了将含硅化合物与共反应物和基底的反应性增至最大，可以在等于或低于550℃的温度下实施本文公开的方法。
含硅化合物可以包括氨基硅烷、二硅烷胺、硅烷，或者其组合。
在一个实施方案中，含硅化合物包括具有通式(R1R2N)xSiH4-x的氨基硅烷，其中R1和R2独立为H，C1-C6直链、支化或环状碳链，或者甲硅烷基如三甲基甲硅烷基，且x是1或2。或者，含硅化合物包括具有通式LxSiH4-x的氨基硅烷，其中L是C3-C12环状氨基配体，且x是1或2。或者，含硅化合物包括具有通式(SiH3)2NR的二硅烷胺，其中R独立为H，C1-C6直链、支化或环状碳链。或者，含硅化合物包括具有通式(SiH3)nR的硅烷，其中所含n为1至4，且R选自H、N、NH、O、SO3CF3、CH2、C2H4、SiH2、SiH和Si。适用于本公开内容的含硅化合物的实例包括但不限于三甲硅烷基胺(TSA)(SiH3)3N；二硅氧烷(DSO)(SiH3)2；二甲硅烷基甲胺(DSMA)(SiH3)2NMe；二甲硅烷基乙胺(DSEA)(SiH3)2NEt；二甲硅烷基异丙胺(DSIPA)(SiH3)2N(iPr)；二甲硅烷基叔丁胺(DSTBA)(SiH3)2N(tBu)；二乙氨基硅烷SiH3NEt2；二异丙氨基硅烷SiH3N(iPr)2；二叔丁氨基硅烷SiH3N(tBu)2；甲硅烷基哌啶或哌啶硅烷SiH3(pip)；甲硅烷基吡咯烷或吡咯烷硅烷SiH3(pyr)；双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)SiH2(NEt2)2；双(二甲氨基)硅烷(BDMAS)SiH2(NMe2)2；双(叔丁氨基)硅烷(BTBAS)SiH2(NHtBu)2；双(三甲基甲硅烷基氨基)硅烷(BITS)SiH2(NHSiMe3)2；双哌啶硅烷SiH2(pip)2；双吡咯烷硅烷SiH2(pyr)2；甲硅烷基三氟甲磺酸酯SiH3(OTf)；二(三氟甲磺酸)硅烷SiH2(OTf)2；或者其组合。
共反应物可以包括气态物质，如含氧气体、含氮气体、同时含氧和氮的气体；或者具有含氧化合物和含氮化合物的气体混合物。
在一个实施方案中，共反应物包括含氧气体。适用于本公开内容的含氧气体包括但不限于臭氧；分子氧；水蒸气；过氧化氢，或者其组合。在一个实施方案中，共反应物包括含氮气体。适用于本公开内容的含氮气体包括但不限于氨、氮气、肼，或者其组合。在一个实施方案中，共反应物包括气体或气体混合物，其中该气体或气体混合物包括氮气和氧气。适用于本公开内容的这种化合物的实例包括但不限于一氧化氮以及氨和氧气的混合物。
在一个实施方案中，共反应物包括臭氧和氧气的混合物。在这样的实施方案中，臭氧：氧气的比例低于30体积％，或者为5体积％至20体积％。在某些实施方案中，共反应物包括稀释到惰性气体例如氮气中的臭氧和氧气的混合物。在一个实施方案中，气态共反应物为包含氨和肼的气体混合物，其中肼与氨的比例低于15体积％，或者为2至15体积％。在某些实施方案中，共反应物包括气态含氧和/或含氮化合物，当暴露在离子化气体(即等离子体)中时，该气态含氧和/或含氮化合物可以反应以形成自由基。
气态共反应物可以与含硅化合物反应以形成沉积于基底上的物质，由此形成含硅膜。例如，共反应物可以包括臭氧和氧气的混合物；包含由在等离子体中激发氧而形成的氧自由基的气体；臭氧、氧气和诸如氮气、氩气或氦气的惰性气体的混合物；或者其组合。该气体混合物中的臭氧浓度可以为0.1体积％至20体积％。在反应室条件下，含氧气体可以氧化含硅化合物，将其转化为沉积在基底上的氧化硅膜。
或者，共反应物包括含氮气体，并且该含氮气体将含硅化合物氮化并转化为氮化硅。该含氮气体可以为氨；包含由激发氨而形成的含氮自由基的气体；氨和诸如氮气、氩气或氦气的惰性气体的混合物；或者其组合。
在一个实施方案中，形成含硅膜的方法包括在反应室中提供基底。反应室可以是器件中的任何盒或室，在适于引起物质反应并形成膜的条件下在该盒或室中发生沉积方法，该反应室例如但不限于冷壁型反应器、热壁型反应器、单晶片反应器、多晶片反应器或其它类型的沉积系统。可以利用本领域技术人员已知的任何适合的基底。例如，该基底可以为用于制造半导体器件的硅晶片(或者硅在绝缘体上的(Silicon-On-Insulator，SOI)晶片)、或沉积于其上的层，或者用于制造液晶显示器的玻璃基底、或沉积于其上的层。在一个实施方案中，特别是当氧化硅膜用于提高栅极击穿电压(breakdown voltage)的目的时，在其上形成栅极的半导体基底被用作基底。在一个实施方案中，可以在引入任何其它附加材料之前，在反应室中加热基底。可以将基底加热到等于或低于反应室温度的温度。例如，可以将基底加热到最低50℃以及最高550℃的温度，或者200℃至400℃，或者250℃至350℃。
该方法可以进一步包括向反应室引入至少一种含硅化合物。可以通过任何适合的技术(例如注入)将含硅化合物引入反应室，并且可以属于本文前述的类型。
在一个实施方案中，该方法进一步包括向反应室引入至少一种共反应物，其中该共反应物可以为气态并为本文前述的类型。可以利用任何适合的方法，例如注入，将共反应物引入反应室。可以通过脉冲将含硅化合物和/或气态共反应物引入反应室。当含硅化合物在室温下为气态时，可以将其从例如气筒中脉冲到反应室。当含硅化合物在室温下为液态时，如就SiH2(NEt2)2而言，可以使用鼓泡器技术将其脉冲到室中。具体而言，将含硅化合物的溶液放入容器中，视需要将其加热，通过使用置于容器中的惰性气体鼓泡管鼓泡惰性气体(例如氮气、氩气、氦气)来将其夹杂在惰性气体中，并引入室中。还可以使用液体质量流量控制器和蒸发器的组合。例如可以将气态含硅化合物的脉冲以每分钟1.0至100标准立方厘米(sccm)的流速用0.1至10秒输送到反应室。例如可以将含氧气体的脉冲以10至1000sccm的流速用0.1至10秒输送到反应室。
然后为了形成沉积在基底上的含硅膜，可以使基底、含硅化合物和共反应物在反应室中反应。在一个实施方案中，在等于或低于550℃的温度下，用足以允许在基底上形成含硅膜的时间发生基底、含硅化合物和共反应物的反应。在适于该沉积方法的条件下实施含硅膜在基底上的沉积。适合的沉积方法的实例但不限于常规CVD、低压化学气相沉积(LPCVD)、原子层沉积(ALD)、脉冲化学气相沉积(P-CVD)、等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)，或者其组合。在一个实施方案中，例如通过不连续注入，将含硅化合物和/或共反应物不连续地引入反应室。在另一个实施方案中，将含硅化合物和/或共反应物同时引入反应室。在另一个实施方案中，在将其它含硅化合物和/或共反应物引入反应室之前，该含硅化合物和/或共反应物存在于基底表面上。
在一个实施方案中，该方法进一步包括在引入含硅化合物、气态共反应物或者二者之后，向反应室中引入惰性气体。惰性气体为本领域技术人员所已知，并包括例如氮气、氦气、氩气，及其组合。可以用足够的时间将足够量的惰性气体引入反应室以吹扫反应室。
本领域技术人员可以在本公开内容的帮助下调节反应室中的条件，以满足该过程的需要。在一个实施方案中，反应室内的压力可以为0.1至1000torr(13至1330kPa)，或者为0.1至10torr(133至1330kPa)。或者，反应室内的压力可以低于500torr，或者低于100torr，或者低于2torr。
在一个实施方案中，本文所述的方法导致在基底上形成含硅膜。可以通过以下方法增加该膜的厚度：用前述方法反复处理基底直到达到使用者期望的膜厚度。在一个实施方案中，该含硅膜的沉积速度等于或高于1
Figure GPA00001138368800091
/循环。
在一个实施方案中，在基底上形成含硅膜的方法包括向反应室中引入基底。在将基底引入反应室之后，通过在50℃至550℃的基底温度下，在减压下向反应室中供给惰性气体(例如氮气)来首先吹扫室内的气体。然后，在相同温度及减压下将气态含硅化合物的脉冲输送到反应室，并通过吸附在基底上形成该含硅化合物的很薄的层。随后为了吹扫未反应的(未吸附的)含硅化合物，向反应室中供给惰性气体，然后将一种气态共反应物的脉冲输送到反应室中。气态共反应物进行反应以形成包含氧化硅、氮化硅或二者的含硅膜。然后可以向反应室中注入惰性气体以吹扫未反应的产物。在该实施方案中，通过重复惰性气体吹扫、气态含硅化合物脉冲、惰性气体吹扫和共反应物脉冲的顺序，在基底上形成期望厚度的含硅膜。
或者，在将基底引入反应室之后，通过在50℃至550℃的基底温度下，在减压下向反应室中供给惰性气体(例如氮气)来首先吹扫室中的气体。然后可以将可以由氨组成的共反应物连续引入。将含硅化合物(例如硅烷)随后引入，并化学吸附到基底表面。在用足以排空过量硅烷的时间用惰性气体吹扫反应室后，激活等离子体，导致产生激发态物质如自由基。可以将含硅化合物、气态共反应物和基底与等离子体接触一段时间，该时间足以形成本文前述类型的含硅膜。在等离子体激活期间形成的激发态物质具有非常短的寿命，并因此会在等离子体失活后迅速消失。因此，在等离子体失活之后用惰性气体吹扫反应室可能是不必要的。在该实施方案中，一个循环由一个含硅化合物脉冲、一个吹扫气体脉冲以及一个激活等离子体的步骤组成。
在下文中详细描述本公开内容的形成含硅膜的方法。
在一个实施方案中，该方法包括使用至少一种气态共反应物和通式(R1R2N)xSiH4-x的氨基硅烷，其中x是1或2，其中R1和R2独立为H或C1-C6直链、支化或环状碳链，并将其连续或者通过脉冲(如通过ALD方法注入)独立引入反应器。氨基硅烷可以为烷氨基硅烷，如双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)、双(二甲氨基)硅烷(BDMAS)或双(三甲基甲硅烷基氨基)硅烷(BITS)。将氨基硅烷吸附到基底表面。在足以使用惰性气体将氨基硅烷从反应器中排空的吹扫时间之后，通过脉冲引入气态共反应物，该气态共反应物可以由氧气/臭氧气体混合物(典型地：在氧气中含5-20体积％臭氧)、氧气、湿气和/或过氧化氢(H2O2)、氨，或者其组合组成。一个循环由一个氨基硅烷脉冲、一个吹扫气体脉冲、一个气态共反应物脉冲和一个吹扫气体脉冲组成。可以视需要重复该循环以达到目标厚度。循环数取决于目标厚度，考虑在给定实验条件下得到的每次循环的沉积速度，并可以由本领域技术人员在本公开内容的基础上予以确定。在该实施方案中，沉积温度可以为室温直到500℃，操作压力为0.1至100Torr(13至13300Pa)。可以在200℃至550℃以及0.1-10Torr(13至1330Pa)的压力下沉积具有极低碳含量和氢含量的高质量膜。
在另一个实施方案中，将气态共反应物(例如氨)连续引入。可以将氨基硅烷(例如BDEAS)随后引入，并化学吸附到基底表面。在足以用惰性气体从反应室排空过量氨基硅烷的吹扫时间后，激活等离子体，产生激发态物质如自由基。在足以形成含硅膜的时间后，使等离子体失活。在等离子体激活期间形成的激发态物质具有非常短的寿命，并因此会在等离子体失活后迅速消失。因此，在等离子体失活之后用惰性气体吹扫反应室可能是不必要的。一个循环由一个氨基硅烷脉冲、一个吹扫气体脉冲以及一个激活等离子体的步骤组成。
在一个实施方案中，在基底上形成含硅膜的方法包括使用至少一种气态共反应物和至少一种具有通式LxSiH4-x的氨基硅烷，其中L为C3-C12环状氨基配体，且x为1或2。将气态共反应物和氨基硅烷连续或者通过脉冲(如通过ALD方法注入)独立引入反应器。在一个实施方案中，氨基硅烷为哌啶硅烷SiH3(pip)、双吡咯烷硅烷SiH2(Pyr)2、双哌啶硅烷SiH2(Pip)2或吡咯烷硅烷SiH3(pyr)。将氨基硅烷吸附到基底表面。随后，可以引入惰性气体一段时间，该时间足以使用惰性气体从反应器中排空氨基硅烷。然后通过脉冲向反应室中引入气态共反应物。该气态共反应物可以由氧气/臭氧气体混合物(典型地：含5-20体积％臭氧的氧气)、氧气、湿气和/或过氧化氢(H2O2)、氨或者其组合组成。一个循环由一个氨基硅烷脉冲、一个吹扫气体脉冲、一个气态共反应物脉冲和一个吹扫气体脉冲组成。可以视需要重复该循环以达到目标厚度。所需要的循环数由目标厚度决定，考虑在给定实验条件下得到的每次循环的沉积速度，并可以由本领域技术人员在本公开内容的基础上予以确定。沉积温度可以低至室温并高至500℃，操作压力为0.1-100Torr(13至13300Pa)。可以在200℃至550℃以及0.1-10Torr(13至1330Pa)的压力下沉积具有极低碳含量和氢含量的高质量膜。
在另一个实施方案中，将可以由氨组成的气态共反应物连续引入。可以将氨基硅烷(例如SiH3(pip))随后引入，并化学吸附到基底表面，然后用惰性气体吹扫反应室。惰性气体可以存在一段时间，该时间足以从反应器中排空过量氨基硅烷。用惰性气体吹扫后，激活等离子体，由此产生激发态物质如自由基。在足以形成层的时间后，使等离子体失活。在等离子体激活期间形成的激发态物质具有非常短的寿命，并因此会在等离子体失活后迅速消失。因此，在等离子体失活之后用惰性气体吹扫反应室可能是不必要的。一个循环由一个氨基硅烷脉冲、一个吹扫气体脉冲以及一个激活等离子体的步骤组成。
