CN1124280C - 光阻剂聚合物及用其制成的光阻剂 - Google Patents
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- CN1124280C CN1124280C CN98126084A CN98126084A CN1124280C CN 1124280 C CN1124280 C CN 1124280C CN 98126084 A CN98126084 A CN 98126084A CN 98126084 A CN98126084 A CN 98126084A CN 1124280 C CN1124280 C CN 1124280C
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000178 monomer Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 45
- -1 2-ethoxyethyl group Chemical group 0.000 claims description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 24
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 18
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 9
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 7
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 claims description 5
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 claims description 5
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QGHDLJAZIIFENW-UHFFFAOYSA-N 4-[1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(4-hydroxy-3-prop-2-enylphenyl)propan-2-yl]-2-prop-2-enylphenol Chemical group C1=C(CC=C)C(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C(CC=C)=C1 QGHDLJAZIIFENW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- DJHGAFSJWGLOIV-UHFFFAOYSA-K Arsenate3- Chemical compound [O-][As]([O-])([O-])=O DJHGAFSJWGLOIV-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- WGINUBKWLUSQGI-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.[I] Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.[I] WGINUBKWLUSQGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940000489 arsenate Drugs 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical class COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 3
- OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M Superoxide Chemical compound [O-][O] OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims 2
- LGJCFVYMIJLQJO-UHFFFAOYSA-N 1-dodecylperoxydodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCOOCCCCCCCCCCCC LGJCFVYMIJLQJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- COXRPBBNPBCNDM-UHFFFAOYSA-N Dioxamide Natural products C1=C2OCOC2=CC(C=CC(=O)N(CCC=2C=C3OCOC3=CC=2)C)=C1 COXRPBBNPBCNDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical group CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 1
- APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M sodium docusate Chemical compound [Na+].CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 25
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 16
