CN115995687A

CN115995687A - 电子装置

Info

Publication number: CN115995687A
Application number: CN202111223320.XA
Authority: CN
Inventors: 吴彦徵; 赖明圣
Original assignee: Innolux Display Corp
Current assignee: Innolux Corp
Priority date: 2021-10-20
Filing date: 2021-10-20
Publication date: 2023-04-21
Anticipated expiration: 2041-10-20
Also published as: US20230118076A1; US12413185B2; CN115995687B; TW202318718A; TWI841962B; EP4170915A1

Abstract

本揭露提供一种电子装置。电子装置包括基板以及多个调变单元。多个调变单元设置于基板上。各个调变单元包括第一电子元件与第二电子元件、第一信号线、第二信号线以及第三信号线。第一信号线提供第一电压至第一电子元件。第二信号线提供第二电压至第二电子元件。第三信号线提供第三电压至第一电子元件和/或第二电子元件。第一电压不同于第二电压，且第三电压不同于第一电压和/或第二电压。本揭露实施例的电子装置具有可调变电磁波的相位、频宽、强度或偏振态的调变单元。

Description

电子装置

技术领域

本揭露涉及一种电子装置，尤其涉及一种具有可调变电磁波的相位、频宽、强度或偏振态的调变单元的电子装置。

背景技术

电子装置或拼接电子装置已广泛地应用于行动电话、电视、监视器、平板电脑、车用显示器、穿戴装置以及台式电脑中。随电子装置蓬勃发展，对于电子装置的品质要求越高，且这类电子产品通常可同时作为电子调制装置来使用，例如，作为可调制电磁波的天线装置。然而，现存的天线装置仍未在各个方面皆符合消费者的需求。

发明内容

本揭露是提供一种电子装置，其具有可调变电磁波的相位、频宽、强度或偏振态的调变单元。

根据本揭露的实施例，电子装置包括基板以及多个调变单元。多个调变单元设置于基板上。各个调变单元包括第一电子元件与第二电子元件、第一信号线、第二信号线以及第三信号线。第一信号线提供第一电压至第一电子元件。第二信号线提供第二电压至第二电子元件。第三信号线提供第三电压至第一电子元件和/或第二电子元件。第一电压不同于第二电压，且第三电压不同于第一电压和/或第二电压。

附图说明

包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。

图1A为本揭露一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图1B为图1A的电子装置沿剖面线Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意图；

图2A为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图2B为图2A的电子装置沿剖面线Ⅱ-Ⅱ’的剖面示意图；

图3A为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图3B为图3A的电子装置沿剖面线Ⅲ-Ⅲ’的剖面示意图；

图4A为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图4B为图4A的电子装置沿剖面线Ⅳ-Ⅳ’的剖面示意图；

图5为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图6为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图7为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图8为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图9为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图10为本揭露另一实施例的电子装置的功能示意图；

图11为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图12为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图13为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图14为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图；

图15至图17为本揭露多个实施例的电子装置的局部上视示意图。

附图标号说明

10、10g、10h、10i、10j、20：电子装置；

100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100m、100n、100p、100q：调变单元；

101：基板；

120、120d、120e、120f、120k、120m：第一导电层图案；

121：第一部分；

122：第二部分；

123：第三部分；

124：第四部分；

125、126、127、128：第五部分；

129：开口区；

130：第一绝缘层；

132：第二绝缘层；

140：电子元件；

141、141d：第一电子元件；

141a、141b、142a、142b：接垫；

142、142d、142k：第二电子元件；

150：信号线；

151、151a、151d：第一信号线；

152、152a、152d：第二信号线；

153、153a：第三信号线；

154：第四信号线；

161、162、163、164、165：接合垫；

165、166、167、168：焊球；

170：射频扼流圈；

180、180d：第二导电层图案；

181：第一接垫；

182：第二接垫；

183：第三接垫；

190：导电孔；

11、11i、11j：调变模块；

12：发射源；

21：低频电路；

22：相位阵列天线；

200：天线；

220、230：转换器；

240：中频电路；

241：滤波器；

242、245：放大器；

243、261：混频器；

244：本地震荡器；

260：高频电路；

262：相移器；

263：功率放大器；

264：双工器；

265：天线单元；

266：低噪声放大器；

C：晶片；

D：漏极；

DL：信号线；

EM：信号；

G：栅极；

T：厚度；

V1：第一电压；

V2：第二电压；

V3：第三电压；

V4：第四电压；

S：源极；

SL：扫描线；

TFT1、TFT2、TFT3：晶体管。

具体实施方式

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。

在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。

应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。

虽然术语“第一”、“第二”、“第三”…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。

于文中，“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的用语通常表示在一给定值或范围的10％内、或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的含义。

在本揭露一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构系直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。