在一个实施方案中，在基底上形成含硅膜的方法包括使用至少一种气态共反应物和至少一种具有通式(SiH3)2NR的二硅烷胺，其中R独立为H，C1-C6直链、支化或环状碳链，并将其连续或者通过脉冲(例如通过ALD方法)独立引入反应器中。在一个实施方案中，二硅烷胺为二甲硅烷基乙胺(SiH3)2Net、二甲硅烷基异丙胺(SiH3)2N(iPr)或二甲硅烷基叔丁胺(SiH3)2NtBu。将二硅烷胺吸附到基底表面。然后通过脉冲向反应室中引入气态共反应物。该气态共反应物可以由氧气/臭氧气体混合物(典型地：含5-20体积％臭氧的氧气)、氧气、湿气和/或过氧化氢(H2O2)、氨或者其组合组成。一个循环由一个二硅烷胺脉冲、一个吹扫气体脉冲、一个气态共反应物脉冲和一个吹扫气体脉冲组成。可以视需要重复该循环以达到目标厚度。所需要的循环数由目标厚度决定，考虑在给定实验条件下得到的每次循环的沉积速度，并可以由本领域技术人员在本公开内容的基础上予以确定。沉积温度可以低至室温并高至500℃，操作压力为0.1-100Torr(13至13300Pa)。可以在200℃至550℃以及0.1-10Torr(13至1330Pa)的压力下沉积具有极低碳含量和氢含量的高质量膜。
在另一个实施方案中，将气态共反应物(例如氨)连续引入。可以将二硅烷胺(例如(SiH3)2NEt)随后引入，并化学吸附到基底表面，然后用惰性气体吹扫反应室。惰性气体可以存在一段时间，该时间足以从反应室中排空过量二硅烷胺。用惰性气体吹扫后，激活等离子体，由此产生激发态物质如自由基。在足以形成含硅膜的时间后，使等离子体失活。在等离子体激活期间形成的激发态物质具有非常短的寿命，并因此会在等离子体失活后迅速消失。因此，在等离子体失活之后用惰性气体吹扫反应室可能是不必要的。一个循环由一个二硅烷胺脉冲、一个吹扫气体脉冲以及一个激活等离子体的步骤组成。
在一个实施方案中，在基底上形成含硅膜的方法包括使用至少一种以气态输送的共反应物和通式(SiH3)xR的硅烷(硅烷、乙硅烷、丙硅烷、三甲硅烷基胺)，其中x可以为1至4，并且其中R选自H、N、O、SO3CF3、CH2、CH2-CH2、SiH2、SiH以及Si和可能在ALD方法中使用的催化剂。将氨基硅烷吸附到基底表面。然后通过脉冲引入气态共反应物。该气态共反应物可以由氧气/臭氧气体混合物(典型地：含5-20体积％臭氧的氧气)、氧气、湿气和/或过氧化氢(H2O2)、氨或者其组合组成。一个循环由一个硅烷脉冲、一个吹扫气体脉冲、一个气态共反应物脉冲和一个吹扫气体脉冲组成。可以视需要重复该循环以达到目标厚度。所需要的循环数由目标厚度决定，考虑在给定实验条件下得到的每次循环的沉积速度，并可以由本领域技术人员在本公开内容的基础上予以确定。沉积温度可以低至室温并高至500℃，操作压力为0.1-100Torr(13至13300Pa)。可以在200℃至550℃以及0.1-10Torr(13至1330Pa)的压力下沉积具有极低碳含量和氢含量的高质量膜。
在另一个实施方案中，将气态共反应物(例如氨)连续引入反应室。可以将硅烷随后引入，并化学吸附到基底表面，然后用惰性气体吹扫反应室。惰性气体可以存在一段时间，该时间足以从反应室排空过量基硅烷。用惰性气体吹扫后，激活等离子体，由此产生激发态物质如自由基。在足以形成含硅膜的时间后，使等离子体失活。在等离子体激活期间形成的激发态物质具有非常短的寿命，并因此会在等离子体失活后迅速消失。因此，在等离子体失活之后用惰性气体吹扫反应室可能是不必要的。一个循环由一个硅烷脉冲、一个吹扫气体脉冲以及一个激活等离子体的步骤组成。
参照图1，显示了用于本文前述的膜形成方法的膜形成装置10的示意图。该膜形成装置10包括反应室11；惰性气体气筒12，其为惰性气体进料(例如氮气)的来源；含硅化合物气体气筒13，其为气态含硅化合物进料的来源；以及共反应物气筒14。在一个实施方案中，膜形成装置10可用于单晶片装置。在这样的实施方案中，可以将基座置于反应室11之内，并可以在其上放置一个半导体基底，例如硅基底。为了将半导体基底加热到指定的反应温度，可以向基座内提供加热器。在另一个实施方案中，膜形成装置10可用作间歇式装置。在这样的实施方案中，反应室11内可以容纳5至200个半导体基底。间歇式装置中的加热器与单晶片装置中的加热器具有不同的结构。
氮气气筒12通过管路L1与反应室11流体连通。截止阀V1与流速控制器，例如质量流量控制器MFC1置于管路L1中。截止阀V2也置于管路L1中，并与反应室11流体连通。
反应室还通过排气管路L2与真空泵PMP流体连通。压力计PG1、用于背压控制的蝶形阀BV和截止阀V3置于管路L2中。真空泵PMP通过管路L3与脱毒装置15流体连通。例如，脱毒装置15可以是与气体种类及其水平相对应的燃烧式脱毒装置或干燥式脱毒装置。
含硅化合物气体气筒13通过管路L4与管路L1流体连通，其中管路L4在截止阀V2和质量流量控制器MFC1之间连接管路L1。截止阀V4、质量流量控制器MFC2、压力计PG2和截止阀V5置于管路L4中。含硅化合物气体气筒13也通过管路L4和支路L4’与管路L2流体连通。支路L4’在真空泵PMP和截止阀V3之间连接管路L2。截止阀V5’置于支路L4’中。截止阀V5和V5’的状态是同步的，以便于当一个打开时，另一个则关闭。
共反应物气筒14通过管路L5与高反应性分子发生器16流体连通。截止阀V6和质量流量控制器MFC3置于管路L5中。发生器16通过管路L6与管路L1流体连通，其中管路L6在截止阀V2和质量流量控制器MFC1之间连接管路L1。高反应性分子浓度传感器OCS、压力计PG3和截止阀V7置于管路L6中。发生器16也通过管路L6和支路L6’与管路L2流体连通。支路L6’在真空泵PMP和截止阀V3之间连接管路L2。截止阀V7’置于支路L6’中。截止阀V7和V7’的状态是同步的，以便于当一个打开时，另一个则关闭。
发生器16产生这样的混合气体，即共反应物和高反应性分子，其流入管路L6。在恒定的共反应物气体供给流速下，对高反应性分子在混合气体中的浓度的控制取决于施加到发生器16上的功率和压力。因此通过用高反应性分子浓度传感器OCS测量高反应性分子水平，并依据该测量值控制发生器16的施加功率和容器压力来控制高反应性分子的浓度。
在一个实施方案中，描述了使用膜形成装置10形成含硅膜的方法。一般而言，该方法包括下列步骤：氮气吹扫、含硅化合物气体脉冲、另一氮气吹扫、以及共反应物混合气体脉冲。
在一个实施方案中，通过以下方法开始氮气吹扫步骤：将处理基底，例如半导体晶片，安装到反应室11内的基座上，并通过使用结合到基座中的温度调节器将半导体晶片加热到50℃至400℃的温度。图1显示膜形成装置10在氮气吹扫步骤期间的构造。如图1所示，截止阀V5和V7是关闭的，而其它截止阀V1至V4、V6、V5’和V7’则全部打开。在图1中，关闭的控制阀用条纹显示，而打开的控制阀以白色显示。在下文中，以同样方式显示下列说明中截止阀的状态。
当通过操作真空泵PMP通过排气管路L2排出反应室11中的气体时，通过管路L1将氮气从氮气气筒12引入反应室11。通过质量流量控制器MFC1控制氮气的供给流速。因此通过排出反应室11中的气体并向反应室11中供给氮气来在期望真空下(例如0.1至1000torr)实施氮气吹扫，以便于用氮气置换反应室11的内部。
在氮气吹扫步骤期间，在由质量流量控制器MFC2实施的供给流速控制下，将含硅化合物气体从含硅化合物气体气筒13中持续供给到管路L4中。关闭截止阀V5并打开截止阀V5’，使得含Si化合物气体不供给到反应室11，相反却通过经管路L4和L4’供给到排气管路L2而排出。
此外，在氮气吹扫步骤期间，在由质量流量控制器MFC2控制的供给流速下，将以气态输送的至少一种共反应物通过管路L5从气筒14中持续供给到发生器16中以产生不稳定分子(例如：臭氧、肼)。向发生器16施加期望功率水平，并将以气态输送的至少一种共反应物(混合气体)从发生器16中供给到管路L6中，该至少一种共反应物包含期望浓度的不稳定分子。用管路L6中提供的浓度传感器OCS测量不稳定分子水平，其中以气态输送的不稳定分子和至少一种共反应物的混合气体通过该管路L6流动。在一个实施方案中，反应室包括在反应室中形成不稳定分子(例如自由基)的装置。例如，反应室可以包含一种或多种等离子体源，当将其激活时在反应室中产生等离子体。此外，等离子体源可以具有可调节电源，以便于可以将等离子体功率调节到使用者和/或方法期望的值。这种等离子体源和电源为本领域技术人员所已知。基于所得的测量值对发生器16的施加功率和容器压力实施反馈控制。关闭截止阀V7并打开截止阀V7’，使得混合气体不供给到反应室11，相反却通过经管路L6和L6’供给到排气管路L2而排出。
图2显示膜形成装置10在含Si化合物气体脉冲步骤开始的构造。关闭截止阀V5’，并与该操作同步，打开截止阀V5。在期望时间后，反转每个截止阀V5和V5’的状态。在打开截止阀V5的间隔期间，将源自含硅化合物气体气筒13的含硅化合物气体在流速控制下从管路L4供给到管路L1中，并与氮气一同脉冲到反应室11中。该脉冲导致近似单分子层的含硅化合物被吸附到半导体晶片的加热表面上，该半导体晶片被安装在反应室11中的基座上。
如图1所示，在输送了含硅化合物气体脉冲之后，通过关闭截止阀V5并打开截止阀V5’而实施氮气吹扫。在氮气吹扫之后，通过氮气排出保留在反应室11中的未反应的含硅化合物，并且再次用氮气置换反应室11的内部。
图3显示膜形成装置10在共反应物混合气体脉冲步骤开始的构造。关闭截止阀V7’，并与该操作同步，打开截止阀V7。在期望时间后，反转每个截止阀V7和V7’的状态。在打开截止阀V7的间隔期间，将未反应分子和以气态输送的至少一种共反应物的混合气体从管路L6供给到管路L1中，并与氮气一同脉冲到反应室11中。作为该脉冲的结果，吸附到半导体晶片的加热表面上的含硅化合物与未反应分子和以气态输送的不稳定分子和至少一种共反应物的混合气体发生反应，该半导体晶片被安装在反应室11中的基座上。含硅化合物与不稳定分子和至少一种共反应物的混合气体的反应导致在半导体晶片表面上形成近似单分子层形式的含硅膜。
通过重复包括以下步骤的循环在半导体晶片表面上形成期望厚度的含硅膜：1)氮气吹扫、2)含硅化合物气体脉冲、3)氮气吹扫以及4)共反应物混合气体脉冲。如图1所示，在输送了共反应物混合气体脉冲之后，通过关闭截止阀V7并打开截止阀V7’而实施氮气吹扫。在氮气吹扫之后，通过氮气排出保留在反应室11中的反应副产物以及不稳定分子和以气态输送的至少一种共反应物的混合气体，并且再次用氮气置换反应室11的内部。
如上所述，作为使用图1至3所示的膜形成装置的形成的实例，使用在室温下为气态的含硅化合物。在另一个实施方案中，可以使用在室温下为液态的含硅化合物，如BDEAS。在这样的实施方案中，可以使用鼓泡器操作向反应室11中引入气态含硅化合物。例如，可以提供鼓泡器取代图1至3所示的含硅化合物气体气筒13。可以将鼓泡器连接到从氮气携带管路L1中的阀V1上游分支的支路上，其中可以将氮气从气筒12中鼓泡通过液体含硅化合物，并供给到反应室11中，以便于可以实施本文前述的方法。
在一个实施方案中，可以持续引入一种反应物，而可以通过脉冲引入另一种反应物(脉冲-CVD方法)。在这样的实施方案中，通过首先引发含硅化合物的吸附，形成近似单分子层形式的含硅膜(例如氧化硅膜)。这是通过将含硅化合物气体脉冲输送到如本文前述加热的处理基底表面完成的。然后在输送共反应物混合气体(例如臭氧+氧气混合气体)脉冲之前，用惰性气体(例如氮气)吹扫反应室。通过混合气体中臭氧的强氧化作用对吸附在处理基底表面上的含硅化合物完全氧化使得形成近似单分子层形式的含硅膜(例如氧化硅膜)。此外，在氧化反应之后的惰性气体吹扫(例如氮气吹扫)可以防止形成的氧化硅膜吸附反应室内的湿气。
图4表示金属氧化物半导体(MOS)晶体管100的侧视图，该MOS晶体管100包含本文公开类型的含硅层(如SiO2层)。MOS晶体管100包括晶片107、漏极(drain)105、源极(source)106、栅极(gate)101、金属电极102和含硅膜103。在晶片107上，栅极101位于其上并在漏极105和源极106之间。金属电极102沉积在栅极101上。诸如SiO2膜的含硅膜103横放在栅极101和金属栅电极102的侧端。含硅膜103也沉积在源极106和漏极105的顶上。
在一个实施方案中，特别是当使用在每次注入之间用氮气吹扫的ALD方法沉积时，本文公开的方法导致形成具有极高共形性(conformality，即在沟槽顶部和底部沉积均匀膜的能力)的含硅膜。这种膜可用于间隙填充应用，或者用于动态随机存储器DRAM的电容电极，即填满表面上的所有间隙并提供均匀含Si层的膜。
