CN113607043A - 一种用于芯片应力测试用应变计 - Google Patents

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雷宇哲
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Abstract

本发明公开了一种用于芯片应力测试用应变计,包括设置在同一应变计基底上的4~20组测量栅,每行设置四组测量栅,每组测量栅包括至少三个不同方向的单轴测量栅。通过在应变计基底上的4~20组测量栅,将测量栅进行排布,每组测量栅包括至少三个不同方向的单轴测量栅,从而在应变计有限的面积中,增加应变计的测试点,可实现对待测物不同梯度、各个方向上受力状况的测量,提高测试结果的准确性。

Description

一种用于芯片应力测试用应变计
技术领域
本发明属于应变计领域,涉及一种用于芯片应力测试用应变计。
背景技术
为预防芯片可能出现的各种失效问题(如BGA芯片安装、电路板安装应力、机械振动等),定量的评估和识别芯片在元件装配、测试、机械安装、运输等过程中可能存在的应力过大的有害流程,需对芯片在各种受力状态下的应力分布情况进行测试。
普通电阻应变计可实现对待测件应力分布的测量,测试用应变计主要有三种:一是多片排列单轴应变计,二是使用重叠花式应变计,三是使用3~8组测量栅的应变花。
在芯片测试的过程中,使用现有应变计,主要存在如下问题:芯片表面积较小,应变计布置面积有限,无法排布更多测试点,测试结果不能反映应力应变分布情况,与应力分布云图差异较大。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点,提供一种用于芯片应力测试用应变计,增加应变计的测试点,提高测试结果的准确性。
为达到上述目的,本发明采用以下技术方案予以实现:
一种用于芯片应力测试用应变计,包括设置在同一应变计基底上的4~20组测量栅,每行设置偶数组测量栅,每组测量栅包括至少三个不同方向的单轴测量栅。
优选的,每个单轴测量栅均设置有焊点,焊点设置在应变计两个相对边或四个边。
优选的,单轴测量栅间的夹角为0℃~180℃。
优选的,每个单轴测量栅的电阻范围为120Ω~1000Ω。
优选的,每组测量栅的间距为4~10mm。
优选的,应变计包括2~4块相同的应变计基底,所有应变计基底将4~20组测量栅均分,所有应变计基底之间粘合成应变计。
优选的,应变计顶部设置有散热器,应变计的焊点在芯片封装或加盖散热器区域之外。
优选的,应变计包括基底膜和盖层膜,基底膜和盖层膜采用厚度为10μm~50μm的酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯、聚醚醚酮或聚酰亚胺薄膜。
优选的,应变计采用三线制的方式连接有测试仪器。
优选的,应变计的焊点连接有连接导线一端,连接导线另一端连接有测试导线,连接导线直径和硬度均小于测试导线。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
本发明通过在应变计基底上的4~20组测量栅,将测量栅进行排布,每组测量栅包括至少三个不同方向的单轴测量栅,从而在应变计有限的面积中,增加应变计的测试点,可实现对待测物不同梯度、各个方向上受力状况的测量,提高测试结果的准确性。
进一步,应变计的焊点既可两边引出进行排布。而当焊点较多时,也可以四边引出的方式进行排布。
进一步,通过将应变计拆分,使每个测量栅基底上的测量栅数量都不会太多,降低了制备难度。
进一步,通过将焊点位置设计在芯片封装或加盖散热器区域之外,可避免焊点影响散热器芯片表面贴合。
进一步,厚度更薄的基底膜和盖层膜,可使应变计与带有曲率的芯片表面贴合更好。
进一步,采用三线制的方式连接应变计和测试仪器,能够降低应变计与测试仪器之间连接导线电阻对测试结果的影响。
进一步,通过先从焊点引出较细较软的连接导线,再转接测试导线,从而保证了在跌落测试中,导线的连接可靠性。
附图说明
图1是本专利的应变计测量栅示意图。
图2是本专利的应变计分割为四块示意图。
图3是本专利的焊点两边引出排布示意图。
图4是本专利的焊点四边引出排布示意图。
图5是本专利的应变计第一种三线制接法示意图。
图6是本专利的应变计第二种三线制接法示意图。
图7为本发明的应变计第一应用状态示意图。
图8为本发明的应变计第二应用状态示意图。
其中:1-散热器,2-芯片本体,3-芯片基底,4-PCB板,5-应变计,6-贴片胶层,7-焊点,8-应变计导线,9-连接导线,10-测试导线;11-应变计基底;12-测量栅。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步详细描述:
本发明所述的芯片应力测试用应变计5,包括设置在同一应变计基底11上的4~20组测量栅12,每组测量栅12间距为:4~10mm。每行设置多组测量栅12,每组测量栅12含3个及以上不同方向的单轴测量栅,单轴测量栅间的夹角为0℃~180℃。每个单轴测量栅的电阻范围为120Ω~1000Ω,而每个栅引出的焊点7,可布局在整片应变计5的四边范围内。