电子装置可包括显示装置、天线装置(例如液晶天线)、感测装置、发光装置、触控装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可包括可弯折、可挠式电子装置。电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。显示装置可例如包括发光二极管(light emitting diode，LED)、液晶(liquid crystal)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子点(quantum dot，QD)、其它合适的材料或前述的组合，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(QDLED)、其他适合的材料或前述的任意排列组合，但不以此为限。显示装置也可例如包括拼接显示装置，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。天线装置可例如包括天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统等周边系统以支援显示装置、天线装置或拼接装置。下文将以电子装置来说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1A为本揭露一实施例的电子装置的局部上视示意图。图1B为图1A的电子装置沿剖面线Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图1A省略示出电子装置10中的若干元件。

请同时参照图1A与图1B，本实施例的电子装置10包括基板101以及多个调变单元100。多个调变单元100设置于基板101上，以用来对接收到的电磁波信号(或光信号，但不以此为限)的强度、频宽或相位进行调变。具体来说，各个调变单元100包括第一导电层图案120、第一绝缘层130、第一电子元件141、第二电子元件142、第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153。其中，基板101可以包括硬性基板、软性基板或前述的组合。举例来说，基板101的材料可包括玻璃、石英、硅晶圆、蓝宝石(sapphire)、III-V族半导体材料、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不以此为限。在一些实施例中，基板101可以是印刷电路板。

在本实施例中，一导电层包含第一导电层图案120设置于基板101上。第一导电层图案120包括第一部分121、第二部分122、第三部分123。其中，第一部分121、第二部分122、第三部分123彼此分离。第三部分123位于第一部分121与第二部分122之间。在本实施例中，第一导电层图案120可与接收到的电磁波信号(或光信号)产生共振。第一导电层图案120的材料可包括铜、铝、银、金、铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、金属合金、其它合适的导电材料或前述材料的组合，但不以此为限。

在本实施例中，在调变单元100的上视示意图(如图1A所示)中，第一导电层图案120的图案可包括第一部分121的图案、第二部分122的图案以及第三部分123的图案。第一部分121的图案与第二部分122的图案可视为是E字型，且第三部分123的图案可视为是实心方型，但不以此为限。第一部分121的图案、第二部分122的图案以及第三部分123的图案彼此分离。第一部分121的图案与第二部分122的图案可围绕第三部分123的图案，且第一部分121的图案与第二部分122的图案可以镜像的方式设置在第三部分123的图案的两侧，但不以此为限。

在本实施例中，绝缘层的第一部分也就是第一绝缘层130设置于第一导电层图案120上，以覆盖一部分的第一导电层图案120，并覆盖由第一导电层图案120之间的开口所暴露出的部分基板101。其中，第一绝缘层130可暴露出另一部分的第一导电层图案120，以用来设置接合垫161、接合垫162、接合垫163以及接合垫164。在本实施例中，第一绝缘层130可以为单层或多层结构，且第一绝缘层130的材料可包括聚合物薄膜、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或前述的组合，但不以此为限。

在本实施例中，各个调变单元100还包括接合垫161、接合垫162、接合垫163以及接合垫164。接合垫161设置于第一导电层图案120的第一部分121上，以接触第一部分121。接合垫162设置于第一导电层图案120的第二部分122上，以接触第二部分122。接合垫163与接合垫164分别设置于第一导电层图案120的第三部分123上，以接触第三部分123。在本实施例中，接合垫161、接合垫162、接合垫163以及接合垫164的材料可包括铜、铝、银、金、铟锡氧化物、金属合金(例如化学镀镍浸金(electroless nickel immersion gold，ENIG))、其它合适的导电材料或前述材料的组合，但不以此为限。

在本实施例中，各个调变单元100还包括多个焊球165、166、167、168，分别设置于接合垫161、接合垫162、接合垫163以及接合垫164上。其中，焊球165可接触接合垫161，焊球166可接触接合垫162，焊球167可接触接合垫163，且焊球168可接触接合垫164。

在本实施例中，第一电子元件141与第二电子元件142设置于第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153上。第一电子元件141具有接垫141a与接垫141b，且第二电子元件142具有接垫142a与接垫142b。第一电子元件141可通过接垫141a与焊球165接合至接合垫161，并通过接垫141b与焊球167接合至接合垫163。第二电子元件142可通过接垫142a与焊球166接合至接合垫162，并通过接垫142b与焊球168接合至接合垫164。也就是说，第一电子元件141可通过接合垫161与接合垫163接合至第一导电层图案120，且第二电子元件142可通过接合垫162与接合垫164接合至第一导电层图案120。

在本实施例中，第一电子元件141与第二电子元件142可具有对外界刺激敏感的特性，且第一电子元件141与第二电子元件142可被外界刺激调控，以改变其本身的特性，其中所述外界刺激例如是电压、电流或温度等，所述本身的特性例如是电容值或电阻值等，但不以此为限。在本实施例中，第一电子元件141与第二电子元件142可例如是包括电容、电感或电阻，但不以此为限。举例来说，当第一电子元件141和/或第二电子元件142为电容时，调变单元100可利用施加电压来调控此电容，以改变此电容的容值。

