CN110915136A - 接合基板、声表面波元件、声表面波元件器件及接合基板的制造方法 - Google Patents

接合基板、声表面波元件、声表面波元件器件及接合基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110915136A
CN110915136A CN201880039684.2A CN201880039684A CN110915136A CN 110915136 A CN110915136 A CN 110915136A CN 201880039684 A CN201880039684 A CN 201880039684A CN 110915136 A CN110915136 A CN 110915136A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
bonding
bonded
crystal
piezoelectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880039684.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110915136B (zh
Inventor
栗本浩平
岸田和人
茅野林造
水野润
垣尾省司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Steel Works Ltd
Original Assignee
Japan Steel Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Steel Works Ltd filed Critical Japan Steel Works Ltd
Publication of CN110915136A publication Critical patent/CN110915136A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110915136B publication Critical patent/CN110915136B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02551—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of quartz substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
    • H10N30/706—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
    • H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
    • H10P90/1906—Preparing SOI wafers
    • H10P90/1914—Preparing SOI wafers using bonding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

本发明的接合基板具有水晶基板、以及接合在所述水晶基板上、供声表面波传播的压电基板，在接合界面处通过共价耦合来进行接合，所述水晶基板的方位与所述压电基板的方位在接合面方向上正交的方向侧或65度～115度的范围内相交叉。

Description

接合基板、声表面波元件、声表面波元件器件及接合基板的制 造方法
技术领域
本发明涉及利用了声表面波的接合基板、声表面波元件、声表面波元件器件及接合基板的制造方法。
背景技术
随着移动电话等移动体通信设备的发展，对于声表面波(Surface AcousticWave：SAW)设备也要求高性能化。特别地，为了高频化、宽频带化，要求高速、高耦合的SAW模式以及防止通频带因温度变化而移动的具有优异的温度特性的SAW基板。
此外，漏声表面波(Leaky SAW：也被称为LSAW等)、纵向型漏声表面波(Longitudinal-type Leaky SAW：也被称为LLSAW等)具有优异的相位速度，是有利于SAW设备的高频化的传播模式之一。然而，存在具有较大的衰减传播的问题。
例如，专利文献1中提出了如下技术方案：在铌酸锂基板表面附近形成质子交换层之后，仅在表层形成反质子交换层，由此来减少因LLSAW的体波辐射而引起的损耗。
作为降低LLSAW的损耗的方法，在非专利文献1、非专利文献2中也尝试了对基板方位、电极膜厚进行最优化。
此外，关于温度特性，例如，当前常用的钽酸锂的频率变化的温度系数为-35ppm/℃，铌酸锂为-79ppm/℃，频率变动较大。因此，需要减小频率变化的温度系数。
另一方面，ST-Cut水晶的温度系数为0ppm/℃，表现出优异的特性，但在传播速度、机电耦合系数方面远不如钽酸锂、铌酸锂。
专利文献2中，记载了利用有机薄膜层对SAW传播基板和支承基板进行粘接的设备。传播基板例如是厚度30μm的钽酸锂基板，利用厚度15μm的有机粘接剂将其与厚度300μm的玻璃基板相贴合。
专利文献3中也记载了利用粘接剂使钽酸锂基板(厚度：125μm)和石英玻璃基板(厚度：125μm)相贴合的SAW设备。
专利文献4中报告了如下情况：关于钽酸锂基板与支承基板的粘接，通过使有机粘接层薄层化来改善温度特性。
然而，虽然专利文献1中确认了因LLSAW的体波辐射而引起的损耗减少、从而传播特性等大大提高的情况，但在所提出的构造中存在设备的成品率极差的问题。
专利文献2、3中也均未记载温度特性得以改善的具体数据。
专利文献4中，通过使有机粘接层薄层化来改善温度特性，但15ppm/℃ST-Cut水晶仍未达到0ppm/℃，此外，由于用粘接剂进行接合，因此存在成品率差等问题。
本申请的发明人在非专利文献3～5中明确了如下情况：在水晶基板与压电基板的接合中传播衰减将降低。
例如，非专利文献3中，对于声表面波(SAW)设备，在ST切割水晶与LiTaO3(LT)的直接接合中使用非晶质SiO2(α-SiO2)中间层来进行接合。
非专利文献4中，提出了将X切割31°Y传播的钽酸锂和X切割36°Y传播的铌酸锂与AT切割水晶相接合来提高机电耦合系数的LLSAW。
非专利文献5中，力图通过LiTaO3或LiNbO3薄板与水晶基板之间的接合来实现纵向型漏声表面波的高耦合化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2013－30829号公报
专利文献2：日本专利特开2001－53579号公报
专利文献3：日本专利特开2006－42008号公报
专利文献4：日本专利特开2011－87079号公报
非专利文献
非专利文献1：“GHz-band surface acoustic wave devices using the secondleaky mode(使用第二泄漏模式的GHz频段声表面波设备)”，Appl.Phis.,vol.36,no9B,pp.6083-6087,1997.
