CN106830708A - 具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上由内至外设有多层介质膜，介质膜采用高折射率层和低折射率层进行交叉设置；其中最内层和最外层介质膜为高折射率层；除最外层介质膜的其它高折射率层中，其中某一层高折射率层采用高折射率透明导电材料制成，具体材质为氧化铟锡、氧化锌铝或掺氟氧化锡，折射率为1.8~2.5。该玻璃集成了电磁屏蔽和半反半透功能，一方面减少了生产工序，降低了生产成本，另一方面置于内层的透明导电材料将得到更好的保护，具有可靠性更高的电磁屏蔽功能。

Description

具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃
技术领域
本发明涉及透明导电玻璃领域，具体为一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃。
背景技术
但随着电子技术的高速发展，电子设备的密集程度越来越大，电磁干扰情况也越来越突出。为确保电子设置在工作时不会受到外界电磁场的干扰，同时不对该环境中其他设备造成不允许的电磁干扰，电磁屏蔽膜及其设计也变得尤为重要。
半反半透显示在车载后视镜、智能家居等方面的应用越来越广泛。当前的半反半透显示主要是通过在显示屏外设置具有半反半透光学特性的玻璃来实现。半反半透的光学特性主要利用光的干涉原理，通过设置多层特定厚度的高、低折射率的膜系来实现。而对于电磁屏蔽的处理，往往通过设置单独的导电膜层来实现，例如直接在显示模组上沉积透明导电层ITO等。这种产品结构复杂，一方面增加新的工序和成本，另一方面导电材料往往不能得到有效保护，导致屏蔽效果衰减严重。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃，将透明导电材料置于内层，能够减少了生产工序，降低了生产成本，提高电磁屏蔽的可靠性。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上由内至外设有多层介质膜，介质膜采用高折射率层和低折射率层进行交叉设置；其中最内层和最外层介质膜为高折射率层；除最外层介质膜的其它高折射率层中，其中某一层高折射率层采用高折射率透明导电材料制成，具体材质为氧化铟锡、氧化锌铝或掺氟氧化锡，折射率为1.8～2.5。
所述最外层介质膜的高折射率层和其它非高折射率透明导电材料制成高折射率层的材质为TiO2、Nb2O5、Si3N4、Ta2O5或ZrO2，折射率为1.8～2.5，折射率为1.8～2.5。
所述低折射率层的材质为SiO2、MgF2、SiON；折射率为1.35～1.65。
所述玻璃基板上由内至外设有高折射率层、低折射率层和高折射率层；位于玻璃基板与低折射率层之间的高折射率层采用高折射率透明导电材料制成。
进一步地，所述采用高折射率透明导电材料制成的高折射率层的厚度为50-80nm，另外的高折射率层的厚度为40-70nm，低折射率层的厚度为50-80nm。
对于3层具有电磁屏蔽功能的半反半透结构表示为：基板/H1/L/H，其中H代表高折射率材料，TiO2、Nb2O5、Si3N4、Ta2O5或ZrO2，折射率为1.8～2.5，对应膜厚范围40-70nm；L代表低折射率材料，所述低折射率层的材质为SiO2、MgF2、SiON；折射率为1.35～1.65，对应膜厚为50-80nm；H1为高折射率的透明导电氧化物，具体材质为氧化铟锡、氧化锌铝或掺氟氧化锡，折射率为1.8～2.5，膜厚为50-80nm，方块电阻为40-25欧。
所述玻璃基板上由内至外设有高折射率层、低折射率层、高折射率层、低折射率层和高折射率层；除最外层高折射率层以外的其它高折射率层中，某一高折射率层采用高折射率透明导电材料制成。
进一步地，所述采用高折射率透明导电材料制成的高折射率层的厚度为20-120nm，其他的高折射率层中，靠近基板的高折射率层的厚度为25-45nm，远离基板的高折射率层的厚度为50-70nm，贴近基板的低折射率层的厚度为0-20nm，远离基板的低折射率层的厚度为80-120nm。
对于5具有电磁屏蔽功能的半反半透结构表示为：基板/H1/L/H/L/H或基板/H/L/H1/L/H，其中H代表高折射率材料，TiO2、Nb2O5、Si3N4、Ta2O5或ZrO2，折射率为1.8～2.5，贴近基板的H层膜厚范围25-45nm，远离基板的H层膜厚范围为50-70nm；L代表低折射率材料，所述低折射率层的材质为SiO2、MgF2、SiON；折射率为1.35～1.65，贴近基板的L层膜厚范围0-20nm，远离基板的L层膜厚范围为80-120nm；H1为高折射率的透明导电氧化物，具体材质为氧化铟锡、氧化锌铝或掺氟氧化锡，折射率为1.8～2.5，膜厚为20-120nm，方块电阻为100-12欧。