此外，在一些实施例中，第一电子元件141与第二电子元件142也可例如是含有对外界刺激敏感的材料的电子元件、含有对外界刺激敏感的元件的电子元件、或含有对外界刺激敏感的结构的电子元件。其中，所述对外界刺激敏感的材料可例如是液晶或氧化钒等，所述对外界刺激敏感的元件可例如是PIN二极管、变容二极管(varactor diode)、萧特基二极管(schottky diode)或耿氏二极管(gunn diode)等，所述对外界刺激敏感的结构可例如是微机电系统(micro electro mechanical systems，MEMS)等，但不以此为限。

此外，在一些实施例中，第一电子元件141与第二电子元件142也可分别是不同的电子元件，例如第一电子元件141可以是电感，第二电子元件142可以是电容，或第一电子元件141可以是开关元件，第二电子元件142可以是二极管。因此，一个调变元件可调变两种不同特性。

在本实施例中，第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153分别设置于基板101以及第一绝缘层130上。第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153可以与第一导电层图案120为同一膜层，但不以此为限。第一信号线151可接触并耦接至第一导电层图案120的第一部分121，第二信号线152可接触并耦接至第一导电层图案120的第二部分122，且第三信号线153可接触并耦接至第一导电层图案120的第三部分123。

在本实施例中，第一信号线151具有第一电压V1，第二信号线152具有第二电压V2，且第三信号线153具有第三电压V3。第一电压V1、第二电压V2、第三电压V3为低频电压信号，例如频率范围为0至100M Hz。第一信号线151可通过第一部分121、接合垫161、焊球165以及接垫141a而提供第一电压V1至第一电子元件141。第二信号线152可通过第二部分122、接合垫162、焊球165以及接垫142b而提供第二电压V2至第二电子元件142。第三信号线153可通过第三部分123、接合垫163、焊球165以及接垫141b而提供第三电压V3至第一电子元件141，并通过第三部分123、接合垫164、焊球165以及接垫142a而提供第三电压V3至第二电子元件142。因此，在本实施例中，可利用第三信号线153的第三电压V3搭配第一信号线151的第一电压V1来调控第一电子元件141并改变第一电子元件141本身的特性，也可利用第三信号线153的第三电压V3搭配第二信号线152的第二电压V2来调控第二电子元件142并改变第二电子元件142本身的特性。藉此，可使调变单元100可对接收到的电磁波信号(或光信号，但不以此为限)的相位、强度、频宽或偏振态进行调变，并输出调变后的电磁波信号(或光信号，但不以此为限)。

此外，在本实施例中，第一电子元件141中的电压差(即第一电压V1与第三电压V3之间的差值)与第二电子元件142中的电压差(即第一电压V1与第二电压V2之间的差值)可各自独立地被第一信号线151、第二信号线152和/或第三信号线153调控。在本实施例中，由于第一电子元件141与第二电子元件142可共用第三信号线153的第三电压V3，因而可使调变单元100的整体线路的配置较简单且不复杂。在本实施例中，由于第一电压V1可不同于第二电压V2，且第三电压V3可不同于第一电压V1和第二电压V2，因而可使被调控的第一电子元件141与第二电子元件142分别展现出多种不同的特性，进而可增加调变单元100的可调变因子、或可增加第一电子元件141与第二电子元件142的选择。

在本实施例中，由于第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153可分别电性连接至第一导电层图案120，因而使得各个调变单元100需要额外设置多个射频扼流圈(radio frequency choke)170，以阻挡第一导电层图案120中的高频信号或交流电压进入(或干扰)到具有低频信号或直流电压的第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153。具体来说，将射频扼流圈170分别设置于第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153中，以用来稳定第一电压V1、第二电压V2以及第三电压V3。

虽然在本实施例中的第一电压V1、第二电压V2以及第三电压V3彼此皆不同，但本揭露并不以此为限。也就是说，在一些实施例中，也可以是只要使第一电压、第二电压以及第三电压中的任二者的电压不同。

虽然在本实施例中的第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153可以与第一导电层图案120为同一膜层，但本揭露并不以此为限。也就是说，在一些实施例中，第一信号线、第二信号线以及第三信号线也可以与第一导电层图案为不同膜层，如图2A、图2B、图3A、图3B所示。在一些实施例中，第一信号线、第二信号线以及第三信号线中也可以有一者或二者的信号线与第一导电层图案为同一膜层，且另一者或另二者的信号线与第一导电层图案为不同膜层，如图6所示。

在本实施例中，在调变单元100的上视示意图(如图1A所示)中，虽然第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153的轮廓的形状为直线，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，第一信号线、第二信号线以及第三信号线的轮廓的形状也可以为波状结构或回圈结构。