如图1所示,该实施例应变计5在27*26mm的区域内,按照一定间距设计16组测量栅12,其中每组含3个不同方向的单轴测量栅,3个不同方向为0°方向、90°方向、135°方向,共计48个单轴测量栅。
应变计5设置的测量栅12过多时,可能为应变计5生产制造带来困难。此时,可将整片应变计5按照测量栅12的重复性,将应变计基底11分割为2~4块,每块单独制造好后,再通过盖层将上述块按照分割前的图形粘合在一起,形成图形完整的应变计5。
如图2所示,先将图1中的图形分割为4块,每块单独制作,再通过盖层将上述块按照分割前的图形贴合在一起,形成图形完整的应变计5。该应变计5可达图1中应变计5的测试效果,且生产制造更容易。
单轴测量栅均设置有焊点7,焊点7设置在应变计5两个相对边或四个边。
图3和图4为本发明中存在的两种焊点7排布方式。应变计5的焊点7既可两边引出进行排布。而当焊点7较多时,也可以四边引出的方式进行排布。
焊点7影响散热器1与芯片表面贴合。通过将焊点7位置设计在芯片封装或加盖散热器1区域之外,可避免焊点7带来影响。
应变计5厚度影响其自身与芯片表面贴合。在选材时,通过选用厚度更薄的基底膜,可使应变计5与带有曲率的芯片表面贴合更好。需要选择合适厚度的基底膜和盖层膜,采用10μm~50μm的酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯、聚醚醚酮或聚酰亚胺薄膜。
为降低应变计5与采集数据的应变仪之间连接导线9电阻对测试结果的影响,采用三线制的方式连接。一种方案是:每个单轴测量栅设计有两个焊点7,其中一个引出一条导线,另一个引出两条导线。另一种方案是:每个单轴测量栅设计有三个焊点7,每个焊点7引出一条导线。
图4所示,当每个单轴敏感栅仅设计两个焊点7时,三线制接法为:其中一个焊点7引出两根导线,另一个焊点7引出一根导线。
图5所示,可在应变计5图形设计时给每个单轴敏感栅设计三个焊点7,三线制接法为:每个焊点7引出一根导线即可。
焊点7连接有应变计导线8,为保证跌落中导线连接可靠,应变计导线8包括连接导线9和测试导线10,可通过焊点7先引出连接导线9再转接测试导线10,连接导线9直径和硬度均小于测试导线10,同时将部分导线固定在PCB板4上,保证测试过程中导线连接的可靠性。
应变计5接导线时,从焊点7引出的部分先接较短(200mm~500mm)的一段连接导线9,避免导线较硬造成焊点7处的应力集中。连接导线9推荐直径Φ0.3mm及以下的镀银丝线、漆包线、聚四氟乙烯线、PVC线。连接导线9后转接较长(1000mm~5000mm)的一段测试导线10,测试导线10推荐使用直径Φ0.3mm~Φ1.5mm的三芯PVC、TPE、聚四氟乙烯排线。
图7、图8所示为本发明的应变计5在芯片应力测试装置中的应用,芯片应力测试装置包括自上而下依次设置的散热器1、应变计5、贴片胶层6、芯片本体2、芯片基底3和PCB板4,应变计5使用贴片胶固定在表面有不同曲率的凹面或凸面芯片上,上方加盖有散热器1,芯片通过其基底固定于PCB板4上。焊点7位于散热器1与芯片接触的区域之外,焊点7上再引出应变计导线8,导线末端连接测试仪器。
上述一种用于芯片应力测试的应变计5设计技术,结合应变计5制造技术及应力测试技术,可实现对芯片应力分布的精确调测量。经测试,本实施例应变计5的测试重复性(3次测试平均值/标准偏差)在-2%~+2%以内,可实时反应不同跌落状态下芯片的应力分布状况。
表1加载重复性数据记录表
Figure BDA0003189331350000061
以上内容仅为说明本发明的技术思想,不能以此限定本发明的保护范围,凡是按照本发明提出的技术思想,在技术方案基础上所做的任何改动,均落入本发明权利要求书的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种用于芯片应力测试用应变计,其特征在于,包括设置在同一应变计基底(11)上的4~20组测量栅(12),每行设置多组测量栅(12),每组测量栅(12)包括至少三个不同方向的单轴测量栅。
2.根据权利要求1所述的用于芯片应力测试用应变计,其特征在于,每个单轴测量栅均设置有焊点(7),焊点(7)设置在应变计(5)两个相对边或四个边。
3.根据权利要求1所述的用于芯片应力测试用应变计,其特征在于,单轴测量栅间的夹角为0℃~180℃。
4.根据权利要求1所述的用于芯片应力测试用应变计,其特征在于,每个单轴测量栅的电阻范围为120Ω~1000Ω。
5.根据权利要求1所述的用于芯片应力测试用应变计,其特征在于,每组测量栅(12)的间距为4~10mm。
6.根据权利要求1所述的用于芯片应力测试用应变计,其特征在于,应变计(5)包括2~4块相同的应变计基底(11),所有应变计基底(11)将4~20组测量栅(12)均分,所有应变计基底(11)之间粘合成应变计(5)。
7.根据权利要求1所述的用于芯片应力测试用应变计,其特征在于,应变计(5)顶部设置有散热器(1),应变计(5)的焊点(7)在芯片封装或加盖散热器(1)区域之外。