传统生产方案中，半反半透镜和屏蔽功能层属于两个范畴，往往采用两种工序来分别实现。半反半透镜产品采用高低折射率的绝缘介质膜层堆叠来实现；针对屏蔽层，往往采用涂布导电涂层，或者真空沉积导电金属来实现。本发明将透明导电材料作为半反半透镜膜系中的一层，从而将半反反透光学和屏蔽性能进行集成，同时透明导电材料作为低层膜不容易受到损伤和腐蚀，具有优良的信赖性。
本发明具有以下有益效果：
本发明将透明导电膜膜层作为半反半透膜系中的一层高折射率膜层，集成了电磁屏蔽和半反半透功能，一方面减少了生产工序，降低了生产成本，另一方面置于内层的透明导电材料将得到更好的保护，透明导电材料作为低层膜不容易受到损伤和腐蚀，具有优良的信赖性，具有可靠性更高的电磁屏蔽功能，并可实现半反半透的光学效果。
具体实施方式
下面结合实施例，进一步阐明本发明。这些实施例应理解为仅用于说明本发明而不是用于限制本发明的保护范围。在阅读了本发明记载的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等效变化和修饰同样落入本发明权利要求书所限定的范围。
以下的实例和对比例中，H层代表高折射率材料，具体为Nb2O5，折射率为2.5，L为低折射率材料，具体为SiO2，折射率为1.46，H1层为ITO，折射率为2.1。Nb2O5、SiO2、ITO均采用真空磁控溅射法制备，本底真空为3*10-4Pa，基板温度为330℃。Nb2O5层的沉积采用NbOx靶(X＝1.5)，工艺气体为200sccm氩气，氧气为80sccm；SiO2层的沉积采用纯硅靶，工艺气体为200sccm氩气，氧气为50sccm；ITO层的沉积采用ITO靶，工艺气体为200sccm氩气，氧气为2sccm。
对比例1：三层普通膜系半反半透结构为：基板/H/L/H，其中H代表高折射率材料，基板为透明基板玻璃，H层为Nb2O5，折射率为2.5，底层H层的膜厚为50nm，顶层H层的膜厚为50nm；L代表低折射率材料，选取SiO2，折射率1.46，膜厚为60nm。从基板空气面(非膜层面)测试反射率为45％，反射为蓝绿色，均匀色度空间(L,a,b)中L＝72，a＝-10，b＝-22。
对比例2：三层普通膜系半反半透结构为：基板/H/L/H1，其中基板为透明基板玻璃，H代表高折射率材料，H层为Nb2O5，折射率为2.5，膜厚为50nm；L代表低折射率材料，选取SiO2，折射率1.46，膜厚为78nm。H1层为ITO，折射率为2.1，膜厚为60nm，方块电阻为30欧。从基板空气面(非膜层面)测试反射率为40％，反射为蓝绿色，均匀色度空间(L,a,b)中L＝70，a＝-10，b＝-22。
对比例3：三层普通膜系半反半透结构为：H1/基板/H/L/H，其中H代表高折射率材料，本实例中选取基板为透明基板玻璃，H层为Nb2O5，折射率为2.5，底层H层的膜厚为50nm,顶层H层的膜厚为50nm；L代表低折射率材料，本实例中选取SiO2，折射率1.46，膜厚为60nm。H1层为ITO，折射率为2.1，膜厚为60nm，方块电阻为30欧。从基板空气面(非膜层面)测试反射率为48％，反射为蓝绿色，均匀色度空间(L,a,b)中L＝73，a＝-10，b＝-22。
实施例1：三层普通膜系半反半透结构为：基板/H1/L/H，其中H代表高折射率材料，本实例中选取基板为透明基板玻璃，H层为Nb2O5，折射率为2.5，顶层H层的膜厚为50nm；L代表低折射率材料，本实例中选取SiO2，折射率1.46，膜厚为80nm。H1层为ITO，折射率为2.1，膜厚为60nm，方块电阻为30欧。从基板空气面(非膜层面)测试反射率为50％，反射为蓝绿色，均匀色度空间(L,a,b)中L＝73，a＝-10，b＝-22。
对比例1-3与实施例1相比，其屏蔽效能及反射率见下表1：
表1
对比例1为常规的半反半透镜膜系，其膜层全部为绝缘介质，不具有电磁屏蔽功能。对比例2将ITO膜放在表层，对比例3将ITO层设置在基板的另外一面。对比例2和3的ITO层暴露在膜层外部，其容易受到腐蚀和破坏，无论是整个膜层的电磁屏蔽和光学反射率的耐候性也大大降低。实施例1中膜系中H1膜层为透明导电材料，且设置在膜层底部，外部有膜层波保护，其具有电磁屏蔽功能，同时具有良好的耐候性。