以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图2A为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。图2B为图2A的电子装置沿剖面线Ⅱ-Ⅱ’的剖面示意图。请同时参照图1A至图1B与图2A至图2B，本实施例的调变单元100a大致相似于图1A至图1B的调变单元100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的调变单元100a不同于调变单元100之处在于，本实施例的各个调变单元100a还包括第二绝缘层132与第二导电层图案180。

具体来说，请参照图2A与图2B，在本实施例中，另一绝缘层的一部分，也就是第二绝缘层132设置于第一绝缘层130上，以覆盖至少一部分的第一绝缘层130，并暴露出另一部分的第一绝缘层130。其中，第二绝缘层132可以为单层或多层结构，且第二绝缘层132的材料可包括聚合物薄膜、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或前述的组合，但不以此为限。

在本实施例中，第一信号线151a、第二信号线152a以及第三信号线153a设置于由第二绝缘层132所暴露出的第一绝缘层130上。第二导电层图案180设置于第一信号线151a、第二信号线152a以及第三信号线153a上。也就是说，第二导电层图案180可设置于信号线150与电子元件140之间，其中信号线150包括第一信号线151a、第二信号线152a以及第三信号线153a，且电子元件140包括第一电子元件141与第二电子元件142。第二导电层图案180包括彼此分离的第一接垫181、第二接垫182以及第三接垫183。其中，第一接垫181可对应于第一部分121设置，第二接垫182可对应于第二部分122设置，且第三接垫183可对应于第三部分123设置。

在本实施例中，第一信号线151a可接触并电性连接至第一接垫181，第二信号线152a可接触并电性连接至第二接垫182，且第三信号线153a可接触并电性连接至第三接垫183。其中，第一接垫181可电性连接第一信号线151a与第一电子元件141，第二接垫182可电性连接第二信号线152a与第二电子元件142，且第三接垫183电性连接第三信号线153a与第一电子元件141和/或第二电子元件142。

在本实施例中，由于第一导电层图案120中的高频信号或交流电压不会进入(或干扰)到具有低频信号或直流电压的第一信号线151a、第二信号线152a以及第三信号线153a，因此，各个调变单元100a可不需要额外再设置多个射频扼流圈。

在本实施例中，由于第一导电层图案120间接电性连接至第一电子元件141与第二电子元件142，因而使得第一电子元件141与第二电子元件142需要通过感应的方式来调控在第一导电层图案120之间的电磁波信号(或光信号，但不以此为限)。

在本实施例中，第一绝缘层130的厚度T可以为

(埃米)至10μm(微米)，其中厚度T为第一绝缘层130沿着基板101的法线方向进行量测到的最小厚度。

图3A为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。图3B为图3A的电子装置沿剖面线Ⅲ-Ⅲ’的剖面示意图。请同时参照图2A至图2B与图3A至图3B，本实施例的调变单元100b大致相似于图2A至图2B的调变单元100a，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的调变单元100b不同于调变单元100a之处在于，本实施例的各个调变单元100b还包括导电孔190。

具体来说，请参照图3A与图3B，在本实施例中，导电孔190可贯穿第一绝缘层130并电性连接第二导电层图案180与第一导电层图案120。其中，由于第一信号线151a、第二信号线152a以及第三信号线153a可通过第二导电层图案180以及导电孔190电性连接至第一导电层图案120，因而使得本实施例的调变单元100b需要额外设置多个射频扼流圈170于第一信号线151a、第二信号线152a以及第三信号线153a中。

此外，由于第一导电层图案120可通过导电孔190以及第二导电层图案180电性连接至第一电子元件141与第二电子元件142，因此，本实施例的调变单元100b可不需要对第一绝缘层130的厚度加以限制。

图4A为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。图4B为图4A的电子装置沿剖面线Ⅳ-Ⅳ’的剖面示意图。请同时参照图2A至图2B与图4A至图4B，本实施例的调变单元100c大致相似于图2A至图2B的调变单元100a，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的调变单元100c不同于调变单元100a之处在于，本实施例的第一信号线151a、第二信号线152a以及第三信号线153a不接触第二导电层图案180。

具体来说，请参照图4A与图4B，在本实施例中，第一绝缘层130具有多个开口，以暴露出第一导电层图案120的第一部分121、第二部分122以及第三部分123。

在本实施例中，第一信号线151a、第二信号线152a以及第三信号线153a设置于由第一绝缘层130所暴露出的第一导电层图案120上，以使第一信号线151a可接触第一部分121、第二信号线152a可接触第二部分122且第三信号线153a可接触第三部分123。

在本实施例中，第二导电层图案180设置于由第一绝缘层130所暴露出的第一导电层图案120上，以使第一接垫181可接触第一部分121、第二接垫182可接触第二部分122且第三接垫183可接触第三部分123。其中，第一接垫181不接触第一信号线151a、第二接垫182不接触第二信号线152a、且第三接垫183不接触第三信号线153a。第一接垫181可通过第一部分121电性连接至第一信号线151a、第二接垫182可通过第二部分122电性连接至第二信号线152a、且第三接垫183可通过第三部分123电性连接至第三信号线153a。