为了进一步说明本发明的多种说明性实施方案，提供了下列实施例。
实施例
图1至3所示的膜形成装置10用于下列实施例1A-F。
实施例1A
将硅晶片放置在反应室11中的基座上，并将该晶片加热到500℃。通过使用下列条件重复如本文前述的循环来形成氧化硅膜，该循环包括以下步骤：1)氮气吹扫、2)含硅化合物气体脉冲、3)氮气吹扫以及4)臭氧+氧气混合气体脉冲：
1)氮气吹扫
●反应室内的压力：3torr
●氮气供给流速：130sccm
●氮气吹扫时间：6秒
2)含硅化合物气体脉冲
●反应室内的压力：3torr
●Si化合物气体：双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)气体
●BDEAS气体供给流速：2sccm
●BDEAS脉冲时间：1秒
3)氮气吹扫
●反应室内的压力：3torr
●氮气供给流速：130sccm
●氮气吹扫时间：6秒
4)臭氧+氧气混合气体脉冲
●反应室内的压力：3torr
●臭氧+氧气混合气体(臭氧浓度为5％)的供给流速：20sccm
●混合气体脉冲时间：2秒
实施例1B
将硅晶片放置在反应室11中的基座上，并将该晶片加热到550℃。通过使用下列条件重复如本文前述的循环来形成氮化硅膜，该循环包括以下步骤：1)氮气吹扫、2)含硅化合物气体脉冲、3)氮气吹扫以及4)肼+氨混合气体脉冲：
1)氮气吹扫
●反应室内的压力：3torr
●氮气供给流速：130sccm
●氮气吹扫时间：6秒
2)含硅化合物气体脉冲
●反应室内的压力：3torr
●含硅化合物气体：双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)气体
●BDEAS气体供给流速：2sccm
●BDEAS脉冲时间：1秒
3)氮气吹扫
●反应室内的压力：3torr
●氮气供给流速：130sccm
●氮气吹扫时间：6秒
4)肼+氨混合气体脉冲
●反应室内的压力：3torr
●肼+氨混合气体(臭氧浓度为3％)的供给流速：20sccm
●混合气体脉冲时间：2秒
实施例1C
将硅晶片放置在反应室11中的基座上，并将该晶片加热到500℃。通过在启动等离子体的同时使用下列条件重复如本文前述的循环来形成氧化硅膜，该循环包括以下步骤：1)氮气吹扫、2)含硅化合物气体脉冲、3)氮气吹扫以及4)氧气脉冲：
1)氮气吹扫
●反应室内的压力：3torr
●氮气供给流速：130sccm
●氮气吹扫时间：6秒
2)含硅化合物气体脉冲
●反应室内的压力：3torr
●Si化合物气体：双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)气体
●BDEAS气体供给流速：2sccm
●BDEAS脉冲时间：1秒
3)氮气吹扫
●反应室内的压力：3torr
●氮气供给流速：130sccm
●氮气吹扫时间：6秒
4)氧气脉冲
●反应室内的压力：3torr
●氧气混合气体的供给流速：20sccm
●氧气脉冲时间：2秒
●等离子体功率：100W
实施例1D
将硅晶片放置在反应室11中的基座上，并将该晶片加热到550℃。通过在启动等离子体的同时使用下列条件重复如本文前述的循环来形成氮化硅膜，该循环包括以下步骤：1)氮气吹扫、2)含硅化合物气体脉冲、3)氮气吹扫以及4)氨脉冲，并：
1)氮气吹扫
●反应室内的压力：3torr
●氮气供给流速：130sccm
●氮气吹扫时间：6秒
2)含硅化合物气体脉冲
●反应室内的压力：3torr
●含硅化合物气体：双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)气体
●BDEAS气体供给流速：2sccm
●BDEAS脉冲时间：1秒
3)氮气吹扫
●反应室内的压力：3torr
●氮气供给流速：130sccm
●氮气吹扫时间：6秒
4)氨脉冲
●反应室内的压力：3torr
●氨供给流速：20sccm
●混合气体脉冲时间：2秒
●等离子体功率：350W
实施例1E
将硅晶片放置在反应室11中的基座上，并将该晶片加热到150℃。通过使氧气在反应室11中持续流动并使用下列条件重复如本文前述的循环来形成氧化硅膜，该循环包括以下步骤：1)含硅化合物气体脉冲、2)氮气吹扫以及3)启动等离子体：
1)含硅化合物气体脉冲
●反应室内的压力：1torr
●含硅化合物气体：双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)气体
●BDEAS气体供给流速：2sccm
●BDEAS脉冲时间：1秒
2)氮气吹扫
●反应室内的压力：1torr
●氮气供给流速：130sccm
●氮气吹扫时间：6秒
3)启动等离子体
●反应室内的压力：1torr
●等离子体启动时间：2秒
●等离子体功率：100W
实施例1F
将硅晶片放置在反应室11中的基座上，并将该晶片加热到500℃。通过使氨在反应室11中以20sccm的速度持续流动并使用下列条件重复如本文前述的循环来形成氮化硅膜，该循环包括以下步骤：1)含硅化合物气体脉冲、2)氮气吹扫以及3)启动等离子体：
1)含硅化合物气体脉冲
●反应室内的压力：1torr
●含硅化合物气体：双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)气体
●BDEAS气体供给流速：2sccm
●BDEAS脉冲时间：1秒
2)氮气吹扫
●反应室内的压力：1torr
●氮气供给流速：130sccm
●氮气吹扫时间：6秒
3)启动等离子体
●反应室内的压力：1torr
●等离子体启动时间：2秒
●等离子体功率：350W
实施例2A-F
使用与实施例1A-F中所述方法类似的方法形成含硅膜，然而，通过将硅晶片放置在反应室11中的基座上来加热该硅晶片，该基座被加热到400℃。
实施例3A-F
使用与实施例1A-F中所述方法类似的方法形成含硅膜，然而，通过将硅晶片放置在反应室11中的基座上来加热该硅晶片，该基座被加热到300℃。
在实施例1至3(通过50个循环完成实施例1)的每一循环测量含硅膜的厚度。可以在没有incubation时间的情况下，以约0.8-1.5
Figure GPA00001138368800231
/循环的速度在实施例1至3中形成具有良好厚度控制的含硅膜。
此外，在200个循环后，对实施例3中形成的含硅膜实施FT-IR分析(晶片温度：300℃)。
实施例4
研究使用BDEAS和臭氧进行的SiO2膜的ALD沉积。通过使用如图1-3所示的膜形成装置，使用BDEAS和臭氧/氧气混合物进行ALD来将膜成功地沉积到硅和铱上。
该室为由常规加热器加热的热壁反应器。臭氧发生器产生臭氧，并且其在-0.01MPaG下的浓度约为150g/m3。通过向液体氨基硅烷中鼓泡惰性气体(氮气)来将BDEAS(双(二乙氨基)硅烷，SiH2(NEt2)2)引入反应室11。实验条件如下：
●7.0sccm O3
●93sccm O2
●BDEAS：1sccm(在1sccm至7sccm的范围内)
●N2：50sccm
●温度为200℃至400℃
●操作压力：1Torr(在0.1至5Torr的范围内)
●吹扫及脉冲时间一般设定为各5秒。
●循环数一般设定为600个循环。
为了确定膜特征如沉积速度、沉积温度、膜质量和膜组成而进行实验。
在200℃、250℃、300℃、350℃和400℃下将SiO2膜沉积到Si晶片上。根据深入Auger分析，该沉积的膜不包括碳或氮。
改变沉积SiO2膜的循环数(例如350、600、和900个循环的沉积测试)，并检查沉积的SiO2膜，以致于incubation时间可以忽略不计。为了观察金属电极可能的氧化，在铱上实施沉积。Auger图在ALD SiO2和铱基底之间显示明显的分界面，其表明未观察到金属氧化。
实施例5
在与实施例4中所述的条件类似的条件下，研究使用甲硅烷基吡咯烷和臭氧进行的SiO2膜的ALD沉积。在1Torr及300℃至350℃下以1.6
Figure GPA00001138368800241
/循环的沉积速度得到高质量膜。
实施例6
在与实施例4中所述的条件类似的条件下，研究使用二乙氨基硅烷和臭氧进行的SiO2膜的ALD沉积。在1Torr及250℃至300℃下以1.4
Figure GPA00001138368800251
/循环的沉积速度得到高质量膜。
实施例7
研究使用甲硅烷基吡咯烷和肼进行的SiN膜的ALD沉积。通过交替进行引入甲硅烷基吡咯烷、N2和肼/氨混合物，使用ALD来将膜成功地沉积到硅晶片上。
该室为由常规加热器加热的热壁管式反应器。通过向液体氨基硅烷中鼓泡惰性气体(氮气)来将甲硅烷基吡咯烷引入炉中。实验条件如下：
●3.2sccm肼
●96.8sccm氨
●甲硅烷基吡咯烷：1sccm
●N2：50sccm
●温度为300℃至550℃
●操作压力：1Torr(在0.1至5Torr的范围内)
●吹扫及脉冲时间一般设定为各5秒。
●循环数一般设定为600个循环。
在硅晶片上得到形成的SiN膜，根据深入Auger分析，该SiN膜不包含碳或氮。
实施例8
研究使用BDEAS和氨进行的SiN膜的等离子增强ALD(PEALD)沉积。通过以下方法使用ALD来将膜成功地沉积到硅上：使氨持续流动并交替进行引入BDEAS，用N2吹扫，启动等离子体源。由于氨衍生的物质在等离子体消失后具有非常短的寿命，在关闭等离子体之后不需要吹扫，因此减少了循环时间并提高了处理量。
该室为6″PEALD市售反应器。通过向液体氨基硅烷中鼓泡惰性气体(氮气)来将BDEAS引入炉中。实验条件如下：
●100sccm氨
●BDEAS：1sccm
●N2：50sccm
●温度为300℃至550℃
●操作压力：1Torr
●等离子体功率：350W
●吹扫及脉冲时间一般设定为各5秒。
●循环数一般设定为400个循环。
在硅晶片上得到形成的SiN膜，根据深入Auger分析，该SiN膜不包含碳或氮。
实施例9
研究使用BDEAS和氧气进行的SiO2膜的PEALD沉积。通过以下方法使用ALD来将膜成功地沉积到硅上：使氧气持续流动并交替进行引入BDEAS，用N2吹扫，启动等离子体源。由于氧衍生的物质在等离子体消失后具有非常短的寿命，在关闭等离子体之后不需要吹扫，因此减少了循环时间并提高了处理量。
该室为6″PEALD市售反应器。通过向液体氨基硅烷中鼓泡惰性气体(氮气)来将BDEAS引入炉中。实验条件如下：
●O2：100sccm
●BDEAS：1sccm
●N2：50sccm
●温度为100℃至400℃
●操作压力：1Torr
●等离子体功率：100W
●吹扫及脉冲时间一般设定为各5秒。
●循环数一般设定为400个循环。
在硅晶片上得到形成的SiO2膜，根据深入Auger分析，该SiO2膜不包含碳或氮。
实施例10
研究使用BDEAS和氮气进行的SiN膜的PEALD沉积。通过以下方法使用ALD来将膜成功地沉积到硅上：使氮气持续流动并交替进行引入BDEAS，用N2吹扫，启动等离子体源。由于氨衍生的物质在等离子体消失后具有非常短的寿命，在关闭等离子体之后不需要吹扫，因此减少了循环时间并提高了处理量。
该室为6″PEALD市售反应器。通过向液体氨基硅烷中鼓泡惰性气体(氮气)来将BDEAS引入炉中。实验条件如下：
●BDEAS：1sccm
●N2：150sccm
●温度为300℃至550℃
●操作压力：1Torr
●等离子体功率：450W
●吹扫及脉冲时间一般设定为各5秒。
●循环数一般设定为500个循环。
在硅晶片上得到形成的SiN膜，根据深入Auger分析，该SiN膜不包含碳或氮。
实施例11
研究使用甲硅烷基吡咯烷和H2O2进行的SiO2膜的CVD沉积。通过使用下列条件使甲硅烷基吡咯烷和H2O2持续流动，使用CVD来将膜成功地沉积到硅上：
●甲硅烷基吡咯烷：1sccm
●H2O2：10sccm
●N2：20sccm
●温度为100℃至500℃
●操作压力：300Torr
在硅晶片上得到形成的SiO2膜，根据深入Auger分析，该SiO2膜不包含碳或氮。
尽管显示和描述了本发明的实施方案，本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和教导的情况下对其做出修改。本文提供的所述实施方案和实施例仅仅是示例，而非旨在限制。本文所公开的发明可能有许多变化和修改，并且该变化和修改在本发明的范围之内。因此，保护范围不是由上述说明书所限定而是仅由下列权利要求限定的，该范围包括权利要求的主题的所有等同形式。

Claims (33)

1.形成含硅膜的方法，包括：
a)在反应室中提供基底；
b)向反应室注入至少一种含硅化合物；
c)向反应室注入至少一种气态共反应物；以及