非专利文献2：“LiNbO3的纵向波型漏声表面波的谐振器特性-基于有限要素分析结合法的分析”信学会基础·边界社会大会(“LiNbO3の縦波型漏洩弾性表面波の共振器特性－有限要素解析結合法による解析”信学会基礎·境界ソサイエティ大会)，A-195,p.196,1996.
非专利文献3：“2016International Conference on Electronics Packaging(ICEP)(国际电子封装大会)”、发行方The Japan Institute of Electronics Packaging(日本电子封装研究所)、发行日平成28年4月20日
非专利文献4：“平成27年山梨大学工学部电气电子工学系毕业论文发表会摘要”、发行方山梨大学工学部电气电子工学系、发行日平成28年2月16日
非专利文献5：“平成27年山梨大学工学部电气电子工学系毕业论文发表会”、举办日平成28年2月16日
发明内容
发明所要解决的技术问题
上述非专利文献3～5中，明确了机电耦合系数得到改善的情况。然而，声表面波元件需要优异的频率温度特性，若无法得到良好的频率温度特性，则需要通过设置温度补偿元件等来降低温度依赖性。非专利文献3～5所提出的LLSAW中，虽然能看到机电耦合系数的改善，但对于频率温度特性的改善并不充分。
此外，LLSAW、LSAW中，通常将水晶基板与压电基板的方位统一为相同方向并进行接合来得到机械性接合强度。若该方向并非相同方向而是交叉方向，则考虑有如下情况：若在接合后实施所进行的热处理，则水晶基板的热膨胀系数为正、压电基板的热膨胀系数为负，因此热膨胀差进一步变大，由此容易产生两基板间的剥离等。
作为深入研究的结果，本申请的发明人发现了如下情况：使水晶基板与压电基板的方位交叉在恰当的方向上来提高频率温度特性，并且在机电耦合系数上也能得到良好的特性。此外，还一并发现了如下情况：相对厚度较薄的压电基板中，在与水晶基板的接合面处为共价耦合，因此在机械性接合强度上没有问题，也不产生剥离等问题。
本申请发明是以上述情况为背景而完成的，其目的之一在于提供一种接合基板、声表面波元件、声表面波元件器件及接合基板的制造方法，在机电耦合系数、频率温度特性中均具有良好的特性。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明的第1方式的接合基板的特征在于，具有水晶基板、以及接合在所述水晶基板上、供声表面波传播的压电基板，在接合界面处通过共价耦合来进行接合，
所述水晶基板的方位与所述压电基板的方位在接合面方向上正交的方向侧相交叉。
本发明的另一方式的接合基板的特征在于，在所述方式的接合基板的发明中，具有水晶基板、以及接合在所述水晶基板上、供声表面波传播的压电基板，在接合界面处通过共价耦合来进行接合，所述水晶基板的方位与所述压电基板的方位在接合面方向上65度～115度的范围内相交叉。
本发明的另一方式的接合基板的特征在于，在所述方式的接合基板的发明中，所述压电基板用于对漏声表面波进行激励。
本发明的另一方式的接合基板的特征在于，在所述方式的接合基板的发明中，在所述水晶基板与压电基板之间具有非晶质层，所述非晶质层的界面为所述接合界面。
本发明的另一方式的接合基板的特征在于，在所述方式的接合基板的发明中，所述非晶质层具有100nm以下的厚度。
本发明的另一方式的接合基板的特征在于，在所述方式的接合基板的发明中，所述非晶质层由二氧化硅或氧化铝构成。
本发明的另一方式的接合基板的特征在于，在所述方式的接合基板的发明中，所述压电基板的厚度相对于声表面波的波长与0.05～1.0波长相当。
本发明的另一方式的接合基板的特征在于，在所述方式的接合基板的发明中，所述水晶基板的厚度为150～500μm。
本发明的另一方式的接合基板的特征在于，在所述方式的接合基板的发明中，所述水晶基板为AT切割水晶基板或ST切割水晶基板。
本发明的另一方式的接合基板的特征在于，在所述方式的接合基板的发明中，所述压电基板由钽酸锂或铌酸锂构成。
本发明的另一方式的接合基板的特征在于，在所述方式的接合基板的发明中，所述压电基板的厚度为0.1～100μm。
本发明的另一方式的接合基板的特征在于，在所述方式的接合基板的发明中，频率温度特性(TCF)为-20～+5ppm/℃，耦合系数(K2)为5％以上。
本发明的声表面波元件中的第1方式的特征在于，在所述方式的接合基板的压电基板的主面上，至少具备1个梳型电极。
本发明的声表面波元件器件中的第1方式的特征在于，所述方式的声表面波元件被密封在封装中。
本发明的接合基板的制造方法中的第1方式是接合有水晶基板与压电基板的接合基板的制造方法，其特征在于，
在减压下对水晶基板的接合面和压电基板的接合面照射紫外线，在所述水晶基板与所述压电基板在接合面方向上彼此的方位正交的方向侧相交叉的状态下，在照射后，使水晶基板的接合面与压电基板的接合面接触，并在厚度方向上对水晶基板和压电基板进行加压来使所述接合面彼此接合。
本发明的另一方式的接合基板的制造方法的特征在于，在所述方式的接合基板的制造方法的发明中，在所述加压时，加热到规定的温度。
本发明的另一方式的接合基板的制造方法的特征在于，在所述方式的接合基板的制造方法的发明中，所述水晶基板通过水热合成法使结晶生长，并在任意方向上进行切割而得。
本发明的另一方式的接合基板的制造方法的特征在于，在所述方式的接合基板的制造方法的发明中，使非晶质层介于所述水晶基板与压电基板的接合面的一方或双方。
本发明的另一方式的接合基板的制造方法的特征在于，在所述方式的接合基板的制造方法的发明中，通过薄膜形成方法来使所述非晶质层附着。
发明效果
即，根据本发明，具有如下效果：可得到在频率温度特性和机电耦合系数中具有优异特性的声表面波元件。
附图说明
图1是示出本发明一个实施方式的接合基板的接合状态的示意图。
图2是同样地示出接合基板和声表面波元件的示意图。
图3是示出其它实施方式中的接合基板和声表面波元件的示意图。
图4是示出在本发明一个实施方式中的接合基板的制造中使用的接合处理装置的示意图。
图5是同样地对水晶基板与压电基板的接合方式进行说明的图。
图6是同样地示出声表面波元件器件的示意图。
图7是同样地示出相对于LN/AT90°X-Quartz的LSAW中的压电基板厚度的相位速度、传播衰减、TCF与K2的关系的曲线图。