8.根据权利要求1所述的用于芯片应力测试用应变计,其特征在于,应变计(5)包括基底膜和盖层膜,基底膜和盖层膜采用厚度为10μm~50μm的酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯、聚醚醚酮或聚酰亚胺薄膜。
9.根据权利要求1所述的用于芯片应力测试用应变计,其特征在于,应变计(5)采用三线制的方式连接有测试仪器。
10.根据权利要求1所述的用于芯片应力测试用应变计,其特征在于,应变计(5)的焊点(7)连接有连接导线(9)一端,连接导线(9)另一端连接有测试导线(10),连接导线(9)直径和硬度均小于测试导线(10)。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1648626A (zh) * 2004-01-27 2005-08-03 梅特勒-托莱多有限公司 用于机电传感器的防潮保护
CN102435361A (zh) * 2011-10-27 2012-05-02 扬州晶新微电子有限公司 硅单晶片的残余应力的测试方法
EP2490036A1 (de) * 2011-02-18 2012-08-22 Melexis Technologies NV Stresssensor zur Erfassung mechanischer Spannungen in einem Halbleiterchip und stresskompensierter Hallsensor
US20140085740A1 (en) * 2011-01-26 2014-03-27 Alpao Deformable mirror with capacitive sensors
US20140336969A1 (en) * 2011-12-29 2014-11-13 Alpao Common calibration system and corresponding method
CN106949827A (zh) * 2017-03-09 2017-07-14 华中科技大学 一种阵列化电阻应变传感器及具有该传感器的测量补偿系统
CN110806172A (zh) * 2019-12-06 2020-02-18 中国工程物理研究院化工材料研究所 传感器及其制备方法及集成化应变温度传感测量系统
US20200211914A1 (en) * 2018-12-31 2020-07-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for on-chip stress detection
CN112097632A (zh) * 2020-09-18 2020-12-18 江苏东华测试技术股份有限公司 三线制四分之一桥大应变测量的恒压电桥非线性修正方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1648626A (zh) * 2004-01-27 2005-08-03 梅特勒-托莱多有限公司 用于机电传感器的防潮保护
US20140085740A1 (en) * 2011-01-26 2014-03-27 Alpao Deformable mirror with capacitive sensors
EP2490036A1 (de) * 2011-02-18 2012-08-22 Melexis Technologies NV Stresssensor zur Erfassung mechanischer Spannungen in einem Halbleiterchip und stresskompensierter Hallsensor
CN102435361A (zh) * 2011-10-27 2012-05-02 扬州晶新微电子有限公司 硅单晶片的残余应力的测试方法
US20140336969A1 (en) * 2011-12-29 2014-11-13 Alpao Common calibration system and corresponding method
CN106949827A (zh) * 2017-03-09 2017-07-14 华中科技大学 一种阵列化电阻应变传感器及具有该传感器的测量补偿系统
US20200211914A1 (en) * 2018-12-31 2020-07-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for on-chip stress detection
CN110806172A (zh) * 2019-12-06 2020-02-18 中国工程物理研究院化工材料研究所 传感器及其制备方法及集成化应变温度传感测量系统
CN112097632A (zh) * 2020-09-18 2020-12-18 江苏东华测试技术股份有限公司 三线制四分之一桥大应变测量的恒压电桥非线性修正方法

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