第二绝缘层132设置于第一绝缘层130上，以覆盖第一绝缘层130、第一信号线151a、第二信号线152a以及第三信号线153a。第二绝缘层132还可设置于第一接垫181与第一信号线151a之间的间隙、第二接垫182与第二信号线152a之间的间隙、以及第三接垫183与第三信号线153a之间的间隙。

图5为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。请同时参照图1A与图5，本实施例的调变单元100d大致相似于图1A的调变单元100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的调变单元100d不同于调变单元100之处在于，在本实施例的各个调变单元100d中，第一导电层图案120d的图案大致上可视为是空心的方型。

具体来说，请参照图5，在调变单元100d的上视示意图中，第一部分121的图案与第二部分122的图案可视为是L字型，且第三部分123的图案可视为是C字型，但不以此为限。第一部分121的图案、第二部分122的图案以及第三部分123的图案彼此分离，且第一部分121的图案、第二部分122的图案以及第三部分123的图案大致上可组立成空心的方型，但不以此为限。此外，在本实施例中，第一电子元件141与第二电子元件142分别设置于第一导电层图案120d的图案的两侧，但不以此为限。

图6为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。请同时参照图2A与图6，本实施例的调变单元100e大致相似于图1A的调变单元100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的调变单元100e不同于调变单元100之处在于，在本实施例的各个调变单元100e中，第一电子元件141d与第二电子元件142d皆具有3个接垫(未示出)。

具体来说，请参照图6，在调变单元100e的上视示意图中，第一导电层图案120e包括第一部分121、第二部分122、第三部分123。其中，第一部分121的图案与第二部分122的图案可视为是实心方型，且第三部分123的图案可视为是工字型，但不以此为限。第一部分121的图案、第二部分122的图案以及第三部分123的图案彼此分离，且第一部分121的图案、第二部分122的图案以及第三部分123的图案大致上可组立成日字型(即，第一导电层图案120e的图案大致上可视为是日字型)，但不以此为限。此外，在本实施例中，第一电子元件141d与第二电子元件142d分别设置于第一导电层图案120e的图案的两侧，但不以此为限。

在本实施例中，第二导电层图案180d设置于第一导电层图案120e上，且包括彼此分离的第一接垫181与第二接垫182。其中，第一接垫181可对应于第一部分121设置，且第二接垫182可对应于第二部分122设置。接合垫161、接合垫162、接合垫163以及接合垫164分别设置于第一导电层图案120e的第三部分123上，以接触第三部分123。其中，具有3个接垫的第一电子元件141可通过接合垫161、第一接垫181以及接合垫163而接合至第一导电层图案120e，且具有3个接垫的第二电子元件142可通过接合垫162、第二接垫182以及接合垫164而接合至第一导电层图案120e。

在本实施例中，由于第三信号线153可接触并电性连接至第一导电层图案120e的第三部分123，因此，在第三信号线153中需要额外设置射频扼流圈170。此外，在电性连接至第一接垫181的第一信号线151d中以及电性连接至第二接垫182的第二信号线152d中皆不需要额外设置射频扼流圈。

图7为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。请同时参照图1A与图7，本实施例的调变单元100f大致相似于图1A的调变单元100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的调变单元100f不同于调变单元100之处在于，本实施例的各个调变单元100f还包括第四信号线154，且第一导电层图案120f还包括第四部分124、第五部分125、第五部分126、第五部分127以及第五部分128。

具体来说，请参照图7，在本实施例中，第一部分121、第二部分122、第三部分123、第四部分124、第五部分125、第五部分126、第五部分127以及第五部分128彼此分离。第一部分121、第二部分122以及第三部分123、第四部分124设置在第一导电层图案120f的中间，且第五部分125、第五部分126、第五部分127以及第五部分128设置在第一导电层图案120f的周边。其中，第一部分121、第二部分122、第三部分123、第四部分124、第五部分125、第五部分126、第五部分127以及第五部分128的图案大致上可组立成米字型(即，第一导电层图案120f的图案大致上可视为是米字型)，但不以此为限。

在本实施例中，接合垫161设置于第一部分121上，接合垫162设置于第二部分122上，接合垫163设置于第三部分123上，且接合垫164设置于第四部分124上。其中，第一电子元件141可通过接合垫161与接合垫163接合至第一导电层图案120f，且第二电子元件142可通过接合垫162与接合垫164接合至第一导电层图案120f。