图8是同样地示出相对于T/AT90°-Quartz的LSAW中的压电基板厚度的相位速度、传播衰减、TCF与K2的关系的曲线图。
图9是同样地示出36°YX-LT/AT90°X-Quartz的LSAW的粒子位移分布的曲线图。
图10是同样地示出基于FEM分析的36°YX-LT/AT90°-Quartz上的LSAW谐振特性(无限周期构造)的曲线图。
图11是同样地示出交叉角度与相位速度的关系的图。
图12是同样地示出交叉角度与相位速度的关系、以及交叉角度与机电耦合系数的关系的图。
图13是同样地示出交叉角度与TCF的关系、以及交叉角度与机电耦合系数的关系的图。
图14是同样地示出压电基板的厚度与TCF和机电耦合系数的关系的图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明一个实施方式的接合基板及声表面波元件进行说明。
接合基板5经由接合界面4通过共价耦合将水晶基板2和压电基板3相接合。
水晶基板2优选具有150～500μm的厚度，压电基板3优选相对于声表面波的波长具有相当于0.05～1.0波长的厚度。另外，作为本发明，压电基板的厚度更优选为相对于声表面波的波长为0.05～0.8波长，此外，进一步优选为0.05～0.25波长。
水晶基板2例如可以使用通过水热合成法来使结晶生长并在任意方向上进行切割而得的基板。压电基板3可以使用合适的材料，例如，可以由钽酸锂、铌酸锂构成。特别地，可以使用面方位为36°Y切割、X传播的钽酸锂、或41°Y切割、X传播的铌酸锂。
其中，如图1所示，在接合时，将水晶基板2的方位2D与压电基板3的方位3D设为在面方向上直角方向侧交叉的状态来进行接合。在直角方向侧交叉意味着两者的交叉角具有超过45度的角度。优选为65度～115度。由于具有该交叉角度，因此在接合有两者后得到的接合基板中具有优异的频率温度特性和机电耦合系数。若偏离上述角度范围，则在上述两个特性上无法得到满意的结果。具有上述交叉角的接合基板中，在TCF上得到-20～+5ppm/℃，在机电耦合系数K2上得到5％以上的特性。
如图2所示，对接合基板5设置梳型电极10来得到声表面波元件1。另外，本发明中，方位表示面方位。本实施方式中，方位在LT中表示36°Y切割面的X方向，在LN中表示41°Y切割面的X方向，在水晶基板中表示AT或ST切割面的X方向。
此外，如图3所示，可以设为使非晶质层6介于水晶基板2与压电基板3之间而得到的声表面波元件1A。另外，对于与上述实施方式相同的结构标注相同的标号并省略说明。在本实施方式中，也将水晶基板2的方位与压电基板3的方位设为在面方向上直角方向侧交叉的状态，来将水晶基板2与压电基板3进行接合。
本实施方式中，在介入了非晶质层6的情况下，在非晶质层6与水晶基板2之间存在接合界面，在非晶质层6的另一面侧，在非晶质层6与压电基板3之间存在接合界面。作为本发明，非晶质层6的材质并没有特别限定，可以使用SiO2、Al2O3等。此外，优选非晶质层的厚度设为100nm以下。
另外，在非晶质层6的形成中，以在水晶基板2或压电基板3的表面形成薄膜的方式来形成非晶质层6。此外，可以在水晶基板2表面与压电基板3表面这双方形成非晶质层。
非晶质层可以通过已知的方法来形成，可以利用化学蒸镀、溅射法等物理蒸镀。
接着，参照图4对接合基板与声表面波元件的制造进行说明。
准备规定材料的水晶基板与压电元件。另外，在对接合面形成非晶质层的情况下，对于作为形成对象的水晶基板与压电元件中的一方或双方，在接合面侧进行成膜处理。作为成膜处理的方法，并没有特别限定，可以使用真空蒸镀法、溅射法等薄膜形成技术。例如，可以通过电子回旋共振(Electron Cyclotron Resonance)等离子成膜来对接合面形成100nm以下的非晶质层。该非晶质膜能将膜密度形成得非常高，因此接合表面的活性化程度大，产生更多的OH基。
将所准备的水晶基板2与压电基板3设置在密封构造的处理装置20内。图中，仅记载了水晶基板2。
处理装置20中连接有真空泵21，并在处理装置20内例如减压至10Pa以下。在处理装置20内导入放电气体，在处理装置20内通过放电装置22进行放电来产生紫外线。放电可以使用施加高频电压的方法等来进行。
水晶基板2与压电基板3以能够照射紫外线的状态进行设置，对接合面照射紫外线来实现活性化。另外，在水晶基板2与压电基板3中的一方或双方形成有非晶质层的情况下，将非晶质层的表面作为接合面来进行紫外线照射。
对于进行了紫外线照射的水晶基板2与压电基板3，将水晶基板2的方位与压电基板3的方位设为在面方向上直角方向侧交叉的状态来使接合面接触，加热至常温或200℃以内的温度，并在两者间施加压力来进行接合。作为压力，可以施加10Pa，处理时间可以设为5分钟～4小时左右。其中，作为本发明，压力、处理时间并没有特别限定。
通过上述处理，水晶基板2与压电基板3在接合界面处通过共价耦合可靠地耦合，并在彼此的方位在直角方向侧交叉的状态下被接合。
图5示出水晶基板2与压电基板3中的接合面的状态。
A图示出了通过紫外线照射使接合面活性化从而在表面形成有OH基的状态。B图示出了使基板彼此接触、并进行加温、升压来进行接合的状态。在接合时，OH基起作用，基板彼此进行共价耦合。多余的H2O在加热时被排除到外部。
通过上述工序得到接合基板。对于接合基板，如图1所示，在压电基板3的主面上形成图案以形成梳型电极10。梳型电极10的形成方法并没有特别限定，可以使用适当的方法。此外，梳型电极10的形状也可以采用合适的形状。通过上述工序得到声表面波元件1。设声表面波的传播方向沿着压电基板3的方位。
声表面波元件1如图6所示，设置在封装31内，与未图示的电极相连接，并由盖32密封，从而能作为声表面波器件30来提供。
[实施例1]
以下，对本发明的实施例进行说明。
基于上述实施方式得到接合基板，在压电基板的主面上设置SAW谐振器，以使得LSAW的传播方向为X方向。
本示例中，作为压电基板，使用了面方位36°Y切割X传播钽酸锂及41°Y切割X传播铌酸锂。此外，水晶基板使用对通过水热合成法培育结晶而得的基板以厚度250μm、且在AT-Cut方向或ST-Cut方向进行切割而得的基板。
对于接合的样本，通过研磨使钽酸锂侧变薄。
对于所得到的接合基板，通过拉伸实验(垂直于晶圆面进行拉伸)的方法来进行接合强度的测定。其结果是，明确了得到5MPa以上(按单位面积换算)的接合强度，并且得到了产生体破坏的优异接合强度。