d)使基底、含硅化合物和气态共反应物在等于或低于550℃的温度下发生反应以得到沉积在基底上的含硅膜。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅化合物包括氨基硅烷、二硅烷胺、硅烷或者其组合。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述氨基硅烷包括具有通式(R1R2N)xSiH4-x的化合物，其中R1和R2独立为H，C1-C6直链、支化或环状碳链，或甲硅烷基如三甲基甲硅烷基，并且x是1或2。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述氨基硅烷包括具有通式LxSiH4-x的化合物，其中L是C3-C12环状氨基配体，并且x是1或2。
5.如权利要求2所述的方法，其中所述二硅烷胺包括具有通式(SiH3)2NR的化合物二硅烷胺，其中R独立为H，C1-C6直链、或支链或环状碳链。
6.如权利要求2所述的方法，其中所述硅烷包括具有通式(SiH3)nR的化合物，其中所含n为1至4，R选自H、N、NH、O、SO3CF3、CH2、C2H4、SiH2、SiH和Si组成的组。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述共反应物包括含氧气体、含氮气体、包含氧和氮的气体或者包含氧和氮的气体的混合物。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述含氧气体包括臭氧、氧气、水蒸气、过氧化氢，或者其组合。
9.如权利要求7所述的方法，其中所述含氮气体包括氨、氮气、肼，或者其组合。
10.如权利要求7所述的方法，其中所述气体混合物包括氨和氧气。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述共反应物包括一氧化氮。
12.如权利要求1所述的方法，进一步包括产生包含氧自由基或氮自由基的共反应物。
13.如权利要求12所述的方法，其中产生所述共反应物包括在适于产生氧自由基或氮自由基的条件下将含氧化合物或含氮化合物暴露在等离子体中。
14.如权利要求1所述的方法，进一步包括在步骤a、b、c、d或者其组合之后用惰性气体吹扫反应室。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述惰性气体包括氮气、氩气、氦气，或者其组合。
16.如权利要求1所述的方法，进一步包括重复步骤b)至d)直至得到期望的含硅膜厚度。
17.如权利要求1所述的方法，进一步包括在实施步骤b)、c)和/或d)之前，在将基底引入反应室后，将其在反应室中加热。
18.如权利要求17所述的方法，其中将所述基底加热到等于或低于反应室温度的温度。
19.如权利要求1所述的方法，其中所述基底包括用于制造半导体器件的硅晶片(或SOI)、沉积于其上的层，或者用于制造液晶显示装置的玻璃基底、或沉积于其上的层。
20.如权利要求1所述的方法，其中通过不连续注入至少一种所述化合物和/或气体来实施步骤b)、c)，或者二者。
21.如权利要求1所述的方法，其中在反应室中实施脉冲化学气相沉积或原子层沉积。
22.如权利要求1所述的方法，其中在反应室中实施含硅化合物和气态共反应物的同时注入。
23.如权利要求1所述的方法，其中在反应室中实施含硅化合物和气态共反应物的交替注入。
24.如权利要求1所述的方法，其中在注入另一化合物和/或至少一种气态共反应物之前，将含硅化合物或气态共反应物吸附到基底表面。
25.如权利要求1所述的方法，其中以等于或高于/循环的沉积速度形成所述含硅膜。
26.如权利要求1所述的方法，其中所述反应室的压力为0.1至1000torr(13至1330kPa)。
27.如权利要求1所述的方法，其中所述气态共反应物是包含氧气和臭氧的气体混合物，其中臭氧与氧气的比例低于20体积％。
28.如权利要求1所述的方法，其中所述气态共反应物是包含氨和肼的气体混合物，其中肼与氨的比例低于15体积％。
29.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅化合物选自三甲硅烷基胺(TSA)(SiH3)3N；二硅氧烷(DSO)(SiH3)2；二甲硅烷基甲胺(DSMA)(SiH3)2NMe；二甲硅烷基乙胺(DSEA)(SiH3)2NEt；二甲硅烷基异丙胺(DSIPA)(SiH3)2N(iPr)；二甲硅烷基叔丁胺(DSTBA)(SiH3)2N(tBu)；二乙氨基硅烷SiH3NEt2；二异丙氨基硅烷SiH3N(iPr)2；二叔丁氨基硅烷SiH3N(tBu)2；甲硅烷基哌啶或哌啶硅烷(piperidinosilane(SiH3)(pip))；甲硅烷基吡咯烷或吡咯烷硅烷(pyrrolidinosilane)SiH3(Pyr)；双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)SiH2(NEt2)2；双(二甲氨基)硅烷(BDMAS)SiH2(NMe2)2；双(叔丁氨基)硅烷(BTBAS)SiH2(NHtBu)2；双(三甲基甲硅烷基氨基)硅烷(BITS)SiH2(NHSiMe3)2；双哌啶硅烷(bispiperidinosilane)SiH2(pip)2；双吡咯烷硅烷(bispyrrolidinosilane)SiH2(Pyr)2；甲硅烷基三氟甲磺酸酯SiH3(OTf)；二(三氟甲磺酸)硅烷(ditriflatosilane)SiH2(OTf)2；及其组合；组成的组。
30.如权利要求1所述的方法，进一步包括在反应室中产生等离子体。
31.如权利要求1所述的方法，进一步包括向反应室中供给自由基，在反应室中产生自由基，或者两者均有发生。
32.制备氮化硅膜的方法，包括：
向反应室中引入硅晶片；
向反应室中引入含硅化合物；
用惰性气体吹扫反应室；以及
在适于在硅晶片上形成单分子层氮化硅膜的条件下，向反应室中引入气态含氮共反应物。
33.制备氧化硅膜的方法，包括：
向反应室中引入硅晶片；
向反应室中引入含硅化合物；
用惰性气体吹扫反应室；以及
在适于在硅晶片上形成单分子层氧化硅膜的条件下，向反应室中引入气态含氧共反应物。
CN2008801163507A 2007-09-18 2008-09-18 形成含硅膜的方法 Pending CN101889331A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US97321007P 2007-09-18 2007-09-18
US60/973,210 2007-09-18
PCT/US2008/076810 WO2009039251A1 (en) 2007-09-18 2008-09-18 Method of forming silicon-containing films

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101889331A true CN101889331A (zh) 2010-11-17

Family

ID=40010952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008801163507A Pending CN101889331A (zh) 2007-09-18 2008-09-18 形成含硅膜的方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090075490A1 (zh)
EP (1) EP2193541A1 (zh)
JP (1) JP2010539730A (zh)
KR (2) KR101542267B1 (zh)
CN (1) CN101889331A (zh)
TW (1) TWI489547B (zh)
WO (1) WO2009039251A1 (zh)

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102827198A (zh) * 2011-05-24 2012-12-19 气体产品与化学公司 有机氨基硅烷前体及其制备和使用方法
CN103450801A (zh) * 2013-09-09 2013-12-18 南京工业大学 一种制备微纳米硅基超疏水涂层的方法及其用途
CN103975419A (zh) * 2011-09-01 2014-08-06 诺发系统公司 等离子体活化保形电介质膜沉积
CN104805414A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法及衬底处理装置
CN105177527A (zh) * 2014-03-26 2015-12-23 超科技公司 采用臭氧等离子体的氧自由基增强的原子层沉积
US9355839B2 (en) 2012-10-23 2016-05-31 Lam Research Corporation Sub-saturated atomic layer deposition and conformal film deposition
CN105899711A (zh) * 2014-01-24 2016-08-24 应用材料公司 在无氧化剂情况下的含硅和氧的膜的沉积
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US9570290B2 (en) 2010-04-15 2017-02-14 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9570274B2 (en) 2010-04-15 2017-02-14 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US9786570B2 (en) 2012-11-08 2017-10-10 Novellus Systems, Inc. Methods for depositing films on sensitive substrates
US9793110B2 (en) 2010-04-15 2017-10-17 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
CN108728824A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 Asm Ip控股有限公司 使用斜降流量的反应气体进行等离子体辅助循环沉积的方法
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
CN110957249A (zh) * 2018-09-27 2020-04-03 大福自动化洁净设备公司 设备前端模块
CN111041456A (zh) * 2015-03-30 2020-04-21 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法
CN112992667A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
CN113169070A (zh) * 2018-12-21 2021-07-23 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 在550℃或更高的温度下使用ALD沉积含Si膜的前体和工艺
CN115104178A (zh) * 2019-12-18 2022-09-23 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 形成高品质含Si膜的超低温ALD
CN115698373A (zh) * 2020-05-29 2023-02-03 大阳日酸株式会社 混合气体供给装置、金属氮化膜的制造装置及金属氮化膜的制造方法
US11646198B2 (en) 2015-03-20 2023-05-09 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
CN116133367A (zh) * 2021-08-12 2023-05-16 长鑫存储技术有限公司 一种半导体薄膜形成方法、半导体结构及存储器
US12040181B2 (en) 2019-05-01 2024-07-16 Lam Research Corporation Modulated atomic layer deposition
US12431349B2 (en) 2019-06-07 2025-09-30 Lam Research Corporation In-situ control of film properties during atomic layer deposition
TWI907986B (zh) * 2023-04-27 2025-12-11 日商國際電氣股份有限公司 基板處理方法、半導體裝置之製造方法、程式及基板處理裝置

