CN107123700A - 一种中空聚酰亚胺纤维太阳能微电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种中空聚酰亚胺纤维太阳能微电池及其制造方法，按以下工艺步骤进行：中空聚酰亚胺纤维清洗→中空聚酰亚胺纤维表面镀铝膜层→在镀铝膜层上制备第一PIN膜层→在第一PIN膜层上制备第二PIN膜层→在第二PIN膜层上制备TCO或ITO透明导电膜层。具有可挠性强、可纺性强、光电转移效果高的优点。

Description

一种中空聚酰亚胺纤维太阳能微电池及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种中空聚酰亚胺纤维太阳能微电池及其制造方法。
背景技术
太阳能以其环保、取之不尽等优点受到了人们青睐；随着技术不断创新，太阳能已在不少领域得到应用。然而，现有太阳能电池体积大、不可挠等特点制约其在一些行业领域的发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可挠性强、可纺性强、光电转移效果高的中空聚酰亚胺纤维太阳能微电池及其制造方法。
本发明目的的实现，采用六室连续VHF-PECVD即六室连续超高频率等离子体辅助化学气相沉积技术，在中空聚酰亚胺纤维表面生成双层PIN膜层结构，提高其光电转移效果。
本发明，按以下工艺步骤进行：中空聚酰亚胺纤维清洗→中空聚酰亚胺纤维表面镀铝膜层→在镀铝膜层上制备第一PIN膜层→在第一PIN膜层上制备第二PIN膜层→在第二PIN膜层上制备TCO或ITO透明导电膜层；
所述中空聚酰亚胺纤维清洗利用超声波清洗并干燥处理；
所述中空聚酰亚胺纤维表面镀铝膜层采用测控溅射技术，在中空聚酰亚胺纤维外表面镀一层铝膜层而作为负电极，铝膜层厚度为300~400nm，镀膜温度为200~300℃；
所述第一PIN膜层的制备是采用六室连续VHF~PECVD镀膜设备，先在镀铝膜层上制备N型非晶硅薄膜，电源激发频率为13.56MHz，薄膜厚度为50~100nm；再制备I型非晶硅薄膜，电源激发频率为60MHz，薄膜厚度为300~400nm；然后，制备P型非晶硅薄膜，电源激发频率为60MHz，薄膜厚度为50~100nm，完成第一PIN膜层的制备；
所述第二PIN膜层的制备是采用六室连续VHF~PECVD镀膜设备，先在第一PIN膜层的P型非晶硅薄膜上制备N型非晶硅薄膜，电源激发频率为13.56MHz，薄膜厚度为50~100nm；再制备I型非晶硅薄膜，电源激发频率为60MHz，薄膜厚度为300~400nm；然后，制备P型非晶硅薄膜，电源激发频率为60MHz，薄膜厚度为50~100nm，完成第二PIN膜层的制备；
所述TCO或ITO透明导电膜层的制备是采用磁控溅射镀膜技术，在第二PIN膜层的P型非晶硅薄膜上制备TCO或ITO透明导电薄膜并引出正电极。
本发明，具有以下积极效果：
1）、聚酰亚胺纤维具有良好的可纺性，可以制成各类特殊场合使用的纺织品。由于具有耐高低温特性、阻燃性，不熔滴，离火自熄以及极佳的隔温性，聚酰亚胺纤维隔热防护服穿着舒适，皮肤适应性好，永久阻燃，而且尺寸稳定、安全性好、使用寿命长，和其他纤维相比，由于材料本身的导热系数低，也是绝佳的隔温材料，是防护服装的理想纤维材料；本发明采用中空聚酰亚胺纤维更好地强化其可挠性、可纺性，根据需要，可制造出不同形状、大小的太阳能微电池；
2）、采用六室连续VHF-PECVD即六室连续超高频率等离子体辅助化学气相沉积技术，在中空聚酰亚胺纤维表面生成双层PIN膜层结构，提高其光电转移效果。
本发明，具有可挠性强、可纺性强、光电转移效果高的优点，利用中空聚酰亚胺纤维的可编织性，根据需要制造不同形状、不同容量太阳能电池，可以应用到窗帘、广告牌、装饰品、玩具等领域。
附图说明
图1是本发明的一个实施例的结构示意图。
图中，1、中空聚酰亚胺纤维；2、镀铝膜层；3、第一PIN膜层；4、第二PIN膜层；5、TCO或ITO透明导电膜层。
具体实施方式
参照图1，一种中空聚酰亚胺纤维太阳能微电池的制造方法，按以下工艺步骤进行：中空聚酰亚胺纤维清洗→中空聚酰亚胺纤维表面镀铝膜层→在镀铝膜层上制备第一PIN膜层→在第一PIN膜层上制备第二PIN膜层→在第二PIN膜层上制备TCO或ITO透明导电膜层；
所述中空聚酰亚胺纤维清洗利用超声波清洗并干燥处理；
所述中空聚酰亚胺纤维表面镀铝膜层采用测控溅射技术，在中空聚酰亚胺纤维1的外表面镀一层铝膜层2而作为负电极，铝膜层厚度为300~400nm，镀膜温度为200~300℃；
所述第一PIN膜层的制备是采用六室连续VHF~PECVD镀膜设备，先在镀铝膜层上制备N型非晶硅薄膜，电源激发频率为13.56MHz，薄膜厚度为50~100nm；再制备I型非晶硅薄膜，电源激发频率为60MHz，薄膜厚度为300~400nm；然后，制备P型非晶硅薄膜，电源激发频率为60MHz，薄膜厚度为50~100nm，完成第一PIN膜层3的制备；
所述第二PIN膜层的制备是采用六室连续VHF~PECVD镀膜设备，先在第一PIN膜层的P型非晶硅薄膜上制备N型非晶硅薄膜，电源激发频率为13.56MHz，薄膜厚度为50~100nm；再制备I型非晶硅薄膜，电源激发频率为60MHz，薄膜厚度为300~400nm；然后，制备P型非晶硅薄膜，电源激发频率为60MHz，薄膜厚度为50~100nm，完成第二PIN膜层4的制备；
所述TCO或ITO透明导电膜层的制备是采用磁控溅射镀膜技术，在第二PIN膜层的P型非晶硅薄膜上制备TCO或ITO透明导电薄膜5并引出正电极。
本发明，按上述方法制造单元纤维太阳能微电池，再把所有单元纤维太阳能微电池并联或/和串联连接起来而形成太阳能微电池。