在对水晶基板与压电基板进行了接合后，对于使压电基板变薄而得到的测试材料，计算了LSAW的相位速度、机电耦合系数、频率温度特性。另外，在计算时，使用了日本学术促进会声表面波技术第150委员会所编的“弹性波器件技术”中所记载的Kushibiki等人的水晶常数(p.83)、Kushibiki等人的铌酸锂(以下设为LN)常数、钽酸锂(以下设为LT)常数(p.377)。
具备传播衰减的LSAW的分析基于Yamanouchi等人的方法，针对层构造的分析使用了Farnell与Adler的方法。上述分析中，通过在边界条件下对弹性波动方程式与电荷保存式进行数值求解，从而分析在层构造上传播的LSAW的相位速度和传播衰减。
求出自由表面(Free)的相位速度vf、与使薄板的表面电短路的情况下(金属化：Metallized)的相位速度vm，并利用k2＝2×(vf-vm)/vf来求出k2。此外，假设传播方向的线膨胀系数为水晶支承基板的线膨胀系数，并计算出短路表面的频率温度系数(TemperatureCoefficient of Frequency：TCF)。
由于水晶具有较大的各向异性，因此考虑为接合时的传播特性较为依赖于水晶的传播方向。计算出LSAW相对于来自AT-切割水晶上的X轴的传播角的相位速度，其结果是，可知在LSAW中，在0°X传播及90°X传播中最为高速。在上述传播方位中，与LN/LT单体具有最大的相位速度差，因此可以期待粒子位移的集中效果。
图7和图8分别示出了通过上述分析而得到的、将41°YX-LN薄板和36°YX-LT薄板与AT切割90°X-水晶(90度的交叉角度，之后相同)相接合的情况下的LSAW的(a)相位速度、(b)传播衰减、(c)TCF和K2的计算值。横轴是用波长λ进行规范化的LN、LT薄板的板厚h/λ。可知不论在哪种情况下，随着板厚的增加，均从水晶单体的相位速度逐渐接近LN/LT单体的相位速度。若关注K2计算值，则不论在哪种情况下，均存在可得到比单体的值要大的K2的板厚。本申请发明中，作为板厚的优选范围，设为相对于声表面波的波长具有相当于0.05～1.0波长的厚度，在该范围中，示出了比LT、LN单体的TCF更为良好的值。此外，K2相对于LN单体，h/λ超过了0.08以上，相对于LT单体，h/λ超过了0.04以上，若将此考虑在内，则更优选为将板厚h/λ设为0.05～0.8。
在41°YX-LN薄板的情况下，板厚h/λ为0.19时示出单体的1.5倍(23.9％)的K2，该板厚的传播衰减为0.002dB/λ以下，短路表面的TCF计算为-55ppm/℃。另一方面，在36°YX-LT薄板的情况下，当板厚h/λ为0.17时，同时示出了零TCF和11.9％的K2(单体的2.3倍)。可知该板厚的传播衰减为0.0002dB/λ以下，可得到高稳定性、高耦合性、低损耗的基板构造。
为了探讨上述那样的高耦合化的原因，计算了相对于LSAW的深度方向的粒子位移分布。计算中使用了上述分析。关于36°YX-LT/AT90°X-Quartz上的LSAW，在图9中示出短路表面上的SH分量(u2)的位移分布。位移通过表面的值来规范化。可知如下情况：与LT单体相比，接合构造的位移分布集中在表面附近；规范化板厚越薄，则集中效果越高。
接着，使用有限要素法(Finite Element Method：FEM)，对形成在LT/水晶接合构造上的IDT型谐振器(λ＝8.0μm，交叉宽度＝25λ)的LSAW的谐振特性进行分析。作为分析软件，使用了Femtet(村田软件株式会社制造)。作为分析模型，假设支承基板的板厚为10λ，在相当于1周期的IDT的两侧假设周期边界条件(无限周期构造)，并在底面假设完全匹配层。
图10中，示出36°YX-LT/AT90°X-Quartz构造上的LSAW的分析例。LT板厚为0.15λ，电极Al膜厚为0.09λ。接合构造中，得到126dB的导纳比，与LT单体的72dB相比显著提高。谐振Q从LT单体的1350增加一位到12050。带宽比也从LT单体的4.4％增加到5.7％。
接着，利用段落0047中所记载的上述分析来求出因41°YX-LN或36°YX-LT与AT切割水晶基板的方位的偏移而引起的相位速度的变化，并在图11中示出。
由图11可明确：相位速度在AT切割水晶基板与LN或LT的交叉角度为0度和90度时为最大，且相位速度随着偏离该角度而变小。
接着，在h/λ为0.15的36°YX-LT与ST切割水晶基板的接合基板中，利用上述分析来计算使接合处的方位角度差变化的情况下的相位速度与机电耦合系数的变化，并在图12中示出。分别在方位交叉角度为0度或90度时示出了最大的数值，但为了得到5％以上的机电耦合系数K2，可知优选30度以内或65度～115度的交叉角度。另外，5％的机电耦合系数是由LT单体得到的K2，作为使压电基板与水晶复合的优点，机电耦合系数为5％以上。
接着，对于以交叉角度0度、以及交叉角度90度使36°YX-LT与AT切割水晶基板接合的情况，利用上述分析来计算TCF和机电耦合系数，并在图13中示出其结果。
由图13的右图可明确：在交叉角度为0度、90度的接合基板中，在适当的厚度下均具有高机电耦合系数。对于压电基板的厚度h/λ，作为TCF超过0°的范围，可举出0.05～0.25。
另一方面，关于TCF，在交叉角度为90度的接合基板中，通过适当地确定厚度，从而可得到TCF为0ppm/℃的结果，但在交叉角度为0度时，即使在TCF为最小的情况下也为-10ppm/℃左右，频率温度特性明显不及交叉角度90度的情况。因此，为了在TCF、机电耦合系数这两方面得到优异的特性，水晶基板与压电基板需要在接合面方向上正交的方向侧相交叉。
在交叉角度为90度的结合基板中，将TCF与机电耦合系数一起显示在图14中。由该图可知，为了得到更为良好的TCF和机电耦合系数，优选恰当地确定压电基板的h/λ。在该图的情况下，将h/λ设为0.05～1.0的范围，由此可在频率温度特性、耦合特性这两方面得到更为优选的结果。
以上，基于上述实施方式和实施例对本发明进行了说明，但本发明的范围不限于上述所说明的内容，只要不脱离本发明的范围，就可以对上述实施方式和实施例进行适当的变更。
工业上的实用性
本发明能用于SAW谐振器、SAW滤波器、高性能压电传感器、BAW器件等。
标号说明
1 声表面波元件
1A 声表面波元件
2 水晶基板
2D 水晶基板方位
3 压电基板
3D 压电基板方位