Families Citing this family (454)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006261434A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude シリコン酸化膜の形成方法
US7875556B2 (en) * 2005-05-16 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films
US8530361B2 (en) 2006-05-23 2013-09-10 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon and oxide films from organoaminosilane precursors
US7875312B2 (en) * 2006-05-23 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors
US8232176B2 (en) 2006-06-22 2012-07-31 Applied Materials, Inc. Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill
US7867923B2 (en) * 2007-10-22 2011-01-11 Applied Materials, Inc. High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
JP4959733B2 (ja) * 2008-02-01 2012-06-27 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
US8357435B2 (en) * 2008-05-09 2013-01-22 Applied Materials, Inc. Flowable dielectric equipment and processes
JP5616591B2 (ja) * 2008-06-20 2014-10-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US20100081293A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Methods for forming silicon nitride based film or silicon carbon based film
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8765233B2 (en) * 2008-12-09 2014-07-01 Asm Japan K.K. Method for forming low-carbon CVD film for filling trenches
US8999734B2 (en) * 2009-03-10 2015-04-07 American Air Liquide, Inc. Cyclic amino compounds for low-k silylation
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8980382B2 (en) * 2009-12-02 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films
US8741788B2 (en) * 2009-08-06 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR101732187B1 (ko) * 2009-09-03 2017-05-02 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 플라즈마 강화된 화학기상 증착법에 의해 규소-질소 결합을 갖는 등각성 유전체 막을 형성하는 방법
US8449942B2 (en) * 2009-11-12 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Methods of curing non-carbon flowable CVD films
CN102687252A (zh) * 2009-12-30 2012-09-19 应用材料公司 以可变的氮/氢比所制造的自由基来生长介电薄膜的方法
US20110159213A1 (en) * 2009-12-30 2011-06-30 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition improvements through radical-component modification
US8329262B2 (en) 2010-01-05 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Dielectric film formation using inert gas excitation
JP2013517616A (ja) * 2010-01-06 2013-05-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 酸化物ライナを使用する流動可能な誘電体
SG182333A1 (en) 2010-01-07 2012-08-30 Applied Materials Inc In-situ ozone cure for radical-component cvd
US8703625B2 (en) * 2010-02-04 2014-04-22 Air Products And Chemicals, Inc. Methods to prepare silicon-containing films
CN102844848A (zh) * 2010-03-05 2012-12-26 应用材料公司 通过自由基成分化学气相沉积的共形层
US8236708B2 (en) * 2010-03-09 2012-08-07 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using bis(diethylamino)silane (C8H22N2Si) as silicon precursor
US8709551B2 (en) * 2010-03-25 2014-04-29 Novellus Systems, Inc. Smooth silicon-containing films
US8741394B2 (en) 2010-03-25 2014-06-03 Novellus Systems, Inc. In-situ deposition of film stacks
US8728956B2 (en) * 2010-04-15 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal film deposition
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US8956983B2 (en) 2010-04-15 2015-02-17 Novellus Systems, Inc. Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition
US9076646B2 (en) * 2010-04-15 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure
US20110294075A1 (en) * 2010-05-25 2011-12-01 United Microelectronics Corp. Patterning method
US8912353B2 (en) 2010-06-02 2014-12-16 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
US8343881B2 (en) 2010-06-04 2013-01-01 Applied Materials, Inc. Silicon dioxide layer deposited with BDEAS
JP5687547B2 (ja) * 2010-06-28 2015-03-18 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
US9285168B2 (en) 2010-10-05 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Module for ozone cure and post-cure moisture treatment
US8664127B2 (en) 2010-10-15 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner
WO2012067455A1 (ko) * 2010-11-17 2012-05-24 주식회사 유피케미칼 실리콘 전구체 화합물을 이용한 박막 증착 방법
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8450191B2 (en) 2011-01-24 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Polysilicon films by HDP-CVD
WO2012107138A1 (en) * 2011-02-07 2012-08-16 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude METHOD OF DEPOSITION OF Al2O3/SiO2 STACKS, FROM ALUMINIUM AND SILICON PRECURSORS
US9163310B2 (en) 2011-02-18 2015-10-20 Veeco Ald Inc. Enhanced deposition of layer on substrate using radicals
US8716154B2 (en) 2011-03-04 2014-05-06 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers
US8647993B2 (en) * 2011-04-11 2014-02-11 Novellus Systems, Inc. Methods for UV-assisted conformal film deposition
US8445078B2 (en) 2011-04-20 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Low temperature silicon oxide conversion
US8466073B2 (en) 2011-06-03 2013-06-18 Applied Materials, Inc. Capping layer for reduced outgassing
EP2714960B1 (en) 2011-06-03 2018-02-28 Versum Materials US, LLC Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US9404178B2 (en) 2011-07-15 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Surface treatment and deposition for reduced outgassing
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
SG10201607194PA (en) * 2011-09-23 2016-10-28 Novellus Systems Inc Plasma activated conformal dielectric film deposition
US8617989B2 (en) 2011-09-26 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Liner property improvement