在本实施例中，第一信号线151可接触并电性连接至第一部分121，第二信号线152可接触并电性连接至第二部分122，第三信号线153可接触并电性连接至第三部分123，且第四信号线154可接触并电性连接至第四部分124。其中，第一信号线151可提供第一电压V1至第一电子元件141，且第三信号线153可提供第三电压V3至第一电子元件141。第二信号线152可提供第二电压V2至第二电子元件142，且第四信号线154可提供第四电压V4至第二电子元件142。

图8为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。请同时参照图1A与图8，本实施例的电子装置10g与调变单元100g大致相似于图1A至图1B的电子装置10与调变单元100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的电子装置10g与调变单元100g不同于电子装置10与调变单元100之处在于，本实施例的电子装置10g还包括多个扫描线SL、多个信号线DL以及调变模块11，且各个调变单元100g还包括晶片C。

具体来说，请参照图8，调变模块11包括阵列排列的多个调变单元100g，其中设置在调变模块11中的调变单元100g可以相同也可以不同。多个扫描线SL与多个信号线DL分别设置于基板101上。多个扫描线SL与多个信号线DL彼此交错，以定义出阵列排列的多个调变单元100g。

在本实施例中，由于扫描线SL可电性连接至晶片C，信号线DL可电性连接至晶片C，且第一导电层图案120中的第一部分121、第二部分122以及第三部分123可分别通过第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153电性连接至晶片C，因而可使晶片C可以独立地调控各个调变单元100g。在本实施例中，晶片C可例如是由IC或多个TFT元件封装而成的晶片、或是由多个TFT元件形成的裸晶。晶片C包括驱动电路，且驱动电路可分别电性连接至第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153。

图9为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。请同时参照图8与图9，本实施例的电子装置10h大致相似于图8的电子装置10g，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的电子装置10h不同于电子装置10g之处在于，在本实施例的电子装置10h还包括发射源12。

具体来说，请参照图9，在本实施例中，发射源12配置用于发出信号EM(例如是电磁波信号或光信号)。其中，信号EM(例如是电磁波信号或光信号)可例如是在自由空间中以任意的方向进行传播，但不以此为限。在一些实施例中，信号EM(例如是电磁波信号或光信号)也可以在波导结构(wave-guided structure)(未示出)中传播，其中所述波导结构例如是传输线、介质波导管(dielectric-filled waveguide)或充气波导管(gas-filledwaveguide)，但不以此为限。

在本实施例中，在调变模块11中的各个调变单元100h接收到发射源12发出的信号EM(例如是电磁波信号或光信号)时，调变模块11可调控入射到各个调变单元100h的信号EM(例如是电磁波信号或光信号)的相位、振幅或偏振态，以使各个调变单元100h将信号EM(例如是电磁波信号或光信号)输出至相同方向(即第一方向D1或第二方向D2)，但不以此为限。在一些实施例中，在调变模块11调控入射到各个调变单元100h的信号EM(例如是电磁波信号或光信号)的相位后，也可以使各个调变单元100h将信号EM(例如是电磁波信号或光信号)皆输出至相同位置(未示出)。

在本实施例中，电子装置10h可以应用于天线装置、影像用的显示装置或是5G毫米波的增幅器，但不以此为限。

此外，本实施例中的调变模块11虽然是设置在发射源12外，以用来对发射源12发出后的信号EM(例如是电磁波信号或光信号)的相位进行调控，但本揭露并不对调变模块11的配置位置加以限制。在一些实施例中，可以将调变模块设置在发射源内，以用来在发出信号(例如是电磁波信号或光信号)之前，对所述信号的相位进行调控，如图10所示。

图10为本揭露另一实施例的电子装置的功能示意图。

请参照图10，本实施例的电子装置20可视为是天线装置，包括低频电路(basebandcircuit)21与相位阵列天线(phase array antenna)22。具体来说，相位阵列天线22包括多个天线200，且各个天线200包括转换器220、转换器230、中频电路240以及高频电路260。中频电路240包括滤波器(filter)241、放大器(amplifier)242、混频器(mixer)243、本地震荡器(localOscillator)244以及放大器245。高频电路260包括混频器261、相移器(phaseshifter)262、功率放大器263、双工器(diplexer)264、天线单元265、低噪声放大器(lownoise amplifier)266。

在本实施例中，在电子装置20发射信号时，低频电路21先通过转换器220将信号转换至中频电路240，接着再通过中频电路240中的滤波器241、放大器242、混频器243、本地震荡器244以及放大器245而将信号传递至高频电路260，然后再通过高频电路260中的混频器261、相移器262、功率放大器263以及双工器264，最后通过天线单元265将电磁波信号发射至外界。反之，在电子装置20接收信号时，先利用天线单元265来接收外界的电磁波信号，接着依序通过高频电路260、中频电路240以及转换器230而传递至低频电路21。其中，调变模块(未示出)或调变单元(未示出)可设置在天线单元265中，以用来在发出电磁波信号之前，对电磁波信号的相位、频宽’、强度或偏振态进行调控。