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- SMEROWZSTRWXGI-UHFFFAOYSA-N Lithocholsaeure Natural products C1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)CC2 SMEROWZSTRWXGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SMEROWZSTRWXGI-HVATVPOCSA-N lithocholic acid Chemical compound C([C@H]1CC2)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)CC1 SMEROWZSTRWXGI-HVATVPOCSA-N 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 4
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 2
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 125000003716 cholic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 125000004858 cycloalkoxyalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N but-2-ene Chemical group CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N chromafenozide Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C(=O)N(NC(=O)C=2C(=C3CCCOC3=CC=2)C)C(C)(C)C)=C1 HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
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Abstract
本发明涉及一种光阻剂组合物,其是由制备一新石胆酸基丙烯酸酯型式的单体及将此新单体引入用作光阻剂的聚合物中而制成,其可用于使用KrF(248nm)或ArF(193nm)光源(一种预期用于1G或4G DRAM的光源)的光刻程序。此新单体由下式II所表示,而用作光阻剂的共聚物由式VII所表示:[式II],其中R1代表氢,经取代或未经取代的C1-C10直链或支链烷基、环烷基、烷氧基烷基或环烷氧基烷基,R2代表氢或甲基,[式VII],其中,R1和R2各自独立地表示氢或甲基,x和y各自独立地为0.05至0.9间的摩尔分数。
Description
本发明涉及一种新单体及用作光阻剂的聚合物,及用其制成的光阻剂组合物。更特别地,本发明涉及一种新单体,聚合物,及用其制成的光阻剂组合物,其是由制备一新石胆酸基丙烯酸酯型式的单体,及将此新单体引入用作光阻剂的聚合物中而制成,其可用于使用KrF(248nm)或ArF(193nm)光源(一种预期用于1G或4G DRAM的光源)的光刻程序,及涉及用其制成的光阻剂组合物。
一般而言,对于使用ArF的光阻剂树脂,像蚀刻阻抗,在193nm波长下低光源吸收的粘着性的特性通常是必须有的。此光阻剂树脂使用2.38wt%的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液也应可显像的。然而,合成光阻剂树脂是困难的。直到今天,许多研究者专心致力于研究原片冰型树脂,以增加在193nm波长的透明性,及增加蚀刻阻抗性的物质,这些研究成果的一部份为贝尔(Bell)实验室建议使用三成份光阻剂系。此三成份的光阻剂系使用石胆酸酯化合物作溶解抑制剂,下式1表示的共聚物树脂作铸型(matric)树脂,其中式1的共聚物树脂在主链上含有原冰片烷,丙烯酸酯及顺丁烯二酸酐。
[式I]
然而,用于此光阻剂系的石胆酸酯化合物具有优良的蚀刻阻抗性,及在远紫外线区域具有高度透明性,尤其是在193nm。但是,当此石胆酸酯化合物的含量在此光阻剂组合物中是过量时,例如超过40wt%或更多,残留物将通过结晶萃取出。在热处理程序时,像降低石胆酸酯化合物游离转换温度(free transition temperature)的预热或后热程序,例如降低100℃及更低,使得光阻剂会发生流动现象,结果光阻剂的结构会扭曲变形。因为这些限制,所以不能获得足够解析度。
本发明涉及一种新单体,用作光阻剂的聚合物,及用其制成的光阻剂组合物,其是由制备一新石胆酸基丙烯酸酯型式的单体,及将此新颖单体引入用作光阻剂的聚合物中而制成,其可用于使用KrF(248nm)或ArF(193nm)光源(一种预期用于1G或4G DRAM的光源)的光刻程序,及用其制成的光阻剂组合物。结果,本发明的光阻剂具有高度游离转换温度(Tg),可在制备过程中当作可放大光阻剂,及在远紫外线区域吸收非常少,特别是在193nm,且因引入多环单元至侧链上,所以具有优良的蚀刻阻抗性,同时可由传统反应基聚合化方法轻易的制得,保护基也可轻易的分离。
本发明的目的为提供一种石胆酸(甲基)丙烯酸酯型式化合物的新单体。
本发明的另一目的为提供一种用于光阻剂的聚合物,其由引入此新单体而制成。
本发明的又一目的为提供一种包括此聚合物的光阻剂组合物,及使用此光阻剂组合物制成的半导体元件。
为了达到本发明的目的,首先提供一种式II的单体:
为达到本发明又一目的,提供一种包括本发明共聚物、有机溶剂及无机酸产生剂的光阻剂组合物。
发明人致力于研究克服上述先前技艺碰到的问题,结果合成一式II的单体,其中该单体是由(甲基)丙烯酸键结的石胆酸。其中R1是氢,经取代或未经取代的C1-C10直链或支链的烷基、环烷基、烷氧基烷基或环烷氧基烷基,R2是氢或甲基。
发明人发现将上述单体引入聚合物结构中,可得到一种具有高度游离转换温度(Tg),在制备过程中能当作可化学放大阻剂的光阻剂,且其在远紫外线区域吸收非常少,特别是在193nm,且因引入多环单元至侧链上,所以具有优良的蚀刻阻抗性,同时可由传统反应基聚合化方法轻易地制得,保护基也可轻易地分离。