US8551891B2 (en) 2011-10-04 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Remote plasma burn-in
KR101842901B1 (ko) * 2011-10-18 2018-03-29 삼성전자주식회사 반도체 장치의 형성방법
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
KR101925580B1 (ko) * 2011-11-15 2019-02-28 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 그 동작 방법
US8586487B2 (en) 2012-01-18 2013-11-19 Applied Materials, Inc. Low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of conformal silicon carbon nitride and silicon nitride films
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
US9460912B2 (en) 2012-04-12 2016-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films
JP5920242B2 (ja) * 2012-06-02 2016-05-18 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US8889566B2 (en) 2012-09-11 2014-11-18 Applied Materials, Inc. Low cost flowable dielectric films
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
SG2013083241A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Conformal film deposition for gapfill
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
TW201443274A (zh) * 2013-03-14 2014-11-16 應用材料股份有限公司 使用二矽氧烷先質之膜的沉積
KR102326396B1 (ko) 2013-09-27 2021-11-12 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 아민 치환된 트리실릴아민 및 트리디실릴아민 화합물
TWI649803B (zh) * 2013-09-30 2019-02-01 蘭姆研究公司 具有電漿輔助式原子層沉積及電漿輔助式化學氣相沉積合成法之深寬比可變的特徵物之間隙填充
US9905415B2 (en) * 2013-10-03 2018-02-27 Versum Materials Us, Llc Methods for depositing silicon nitride films
JP6562629B2 (ja) * 2013-12-30 2019-08-21 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ パルスプラズマ暴露を伴うプラズマ原子層堆積
US9214334B2 (en) 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9412581B2 (en) 2014-07-16 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Low-K dielectric gapfill by flowable deposition
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9478438B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9478411B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9214333B1 (en) 2014-09-24 2015-12-15 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for uniform reduction of the in-feature wet etch rate of a silicon nitride film formed by ALD
US9875888B2 (en) 2014-10-03 2018-01-23 Applied Materials, Inc. High temperature silicon oxide atomic layer deposition technology
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) * 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US9589790B2 (en) 2014-11-24 2017-03-07 Lam Research Corporation Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10041167B2 (en) 2015-02-23 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Cyclic sequential processes for forming high quality thin films
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9748093B2 (en) 2015-03-18 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Pulsed nitride encapsulation
US9646818B2 (en) 2015-03-23 2017-05-09 Applied Materials, Inc. Method of forming planar carbon layer by applying plasma power to a combination of hydrocarbon precursor and hydrogen-containing precursor
US11124876B2 (en) 2015-03-30 2021-09-21 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10526701B2 (en) 2015-07-09 2020-01-07 Lam Research Corporation Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
CN113403604B (zh) 2015-07-31 2024-06-14 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于沉积氮化硅膜的组合物和方法
CN105185693A (zh) * 2015-08-20 2015-12-23 上海华力微电子有限公司 半导体衬底上二氧化硅介质层的形成方法
US9601693B1 (en) 2015-09-24 2017-03-21 Lam Research Corporation Method for encapsulating a chalcogenide material
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US20170178899A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Lam Research Corporation Directional deposition on patterned structures
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10312432B2 (en) * 2016-04-06 2019-06-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Magnetic memory device and techniques for forming
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10629435B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Lam Research Corporation Doped ALD films for semiconductor patterning applications
US10074543B2 (en) 2016-08-31 2018-09-11 Lam Research Corporation High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications
US9865455B1 (en) 2016-09-07 2018-01-09 Lam Research Corporation Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process
US11332824B2 (en) * 2016-09-13 2022-05-17 Lam Research Corporation Systems and methods for reducing effluent build-up in a pumping exhaust system
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10454029B2 (en) 2016-11-11 2019-10-22 Lam Research Corporation Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate
US10832908B2 (en) 2016-11-11 2020-11-10 Lam Research Corporation Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask
US10134579B2 (en) 2016-11-14 2018-11-20 Lam Research Corporation Method for high modulus ALD SiO2 spacer
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
US10192734B2 (en) 2016-12-11 2019-01-29 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploration des Procédés Georges Claude Short inorganic trisilylamine-based polysilazanes for thin film deposition
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR20180110612A (ko) * 2017-03-29 2018-10-10 (주)디엔에프 비스(아미노실릴)알킬아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10361112B2 (en) * 2017-06-29 2019-07-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High aspect ratio gap fill