图11为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。请同时参照图1A与图11，本实施例的电子装置10i与调变单元100i大致相似于图1A至图1B的电子装置10与调变单元100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的电子装置10i与调变单元100i不同于电子装置10与调变单元100之处在于，本实施例的电子装置10i还包括多个扫描线SL、多个信号线DL以及调变模块11i，且各个调变单元100i还包括多个晶体管TFT1、TFT2、TFT3。

具体来说，请参照图11，调变模块11i包括阵列排列的多个调变单元100i，其中设置在调变模块11i中的调变单元100i可以相同也可以不同。多个扫描线SL与多个信号线DL分别设置于基板101上。多个扫描线SL与多个信号线DL彼此交错，以定义出阵列排列的多个调变单元100i。

在本实施例中，扫描线SL可电性连接至晶体管TFT1、晶体管TFT2以晶体管TFT3中的栅极G，信号线DL可电性连接至晶体管TFT1、晶体管TFT2以晶体管TFT3中的源极S，且第一导电层图案120可电性连接至晶体管TFT1、晶体管TFT2以晶体管TFT3中的漏极D。其中，晶体管TFT1、晶体管TFT2以晶体管TFT3可分别电性连接至第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153，以独立地调控各个调变单元100i。

图12为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。请同时参照图1A与图12，本实施例的电子装置10j与调变单元100j大致相似于图1A至图1B的电子装置10与调变单元100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的电子装置10j与调变单元100j不同于电子装置10与调变单元100之处在于，本实施例的电子装置10j还包括多个扫描线SL、多个信号线DL、晶片C以及调变模块11j。

具体来说，请参照图12，调变模块11j包括阵列排列的多个调变单元100j，其中设置在调变模块11j中的多个调变单元100j可以相同也可以不同。多个扫描线SL与多个信号线DL分别设置于基板101上。多个扫描线SL与多个信号线DL彼此交错，以定义出调变单元100j。

在本实施例中，晶片C可例如是由IC或多个TFT元件封装而成的晶片、或是由多个TFT元件形成的裸晶。晶片C可包括驱动电路。其中，由于晶片C可分别通过第一信号线151、第二信号线152以及第三信号线153电性连接至每个调变单元100j中的第一部分121、第二部分122以及第三部分123，因而使得晶片C可同时驱动多个调变单元100j。

图13为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。请同时参照图1A与图13，本实施例的调变单元100k大致相似于图1A的调变单元100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的调变单元100k不同于调变单元100之处在于，在本实施例的各个调变单元100k中，第一导电层图案120k还包括第四部分124k，且第二电子元件142k具有3个接垫(未示出)。

具体来说，请参照图13，在本实施例中，第一部分121的图案、第二部分122的图案、第三部分123的图案以及第四部分124的图案彼此分离，且第一部分121的图案、第二部分122的图案以及第三部分123的图案大致上可组立成空心的方型，但不以此为限。其中，第一部分121的图案可视为是L字型，第二部分122的图案可视为是由多个分离的实心方型所组成的图案，第三部分123的图案可视为是实心方型，且第四部分124的图案可视为是实心方型，但不以此为限。

在本实施例中，接合垫161与接合垫162分别设置于第一部分121上，接合垫163设置于第二部分122上，接合垫164设置于第三部分123上，且接合垫165设置于第四部分124上。其中，第一电子元件141可通过接合垫161与接合垫163接合至第一导电层图案120k，且具有3个接垫的第二电子元件142k可通过接合垫162、接合垫164以及接合垫165接合至第一导电层图案120k。

在本实施例中，第一信号线151可接触并电性连接至第一部分121，第二信号线152可分别接触并电性连接至第二部分122与第三部分123，且第三信号线153可接触并电性连接至第四部分124k。其中，第一信号线151可提供第一电压V1至第一电子元件141，且第二信号线152可提供第二电压V2至第一电子元件141。第一信号线151也可提供第一电压V1至第二电子元件142k，第二信号线152也可提供第二电压V2至第二电子元件142k，且第三信号线153可提供第三电压V3至第二电子元件142k。

图14为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。请同时参照图1A与图14，本实施例的调变单元100m大致相似于图1A的调变单元100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的调变单元100m不同于调变单元100之处在于，在本实施例的各个调变单元100m中，第一导电层图案120m还包括开口区129。

具体来说，请参照图14，在本实施例中，第一部分121的图案、第二部分122的图案以及第三部分123的图案彼此分离，且第一部分121的图案与第三部分123的图案设置于第二部分122的图案内的空心处，但不以此为限。其中，第一部分121的图案可视为是空心半圆型，第二部分122的图案可视为是空心方型，且第三部分123的图案可视为是空心半圆型，但不以此为限。

在本实施例中，开口区129为由第一导电层图案120m的第一部分121、第二部分122以及第三部分123所暴露的区域。其中，第一部分121的面积、第二部分122的面积以及第三部分123的面积的总合大于开口区129的面积。