实施例I
5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯单体的合成
在250毫升的圆形烧瓶中,将5β-胆-24-酸(37.7克)溶于100毫升的四氢呋喃溶剂中。于此混合物中,加入三甲基胺(11.2克),且在温度0℃下均匀搅拌,然后加入(甲基)丙烯醯氯化物(10.5克),让反应进行5小时。当反应完成时,分离出生成物质,使用柱色谱法干燥,可得32克(产率:72%)的式III单体:
[式III]
实施例II
5β-叔丁氧基羰基-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯的合成
在一圆形250毫升的烧瓶中,将实施例I制得的5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯(15克)溶于四氢呋喃溶剂中(100毫升)。于此混合物中,加入亚硫醯氯化物(4.8克),且让反应进行。然后,于此反应溶液中,用漏斗以液滴的方式加入叔丁醇(4.9克),及让反应在0℃下进行2小时,及在常温下进行5小时。当反应完成时,分离出生成产物,使用柱色谱法干燥,可得12.6克(产率:75%)的式IV单体。
实施例III
5β-(四氢吡喃基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯的合成
在一圆形250毫升的烧瓶中,将实施例I制得的5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯(15克)溶于四氢呋喃溶剂中(100毫升)。于此混合物中,加入对甲苯磺酸(0.3克),且让反应进行。然后,于此反应溶液中,用漏斗以液滴的方式加入3,4-二氢-2H-吡喃(5.6克),及让反应在0℃下进行8小时。当反应完成时,分离出生成产物,使用柱色谱法干燥,可得13.8克(产率:78%)的式V单体。
[式V]
实施例IV
5β-(2-乙氧基乙基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯的合成
在一圆形250毫升的烧瓶中,将实施例I制得的5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯(15克)溶于四氢呋喃溶剂中(100毫升)。于此混合物中,加入对甲苯磺酸(0.3克),且让反应进行。然后,于此反应溶液中,用漏斗以液滴的方式加入乙基乙烯醚(4.8克),及让反应在0℃下进行8小时。当反应完成时,分离出生成产物,使用柱色谱法干燥,可得13.1克(产率:75%)的式VI单体。共聚物树脂及其制备
本发明的共聚物是引入式II的石胆酸(甲基)丙烯酸酯单体,较佳地,共聚物是下式VII至X的化合物。
[式X]其中R1,R2和R3各自独立地为氢或甲基,x为0.005至0.9间的摩尔分数,y和z各自独立地为0.001至0.9间的摩尔分数。共聚物的制备方法
式VII的共聚物树脂能在一反应基引发剂的存在下,由5β-(叔丁氧基羰基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯和5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯,依据反应流程式I聚合制备而得:
[反应流程式I][式VII]
除此之外,式VIII的共聚物树脂能在一反应引发剂的存在下,由5β-(四氢吡喃基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯和5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯,依据反应流程式II聚合制备而得:
式IX的共聚物树脂能在一反应基引发剂的存在下,由5β-(四氢吡喃基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯,5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯及2-羟基乙基(甲基)丙烯酸酯,依据反应流程式III聚合制备而得:
式X的共聚物树脂能在一反应引发剂的存在下,由5β-(2-乙氧基乙基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯,5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯及2-羟基乙基(甲基)丙烯酸酯,依据反应流程式IV聚合制备而得:
本发明的共聚物树脂(式VII至X)可以传统聚合化方法制备而得,像本体聚合或溶液聚合反应。适用于本发明聚合反应的有机溶剂包括3-甲氧基丙酸甲酯,3-乙氧基丙酸乙酯,丙二醇甲基醚乙酸酯,环己酮,或类似物。无机酸产生剂可使用硫化物盐,像二苯基碘六氟磷酸盐,二苯基碘六氟砷酸盐,二苯基碘六氟锑酸盐,二苯基对甲氧基苯基三倍酸盐,二苯基对甲苯基三倍酸盐,三苯基六氟磷酸锍,三苯基六氟砷酸锍,三苯基六氟锑酸锍,三苯基三倍酸锍,二丁基萘基三酸锍或类似物,或鎓盐也可使用。
在制备本发明的共聚物树脂过程中,包括反应基聚合的温度及压力的基本聚合条件可依据反应剂的性质决定,但较佳的是在温度60℃至200℃间,及压力50及200间进行聚合反应。
本发明的共聚物树脂能由共聚合具有亲水基石胆酸(甲基)丙烯酸酯单体制备而得(分子量3,000-100,000)。本发明制得的共聚物树脂可使用KrF(248nm)或ArF(193nm)光源(一种应用于1G或4G DRAM的光源)应用于光刻程序。光阻剂组合物的合成