DE102017127430B4 (de) 2017-06-29 2024-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Füllen von Lücken mit hohem Seitenverhältnis
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102899918B1 (ko) 2018-03-02 2025-12-12 램 리써치 코포레이션 가수분해를 사용한 선택적인 증착
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
CN113166178B (zh) * 2018-11-15 2024-08-09 Up化学株式会社 硅前体化合物、制备方法及使用其来形成含硅膜的方法
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
CN111211088B (zh) * 2018-11-21 2023-04-25 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
US11211243B2 (en) * 2018-11-21 2021-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of filling gaps with carbon and nitrogen doped film
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI776109B (zh) * 2018-12-21 2022-09-01 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 在550°C或更高的溫度下使用ALD沈積含Si膜之先質及製程
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
US12237175B2 (en) 2019-06-04 2025-02-25 Lam Research Corporation Polymerization protective liner for reactive ion etch in patterning
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20220042442A (ko) 2019-08-06 2022-04-05 램 리써치 코포레이션 실리콘-함유 막들의 열적 원자 층 증착 (thermal atomic layer deposition)
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102928101B1 (ko) * 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI761939B (zh) 2019-09-10 2022-04-21 美商慧盛材料美國責任有限公司 用於非共形沉積含矽膜的組合物及使用其的非共形沉積含矽膜的方法
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
CN114761612A (zh) 2019-12-02 2022-07-15 朗姆研究公司 原位pecvd覆盖层
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
JP7436253B2 (ja) * 2020-03-23 2024-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI797640B (zh) 2020-06-18 2023-04-01 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 基於矽之自組裝單層組成物及使用該組成物之表面製備
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12598930B2 (en) 2020-07-23 2026-04-07 Lam Research Corporation Conformal thermal CVD with controlled film properties and high deposition rate
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
CN115735261A (zh) 2020-07-28 2023-03-03 朗姆研究公司 含硅膜中的杂质减量
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
JP2022049449A (ja) * 2020-09-16 2022-03-29 東京エレクトロン株式会社 ＳｉＮ膜埋め込み方法及び成膜装置
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
CN114622183A (zh) * 2020-12-11 2022-06-14 湖南红太阳光电科技有限公司 一种制备氧化硅薄膜的方法
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
US11862468B2 (en) * 2021-01-29 2024-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and method
EP4326921A4 (en) * 2021-04-21 2025-05-07 Entegris, Inc. SILICON PRECURSOR COMPOUNDS AND METHOD FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILMS
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
US12473633B2 (en) 2021-07-09 2025-11-18 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
KR20250038277A (ko) * 2023-09-12 2025-03-19 (주)디엔에프 신규한 알콕시아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하여 실리콘 함유 박막을 제조하는 방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4181751A (en) * 1978-05-24 1980-01-01 Hughes Aircraft Company Process for the preparation of low temperature silicon nitride films by photochemical vapor deposition
JPH01143221A (ja) * 1987-11-27 1989-06-05 Nec Corp 絶縁薄膜の製造方法
JPH06132284A (ja) * 1992-10-22 1994-05-13 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の保護膜形成方法
US5728602A (en) * 1996-06-03 1998-03-17 Vlsi Technology, Inc. Semiconductor wafer manufacturing process with high-flow-rate low-pressure purge cycles
US6153261A (en) * 1999-05-28 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Dielectric film deposition employing a bistertiarybutylaminesilane precursor
US6348420B1 (en) * 1999-12-23 2002-02-19 Asm America, Inc. Situ dielectric stacks
JP4371543B2 (ja) * 2000-06-29 2009-11-25 日本電気株式会社 リモートプラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法
US6843858B2 (en) * 2002-04-02 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a semiconductor processing chamber
TW200422424A (en) * 2002-08-18 2004-11-01 Asml Us Inc Low temperature deposition of silicon oxides and oxynitrides
US20060153995A1 (en) * 2004-05-21 2006-07-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a dielectric stack
US20060045986A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-02 Hochberg Arthur K Silicon nitride from aminosilane using PECVD
US20060051975A1 (en) * 2004-09-07 2006-03-09 Ashutosh Misra Novel deposition of SiON dielectric films
US7332618B2 (en) * 2004-09-28 2008-02-19 Praxair Technology, Inc. Organometallic precursor compounds
JP2006261434A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude シリコン酸化膜の形成方法
US7601652B2 (en) * 2005-06-21 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method for treating substrates and films with photoexcitation
JP4434149B2 (ja) * 2006-01-16 2010-03-17 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US7875312B2 (en) * 2006-05-23 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors
US7498273B2 (en) * 2006-05-30 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for STI: usage of different siloxane-based precursors for harp II—remote plasma enhanced deposition processes
US20080173917A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Matthias Patz Selective deposition method
US20080207007A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Plasma Enhanced Cyclic Chemical Vapor Deposition of Silicon-Containing Films

Cited By (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793110B2 (en) 2010-04-15 2017-10-17 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9673041B2 (en) 2010-04-15 2017-06-06 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for patterning applications