对比例4：五层普通膜系半反半透结构为：基板/H/L/H/L/H，其中H代表高折射率材料，本实例中选取基板为透明基板玻璃，H层为Nb2O5，折射率为2.5，底层H层的膜厚为15nm，中间层H层的膜厚为84nm，顶层H层的膜厚为50nm；L代表低折射率材料，本实例中选取SiO2，折射率1.46，底部L层的膜厚为22nm，上层L层的膜厚为88nm。从基板空气面(非膜层面)测试反射率为50％，反射色近乎无色，均匀色度空间(L,a,b)中L＝76，a＝0，b＝-1。
对比例5：五层普通膜系半反半透结构为：H1/基板/H/L/H/L/H，其中H代表高折射率材料，本实例中选取基板为透明基板玻璃，H层为Nb2O5，折射率为2.5，底层H层的膜厚为15nm，中间层H层的膜厚为84nm，顶层H层的膜厚为50nm；L代表低折射率材料，本实例中选取SiO2，折射率1.46，底部L层的膜厚为22nm，上层L层的膜厚为88nm。从基板空气面(非膜层面)测试反射率为55％；基板另外一面的H1层为ITO，折射率为2.1，膜厚为95nm，方块电阻为17欧。从基板空气面(非膜层面)测试反射率为50％，反射色近乎无色，均匀色度空间(L,a,b)中L＝76，a＝0，b＝-2。
实施例2：五层普通膜系半反半透结构为：基板/H1/L/H/L/H，其中H代表高折射率材料，本实例中选取基板为透明基板玻璃，H层为Nb2O5，折射率为2.5，底层H层的膜厚为33nm，顶层H层的膜厚为65nm；L代表低折射率材料，本实例中选取SiO2，折射率1.46，底部L层的膜厚为2nm，上层L层的膜厚为90nm。基板另外一面的H1层为ITO，折射率为2.1，膜厚为95nm，方块电阻为17欧。从基板空气面(非膜层面)测试反射率为48％，反射色近乎无色，均匀色度空间(L,a,b)中L＝75，a＝0，b＝-1。
对比例4-5与实施例2相比，其屏蔽效能及反射率见下表2：
表2
对比例4为常规的半反半透镜膜系，其膜层全部为绝缘介质，不具有电磁屏蔽功能。对比例5将导电的ITO膜设置在基板的另外一面。对比例5的ITO层暴露在膜层外部，其容易受到腐蚀和破坏，无论是整个膜层的电磁屏蔽和光学反射率的耐候性也大大降低。实施例2中膜系中H1膜层为透明导电材料，且设置在膜层底部，外部有膜层波保护，其具有电磁屏蔽功能，同时具有良好的耐候性。
另外，高折射率透明导电材料制成的高折射率层还可选用氧化锌铝或掺氟氧化锡，折射率为1.8～2.5；其他高折射率材料还可选用TiO2、Si3N4、Ta2O5或ZrO2，折射率为1.8～2.5；低折射率层的还可选用MgF2或SiON；折射率为1.35～1.65。

Claims (7)

1.一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃，其特征在于：包括玻璃基板，玻璃基板上由内至外设有多层介质膜，介质膜采用高折射率层和低折射率层进行交叉设置；其中最内层和最外层介质膜为高折射率层；除最外层介质膜的其它高折射率层中，其中某一层高折射率层采用高折射率透明导电材料制成，具体材质为氧化铟锡、氧化锌铝或掺氟氧化锡，折射率为1.8~2.5。
2.根据权利要求1所述的玻璃，其特征在于：所述最外层介质膜的高折射率层和其它非高折射率透明导电材料制成高折射率层的材质为TiO2、Nb2O5、Si3N4、Ta2O5或ZrO2，折射率为1.8~2.5。
3.根据权利要求1所述的玻璃，其特征在于：所述低折射率层的材质为SiO2、MgF2、SiON；折射率为1.35~1.65。
4.根据权利要求1所述的玻璃，其特征在于：所述玻璃基板上由内至外设有高折射率层、低折射率层和高折射率层；位于玻璃基板与低折射率层之间的高折射率层采用高折射率透明导电材料制成。
5.根据权利要求4所述的玻璃，其特征在于：所述采用高折射率透明导电材料制成的高折射率层的厚度为50-80nm，另外的高折射率层的厚度为40-70nm，低折射率层的厚度为50-80nm。
6.根据权利要求1所述的玻璃，其特征在于：所述玻璃基板上由内至外设有高折射率层、低折射率层、高折射率层、低折射率层和高折射率层；除最外层高折射率层以外的其它高折射率层中，某一高折射率层采用高折射率透明导电材料制成。
7.根据权利要求6所述的玻璃，其特征在于：所述采用高折射率透明导电材料制成的高折射率层的厚度为20-120nm，其他的高折射率层中，靠近基板的高折射率层的厚度为25-45nm，远离基板的高折射率层的厚度为50-70nm，贴近基板的低折射率层的厚度为0-20nm，远离基板的低折射率层的厚度为80-120nm。
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