本发明的共聚物树脂能依据传统制备光阻剂组合物的方法制备而得,亦即由在有机溶剂的存在下混合传统无机酸产生剂而制备光阻剂溶液。此光阻剂可用于形成正微-影像。本发明的共聚物树脂可以浓度10至30%(重量)溶于环己酮中。无机酸产生剂混合于共聚物中的浓度为0.1至10%(重量)间,然后以超细过滤器过滤混合物制备光阻剂溶液。用于此方法的无机酸产生剂包括三苯基三倍酸锍(triphenylsulfoniumtriplate),二丁基萘基三倍酸锍(dibutylnaphthylsulfonium triplate),2,6-二甲基苯基磺酸盐,双(芳基磺醯)-二偶氮甲烷,磺酸肟,2,1-二偶氮萘醌-4-磺酸盐,或类似物。然后将此光阻剂溶液旋转涂覆至硅晶片上,以形成一薄膜,然后在一烤箱中或在一加热板上以温度70-200℃,更佳地80-150℃慢烘烤1-5分钟,接着使用曝光器曝光,然后以温度70℃至200℃,更佳地100-200℃后烘烤10秒钟至60分钟。曝光后的晶片浸渍至2.38%(重量)的TMAH水溶液中1至30秒,以获得一超细光阻剂图像。能够使用此方法的曝光光源包括ArF、KrF、电子束、X-射线、EUV、DUV或离子束。
本发明可经由下述说明性实施作进一步的说明,但其目的不是要限制本发明。
实施例V
聚[5β-(叔丁氧基羰基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯/5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯]共聚物的合成
5β-(叔丁氧基羰基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯(0.05摩尔)及5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯(0.05摩尔)溶于TFT溶剂中,然后加入AIBN(0.02克)当作聚合引发剂,及在温度70℃及氮气气氛之下进行反应15小时。所得粗产物由乙醚中沉淀出,干燥沉淀物后可得32.4克(产率:80%,Tg:138℃)的式XI共聚物(分子量:10500)。所制得的共聚物在193nm吸收很少,蚀刻阻抗性增加,及具有高敏感度及解析度(敏感度:18mJ/cm2)
实施例VI
聚[5β-(四氢吡喃基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯/5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯]共聚物的合成
5β-(四氢吡喃基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯(0.04摩尔)及5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯(0.04摩尔)溶于TFT溶剂中,然后加入AIBN(0.012克)当作聚合引发剂,及在温度67℃及氩气气氛之下进行反应20小时。所得粗产物由己烷中沉淀出,干燥沉淀物后可得40.4克(产率:84%,Tg:136℃)的式XII共聚物(分子量:9800)。所制得的共聚物树脂的敏感度增加,但又不损害蚀刻阻抗性(敏感度:14mJ/cm2)。
实施例VII
聚[5β-(四氢吡喃基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯/5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯/2-羟基乙基(甲基)丙烯酸酯]共聚物的合成
5β-(四氢吡喃基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯(0.05摩尔),5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯(0.05摩尔)及2-羟基乙基(甲基)丙烯酸酯(0.01摩尔)溶于TFT溶剂中,然后加入AIBN(0.018克)当作聚合引发剂,及在温度70℃及氮气气氛之下进行反应15小时。所得粗产物由乙醚中沉淀出,干燥沉淀物后可得41.7克(产率:83%,Tg:131℃)的式XIII共聚物(分子量:12500)。所制得的共聚物树脂具有类似实施例X所得共聚物树脂的性质。
[式XIII]
实施例VIII
聚[5β-(2-乙氧基乙基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯/5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯/2-羟基乙基(甲基)丙烯酸酯]共聚物的合成
5β-(2-乙氧基乙基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯(0.05摩尔),5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯(0.05摩尔)及2-羟基乙基(甲基)丙烯酸酯(0.01摩尔)溶于TFT溶剂中,然后加入AIBN(0.017克)当作聚合引发剂,及在温度65℃及氩气气氛之下进行反应15小时。所得粗产物由乙醚中沉淀出,干燥沉淀物后可得48.7克(产率:84%,Tg:128℃)的式XIV共聚物(分子量:11,500)。所制得的共聚物树脂的对比性更优良。
实施例IX光阻剂图像的形成
实施例V所得共聚物树脂(式XI)(10克)溶于3-甲氧基甲基丙酸酯(40克)溶剂中,加入三苯基三倍酸锍(0.211克)及搅拌。之后,经由0.10μm的过滤器过滤混合物,可得一光阻剂溶液,然后将此光阻剂溶液旋转涂覆至晶片表面上,形成一具有厚度0.4μm的薄膜,及在100℃的烘箱中慢烘4分钟,接着使用一曝光器以250nm波长的光源曝光,之后以120℃后烘干,然后将曝光后的晶片浸渍在一当作显像溶液的具有0.01%(重量)的TMAH水溶液中1.5分钟,以获得一超细光阻剂图像(解析度:0.15μm,敏感度:18mJ/cm2)。
实施例X
重复实施例IX的步骤,但使用实施例VI制得的共聚物树脂(式XII)(15克)当作共聚物树脂,以形成一超细光阻剂图像(敏感度:14mJ/cm2)。
实施例XI
重复实施例IX的步骤,但使用实施例VII制得的共聚物树脂(式XIII)(15克)当作共聚物树脂,以形成一超细光阻剂图像。
实施例XII