4 接合界面
5 接合基板
10 梳型电极
20 处理装置
30 声表面波器件

Claims (19)

1.一种接合基板，其特征在于，
具有水晶基板、以及接合在所述水晶基板上、供声表面波传播的压电基板，在接合界面处通过共价耦合来进行接合，
所述水晶基板的方位与所述压电基板的方位在接合面方向上正交的方向侧相交叉。
2.一种接合基板，其特征在于，
具有水晶基板、以及接合在所述水晶基板上、供声表面波传播的压电基板，在接合界面处通过共价耦合来进行接合，
所述水晶基板的方位与所述压电基板的方位在接合面方向上65度～115度的范围内相交叉。
3.如权利要求1或2所述的接合基板，其特征在于，
所述压电基板用于对漏声表面波进行激励。
4.如权利要求1至3的任一项所述的接合基板，其特征在于，
在所述水晶基板与压电基板之间具有非晶质层，所述非晶质层的界面为所述接合界面。
5.如权利要求4所述的接合基板，其特征在于，
所述非晶质层具有100nm以下的厚度。
6.如权利要求4或5所述的接合基板，其特征在于，
所述非晶质层由二氧化硅或氧化铝构成。
7.如权利要求1至6的任一项所述的接合基板，其特征在于，
所述压电基板的厚度相对于声表面波的波长与0.05～1.0波长相当。
8.如权利要求1至7的任一项所述的接合基板，其特征在于，
所述水晶基板的厚度为150～500μm。
9.如权利要求1至8的任一项所述的接合基板，其特征在于，
所述水晶基板为AT切割水晶基板或ST切割水晶基板。
10.如权利要求1至7的任一项所述的接合基板，其特征在于，
所述压电基板由钽酸锂或铌酸锂构成。
11.如权利要求10所述的接合基板，其特征在于，
所述压电基板的厚度为0.1～100μm。
12.如权利要求1至11的任一项所述的接合基板，其特征在于，
频率温度特性TCF为-20～+5ppm/℃，耦合系数K2为5％以上。
13.一种声表面波元件，其特征在于，
在权利要求1～12的任一项所述的接合基板的压电基板的主面上，至少具备1个梳型电极。
14.一种声表面波元件器件，其特征在于，
权利要求13所述的声表面波元件被密封在封装中。
15.一种接合基板的制造方法，该接合基板接合有水晶基板与压电基板，该接合基板的制造方法的特征在于，
在减压下对水晶基板的接合面和压电基板的接合面照射紫外线，在所述水晶基板与所述压电基板在接合面方向上彼此的方位正交的方向侧相交叉的状态下，进行照射后，使水晶基板的接合面与压电基板的接合面接触，并在厚度方向上对水晶基板和压电基板进行加压来使所述接合面彼此接合。
16.如权利要求15所述的接合基板的制造方法，其特征在于，
在所述加压时，加热到规定的温度。
17.如权利要求15或16所述的接合基板的制造方法，其特征在于，
所述水晶基板通过水热合成法使结晶生长并在任意方向上进行切割而得。
18.如权利要求15至17的任一项所述的接合基板的制造方法，其特征在于，
使非晶质层介于所述水晶基板与压电基板的接合面的一方或双方。
19.如权利要求18所述的接合基板的制造方法，其特征在于，
通过薄膜形成方法来使所述非晶质层附着。
CN201880039684.2A 2017-06-14 2018-06-07 接合基板、声表面波元件、声表面波元件器件及接合基板的制造方法 Expired - Fee Related CN110915136B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-117281 2017-06-14
JP2017117281A JP6963423B2 (ja) 2017-06-14 2017-06-14 接合基板、弾性表面波素子および接合基板の製造方法
PCT/JP2018/021898 WO2018230442A1 (ja) 2017-06-14 2018-06-07 接合基板、弾性表面波素子、弾性表面波素子デバイスおよび接合基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110915136A true CN110915136A (zh) 2020-03-24
CN110915136B CN110915136B (zh) 2023-06-27

Family

ID=64660184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880039684.2A Expired - Fee Related CN110915136B (zh) 2017-06-14 2018-06-07 接合基板、声表面波元件、声表面波元件器件及接合基板的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11777469B2 (zh)
JP (2) JP6963423B2 (zh)
KR (1) KR102566681B1 (zh)
CN (1) CN110915136B (zh)
TW (1) TWI762656B (zh)
WO (1) WO2018230442A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113474996B (zh) * 2019-02-26 2024-10-22 京瓷株式会社 滤波器和多滤波器
JP7380204B2 (ja) 2019-12-26 2023-11-15 住友大阪セメント株式会社 光導波路デバイス
JP2021118366A (ja) * 2020-01-22 2021-08-10 株式会社日本製鋼所 弾性表面波フィルタ及びその製造方法
JP2022039312A (ja) 2020-08-28 2022-03-10 株式会社日本製鋼所 弾性表面波共振子、その製造方法、及び無線回路
CN116584040A (zh) * 2021-02-04 2023-08-11 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN116584041A (zh) * 2021-02-04 2023-08-11 株式会社村田制作所 弹性波装置
WO2023204250A1 (ja) * 2022-04-20 2023-10-26 株式会社村田製作所 弾性波装置
JPWO2024063072A1 (zh) 2022-09-22 2024-03-28