US11133180B2 (en) 2010-04-15 2021-09-28 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US10559468B2 (en) 2010-04-15 2020-02-11 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US10361076B2 (en) 2010-04-15 2019-07-23 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US12261038B2 (en) 2010-04-15 2025-03-25 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US10043655B2 (en) 2010-04-15 2018-08-07 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US10043657B2 (en) 2010-04-15 2018-08-07 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition metal oxide for patterning applications
US11011379B2 (en) 2010-04-15 2021-05-18 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9570290B2 (en) 2010-04-15 2017-02-14 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9570274B2 (en) 2010-04-15 2017-02-14 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
CN102827198A (zh) * 2011-05-24 2012-12-19 气体产品与化学公司 有机氨基硅烷前体及其制备和使用方法
CN102827198B (zh) * 2011-05-24 2016-02-17 气体产品与化学公司 有机氨基硅烷前体及其制备和使用方法
CN103975419A (zh) * 2011-09-01 2014-08-06 诺发系统公司 等离子体活化保形电介质膜沉积
CN103975419B (zh) * 2011-09-01 2017-04-12 诺发系统公司 等离子体活化保形电介质膜沉积
US9355839B2 (en) 2012-10-23 2016-05-31 Lam Research Corporation Sub-saturated atomic layer deposition and conformal film deposition
US10741458B2 (en) 2012-11-08 2020-08-11 Novellus Systems, Inc. Methods for depositing films on sensitive substrates
US10008428B2 (en) 2012-11-08 2018-06-26 Novellus Systems, Inc. Methods for depositing films on sensitive substrates
US9786570B2 (en) 2012-11-08 2017-10-10 Novellus Systems, Inc. Methods for depositing films on sensitive substrates
CN103450801A (zh) * 2013-09-09 2013-12-18 南京工业大学 一种制备微纳米硅基超疏水涂层的方法及其用途
CN104805414B (zh) * 2014-01-23 2017-06-30 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法及衬底处理装置
US9601326B2 (en) 2014-01-23 2017-03-21 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device, including film having uniform thickness
CN104805414A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法及衬底处理装置
CN105899711A (zh) * 2014-01-24 2016-08-24 应用材料公司 在无氧化剂情况下的含硅和氧的膜的沉积
CN105177527A (zh) * 2014-03-26 2015-12-23 超科技公司 采用臭氧等离子体的氧自由基增强的原子层沉积
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US10804099B2 (en) 2014-11-24 2020-10-13 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US9875891B2 (en) 2014-11-24 2018-01-23 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US12354871B2 (en) 2015-03-20 2025-07-08 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US11646198B2 (en) 2015-03-20 2023-05-09 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
CN111041456B (zh) * 2015-03-30 2021-12-10 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法
CN111041456A (zh) * 2015-03-30 2020-04-21 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
US10373806B2 (en) 2016-06-30 2019-08-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10957514B2 (en) 2016-06-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10679848B2 (en) 2016-07-01 2020-06-09 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
CN108728824A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 Asm Ip控股有限公司 使用斜降流量的反应气体进行等离子体辅助循环沉积的方法
CN108728824B (zh) * 2017-04-17 2022-01-11 Asm Ip控股有限公司 使用斜降流量的反应气体进行等离子体辅助循环沉积的方法
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
CN110957249B (zh) * 2018-09-27 2024-03-08 大福自动化洁净设备公司 设备前端模块
CN110957249A (zh) * 2018-09-27 2020-04-03 大福自动化洁净设备公司 设备前端模块
CN113169070A (zh) * 2018-12-21 2021-07-23 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 在550℃或更高的温度下使用ALD沉积含Si膜的前体和工艺
US12451346B2 (en) 2019-05-01 2025-10-21 Lam Research Corporation Modulated atomic layer deposition
US12040181B2 (en) 2019-05-01 2024-07-16 Lam Research Corporation Modulated atomic layer deposition
US12431349B2 (en) 2019-06-07 2025-09-30 Lam Research Corporation In-situ control of film properties during atomic layer deposition
CN112992667A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
CN115104178A (zh) * 2019-12-18 2022-09-23 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 形成高品质含Si膜的超低温ALD
CN115698373B (zh) * 2020-05-29 2025-03-14 大阳日酸株式会社 混合气体供给装置、金属氮化膜的制造装置及金属氮化膜的制造方法
CN115698373A (zh) * 2020-05-29 2023-02-03 大阳日酸株式会社 混合气体供给装置、金属氮化膜的制造装置及金属氮化膜的制造方法
CN116133367B (zh) * 2021-08-12 2024-10-22 长鑫存储技术有限公司 一种半导体薄膜形成方法、半导体结构及存储器
CN116133367A (zh) * 2021-08-12 2023-05-16 长鑫存储技术有限公司 一种半导体薄膜形成方法、半导体结构及存储器
TWI907986B (zh) * 2023-04-27 2025-12-11 日商國際電氣股份有限公司 基板處理方法、半導體裝置之製造方法、程式及基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2193541A1 (en) 2010-06-09
KR20150036815A (ko) 2015-04-07
KR101542267B1 (ko) 2015-08-06
TW200931520A (en) 2009-07-16
US20090075490A1 (en) 2009-03-19
JP2010539730A (ja) 2010-12-16
WO2009039251A1 (en) 2009-03-26
KR20100061733A (ko) 2010-06-08
TWI489547B (zh) 2015-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101542267B1 (ko) 규소 함유 막의 형성 방법
KR101248358B1 (ko) 산화규소 함유 필름의 형성 방법
JP7572345B2 (ja) 高成長速度ケイ素含有膜の前駆体としての官能化シクロシラザン
US20240287671A1 (en) Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
KR101657874B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR101639490B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR101611680B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR101977522B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR101827620B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
JP6490374B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
CN118786243A (zh) 卤素官能化的环三硅氮烷作为用于沉积含硅膜的前体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20101117