重复实施例IX的步骤,但使用实施例VIII制得的共聚物树脂(式XIV)(18克)当作共聚物树脂,以形成一超细光阻剂图像(解析度:0.15μm)。
如上所述,本发明的共聚物树脂可用传统的方法将石胆酸基(甲基)丙烯酸酯单体引入共聚物结构中而容易地制备。此共聚物树脂在193nm具有高度透明性,蚀刻阻抗性增加,解决了在含有过量溶解抑制剂结晶萃取出的问题,且降低了在三成份系光阻剂存在的游离转换温度(Tg)问题。因此,此使用KrF或ArF的本发明共聚物树脂可用于光刻过程。
在参考上述技艺后,各种本发明的改良及修正皆是可能的,因此,必须了解的是在之后所附权利要求书的范围内,除了特别叙述的方式外,本发明可以其它的方法实施。
Claims (15)
1.一种引入式II单体的光阻剂共聚物,
[式II]其中R1是氢,叔丁基,四氢吡喃基或2-乙氧基乙基,R2是氢或甲基。
3.根据权利要求1的光阻剂共聚物,其是选自由下列化合物组成的一组化合物:
聚[5β-(叔丁氧基羰基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯/5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯],
聚[5β-(四氢吡喃基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯/5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯],
聚[5β-(四氢吡喃基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯/2-羟基酰基(甲基)丙烯酸酯],及
聚[5β-(2-乙氧基乙基)-胆-24-基-3-(甲基)丙烯酸酯/5β-胆-24-酸基-3-(甲基)丙烯酸酯/2-羟基酰基(甲基)丙烯酸酯]。
5.根据权利要求4的用于制备权利要求1的光阻剂共聚物的方法,其中使用经由羟基烷基取代的甲基丙烯酸酯化合物当作第三单体。
6.根据权利要求5的用于制备权利要求1的光阻剂共聚物的方法,其中该第三单体是下式的化合物:
[式]其中R3是氢或甲基。
7.根据权利要求4的用于制备权利要求1的光阻剂共聚物的方法,其中该有机溶剂是选自环己酮、甲基乙基酮、苯、甲苯、二噁烷及二甲基甲酰胺。
8.根据权利要求4的用于制备权利要求1的光阻剂共聚物的方法,其中该聚合引发剂是选自苯甲醯过氧化物,2,2’-偶氮双异丁腈,乙醯过氧化物,月桂基过氧化物,叔丁基过乙酸酯,及二叔丁基过氧化物。
9.一种光阻剂组合物,包括一光阻剂共聚物,一有机溶剂,及一无机酸产生剂,其中该共聚物含有一式II的单体:
[式II]其中R1是氢,叔丁基,四氢吡喃基或2-乙氧基乙基,R2是氢或甲基。
10.根据权利要求9的光阻剂组合物,其中该有机溶剂是一选自下列组成的化合物或化合物混合物:3-甲氧基丙酸甲酯,3-乙氧基丙酸乙酯,丙二醇甲基醚乙酸酯,及环己酮。
11.根据权利要求9的光阻剂组合物,其中该无机酸产生剂是一选自下列组成的化合物或化合物混合物:二苯基碘六氟磷酸盐,二苯基碘六氟砷酸盐,二苯基碘六氟锑酸盐,二苯基对甲氧基苯基三倍酸盐,二苯基对甲苯基三倍酸盐,三苯基六氟磷酸锍,三苯基六氟砷酸锍,三苯基六氟锑酸锍,三苯基三倍酸锍,二丁基萘基三倍酸锍或类似物。
12.一种形成光阻剂图像的方法,包括下列步骤:
(a)将权利要求9的光阻剂组合物涂覆在一晶片表面;
(b)曝光此晶片;
(c)以一显像剂显像,而获得一成型图像。
13.根据权利要求12的形成光阻剂图像的方法,独立地包括在步骤(b)曝光前或之后的前或后烘烤步骤。
14.根据权利要求12的形成光阻剂图像的方法,其中该烘烤步骤是在温度70℃至200℃间进行。
15.根据权利要求12的形成光阻剂图像的方法,其中该曝光步骤是使用ArF、KrF、电子束、X-射线、EUV、DUV或离子束进行。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970081391A KR100313150B1 (ko) | 1997-12-31 | 1997-12-31 | 리소콜릴에시딜(메타)아크릴레이트 단량체와 그를 도입한 공중합체 수지 및 이 수지를 이용한 포토레지스트 |
| KR81391/1997 | 1997-12-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1232826A CN1232826A (zh) | 1999-10-27 |
| CN1124280C true CN1124280C (zh) | 2003-10-15 |
Family
ID=19530559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN98126084A Expired - Fee Related CN1124280C (zh) | 1997-12-31 | 1998-12-31 | 光阻剂聚合物及用其制成的光阻剂 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6132936A (zh) |
| JP (1) | JP3643491B2 (zh) |
| KR (1) | KR100313150B1 (zh) |
| CN (1) | CN1124280C (zh) |
| DE (1) | DE19860782A1 (zh) |
| TW (1) | TW575791B (zh) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6808859B1 (en) * | 1996-12-31 | 2004-10-26 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | ArF photoresist copolymers |