JP2024103136A (ja) 2023-01-20 2024-08-01 株式会社日本製鋼所 接合基板、及び接合基板の製造方法

Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0575345A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波集積回路とその製造方法
JPH07154177A (ja) * 1993-12-01 1995-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
JPH09199977A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電振動子及びその製造方法
JPH09208399A (ja) * 1996-01-31 1997-08-12 Kyocera Corp 圧電基体及び弾性表面波装置
US5719538A (en) * 1995-09-01 1998-02-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device having negative temperature coefficient of decay
JPH10178331A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子
JPH11122073A (ja) * 1997-10-17 1999-04-30 Kazuhiko Yamanouchi 弾性表面波素子
JP2002009567A (ja) * 2000-06-26 2002-01-11 Hamamatsu Photonics Kk 圧電振動デバイスの製造方法
JP2005252550A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Fujitsu Media Device Kk 接合基板、弾性表面波素子および弾性表面波デバイス
WO2006114922A1 (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 弾性表面波素子及び複合圧電チップ並びにその製造方法
JP2008060382A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品及びその製造方法
CN101227178A (zh) * 2008-01-29 2008-07-23 南京大学 声表面波复合结构材料和应用
JP2009124345A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子、電子デバイス及び電子機器
US20090152981A1 (en) * 2005-09-30 2009-06-18 Epson Toyocom Corporation Surface acoustic wave device, module device, oscillation circuit, and method for manufacturing surface acoustic wave device
CN101584115A (zh) * 2006-12-27 2009-11-18 株式会社村田制作所 声表面波装置
US20100088868A1 (en) * 2007-12-25 2010-04-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing composite piezoelectric substrate
CN102403979A (zh) * 2010-09-09 2012-04-04 精工爱普生株式会社 声表面波器件、电子设备及传感器装置
CN102694521A (zh) * 2011-03-22 2012-09-26 精工电子有限公司 压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟
CN205303514U (zh) * 2016-01-12 2016-06-08 浙江大学 一种基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造装置
TW201635702A (zh) * 2015-01-15 2016-10-01 Shinetsu Chemical Co 彈性表面波元件用鉭酸鋰單晶基板以及使用該基板的器件及其製造方法和檢查方法
JP2017046033A (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電素子の製造方法及びドライエッチング装置
JP2017092791A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 住友金属鉱山株式会社 複合基板の製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3914836A (en) 1974-06-21 1975-10-28 Us Army Method for processing quartz crystal resonators
JP3435789B2 (ja) 1993-03-15 2003-08-11 松下電器産業株式会社 表面弾性波素子
JPH07226638A (ja) 1993-12-16 1995-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合圧電基板およびその製造方法
JP3281510B2 (ja) 1995-05-17 2002-05-13 康敬 清水 弾性表面波素子
JP2001053579A (ja) 1999-06-02 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子と移動体通信機器
JP4587732B2 (ja) 2004-07-28 2010-11-24 京セラ株式会社 弾性表面波装置