在本实施例中，接合垫161与接合垫162分别设置于第二部分122上，接合垫163设置于第三部分123上，且接合垫164设置于第一部分121上。其中，第一电子元件141可通过接合垫161与接合垫163接合至第一导电层图案120m，且第二电子元件142可通过接合垫162与接合垫164接合至第一导电层图案120m。

在本实施例中，第一信号线151可接触并电性连接至第一部分121，第二信号线152可接触并电性连接至第二部分122，且第三信号线153可接触并电性连接至第三部分123。其中，第二信号线152可提供第二电压V2至第一电子元件141，且第三信号线153可提供第三电压V3至第一电子元件141。第一信号线151可提供第一电压V1至第二电子元件142，且第二信号线152也可提供第二电压V2至第二电子元件142。

图15至图17为本揭露多个实施例的电子装置的局部上视示意图。请同时参照图1A与图15至图17，本实施例的调变单元100n、100p、100q大致相似于图1A的调变单元100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的调变单元100n、100p、100q不同于调变单元100之处在于：

请参照图15，在本实施例的调变单元100n中，第一信号线151n、第二信号线152n以及第三信号线153n的轮廓的形状可以为圆弧形的波状结构，藉此可不需要在第一信号线151n、第二信号线152n以及第三信号线153n中额外设置射频扼流圈。

请参照图16，在本实施例的调变单元100p中，第一信号线151p、第二信号线152p以及第三信号线153p的轮廓的形状可以为矩形的波状结构，藉此可不需要在第一信号线151p、第二信号线152p以及第三信号线153p中额外设置射频扼流圈。

请参照图17，在本实施例的调变单元100q中，第一信号线151q、第二信号线152q以及第三信号线153q的轮廓的形状可以为回圈结构，藉此可不需要在第一信号线151q、第二信号线152q以及第三信号线153q中额外设置射频扼流圈。

综上所述，在本揭露实施例的电子装置中，由于第一电压与第三电压可调控第一电子元件本身的特性，且第二电压与第三电压可调控第二电子元件本身的特性，因而可使调变单元对接收到的信号(例如电磁波信号或光信号)的强度、频宽或相位进行调变。接着，由于第一电子元件与第二电子元件可共用第三信号线的第三电压，因而可使调变单元的整体线路的配置较简单且不复杂。再者，由于第一电压可不同于第二电压，且第三电压可不同于第一电压和第二电压，因而可使被调控的第一电子元件与第二电子元件分别展现出多种不同的特性，进而可增加调变单元的可调变因子、或可增加第一电子元件与第二电子元件的选择。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。

Claims

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

基板；以及

多个调变单元设置于所述基板上，其中各所述多个调变单元包括：

第一电子元件与第二电子元件；

第一信号线，提供第一电压至所述第一电子元件；

第二信号线，提供第二电压至所述第二电子元件；以及

第三信号线，提供第三电压至所述第一电子元件和/或所述第二电子元件，

其中所述第一电压不同于所述第二电压，且所述第三电压不同于所述第一电压和/或所述第二电压。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，各所述多个调变单元还包括：

多个射频扼流圈，分别设置于所述第一信号线、所述第二信号线以及所述第三信号线中，以稳定所述第一电压、所述第二电压以及所述第三电压。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于各所述多个调变单元还包括:

第一导电层图案，设置于所述基板上；以及

第一绝缘层，设置于所述第一导电层图案上；

其中所述第一信号线、所述第二信号线与所述第三信号线设置于所述第一绝缘层上；

其中所述第一电子元件、第二电子元件设置于所述第一信号线、所述第二信号线与所述第三信号线上。

4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电层图案包括彼此分离的第一部分、第二部分以及第三部分，其中所述第一信号线耦接至所述第一部分，所述第二信号线耦接至所述第二部分，且所述第三信号线耦接至所述第三部分。

5.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，各所述多个调变单元还包括：

第二导电层图案，设置于信号线与电子元件之间，且包括彼此分离的第一接垫、第二接垫以及第三接垫，

其中所述第一接垫电性连接所述第一信号线与所述第一电子元件，所述第二接垫电性连接所述第二信号线与所述第二电子元件，且所述第三接垫电性连接所述第三信号线与所述第一电子元件和/或所述第二电子元件。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，各所述多个调变单元还包括：

导电孔，贯穿所述绝缘层，且电性连接所述第二导电层图案与所述第一导电层图案。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，各所述多个调变单元还包括：

多个晶体管，分别电性连接至所述第一信号线、所述第二信号线以及所述第三信号线。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，各所述多个调变单元还包括：

驱动电路，分别电性连接至所述第一信号线、所述第二信号线以及所述第三信号线。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

发射源，配置用于发出信号，

其中各所述多个调变单元接收所述信号，调控所述信号的相位、振幅或偏振态。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一电子元件与所述第二电子元件包括电容、电感或电阻。