| KR100314761B1 (ko) * | 1999-03-03 | 2001-11-17 | 윤덕용 | 노르보르넨에 콜릭산, 디옥시콜릭산 또는 리소콜릭산 유도체를 결합시킨 단량체를 이용한 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 |
| KR100604793B1 (ko) * | 1999-11-16 | 2006-07-26 | 삼성전자주식회사 | 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형포토레지스트 조성물 |
| KR100749494B1 (ko) * | 2001-04-03 | 2007-08-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 화학증폭형 네가티브 포토레지스트용 중합체 및 포토레지스트 조성물 |
| KR20020077948A (ko) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 칼라음극선관용 포토레지스트 제조용 단량체,칼라음극선관용 포토레지스트 중합체, 칼라음극선관용포토레지스트 조성물 및 칼라음극선관용 형광막 조성물 |
| JP2002343860A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 保護膜形成用材料 |
| KR100415091B1 (ko) | 2002-03-26 | 2004-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 미세패턴 형성 방법 |
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| JP6411967B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2018-10-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| CN108628101B (zh) * | 2018-04-26 | 2024-03-12 | 儒芯微电子材料(上海)有限公司 | 电子束光刻胶组合物及制备方法 |
| CN112679653B (zh) * | 2020-12-28 | 2021-09-14 | 甘肃华隆芯材料科技有限公司 | 光刻胶成膜树脂及其光刻胶组合物的制备方法 |
| CN113214429B (zh) * | 2021-04-28 | 2022-04-12 | 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 | 一种ArF光刻胶成膜树脂及其制备方法和光刻胶组合物 |
| CN113214427B (zh) * | 2021-04-28 | 2022-04-12 | 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 | 一种生物基ArF光刻胶成膜树脂、光刻胶组合物及其制备方法 |
| CN113214428B (zh) * | 2021-04-28 | 2022-04-12 | 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 | 一种生物基星型ArF光刻胶成膜树脂、光刻胶组合物及其制备方法 |
| CN114163564B (zh) * | 2021-10-19 | 2023-02-28 | 江苏集萃光敏电子材料研究所有限公司 | 一种含胆酸-丁烯酸酯衍生物的成膜树脂、光刻胶组合物 |
| CN114874384A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-08-09 | 南通林格橡塑制品有限公司 | 一种193nm光刻胶成膜树脂及其制备方法和正型光刻胶组合物 |
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-
1997
- 1997-12-31 KR KR1019970081391A patent/KR100313150B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-12-15 TW TW87120804A patent/TW575791B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-12-28 JP JP37466098A patent/JP3643491B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-30 DE DE19860782A patent/DE19860782A1/de not_active Withdrawn
- 1998-12-30 US US09/223,095 patent/US6132936A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-31 CN CN98126084A patent/CN1124280C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW575791B (en) | 2004-02-11 |
| KR100313150B1 (ko) | 2001-12-28 |
| CN1232826A (zh) | 1999-10-27 |
| DE19860782A1 (de) | 1999-07-29 |
| JPH11279227A (ja) | 1999-10-12 |
| US6132936A (en) | 2000-10-17 |
| KR19990061137A (ko) | 1999-07-26 |
| JP3643491B2 (ja) | 2005-04-27 |
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