JP4657002B2 (ja) 2005-05-12 2011-03-23 信越化学工業株式会社 複合圧電基板
JP2006339308A (ja) 2005-05-31 2006-12-14 Kyocera Kinseki Corp 半導体発光素子
JP2007256590A (ja) 2006-03-23 2007-10-04 Epson Toyocom Corp 光学用単結晶、光学ローパスフィルタと撮像装置
US9074983B2 (en) 2007-03-23 2015-07-07 Honeywell International Inc. Deposition of sensing layers for surface acoustic wave chemical sensors based on supra-molecular chemistry
JP2011087079A (ja) 2009-10-14 2011-04-28 Ngk Insulators Ltd 弾性表面波素子
JP5384313B2 (ja) 2008-12-24 2014-01-08 日本碍子株式会社 複合基板の製造方法及び複合基板
JP2012085253A (ja) 2010-03-25 2012-04-26 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装型の水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法
JP2013030829A (ja) 2011-07-26 2013-02-07 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電基板、弾性表面波素子、電子部品、及び圧電基板の製造方法、
JPWO2013031651A1 (ja) * 2011-09-02 2015-03-23 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP2013168864A (ja) 2012-02-16 2013-08-29 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性表面波素子及び電子部品
JP3187231U (ja) * 2013-09-05 2013-11-14 日本碍子株式会社 複合基板
US10084427B2 (en) 2016-01-28 2018-09-25 Qorvo Us, Inc. Surface acoustic wave device having a piezoelectric layer on a quartz substrate and methods of manufacturing thereof
JP6998650B2 (ja) 2016-08-10 2022-01-18 株式会社日本製鋼所 接合基板、弾性表面波素子、弾性表面波デバイスおよび接合基板の製造方法
DE112017005984B4 (de) * 2016-11-25 2025-06-26 Skyvvorks Solutions, Inc. (n.d.Ges.d.Staates Delaware) Akustische Wellenvorrichtungen

Patent Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0575345A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波集積回路とその製造方法
JPH07154177A (ja) * 1993-12-01 1995-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
US5719538A (en) * 1995-09-01 1998-02-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device having negative temperature coefficient of decay
JPH09199977A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電振動子及びその製造方法
JPH09208399A (ja) * 1996-01-31 1997-08-12 Kyocera Corp 圧電基体及び弾性表面波装置
JPH10178331A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子
JPH11122073A (ja) * 1997-10-17 1999-04-30 Kazuhiko Yamanouchi 弾性表面波素子
JP2002009567A (ja) * 2000-06-26 2002-01-11 Hamamatsu Photonics Kk 圧電振動デバイスの製造方法
JP2005252550A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Fujitsu Media Device Kk 接合基板、弾性表面波素子および弾性表面波デバイス
WO2006114922A1 (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 弾性表面波素子及び複合圧電チップ並びにその製造方法
US20090152981A1 (en) * 2005-09-30 2009-06-18 Epson Toyocom Corporation Surface acoustic wave device, module device, oscillation circuit, and method for manufacturing surface acoustic wave device
JP2008060382A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品及びその製造方法
CN101584115A (zh) * 2006-12-27 2009-11-18 株式会社村田制作所 声表面波装置