Claims (2)

1.一种中空聚酰亚胺纤维太阳能微电池的制造方法，按以下工艺步骤进行：中空聚酰亚胺纤维清洗→中空聚酰亚胺纤维表面镀铝膜层→在镀铝膜层上制备第一PIN膜层→在第一PIN膜层上制备第二PIN膜层→在第二PIN膜层上制备TCO或ITO透明导电膜层；
所述中空聚酰亚胺纤维清洗利用超声波清洗并干燥处理；
所述中空聚酰亚胺纤维表面镀铝膜层采用测控溅射技术，在中空聚酰亚胺纤维外表面镀一层铝膜层而作为负电极，铝膜层厚度为300~400nm，镀膜温度为200~300℃；
所述第一PIN膜层的制备是采用六室连续VHF~PECVD镀膜设备，先在镀铝膜层上制备N型非晶硅薄膜，电源激发频率为13.56MHz，薄膜厚度为50~100nm；再制备I型非晶硅薄膜，电源激发频率为60MHz，薄膜厚度为300~400nm；然后，制备P型非晶硅薄膜，电源激发频率为60MHz，薄膜厚度为50~100nm，完成第一PIN膜层的制备；
所述第二PIN膜层的制备是采用六室连续VHF~PECVD镀膜设备，先在第一PIN膜层的P型非晶硅薄膜上制备N型非晶硅薄膜，电源激发频率为13.56MHz，薄膜厚度为50~100nm；再制备I型非晶硅薄膜，电源激发频率为60MHz，薄膜厚度为300~400nm；然后，制备P型非晶硅薄膜，电源激发频率为60MHz，薄膜厚度为50~100nm，完成第二PIN膜层的制备；
所述TCO或ITO透明导电膜层的制备是采用磁控溅射镀膜技术，在第二PIN膜层的P型非晶硅薄膜上制备TCO或ITO透明导电薄膜并引出正电极。
2.一种中空聚酰亚胺纤维太阳能微电池，其特征在于由权利要求1方法所制造。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101517740A (zh) * 2006-03-18 2009-08-26 索林塔有限公司 非平面太阳能电池的单片集成电路

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19909417A1 (de) * 1999-03-04 2000-11-16 Manfred Baumgaertner Aus Fasern aufgebauter Sonnenkollektor
US6706963B2 (en) * 2002-01-25 2004-03-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell interconnection
CN101431128B (zh) * 2008-12-02 2010-06-09 华中科技大学 一种非晶硅叠层太阳能电池制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101517740A (zh) * 2006-03-18 2009-08-26 索林塔有限公司 非平面太阳能电池的单片集成电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘荣厚: "《新能源工程》", 31 October 2006, 中国农业出版社 *

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