JP2009124345A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子、電子デバイス及び電子機器
US20100088868A1 (en) * 2007-12-25 2010-04-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing composite piezoelectric substrate
CN101227178A (zh) * 2008-01-29 2008-07-23 南京大学 声表面波复合结构材料和应用
CN102403979A (zh) * 2010-09-09 2012-04-04 精工爱普生株式会社 声表面波器件、电子设备及传感器装置
CN102694521A (zh) * 2011-03-22 2012-09-26 精工电子有限公司 压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟
TW201635702A (zh) * 2015-01-15 2016-10-01 Shinetsu Chemical Co 彈性表面波元件用鉭酸鋰單晶基板以及使用該基板的器件及其製造方法和檢查方法
JP2017046033A (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電素子の製造方法及びドライエッチング装置
JP2017092791A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 住友金属鉱山株式会社 複合基板の製造方法
CN205303514U (zh) * 2016-01-12 2016-06-08 浙江大学 一种基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
P. NICOLAY: "New measurement method to characterize piezoelectric saw substrates at very high temperature", 《 2008 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM》 *
P. NICOLAY: "New measurement method to characterize piezoelectric saw substrates at very high temperature", 《 2008 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM》, 21 March 2009 (2009-03-21), pages 1877 - 1880 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019004308A (ja) 2019-01-10
KR102566681B1 (ko) 2023-08-14
TW201906204A (zh) 2019-02-01
KR20200014760A (ko) 2020-02-11
TWI762656B (zh) 2022-05-01
WO2018230442A1 (ja) 2018-12-20
JP2021158666A (ja) 2021-10-07
US11777469B2 (en) 2023-10-03
JP7292327B2 (ja) 2023-06-16
CN110915136B (zh) 2023-06-27
JP6963423B2 (ja) 2021-11-10
US20200127634A1 (en) 2020-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7292327B2 (ja) 弾性表面波素子、弾性表面波素子デバイスおよび接合基板の製造方法
JP6998650B2 (ja) 接合基板、弾性表面波素子、弾性表面波デバイスおよび接合基板の製造方法
US11309861B2 (en) Guided surface acoustic wave device providing spurious mode rejection
JP6877447B2 (ja) 石英基板上に圧電層を含む弾性表面波デバイス及びその製造方法
US10270420B2 (en) Surface elastic wave device comprising a single-crystal piezoelectric film and a crystalline substrate with low visoelastic coefficients
JP3187231U (ja) 複合基板
JP5438101B2 (ja) 高い温度安定性を有する高バルク音響共振器タイプの共振器
CN112005494A (zh) 接合基板、声表面波元件、声表面波元件设备和接合基板的制造方法
CN116233709A (zh) 一种基于纵声表面波的高性能声学器件
WO2022063231A1 (en) Surface acoustic wave devices with ultra-thin transducers
JP2018093329A (ja) 弾性波素子
Onishi et al. A novel temperature compensation method for SAW devices using direct bonding techniques
Zhang et al. Double busbar tilted structure for low-temperature drift and spurious modes suppression in SAW resonators using 64° YX-LN thin plate
CN219087112U (zh) 一种基于纵声表面波的高性能声学器件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20230627

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee