CN120917536A

CN120917536A - 层叠陶瓷电容器

Info

Publication number: CN120917536A
Application number: CN202480021617.3A
Authority: CN
Inventors: 锦织谅
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2023-06-16
Filing date: 2024-04-17
Publication date: 2025-11-07
Also published as: US20260088219A1; EP4708339A1; WO2024257476A1

Abstract

提供一种能够不增大层叠陶瓷电容器的尺寸地提高电容的层叠陶瓷电容器。在层叠陶瓷电容器（1）中，第1内部电极层（31）的第1对置部（EA）具有作为相对于第1引出部（D1）配置得偏靠层叠方向（T）上的层叠体（10）的外侧且覆盖率比第1引出部（D1）的覆盖率高的区域的第1高覆盖率区域（EA0），第2对置部（EB）具有作为相对于第2引出部（D2）配置得偏靠层叠方向（T）上的层叠体（10）的外侧且覆盖率比第2引出部（D2）的覆盖率高的区域的第2高覆盖率区域（EB0）。

Description

层叠陶瓷电容器

技术领域

本发明涉及层叠陶瓷电容器。

背景技术

以往，已知作为层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器。一般地，层叠陶瓷电容器具备交替地层叠有多个电介质层和内部电极层的层叠体、以及与内部电极层连接并设置在层叠体的两端面的外部电极（参照专利文献1）。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-243249号公报

发明内容

发明要解决的问题

关于层叠陶瓷电容器，被要求小型化，并且被要求静电电容的提高。然而，难以兼顾这些特性。

本发明的目的在于，提供一种能够不增大层叠陶瓷电容器的尺寸地提高电容的层叠陶瓷电容器。

用于解决问题的技术方案

本发明的层叠陶瓷电容器具有：层叠体，包含层叠的多个电介质层，并包含在层叠方向上相对的第1主面以及第2主面、在与层叠方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面、和在与层叠方向以及宽度方向正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面；第1内部电极层，配置在所述电介质层上，并在所述第1端面露出；第2内部电极层，配置在所述电介质层上，并在所述第2端面露出；第1外部电极，配置在所述第1端面上并与所述第1内部电极层连接；和第2外部电极，配置在所述第2端面上并与所述第2内部电极层连接，其中，所述第1内部电极层具有与所述第2内部电极层对置的第1对置部、和从所述第1对置部向所述第1端面侧引出的第1引出部，所述第2内部电极层具有与所述第1内部电极层对置的第2对置部、和从所述第2对置部向所述第2端面侧引出的第2引出部，所述第1对置部具有：第1高覆盖率区域，是相对于所述第1引出部配置得偏靠所述层叠方向上的所述层叠体的外侧且覆盖率比所述第1引出部的覆盖率高的区域，所述第2对置部具有：第2高覆盖率区域，是相对于所述第2引出部配置得偏靠所述层叠方向上的所述层叠体的外侧且覆盖率比所述第2引出部的覆盖率高的区域。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能够不增大层叠陶瓷电容器的尺寸地提高电容的层叠陶瓷电容器。

附图说明

图1是第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的外观立体图。

图2A是图1的II-II剖视图，并且是用于说明层叠体的概略结构的图。

图2B是图1的II-II剖视图，并且是用于说明层叠体的内部电极层的详情的图。

图3是图2A的III-III剖视图。

图4A是图2A的IVA-IVA剖视图，并且是沿着第1内部电极层的剖视图。

图4B是图2A的IVB-IVB剖视图，并且是沿着第2内部电极层的剖视图。

图5是示出层叠体的剖面的一部分的照片。

图6是对图5的照片之中的包含内部电极层的第1中央区域以及第2中央部区域的部分进行了放大的照片。

图7是对图5的照片之中的包含内部电极层的第2区域以及第3区域的部分进行了放大的照片。

图8是示出对内部电极层以及电介质层的厚度进行测定时的测定点的图。

图9是将露出的内层部剖面的基于SEM的放大像的例子进行了附图化的图。

图10是示出印刷有导电性膏P1的电介质片的剖面的示意图。

图11是示出在图10的电介质片印刷有导电性膏P2的电介质片的剖面的示意图。

图12是示出在成为内层部的部分的上下形成有成为第1主面侧外层部的部分以及成为第2主面侧外层部的部分的层叠片的一部分的示意图。

图13是第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的外观立体图。

图14A是第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器中的相当于图4A的图。

图14B是第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器中的相当于图4B的图。

具体实施方式

<第1实施方式>

参照附图对本公开的第1实施方式涉及的作为层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器1进行说明。图1是第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器1的外观立体图。图2A是图1的II-II剖视图，并且是用于说明层叠体的概略结构的图。图2B是图1的II-II剖视图，并且是用于说明层叠体的内部电极层的详情的图。图3是图2A的III-III剖视图。图4A是图2A的IVA-IVA剖视图，并且是沿着第1内部电极层的剖视图。图4B是图2A的IVB-IVB剖视图，并且是沿着第2内部电极层的剖视图。

另外，附图用于说明发明的内容，有时示意性地简化绘制，有时所绘制的构成要素或构成要素间的尺寸的比率与说明书记载的这些尺寸的比率不一致。此外，存在说明书记载的构成要素在附图中被省略的情况、省略个数来绘制的情况等。例如，为了便于说明，在图2A、图2B、图3记述的内部电极层的数量成为12层，但是这并非表示实际的内部电极层30的数量。另外，关于在本发明中使用的、形状、几何学条件、以及确定它们的程度的用语例如“平行”、“正交”、“相同”等用语、长度、角度的值等，不受严格意义的限制，设为包含能够期待同样功能的程度的范围在内进行解释

如图1所示，第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器1具有大致长方体形状。层叠陶瓷电容器1具备具有大致长方体形状的层叠体10和相互分离地分别配置在层叠体10的两端部的一对外部电极40。

在图1中，箭头T示出了层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的层叠方向。该层叠方向T还是层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的厚度方向以及高度方向。在图1中，箭头L示出了层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的与层叠方向T正交的长度方向。在图1中，箭头W示出了层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的与层叠方向T以及长度方向L正交的宽度方向。一对外部电极40分别配置在层叠体10的长度方向L的一端部以及另一端部。

在图1～图4B以及后述的图5、图8、图13～图14B中，示出了XYZ正交坐标系。层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的长度方向L与X方向对应。层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的宽度方向W与Y方向对应。层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的层叠方向T与Z方向对应。在此，图2A、图2B以及图8所示的剖面也称为LT剖面。图3所示的剖面也称为WT剖面。图4A、图4B、图14A以及图14B所示的剖面也称为LW剖面。

如图1～图4B所示，层叠体10包含在层叠方向T上相对的第1主面TS1以及第2主面TS2、在与层叠方向T正交的长度方向L上相对的第1端面LS1以及第2端面LS2、和在与层叠方向T以及长度方向L正交的宽度方向W上相对的第1侧面WS1以及第2侧面WS2。

如图1所示，层叠体10具有大致长方体形状。另外，层叠体10的长度方向L的尺寸未必一定比宽度方向W的尺寸长。优选在层叠体10的角部以及棱线部带有圆角。角部是层叠体的三个面相交的部分，棱线部是层叠体的两个面相交的部分。另外，也可以在构成层叠体10的表面的一部分或全部形成有凹凸等。

层叠体10的尺寸没有特别限定，但若将层叠体10的长度方向L的尺寸设为L尺寸，则L尺寸优选为0.2mm以上且6mm以下。此外，若将层叠体10的层叠方向T的尺寸设为T尺寸，则T尺寸优选为0.05mm以上且5mm以下。此外，若将层叠体10的宽度方向W的尺寸设为W尺寸，则W尺寸优选为0.1mm以上且5mm以下。

如图2A、图2B以及图3所示，层叠体10具有内层部11和配置为在层叠方向T上夹着内层部11的第1主面侧外层部12以及第2主面侧外层部13。

内层部11包含在层叠方向T上交替地层叠的作为多个陶瓷层的多个电介质层20以及作为多个内部导体层的多个内部电极层30。内层部11在层叠方向T上包含从位于最靠第1主面TS1侧的内部电极层30至位于最靠第2主面TS2侧的内部电极层30。在内层部11中，多个内部电极层30隔着电介质层20对置配置。内层部11是产生静电电容而实质上作为电容器发挥功能的部分。另外，内层部11的层叠方向T的厚度伴随着位于最靠第1主面TS1侧的内部电极层30的形状和位于最靠第2主面TS2侧的内部电极层30的形状沿着长度方向L变化。

多个电介质层20由电介质材料构成。电介质材料例如也可以是包含BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃、或CaZrO₃等成分的电介质陶瓷。此外，电介质材料也可以是在这些主成分中添加了Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等副成分的电介质材料。电介质材料特别优选为包含BaTiO₃作为主成分的材料。

电介质层20的厚度优选为0.2μm以上且10μm以下。层叠的电介质层20的片数优选为15片以上且1200片以下。另外，该电介质层20的片数是内层部11的电介质层20的片数和第1主面侧外层部12以及第2主面侧外层部13各自的电介质层20的片数的总数。

多个内部电极层30包含作为多个第1内部导体层的多个第1内部电极层31、和作为多个第2内部导体层的多个第2内部电极层32。第1内部电极层31和第2内部电极层32在其间夹着电介质层20而在层叠方向T上交替地配置。第1内部电极层31引出到第1端面LS1。第2内部电极层32引出到第2端面LS2。另外，以下，在无需区分第1内部电极层31和第2内部电极层32而进行说明的情况下，有时将第1内部电极层31和第2内部电极层32统称为内部电极层30。

如图2A、图4A所示，第1内部电极层31具有第1对置部EA和第1引出部D1。第1对置部EA是将电介质层20夹在中间而与第2内部电极层32对置的区域，位于层叠体10的内部。第1引出部D1是从第1对置部EA引出到第1端面LS1的部分，并在第1端面LS1露出。

如图2A、图4B所示，第2内部电极层32具有第2对置部EB和第2引出部D2。第2对置部EB是将电介质层20夹在中间而与第1内部电极层31对置的区域，位于层叠体10的内部。第2引出部D2是从第2对置部EB引出到第2端面LS2的部分，并在第2端面LS2露出。

在本实施方式中，第1对置部EA和第2对置部EB隔着电介质层20相互对置，由此形成电容，显现出电容器的特性。

第1对置部EA以及第2对置部EB的形状没有特别限定，但优选为矩形形状。不过，矩形形状的角落部也可以带有圆角，矩形形状的角落部还可以倾斜地形成。第1引出部D1以及第2引出部D2的形状没有特别限定，但优选为矩形形状。不过，矩形形状的角落部也可以带有圆角，矩形形状的角落部还可以倾斜地形成。

第1对置部EA的宽度方向W的尺寸和第1引出部D1的宽度方向W的尺寸可以由相同的尺寸形成，也可以将任一者的尺寸形成得小。第2对置部EB的宽度方向W的尺寸和第2引出部D2的宽度方向W的尺寸可以由相同的尺寸形成，也可以将任一者的尺寸形成得窄。

第1内部电极层31以及第2内部电极层32例如由Ni、Cu、Ag、Pd、Au等金属、包含这些金属的至少一种的合金等适当的导电材料构成。在使用合金的情况下，第1内部电极层31以及第2内部电极层32例如也可以由Ag-Pd合金等构成。

第1内部电极层31以及第2内部电极层32各自的厚度例如优选为0.2μm以上且2.0μm以下。第1内部电极层31以及第2内部电极层32的片数优选合起来为15片以上且1000片以下。

如图2A、图2B以及图3所示，第1主面侧外层部12位于层叠体10的第1主面TS1侧。第1主面侧外层部12是位于第1主面TS1与最靠近第1主面TS1的内部电极层30之间的多个电介质层20的集合体。另一方面，第2主面侧外层部13位于层叠体10的第2主面TS2侧。第2主面侧外层部13是位于第2主面TS2与最靠近第2主面TS2的内部电极层30之间的多个电介质层20的集合体。在第1主面侧外层部12以及第2主面侧外层部13中使用的电介质层20均可以与在内层部11中使用的电介质层20相同。

另外，层叠体10具有对置电极部11E。对置电极部11E是第1内部电极层31的第1对置部EA和第2内部电极层32的第2对置部EB对置的部分。对置电极部11E构成为内层部11的一部分。在图4A以及图4B中，示出了对置电极部11E的宽度方向W以及长度方向L的范围。另外，对置电极部11E也称为电容器有效部。

另外，层叠体10具有侧面侧外层部。侧面侧外层部具有第1侧面侧外层部WG1和第2侧面侧外层部WG2。第1侧面侧外层部WG1是包含位于对置电极部11E与第1侧面WS1之间的电介质层20的部分。第2侧面侧外层部WG2是包含位于对置电极部11E与第2侧面WS2之间的电介质层20的部分。在图3、图4A以及图4B中，示出了第1侧面侧外层部WG1以及第2侧面侧外层部WG2的宽度方向W的范围。另外，侧面侧外层部也称为W间隙或侧方间隙。

另外，层叠体10具有端面侧外层部。端面侧外层部具有第1端面侧外层部LG1和第2端面侧外层部LG2。第1端面侧外层部LG1是包含位于对置电极部11E与第1端面LS1之间的电介质层20以及第1引出部D1的部分。即，第1端面侧外层部LG1是多片电介质层20的第1端面LS1侧的部分和多片第1引出部D1的集合体。第2端面侧外层部LG2是包含位于对置电极部11E与第2端面LS2之间的电介质层20以及第2引出部D2的部分。即，第2端面侧外层部LG2是多片电介质层20的第2端面LS2侧的部分和多片第2引出部D2的集合体。在图2A、图2B、图4A以及图4B中，示出了第1端面侧外层部LG1以及第2端面侧外层部LG2的长度方向L的范围。另外，端面侧外层部也称为L间隙或端部间隙。

如图1、图2A以及图2B所示，外部电极40具有配置在层叠体10的第1端面LS1侧的第1外部电极40A、和配置在层叠体10的第2端面LS2侧的第2外部电极40B。

另外，第1外部电极40A以及第2外部电极40B的基本的结构相同。此外，第1外部电极40A以及第2外部电极40B具有相对于层叠陶瓷电容器1的长度方向L的中央的WT剖面大致面对称的形状。因而，以下，在无需区分第1外部电极40A和第2外部电极40B而进行说明的情况下，有时将第1外部电极40A和第2外部电极40B统称为外部电极40。

第1外部电极40A配置在第1端面LS1上。第1外部电极40A与在第1端面LS1露出的多个第1内部电极层31各自的第1引出部D1接触。由此，第1外部电极40A与多个第1内部电极层31电连接。第1外部电极40A也可以还配置在第1主面TS1的一部分以及第2主面TS2的一部分、和第1侧面WS1的一部分以及第2侧面WS2的一部分。在本实施方式中，第1外部电极40A形成为从第1端面LS1上延伸至第1主面TS1的一部分以及第2主面TS2的一部分、和第1侧面WS1的一部分以及第2侧面WS2的一部分。

第2外部电极40B配置在第2端面LS2上。第2外部电极40B与在第2端面LS2露出的多个第2内部电极层32各自的第2引出部D2接触。由此，第2外部电极40B与多个第2内部电极层32电连接。第2外部电极40B也可以还配置在第1主面TS1的一部分以及第2主面TS2的一部分、和第1侧面WS1的一部分以及第2侧面WS2的一部分。在本实施方式中，第2外部电极40B形成为从第2端面LS2上延伸至第1主面TS1的一部分以及第2主面TS2的一部分、和第1侧面WS1的一部分以及第2侧面WS2的一部分。

如前所述，在层叠体10内，第1内部电极层31的第1对置部EA和第2内部电极层32的第2对置部EB隔着电介质层20对置，由此形成电容。因此，在连接了第1内部电极层31的第1外部电极40A与连接了第2内部电极层32的第2外部电极40B之间显现出电容器的特性。

如图2A、图2B、图4A以及图4B所示，第1外部电极40A具有第1基底电极层50A、和配置在第1基底电极层50A上的第1镀覆层60A。此外，第2外部电极40B具有第2基底电极层50B、和配置在第2基底电极层50B上的第2镀覆层60B。

第1基底电极层50A配置在第1端面LS1上。第1基底电极层50A与在第1端面LS1露出的多个第1内部电极层31各自的第1引出部D1连接。在本实施方式中，第1基底电极层50A形成为从第1端面LS1上延伸至第1主面TS1的一部分以及第2主面TS2的一部分、和第1侧面WS1的一部分以及第2侧面WS2的一部分。

第2基底电极层50B配置在第2端面LS2上。第2基底电极层50B与在第2端面LS2露出的多个第2内部电极层32各自的第2引出部D2接触。在本实施方式中，第2基底电极层50B形成为从第2端面LS2上延伸至第1主面TS1的一部分以及第2主面TS2的一部分、和第1侧面WS1的一部分以及第2侧面WS2的一部分。

第1基底电极层50A以及第2基底电极层50B包含从烧附层、薄膜层等选择的至少一者。

本实施方式的第1基底电极层50A以及第2基底电极层50B是烧附层。烧附层优选包含金属成分和玻璃成分或陶瓷成分中的任一者，或者包含这两者。金属成分例如包含从Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等选择的至少一者。玻璃成分例如包含从B、Si、Ba、Mg、Al、Li等选择的至少一者。陶瓷成分可以使用与电介质层20相同种类的陶瓷材料，也可以使用与电介质层20不同种类的陶瓷材料。陶瓷成分例如包含从BaTiO₃、CaTiO₃、（Ba,Ca）TiO₃、SrTiO₃、CaZrO₃等选择的至少一者。

烧附层例如是将包含玻璃以及金属的导电性膏涂敷于层叠体10并进行了烧附的烧附层。烧附层能够对具有多个内部电极以及电介质层的层叠体10的原材料即烧成前的层叠小片（chip）和涂敷于该层叠小片的导电性膏同时进行烧成而形成。或者，也可以通过在对该层叠小片进行烧成而得到了层叠体10之后在该层叠体10涂敷导电性膏并进行烧附而形成。另外，在上述结构的情况下，烧附层优选对代替玻璃成分而添加了陶瓷材料的材料进行烧附而形成。在该情况下，作为添加的陶瓷材料，特别优选使用与电介质层20相同种类的陶瓷材料。另外，烧附层也可以是多个层。

位于第1端面LS1上的第1基底电极层50A的与长度方向L对应的厚度，在第1基底电极层50A的层叠方向T以及宽度方向W的中央部，例如优选为3μm以上且200μm以下的程度。

位于第2端面LS2上的第2基底电极层50B的与长度方向L对应的厚度，在第2基底电极层50B的层叠方向T以及宽度方向W的中央部，例如优选为3μm以上且200μm以下的程度。

在第1主面TS1或者第2主面TS2之中的至少一个面的一部分也设置第1基底电极层50A的情况下，设置在该部分的第1基底电极层50A的与层叠方向T对应的厚度，在设置于该部分的第1基底电极层50A的长度方向L以及宽度方向W的中央部，例如优选为3μm以上且25μm以下的程度。

在第1侧面WS1或者第2侧面WS2之中的至少一个面的一部分也设置第1基底电极层50A的情况下，设置在该部分的第1基底电极层50A的与宽度方向W对应的厚度，在设置于该部分的第1基底电极层50A的长度方向L以及层叠方向T的中央部，例如优选为3μm以上且25μm以下的程度。

在第1主面TS1或者第2主面TS2之中的至少一个面的一部分也设置第2基底电极层50B的情况下，设置于该部分的第2基底电极层50B的与层叠方向T对应的厚度，在设置于该部分的第2基底电极层50B的长度方向L以及宽度方向W的中央部，例如优选为3μm以上且25μm以下的程度。

在第1侧面WS1或者第2侧面WS2之中的至少一个面的一部分也设置第2基底电极层50B的情况下，设置于该部分的第2基底电极层50B的与宽度方向W对应的厚度，在设置于该部分的第2基底电极层50B的长度方向L以及层叠方向T的中央部，例如优选为3μm以上且25μm以下的程度。

另外，在本实施方式中，第1基底电极层50A以及第2基底电极层50B也可以是薄膜层。薄膜层是沉积了金属粒子的层。

在通过薄膜层来形成第1基底电极层50A以及第2基底电极层50B的情况下，优选通过溅射法或者蒸镀法等薄膜形成法来形成。在此，对通过溅射法形成的溅射电极进行说明。

本实施方式的第1基底电极层50A由通过溅射电极形成的第1薄膜层构成。第2基底电极层50B由通过溅射电极形成的第2薄膜层构成。在通过溅射电极来形成基底电极层的情况下，优选在层叠体10的第1主面TS1和第2主面TS2的至少任一者的一部分直接形成溅射电极。在本实施方式中，通过溅射电极形成的第1薄膜层配置在第1主面TS1上的第1侧面WS1侧的一部分。通过溅射电极形成的第2薄膜层配置在第1主面TS1上的第2侧面WS2侧的一部分。

通过溅射电极形成的薄膜层例如优选包含从包含Mg、Al、Ti、W、Cr、Cu、Ni、Ag、Co、Mo以及V的组选择的至少一种金属。由此，能够提高外部电极40相对于层叠体10的粘着力。薄膜层可以为单层，也可以由多个层形成。例如，也可以由Ni-Cr合金的层和Ni-Cu合金的层的两层构造形成。

第1镀覆层60A配置为覆盖第1基底电极层50A。

第2镀覆层60B配置为覆盖第2基底电极层50B。

第1镀覆层60A以及第2镀覆层60B例如也可以包含从Cu、Ni、Sn、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等选择的至少一者。第1镀覆层60A以及第2镀覆层60B分别也可以由多个层形成。第1镀覆层60A以及第2镀覆层60B优选在Ni镀覆层之上形成了Sn镀覆层的两层构造。

在本实施方式中，第1镀覆层60A具有第1Ni镀覆层61A、和位于第1Ni镀覆层61A上的第1Sn镀覆层62A。

在本实施方式中，第2镀覆层60B具有第2Ni镀覆层61B、和位于第2Ni镀覆层61B上的第2Sn镀覆层62B。

在安装层叠陶瓷电容器1时，Ni镀覆层防止第1基底电极层50A以及第2基底电极层50B被焊料所侵蚀。此外，在安装层叠陶瓷电容器1时，Sn镀覆层使焊料的润湿性提高。由此，使层叠陶瓷电容器1的安装变得容易。第1Ni镀覆层61A、第1Sn镀覆层62A、第2Ni镀覆层61B以及第2Sn镀覆层62B各自的厚度优选为2μm以上且10μm以下。

另外，本实施方式的外部电极40例如也可以具有包含导电性粒子和热固化性树脂的导电性树脂层。也可以将导电性树脂层配置为覆盖烧附层。在将导电性树脂层配置为覆盖烧附层的情况下，导电性树脂层配置在烧附层与镀覆层（第1镀覆层60A、第2镀覆层60B）之间。导电性树脂层可以完全覆盖在烧附层上，也可以覆盖烧附层的一部分。

包含热固化性树脂的导电性树脂层例如与包含镀覆膜、导电性膏的烧成物的导电层相比富有柔软性。因此，即使在对层叠陶瓷电容器1施加了物理冲击、起因于热循环的冲击的情况下，导电性树脂层也作为缓冲层而发挥功能。因而，导电性树脂层抑制层叠陶瓷电容器1产生裂纹。

构成导电性粒子的金属可以是Ag、Cu、Ni、Sn、Bi或包含它们的合金。导电性粒子优选包含Ag。导电性粒子例如是Ag的金属粉。Ag在金属之中电阻率低，因此适合于电极材料。此外，Ag是贵金属，因此不易氧化，耐候性高。因而，Ag的金属粉适合作为导电性粒子。

此外，导电性粒子也可以是表面涂覆了Ag的金属粉。当使用在金属粉的表面涂覆了Ag的材料时，金属粉优选为Cu、Ni、Sn、Bi或它们的合金粉。为了保持Ag的特性并且使母材的金属变得廉价，优选使用涂覆了Ag的金属粉。

进而，导电性粒子也可以是对Cu、Ni实施了防氧化处理的导电性粒子。此外，导电性粒子也可以是在金属粉的表面涂覆了Sn、Ni、Cu的金属粉。当使用在金属粉的表面涂覆了Sn、Ni、Cu的材料时，金属粉优选为Ag、Cu、Ni、Sn、Bi或它们的合金粉。

导电性粒子的形状没有特别限定。导电性粒子能够使用具有球形状、扁平状等形状的导电性粒子，但优选将球形状金属粉和扁平状金属粉混合使用。

导电性树脂层所包含的导电性粒子主要承担确保导电性树脂层的通电性的作用。具体地，多个导电性粒子彼此接触，由此在导电性树脂层内部形成通电路径。

构成导电性树脂层的树脂例如也可以包含从环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂、聚酰亚胺树脂等公知的各种热固化性树脂选择的至少一者。其中，尤其是耐热性、耐湿性、密接性等优异的环氧树脂是最合适的树脂之一。此外，导电性树脂层的树脂优选与热固化性树脂一同包含固化剂。在使用环氧树脂作为基础树脂的情况下，环氧树脂的固化剂也可以是酚类、胺类、酸酐类、咪唑类、活性酯类、酰胺酰亚胺类等公知的各种化合物。

另外，导电性树脂层也可以由多个层形成。导电性树脂层的最厚的部分的厚度优选为10μm以上且150μm以下。

另外，也可以是如下结构，即，不设置第1基底电极层50A以及第2基底电极层50B，而在层叠体10上直接配置后述的第1镀覆层60A以及第2镀覆层60B。即，层叠陶瓷电容器1也可以是包含与第1内部电极层31以及第2内部电极层32直接电连接的镀覆层的结构。在这样的情况下，也可以是，作为预处理而在层叠体10的表面配设了催化剂之后，形成镀覆层。

在该情况下，镀覆层也优选为多个层。下层镀覆层以及上层镀覆层分别例如优选包含从Cu、Ni、Sn、Pb、Au、Ag、Pd、Bi或者Zn等选择的至少一种金属或者含有这些金属的合金。下层镀覆层更优选使用具有阻焊性能的Ni来形成。上层镀覆层更优选使用焊料润湿性良好的Sn或者Au来形成。另外，例如，在第1内部电极层31以及第2内部电极层32使用Ni而形成的情况下，下层镀覆层优选使用与Ni的接合性良好的Cu来形成。另外，上层镀覆层只要根据需要来形成即可，外部电极40也可以仅由下层镀覆层构成。此外，镀覆层可以将上层镀覆层作为最外层，也可以在上层镀覆层的表面进一步形成其它镀覆层。

不设置基底电极层而配置的镀覆层的每一层的厚度优选为2μm以上且10μm以下。另外，镀覆层优选不包含玻璃。镀覆层的每单位体积的金属比例优选为99体积%以上。

另外，在将镀覆层直接形成于层叠体10上的情况下，能够削减基底电极层的厚度。因而，与削减基底电极层的厚度的量相应地，能够使层叠陶瓷电容器1的高度方向T的尺寸降低从而谋求层叠陶瓷电容器1的低高度化。或者，与削减基底电极层的厚度的量相应地，能够使被夹在第1内部电极层31与第2内部电极层32之间的电介质层20的厚度变厚从而谋求本体厚度的提高。像这样，通过将镀覆层直接形成在层叠体10上，从而能够使层叠陶瓷电容器的设计自由度提高。

以上是实施方式涉及的层叠陶瓷电容器1的基本结构。另外，若将包含层叠体10和外部电极40的层叠陶瓷电容器1的长度方向的尺寸设为L尺寸，则L尺寸优选为0.2mm以上且6mm以下。此外，若将层叠陶瓷电容器1的层叠方向的尺寸设为T尺寸，则T尺寸优选为0.05mm以上且5mm以下。此外，若将层叠陶瓷电容器1的宽度方向的尺寸设为W尺寸，则W尺寸优选为0.1mm以上且5mm以下。

在此，本申请的发明人通过反复进行研究、实验、仿真而得到了如下的见解，即，为了不增大层叠陶瓷电容器的尺寸地提高电容，优选将层叠陶瓷电容器包含的各结构的尺寸、覆盖率设为适当的设定。另外，在内部电极层30中，除了金属材料之外，还包含不存在金属材料的空洞的部分，将金属材料在内部电极层30中所占的比例作为覆盖率来进行说明。覆盖率也称为内部电极层30相对于电介质层20的被覆率。另外，不存在金属材料的空洞的部分中，也可以存在电介质等陶瓷成分、二氧化硅等玻璃成分。或者，也可以是空隙。以下，利用图1～图7对本实施方式进行详细地说明。

如图2A～图3所示，内层部11具有第1主面侧内层部112、第2主面侧内层部113、以及配置在第1主面侧内层部与第2主面侧内层部之间的中央内层部111。

第1主面侧内层部112是内层部11之中的第1主面TS1侧的部分。第1主面侧内层部112例如是内层部11之中的第1主面TS1侧的部分，并且是包含从最靠近第1主面TS1的内部电极层30到至少第5层的内部电极层30的部分。第1主面侧内层部112例如是层叠方向上的内层部11之中的第1主面TS1侧的25%的部分。

第2主面侧内层部113是内层部11之中的第2主面TS2侧的部分。第2主面侧内层部113例如是内层部11之中的第2主面TS2侧的部分，并且是包含从最靠近第2主面TS2的内部电极层30到至少第5层的内部电极层30的部分。第2主面侧内层部113例如是层叠方向上的内层部11之中的第2主面TS2侧的25%的部分。

中央内层部111是内层部11之中的层叠体10的层叠方向T的中央侧的部分。中央内层部111例如是至少包含配置在层叠体的层叠方向T的中央区域的内部电极层30的部分。另外，中央内层部111、第1主面侧内层部112以及第2主面侧内层部113的层叠方向T的厚度分别伴随着内部电极层30的形状沿着长度方向L变化。

如图3～图4B所示，内层部11的对置电极部11E具有第1侧面侧对置电极部112E、第2侧面侧对置电极部113E、以及中央对置电极部111E。

第1侧面侧对置电极部112E是对置电极部11E之中的第1侧面WS1侧的部分。第1侧面侧对置电极部112E例如是宽度方向W上的对置电极部11E之中的第1侧面WS1侧的25%的部分。另外，第1侧面侧对置电极部112E具有与第1主面侧内层部112、第2主面侧内层部113以及中央内层部111的一部分重复的区域。

第2侧面侧对置电极部113E是对置电极部11E之中的第2侧面WS2侧的部分。第2侧面侧对置电极部113E例如是宽度方向W上的对置电极部11E之中的第2侧面WS2侧的25%的部分。另外，第2侧面侧对置电极部113E具有与第1主面侧内层部112、第2主面侧内层部113以及中央内层部111的一部分重复的区域。

中央对置电极部111E配置在第1侧面侧对置电极部112E与第2侧面侧对置电极部113E之间。中央对置电极部111E是在宽度方向W上包含对置电极部11E之中的宽度方向W的中央区域的部分。另外，中央对置电极部111E具有与第1主面侧内层部112、第2主面侧内层部113以及中央内层部111的一部分重复的区域。

接下来，利用图2B、图4A～图4B对内部电极层30的详情进行说明。

第1对置部EA具有第1区域EA1、第2区域EA2、以及作为第1高覆盖率区域的第1中央区域EA0。第1区域EA1配置在第1端面LS1侧。第2区域EA2配置在第2端面LS2侧。第1中央区域EA0位于第1区域EA1与第2区域EA2之间。第1中央区域EA0的覆盖率比第1区域EA1以及第2区域EA2的覆盖率高。此外，如图2B所示，第1中央区域EA0与第1区域EA1以及第2区域EA2相比配置得偏靠层叠体10的外侧。而且，作为第1高覆盖率区域的第1中央区域EA0的覆盖率比第1引出部D1的覆盖率高。第1中央区域EA0与第1引出部D1相比配置得偏靠层叠体10的外侧。

具体地，在第1主面侧内层部112中，第1内部电极层31的第1中央区域EA0与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比配置得偏靠层叠体10的第1主面TS1侧。此外，在本实施方式中，在第2主面侧内层部113中，第1内部电极层31的第1中央区域EA0与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比配置得偏靠层叠体10的第2主面TS2侧。另外，也可以是，在第1主面侧内层部112、或者第2主面侧内层部113的至少任一者中，第1中央区域EA0与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比配置得偏靠层叠体10的外侧。

第2对置部EB具有第3区域EB1、第4区域EB2、以及作为第2高覆盖率区域的第2中央区域EB0。第3区域EB1配置在第2端面LS2侧。第4区域EB2配置在第1端面LS1侧。第2中央区域EB0位于第3区域EB1与第4区域EB2之间。第2中央区域EB0的覆盖率比第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率高。此外，如图2B所示，第2中央区域EB0与第3区域EB1以及第4区域EB2相比配置得偏靠层叠体10的外侧。而且，作为第2高覆盖率区域的第2中央区域EB0的覆盖率比第2引出部D2的覆盖率高。第2中央区域EB0与第2引出部D2相比配置得偏靠层叠体10的外侧。

具体地，在第1主面侧内层部112中，第2内部电极层32的第2中央区域EB0与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比配置得偏靠层叠体10的第1主面TS1侧。此外，在本实施方式中，在第2主面侧内层部113中，第2内部电极层32的第2中央区域EB0与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比配置得偏靠层叠体10的第2主面TS2侧。另外，也可以是，在第1主面侧内层部112、或者第2主面侧内层部113的至少任一者中，第2中央区域EB0与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比配置得偏靠层叠体10的外侧。

由此，能够抑制层叠陶瓷电容器1的尺寸变大，并且增厚第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的内部电极层30的厚度来提高覆盖率，从而提高电容。

第1中央区域EA0优选和与层叠方向T正交的面大致平行。第1中央区域EA0和第1区域EA1以及第2区域EA2优选具有大致平行的部分。更优选地，第1中央区域EA0和第1区域EA1以及第2区域EA2具有和与层叠方向T正交的面大致平行的部分。

第2中央区域EB0优选和与层叠方向T正交的面大致平行。第2中央区域EB0和第3区域EB1以及第4区域EB2优选具有大致平行的部分。更优选地，第2中央区域EB0和第3区域EB1以及第4区域EB2具有和与层叠方向T正交的面大致平行的部分。

由此，作为层叠陶瓷电容器1能够抑制形成如尺寸局部地变大的部分，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容。

在长度方向L上，第1中央区域EA0的距离Le0比第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1短。此外，在长度方向L上，第2中央区域EB0的距离Le0比第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1短。另外，在长度方向L上，第1中央区域EA0的距离与第2中央区域EB0的距离虽然优选大致相等，但并不限于此。另外，优选在长度方向L上，在第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1的范围内配置有第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0。

另外，在长度方向L上，第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的第1端面LS1侧的端部与配置在第1主面TS1以及第2主面TS2的第1外部电极40A的层叠体中央侧的端部40AE相比，配置在第2端面LS2侧。另外，在长度方向L上，第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的第2端面LS2侧的端部与配置在第1主面TS1以及第2主面TS2的第2外部电极40B的层叠体中央侧的端部40BE相比，配置在第1端面LS1侧。

另外，在长度方向L上，第1区域EA1以及第4区域EB2的第1端面LS1侧的端部（图2B中的EA、EB区域的左端）与配置在第1主面TS1以及第2主面TS2的第1外部电极40A的层叠体中央侧的端部40AE相比，配置在第1端面LS1侧。另外，在长度方向L上，第2区域EA2以及第3区域EB1的第2端面LS2侧的端部（图2B中的EA、EB区域的右端）与配置在第1主面TS1以及第2主面TS2的第2外部电极40B的层叠体中央侧的端部40BE相比，配置在第2端面LS2侧。

由此，能够抑制层叠陶瓷电容器1的尺寸变大，并且将对置电极部11E的区域确保得大，从而提高电容。

第1内部电极层31的第1中央区域EA0的层叠方向T的厚度比第1区域EA1的层叠方向T的厚度以及第2区域EA2的层叠方向T的厚度厚。

例如，第1中央区域EA0的厚度优选为第1区域EA1的厚度以及第2区域EA2的厚度的101.6%以上且111.3%以下。第1中央区域EA0的厚度也可以为第1区域EA1的厚度以及第2区域EA2的厚度的101.6%以上且109.8%以下，更优选为102.0%以上且109.8%以下。例如，第1中央区域EA0的厚度进一步优选为第1区域EA1的厚度以及第2区域EA2的厚度的103.0%以上且109.8%以下。

第2内部电极层32的第2中央区域EB0的层叠方向T的厚度比第3区域EB1的层叠方向T的厚度以及第4区域EB2的厚度厚。

例如，第2中央区域EB0的厚度优选为第3区域EB1的厚度以及第4区域EB2的厚度的101.6%以上且111.3%以下。第2中央区域EB0的厚度也可以为第3区域EB1的厚度以及第4区域EB2的厚度的101.6%以上且109.8%以下，更优选为102.0%以上且109.8%以下。例如，第2中央区域EB0的厚度进一步优选为第3区域EB1的厚度以及第4区域EB2的厚度的103.0%以上且109.8%以下。

若对第1内部电极层31和第2内部电极层32进行汇总说明，则第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度比第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的厚度厚。第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度优选为第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的厚度的101.6%以上且111.3%以下。第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度也可以为第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的厚度的101.6%以上且109.8%以下，更优选为102.0%以上且109.8%以下。例如，第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度进一步优选为第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的厚度的103.0%以上且109.8%以下。

第1内部电极层31的第1中央区域EA0的层叠方向T的厚度比第1引出部D1的厚度厚。

例如，第1中央区域EA0的厚度优选为第1引出部D1的厚度的101.6%以上且111.3%以下。例如，第1中央区域EA0的厚度也可以为第1引出部D1的厚度的101.6%以上且109.8%以下，更优选为102.0%以上且109.8%以下。例如，第1中央区域EA0的厚度进一步优选为第1引出部D1的厚度的103.0%以上且109.8%以下。

第2内部电极层32的第2中央区域EB0的层叠方向T的厚度比第2引出部D2的厚度厚。

例如，第2中央区域EB0的厚度优选为第2引出部D2的厚度的101.6%以上且111.3%以下。例如，第2中央区域EB0的厚度也可以为第2引出部D2的厚度的101.6%以上且109.8%以下，更优选为102.0%以上且109.8%以下。例如，第2中央区域EB0的厚度进一步优选为第2引出部D2的厚度的103.0%以上且109.8%以下。

第1中央区域EA0的覆盖率比第1区域EA1以及第2区域EA2的覆盖率高。

第1中央区域EA0的覆盖率与第1区域EA1的覆盖率以及第2区域EA2的覆盖率之差优选为2.2百分点以上。此外，第1中央区域EA0的覆盖率与第1区域EA1的覆盖率以及第2区域EA2的覆盖率之差优选为2.2百分点以上且11.4百分点以下。

第1中央区域EA0的覆盖率与第1区域EA1的覆盖率以及第2区域EA2的覆盖率之差更优选为3.0百分点以上且11.4百分点以下，可预料到更高的效果。此外，第1中央区域EA0的覆盖率与第1区域EA1的覆盖率以及第2区域EA2的覆盖率之差进一步优选为4.0百分点以上且11.4百分点以下。

第2中央区域EB0的覆盖率比第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率高。

第2中央区域EB0的覆盖率与第3区域EB1的覆盖率以及第4区域EB2的覆盖率之差优选为2.2百分点以上。此外，第2中央区域EB0的覆盖率与第3区域EB1的覆盖率以及第4区域EB2的覆盖率之差优选为2.2百分点以上且11.4百分点以下。

第2中央区域EB0的覆盖率与第3区域EB1的覆盖率以及第4区域EB2的覆盖率之差更优选为3.0百分点以上且11.4百分点以下，可预料到更高的效果。此外，第2中央区域EB0的覆盖率与第3区域EB1的覆盖率以及第4区域EB2的覆盖率之差进一步优选为4.0百分点以上且11.4百分点以下。

若对第1内部电极层31和第2内部电极层32进行汇总说明，则第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率比第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率高。此外，第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率比第1引出部D1以及第2引出部D2的覆盖率高。第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率优选比第1引出部D1、第2引出部D2、第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率高2.2百分点以上。此外，第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率与第1引出部D1、第2引出部D2、第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率之差优选为2.2百分点以上且11.4百分点以下。第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率与第1引出部D1、第2引出部D2、第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率之差更优选为3.0百分点以上且11.4百分点以下，可预料到更高的效果。此外，第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率与第1引出部D1、第2引出部D2、第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率之差进一步优选为4.0百分点以上且11.4百分点以下。

由此，能够增厚第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的内部电极层30的厚度从而充分提高覆盖率，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。

如图2B所示，第1内部电极层31还具有将第1区域EA1和第1中央区域EA0连结的第1倾斜部FA1、以及将第2区域EA2和第1中央区域EA0连结的第2倾斜部FA2。

第2内部电极层32还具有将第3区域EB1和第2中央区域EB0连结的第3倾斜部FB1、以及将第4区域EB2和第2中央区域EB0连结的第4倾斜部FB2。

第1倾斜部FA1的长度方向L的距离Le3以及第2倾斜部FA2的长度方向L的距离Le4比第1中央区域EA0的长度方向L的距离Le0短。此外，第3倾斜部FB1的长度方向L的距离Le4以及第4倾斜部FB2的长度方向L的距离Le3比第2中央区域EB0的长度方向L的距离Le0短。

由此，能够确保覆盖率高的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的面积，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。

另外，第1区域EA1的长度方向L的距离Le1以及第2区域EA2的长度方向L的距离Le2也可以比第1中央区域EA0的长度方向L的距离Le0短。此外，第3区域EB1的长度方向L的距离Le2以及第4区域EB2的长度方向L的距离Le1也可以比第2中央区域EB0的长度方向L的距离Le0短。

另外，第1中央区域EA0的面积相对于第1对置部EA的面积的比例优选为50%以上且90%以下，也可以为60%以上且85%以下。更优选为70%以上且80%，例如为75%。第2中央区域EB0的面积相对于第2对置部EB的面积的比例优选为50%以上且90%以下，也可以为60%以上且85%以下。更优选为70%以上且80%以下，例如为75%。

由此，能够将对置电极部11E的区域确保得大，并且还能够确保配置第1外部电极40A以及第2外部电极40B的区域，进而能够适当地确保覆盖率高的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的面积，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。

另外，第1倾斜部FA1以及第4倾斜部FB2的长度方向L的距离Le3和第2倾斜部FA2以及第3倾斜部FB1的长度方向L的距离Le4虽然优选大致相等，但并不限于此。另外，优选在长度方向L上，在第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1的范围内配置有第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0，并且配置有第1倾斜部FA1、第2倾斜部FA2、第3倾斜部FB1、以及第4倾斜部FB2。将第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的长度方向L的距离Le0、第1倾斜部FA1以及第4倾斜部FB2的长度方向L的距离Le3和第2倾斜部FA2以及第3倾斜部FB1的长度方向L的距离Le4相加的距离（=Le0+Le3+Le4）优选比第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1短。不过，并不限于此。

第1倾斜部FA1相对于第1中央区域EA0的倾斜角度θ优选为1°以上。例如，第1倾斜部FA1相对于第1中央区域EA0的倾斜角度θ也可以为1°以上且12°以下。更优选地，第1倾斜部FA1相对于第1中央区域EA0的倾斜角度θ也可以为2°以上且10°以下。

第2倾斜部FA2相对于第1中央区域EA0的倾斜角度θ优选为1°以上。例如，第2倾斜部FA2相对于第1中央区域EA0的倾斜角度θ也可以为1°以上且12°以下。更优选地，第2倾斜部FA2相对于第1中央区域EA0的倾斜角度θ也可以为2°以上且10°以下。

第3倾斜部FB1相对于第2中央区域EB0的倾斜角度θ优选为1°以上。例如，第3倾斜部FB1相对于第2中央区域EB0的倾斜角度θ也可以为1°以上且12°以下。更优选地，第3倾斜部FB1相对于第2中央区域EB0的倾斜角度θ也可以为2°以上且10°以下。

第4倾斜部FB2相对于第2中央区域EB0的倾斜角度θ优选为1°以上。例如，第4倾斜部FB2相对于第2中央区域EB0的倾斜角度θ也可以为1°以上且12°以下。更优选地，第4倾斜部FB2相对于第2中央区域EB0的倾斜角度θ也可以为2°以上且10°以下。

另外，在图2B中，作为上述的倾斜角度θ的代表，示出了第2内部电极层32中的、第3倾斜部FB1相对于第2中央区域EB0的倾斜角度θ。

由此，能够抑制层叠陶瓷电容器1的尺寸变大，并且增厚第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的内部电极层30的厚度来提高覆盖率，从而提高电容。具体地，通过将上述的倾斜角度θ设为1°以上，优选设为2°以上，从而能够确保用于使第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的内部电极层30的厚度变厚的区域。此外，通过将上述的倾斜角度θ设为12°以下，优选设为10°以下，从而能够抑制层叠体10的表面在层叠方向T上过于膨胀从而会比外部电极40的表面向靠外侧突出。更具体地，通过将倾斜角度θ设为上述的范围内，从而变得容易将第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度与第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1、第4区域EB2的厚度的关系设定在本实施方式的范围内。此外，通过将倾斜角度θ设为上述的范围内，从而变得容易将后述的层叠体10的露出部Ep的中心处的距离T0与后述的层叠体10的被覆部处的最大距离T1的关系设定在后述的本实施方式的范围内。

如图2A、图2B所示，第1倾斜部FA1的厚度随着朝向第1端面LS1而递减。此外，如图2A、图2B所示，第2倾斜部FA2的厚度随着朝向第2端面LS2而递减。

如图2A、图2B所示，第3倾斜部FB1的厚度随着朝向第2端面LS2而递减。此外，如图2A、图2B所示，第4倾斜部FB2的厚度随着朝向第1端面LS1而递减。

若存在内部电极层30的厚度急剧地变化的部分，则有可能会形成夹着电介质层20的内部电极层30间的距离局部地短的部分。在该情况下，电场集中在该部分，因此层叠陶瓷电容器1的可靠性有可能下降。如果是上述结构，则能够抑制在倾斜部附近形成内部电极层30间的距离局部地短的部分，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容，并且抑制电解集中导致的层叠陶瓷电容器1的可靠性的下降。

此外，能够防止倾斜部处的应力集中，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容，并且进一步抑制层叠体10的裂纹的产生。

如图2B所示，由第1倾斜部FA1产生的第1区域EA1与第1中央区域EA0之间的层叠方向T的高低差距离ls1比配置在内部电极层30间的电介质层20的层叠方向T的厚度Tc。更优选地，由第1倾斜部FA1产生的第1区域EA1与第1中央区域EA0之间的层叠方向T的高低差距离ls1比内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt（=Te+Tc）大。进一步优选地，由第1倾斜部FA1产生的第1区域EA1与第1中央区域EA0之间的层叠方向T的高低差距离ls1为内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt的2倍以上。此外，由第1倾斜部FA1产生的第1区域EA1与第1中央区域EA0之间的层叠方向T的高低差距离ls1也可以为内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt的3倍以上。

如图2B所示，由第2倾斜部FA2产生的第2区域EA2与第1中央区域EA0之间的层叠方向T的高低差距离ls2比配置在内部电极层30间的电介质层20的层叠方向T的厚度Tc大。更优选地，由第2倾斜部FA2产生的第2区域EA2与第1中央区域EA0之间的层叠方向T的高低差距离ls2比内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt（=Te+Tc）大。进一步优选地，由第2倾斜部FA2产生的第2区域EA2与第1中央区域EA0之间的层叠方向T的高低差距离ls2为内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt的2倍以上。此外，由第2倾斜部FA2产生的第2区域EA2与第1中央区域EA0之间的层叠方向T的高低差距离ls2也可以为内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt的3倍以上。

如图2B所示，由第3倾斜部FB1产生的第3区域EB1与第2中央区域EB0之间的层叠方向T的高低差距离ls3比配置在内部电极层30间的电介质层20的层叠方向T的厚度Tc大。更优选地，由第3倾斜部FB1产生的第3区域EB1与第2中央区域EB0之间的层叠方向T的高低差距离ls3比内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt（=Te+Tc）大。进一步优选地，由第3倾斜部FB1产生的第3区域EB1与第2中央区域EB0之间的层叠方向T的高低差距离ls3为内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt的2倍以上。此外，由第3倾斜部FB1产生的第3区域EB1与第2中央区域EB0之间的层叠方向T的高低差距离ls3也可以为内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt的3倍以上。

如图2B所示，由第4倾斜部FB2产生的第4区域EB2与第2中央区域EB0之间的层叠方向T的高低差距离ls4比配置在内部电极层30间的电介质层20的层叠方向T的厚度Tc大。更优选地，由第4倾斜部FB2产生的第4区域EB2与第2中央区域EB0之间的层叠方向T的高低差距离ls4比内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层的层叠方向T的20厚度Tc之和Tt（=Te+Tc）大。进一步优选地，由第4倾斜部FB2产生的第4区域EB2与第2中央区域EB0之间的层叠方向T的高低差距离ls4为内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt的2倍以上。此外，由第4倾斜部FB2产生的第4区域EB2与第2中央区域EB0之间的层叠方向T的高低差距离ls4也可以为内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt的3倍以上。

另外，上述的内部电极层30的层叠方向T的厚度Te为第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0处的内部电极层30的层叠方向T的厚度。电介质层20的层叠方向T的厚度Tc为配置在第1中央区域EA0与第2中央区域EB0之间的电介质层20的层叠方向T的厚度。

由此，能够有效利用由倾斜部产生的高低差来增厚第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的内部电极层30的厚度从而充分提高覆盖率，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。

由第1倾斜部FA1产生的第1区域EA1与第1中央区域EA0之间的层叠方向T的高低差距离ls1可以为1.6μm以上，也可以为1.6μm以上且16μm以下。例如，也可以为2.9μm以上且14.8μm以下。由第2倾斜部FA2产生的第2区域EA2与第1中央区域EA0之间的层叠方向T的高低差距离ls2可以为1.6μm以上，也可以为1.6μm以上且16μm以下。例如，也可以为2.9μm以上且14.8μm以下。由第3倾斜部FB1产生的第3区域EB1与第2中央区域EB0之间的层叠方向T的高低差距离ls3可以为1.6μm以上，也可以为1.6μm以上且16μm以下。例如，也可以为2.9μm以上且14.8μm以下。由第4倾斜部FB2产生的第4区域EB2与第2中央区域EB0之间的层叠方向T的高低差距离ls4可以为1.6μm以上，也可以为1.6μm以上且16μm以下。例如，也可以为2.9μm以上且14.8μm以下。

第1内部电极层31还具有位于第1引出部D1的第5倾斜部FA3。第2内部电极层32还具有位于第2引出部D2的第6倾斜部FB3。

由此，能够将来自外部的水分的浸入路径的距离确保得长，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容并且还能够确保耐湿性。

镀覆液等水分有可能从层叠体10和外部电极层的界面浸入。通过具有第5倾斜部FA3、第6倾斜部FB3，从而能够使通过该界面直到内部电极层30的端部的浸入路径的距离变长。因而，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容并且还能够确保耐湿性。

此外，镀覆液等水分有可能从外部电极40的表面通过外部电极40的厚度方向浸入。通过具有第5倾斜部FA3、第6倾斜部FB3，从而能够在外部电极40的长度方向L的厚度通常容易变厚的偏靠层叠体10的高度方向中心侧的位置配置内部电极层30的端部。因而，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容并且还能够确保耐湿性。

此外，通过具有第5倾斜部FA3以及第6倾斜部FB3，从而还能够使从内部电极层30的端部到内部电极层30的对置部的距离变长。由此，能够使直到内部电极层30的对置部的水分的浸入路径的距离变长。因而，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容并且还能够确保耐湿性。

第1倾斜部FA1以及第2倾斜部FA2的倾斜角度θ比第5倾斜部FA3的倾斜角度θ2小。即，第5倾斜部FA3比第1倾斜部FA1以及第2倾斜部FA2的倾斜角度θ大。

第5倾斜部FA3相对于第1中央区域EA0或者第1区域EA1的倾斜角度θ2例如可以为10°以上，也可以为15°以上。

第3倾斜部FB1以及第4倾斜部FB2的倾斜角度θ比第6倾斜部FB3的倾斜角度θ2小。即，第6倾斜部FB3的倾斜角度θ2比第3倾斜部FB1以及第4倾斜部FB2的倾斜角度θ大。

第6倾斜部FB3相对于第2中央区域EB0或者第3区域EB1的倾斜角度θ2例如可以为10°以上，也可以为15°以上。

另外，在图2B中，作为上述的倾斜角度θ2的代表，示出了第2内部电极层32中的、第6倾斜部FB3相对于第2中央区域EB0以及第3区域EB1的倾斜角度θ2。

由此，能够将来自外部的水分的浸入路径的距离确保得更长，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容并且还能够确保耐湿性。

此外，如图2A以及图2B所示，层叠体10具有从第1外部电极40A以及第2外部电极40B露出的露出部Ep、被第1外部电极覆盖的第1被覆部C1、和被第2外部电极40B覆盖的第2被覆部C2。从第1外部电极40A以及第2外部电极40B露出的露出部Ep的长度方向L的距离L1对应于第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1。

在本实施方式中，露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0比作为第1被覆部C1的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的距离的最大值的最大距离T1长。此外，在本实施方式中，露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0比作为第2被覆部C2的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的距离的最大值的最大距离T1长。另外，在本实施方式中，露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0成为层叠体10的露出部Ep处的层叠方向T的最大距离。

露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0优选为第1被覆部C1的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的最大距离T1的103.2%以下。例如，露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0也可以为第1被覆部C1的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的最大距离T1的100.6%以上且103.2%以下。更优选地，露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0也可以为第1被覆部C1的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的最大距离T1的100.6%以上且102.7%以下。另外，在本实施方式中，后述的连结平面部PA1和平面部PB1的层叠方向T的距离成为上述的最大距离T1。

露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0优选为第2被覆部C2的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的最大距离T1的103.2%以下。例如，露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0也可以为第2被覆部C2的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的最大距离T1的100.6%以上且103.2%以下。更优选地，露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0也可以为第2被覆部C2的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的最大距离T1的100.6%以上且102.7%以下。另外，在本实施方式中，后述的连结平面部PA2和平面部PB2的层叠方向T的距离成为上述的最大距离T1。

露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0比作为第1外部电极40A的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的距离的最大值的最大距离T2短。此外，露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0比作为第2外部电极40B的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的距离的最大值的最大距离T2短。

另外，第1内部电极层31的第1中央区域EA0的层叠方向T的厚度与第1区域EA1的层叠方向T的厚度之比可以设定得大于层叠体10的露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0与层叠体10的第1被覆部C1的层叠方向T的最大距离T1之比。第2内部电极层32的第2中央区域EB0的厚度与第3区域EB1的层叠方向T的厚度之比可以设定得大于层叠体10的露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0与层叠体10的第2被覆部C2的层叠方向T的最大距离T1之比。

如图2A所示，第1主面TS1具有从第1外部电极40A以及第2外部电极40B露出的第1露出面EpsA、被第1外部电极40A覆盖的第1被覆面C1sA、和被第2外部电极40B覆盖的第2被覆面C2sA。

如图1以及图2A所示，第1露出面EpsA具有与层叠方向T平行的第1平坦面PA0、将第1平坦面PA0和第1被覆面C1sA连结的第1倾斜面FC1、以及将第1平坦面PA0和第2被覆面C2sA连结的第2倾斜面FC2。在本实施方式中，在第1被覆面C1sA的层叠体中央侧形成有平面部PA1，第1倾斜面FC1将第1平坦面PA0和平面部PA1进行了连结。此外，在第2被覆面C2sA的层叠体中央侧形成有平面部PA2，第2倾斜面FC2将第1平坦面PA0和平面部PA2进行了连结。即，本实施方式的第1主面TS1具有第1端面LS1侧的平面部PA1、第2端面LS2侧的平面部PA2、配置在平面部PA1与平面部PA2之间并从平面部PA1以及平面部PA2隆起的第1平坦面PA0、将第1平坦面PA0和平面部PA1连结的第1倾斜面FC1、以及将第1平坦面PA0和平面部PA2连结的第2倾斜面FC2。

如图2A所示，第2主面TS2具有从第1外部电极40A以及第2外部电极40B露出的第2露出面EpsB、被第1外部电极40A覆盖的第3被覆面C1sB、和被第2外部电极覆盖的第4被覆面C2sB。

第2露出面EpsB具有与层叠方向T平行的第2平坦面PB0、将第2平坦面PB0和第3被覆面C1sB连结的第3倾斜面FC3、以及将第2平坦面PB0和第4被覆面C2sB连结的第4倾斜面FC4。在本实施方式中，在第3被覆面C1sB的层叠体中央侧形成有平面部PB1，第3倾斜面FC3将第2平坦面PB0和平面部PB1进行了连结。此外，在第4被覆面C2sB的层叠体中央侧形成有平面部PB2，第4倾斜面FC4将第2平坦面PB0和平面部PB2进行了连结。即，本实施方式的第2主面TS2具有第1端面LS1侧的平面部PB1、第2端面LS2侧的平面部PB2、配置在平面部PB1与平面部PB2之间并从平面部PB1以及平面部PB2隆起的第2平坦面PB0、将第2平坦面PB0和平面部PB1连结的第3倾斜面FC3、以及将第2平坦面PB0和平面部PB2连结的第4倾斜面FC4。

由此，与第1平坦面PA0或者第2平坦面PB0对应地变得容易确保覆盖率高的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的面积，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容。此外，通过形成平坦面，从而能够抑制安装时的吸附不良。

第1倾斜面FC1的长度方向L的距离Lt1以及第2倾斜面FC2的长度方向L的距离Lt2比第1平坦面PA0的长度方向L的距离Lt0短。第3倾斜面FC3的长度方向L的距离Lt1以及第4倾斜面FC4的长度方向L的Lt2距离比第2平坦面PB0的长度方向L的距离Lt0短。

由此，与第1平坦面PA0或者第2平坦面PB0对应地变得容易确保覆盖率高的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的面积，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。此外，通过确保平坦面的面积，从而能够抑制安装时的吸附不良。

另外，在本实施方式中，在长度方向L上，第1平坦面PA0的距离Lt0比第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1短。此外，在长度方向L上，第2平坦面PB0的距离Lt0比第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1短。像这样，优选在长度方向L上，在第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1的范围内配置有第1平坦面PA0以及第2平坦面PB0的长度方向L的距离Lt0。另外，第1外部电极40A的端部40AE既可以位于第1倾斜面FC1以及第3倾斜面FC3，也可以位于比第1倾斜面FC1以及第3倾斜面FC3靠第1端面LS1侧的平面部PA1以及平面部PB1。第2外部电极40B的端部40BE既可以位于第2倾斜面FC2以及第4倾斜面FC4，也可以位于比第2倾斜面FC2以及第4倾斜面FC4靠第2端面LS2侧的平面部PA2以及平面部PB2。在本实施方式中，第1外部电极40A的端部40AE位于第1倾斜面FC1和平面部PA1的边界部附近、以及第3倾斜面FC3和平面部PB1的边界部附近。此外，第2外部电极40B的端部40BE位于第2倾斜面FC2和平面部PA2的边界部附近、以及第4倾斜面FC4和平面部PB2的边界部附近。

第1倾斜面FC1相对于第1平坦面PA0的倾斜角度φ优选为1°以上。例如，第1倾斜面FC1相对于第1平坦面PA0的倾斜角度φ也可以为1°以上且10°以下。更优选地，第1倾斜面FC1相对于第1平坦面PA0的倾斜角度φ也可以为2°以上且5°以下。

第2倾斜面FC2相对于第1平坦面PA0的倾斜角度φ优选为1°以上。例如，第2倾斜面FC2相对于第1平坦面PA0的倾斜角度φ也可以为1°以上且10°以下。更优选地，第2倾斜面FC2相对于第1平坦面PA0的倾斜角度φ也可以为2°以上且5°以下。

第3倾斜面FC3相对于第2平坦面PB0的倾斜角度φ优选为1°以上。例如，第3倾斜面FC3相对于第2平坦面PB0的倾斜角度φ也可以为1°以上且10°以下。更优选地，第3倾斜面FC3相对于第2平坦面PB0的倾斜角度φ也可以为2°以上且5°以下。

第4倾斜面FC4相对于第2平坦面PB0的倾斜角度φ优选为1°以上。例如，第4倾斜面FC4相对于第2平坦面PB0的倾斜角度φ也可以为1°以上且10°以下。更优选地，第4倾斜面FC4相对于第2平坦面PB0的倾斜角度φ也可以为2°以上且5°以下。

另外，在图2A中，作为上述的倾斜角度φ的代表，示出了第2主面TS2中的、第4倾斜面FC4相对于第2平坦面PB0的倾斜角度φ。

由此，能够抑制层叠陶瓷电容器1的尺寸变大，并且增厚第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的内部电极层30的厚度来提高覆盖率，从而提高电容。具体地，通过将上述的倾斜角度φ设为1°以上，优选设为2°以上，从而能够确保用于使第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的内部电极层30的厚度变厚的区域。此外，通过将上述的倾斜角度φ设为10°以下，优选设为5°以下，从而能够抑制层叠体10的表面在层叠方向T上过于膨胀从而会比外部电极40的表面向外侧突出。更具体地，通过将倾斜角度φ设为上述的范围内，从而变得容易将第1中央区域EA0以及第2中央区域的厚度与第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1、第4区域EB2的厚度的关系设定在本实施方式的范围内。此外，通过将倾斜角度φ设为上述的范围内，从而变得容易将层叠体10的露出部的中心处的距离T0与层叠体的被覆部处的最大距离T1的关系设定在本实施方式的范围内。

第1平坦面PA0优选和与层叠方向T正交的面大致平行。第1平坦面PA0和平面部PA1以及平面部PA2优选大致平行。更优选地，第1平坦面PA0和平面部PA1以及平面部PA2和与层叠方向T正交的面大致平行。

第2平坦面PB0优选和与层叠方向T正交的面大致平行。第2平坦面PB0和平面部PB1以及平面部PB2优选大致平行。更优选地，第2平坦面PB0和平面部PB1以及平面部PB2和与层叠方向T正交的面大致平行。

另外，如图2A所示，由第1倾斜面FC1以及第2倾斜面FC2形成的、第1平坦面PA0与平面部PA1以及PA2之间的、层叠方向T的高低差距离tf，即，由第1倾斜面FC1以及第2倾斜面FC2形成的第1平坦面PA0的隆起高度tf（层叠体的单侧膨胀尺寸）优选比配置在第1主面TS1的第1外部电极40A以及第2外部电极40B的层叠方向T的厚度tg小。由第3倾斜面FC3以及第4倾斜面FC4形成的、第2平坦面PB0与平面部PB1以及PB2之间的、层叠方向T的高低差距离tf，即，由第3倾斜面FC3以及第4倾斜面FC4形成的第2平坦面PB0的隆起高度tf（层叠体的单侧膨胀尺寸）优选比配置在第2主面TS2的第1外部电极40A以及第2外部电极40B的层叠方向T的厚度tg小。

由此，能够抑制层叠陶瓷电容器1的尺寸变大并且提高电容。

由第1倾斜面FC1以及第2倾斜面FC2形成的第1平坦面PA0的隆起高度tf优选为2.9μm以上且14.8μm以下。由第1倾斜面FC1以及第2倾斜面FC2形成的第1平坦面PA0的隆起高度tf也可以为2.9μm以上且12.6μm以下。由第3倾斜面FC3以及第4倾斜面FC4形成的第2平坦面PB0的隆起高度tf优选为2.9μm以上且14.8μm以下。由第3倾斜面FC3以及第4倾斜面FC4形成的第2平坦面PB0的隆起高度tf也可以为2.9μm以上且12.6μm以下。

由第1倾斜面FC1以及第2倾斜面FC2形成的第1平坦面PA0的隆起高度tf比配置在内部电极层30间的电介质层20的层叠方向T的厚度Tc大。更优选地，由第1倾斜面FC1以及第2倾斜面FC2形成的第1平坦面PA0的隆起高度tf比内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt（=Te+Tc）大。进一步优选地，由第1倾斜面FC1以及第2倾斜面FC2形成的第1平坦面PA0的隆起高度tf为内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt的2倍以上。此外，由第1倾斜面FC1以及第2倾斜面FC2形成的第1平坦面PA0的隆起高度tf也可以为内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt的3倍以上。

由第3倾斜面FC3以及第4倾斜面FC4形成的第2平坦面PB0的隆起高度tf比配置在内部电极层30间的电介质层20的层叠方向T的厚度Tc大。更优选地，由第3倾斜面FC3以及第4倾斜面FC4形成的第2平坦面PB0的隆起高度tf比内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt（=Te+Tc）大。进一步优选地，由第3倾斜面FC3以及第4倾斜面FC4形成的第2平坦面PB0的隆起高度tf为内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt的2倍以上。此外，由第3倾斜面FC3以及第4倾斜面FC4形成的第2平坦面PB0的隆起高度tf也可以为内部电极层30的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的层叠方向T的厚度Tc之和Tt的3倍以上。

由此，能够有效利用由倾斜面产生的高低差来确保使第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的内部电极层30的厚度变厚的区域从而充分提高覆盖率，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。

第1主面侧外层部12的第1平坦面PA0区域中的层叠方向T的厚度t01比第1主面侧外层部12的第1被覆面C1sA区域中的层叠方向T的厚度t11以及第1主面侧外层部12的第2被覆面C2sA区域中的层叠方向T的厚度t21小。

第2主面侧外层部13的第2平坦面PB0区域中的层叠方向T的厚度t02比第2主面侧外层部13的第3被覆面C1sB区域中的层叠方向T的厚度t12以及第2主面侧外层部13的第4被覆面C2sB区域中的层叠方向T的厚度t22小。

由此，通过不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容并且将外部电极40和内部电极层30的距离确保得较长，从而能够抑制电场的集中，因此能够抑制电解集中导致的层叠陶瓷电容器1的可靠性的下降。

此外，通过将厚度t11、t21、t12、t22的距离确保得较长，从而即使假设在如层叠体10的露出部Ep和第1被覆部C1、第2被覆部C2的边界附近这样的外部电极40的端部附近产生了层叠体10的裂纹的情况下，也能够抑制该裂纹到达至内部电极。

另外，在本实施方式中，通过具有上述的倾斜面，从而在第1主面TS1以及第2主面TS2的两面，作为层叠体10的表面的一部分的平坦面凸起配置，但也可以在第1主面TS1以及第2主面TS2的任一个面，作为层叠体10的表面的一部分的平坦面凸起配置。

另外，如图2A、图2B所示，第1外部电极40A的层叠方向T的中央处的长度方向L的厚度比第1外部电极40A的层叠方向T的第1主面TS1侧的长度方向L的厚度、以及第1外部电极40A的层叠方向T的第2主面TS2侧的长度方向L的厚度厚。此外，如图4A、图4B所示，第1外部电极40A的宽度方向W的中央处的长度方向L的厚度比第1外部电极40A的宽度方向W的第1侧面WS1侧的长度方向L的厚度、以及第1外部电极40A的宽度方向W的第2侧面WS2侧的长度方向L的厚度厚。

另外，如图2A、图2B所示，第2外部电极40B的层叠方向T的中央处的长度方向L的厚度比第2外部电极40B的层叠方向T的第1主面TS1侧的长度方向L的厚度、以及第2外部电极40B的层叠方向T的第2主面TS2侧的长度方向L的厚度厚。此外，如图4A、图4B所示，第2外部电极40B的宽度方向W的中央处的长度方向L的厚度比第2外部电极40B的宽度方向W的第1侧面WS1侧的长度方向L的厚度、以及第2外部电极40B的宽度方向W的第2侧面WS2侧的长度方向L的厚度厚。

本实施方式的第1内部电极层31优选在第1主面侧内层部112、第2主面侧内层部113以及中央内层部111中具有与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第1中央区域EA0。不过，第1内部电极层31也可以至少在第1主面侧内层部112或者第2主面侧内层部113的任一个部分中具有与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第1中央区域EA0。由此，也可得到不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容这样的效果。

本实施方式的第2内部电极层32优选在第1主面侧内层部112、第2主面侧内层部113以及中央内层部111中具有与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第2中央区域EB0。不过，第2内部电极层32也可以至少在第1主面侧内层部112或者第2主面侧内层部113的任一个部分中具有与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第2中央区域EB0。由此，也可得到不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容这样的效果。

另外，在本实施方式中，第1倾斜部FA1、第2倾斜部FA2、第3倾斜部FB1、第4倾斜部FB2、第5倾斜部FA3以及第6倾斜部FB3配置在第1主面侧内层部112以及第2主面侧内层部113。不过，也可以至少在第1主面侧内层部112或者第2主面侧内层部113的任一个部分中配置有第1倾斜部FA1、第2倾斜部FA2、第3倾斜部FB1、第4倾斜部FB2、第5倾斜部FA3以及第6倾斜部FB3。

本实施方式的第1内部电极层31优选在第1侧面侧对置电极部112E、第2侧面侧对置电极部113E以及中央对置电极部111E中具有与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第1中央区域EA0。本公开并不限于此，但通过除了中央对置电极部111E之外还在第1侧面侧对置电极部112E以及第2侧面侧对置电极部113E中具有与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第1中央区域EA0，从而能够确保覆盖率高的第1中央区域EA0的面积，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。另外，也可以至少在中央对置电极部111E中具有与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第1中央区域EA0。

本实施方式的第2内部电极层32优选在第1侧面侧对置电极部112E、第2侧面侧对置电极部113E以及中央对置电极部111E中具有与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第2中央区域EB0。本公开并不限于此，但也可以通过除了中央对置电极部111E之外还在第1侧面侧对置电极部112E以及第2侧面侧对置电极部113E中具有与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第2中央区域EB0。从而能够确保覆盖率高的第2中央区域EB0的面积，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。另外，也可以至少在中央对置电极部111E中具有与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第2中央区域EB0。

图5～图7是示出用光学显微镜对本实施方式的层叠陶瓷电容器1的剖面进行了观察的放大像的一个例子的图。

图5是示出层叠体10的剖面的一部分的照片。图5是示出图2B中的层叠体10的右上的区域的剖面照片，并且是包含第1主面侧内层部112的一部分的区域的剖面照片。另外，图2B中的层叠体10的左上的区域、右下的区域、左下的区域基本上成为与图5所示的右上的区域呈左右对称、上下对称、旋转对称的结构。因而，利用图5的照片代表这些区域来进行说明。另外，图5是未配置外部电极40的状态的层叠体10的剖面照片。

图6是对图5的照片之中的包含第1内部电极层31的第1中央区域EA0以及第2内部电极层32的第2中央区域EB0的部分即VI部分进行了放大的照片。图7是对图5的照片之中的包含第1内部电极层31的第2区域EA2以及第2内部电极层32的第3区域EB1的部分即VII部分进行了放大的照片。

根据图5的光学显微镜照片，能够确认到层叠体10具有内层部11以及由电介质层20构成的第1主面侧外层部12。

根据图5的光学显微镜照片，在内层部11中，能够确认到配置有作为内部电极层30的第1内部电极层31以及第2内部电极层32的部分。而且，根据图6、图7的光学显微镜照片，能够确认到在多个内部电极层30之间配置有电介质层20。

根据图5的光学显微镜照片，能够确认到层叠体10具有存在第1内部电极层31的第1对置部EA以及第2内部电极层32的第2对置部EB的区域（EA、EB区域）、以及存在第2内部电极层32的第2引出部D2的区域（D2区域）。

根据图5的光学显微镜照片，能够确认到层叠体10具有由距离Le0的范围示出的存在第1内部电极层31的第1中央区域EA0以及第2内部电极层32的第2中央区域EB0的区域、由距离Le2的范围示出的存在第1内部电极层31的第2区域EA2以及第2内部电极层32的第3区域EB1的区域、和由距离Le4的范围示出的存在第1内部电极层31的第2倾斜部FA2以及第2内部电极层32的第3倾斜部FB1的区域。此外，能够确认到在第2内部电极层32的第2引出部D2的区域中存在第6倾斜部FB3。

此外，根据图5的光学显微镜照片，能够确认到层叠体10的第1主面TS1具有与层叠方向T平行的第1平坦面PA0、平面部PA2、以及将第1平坦面PA0和平面部PA2连结的第2倾斜面FC2。

在此，利用图6、图7来比较第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率和第2区域EA2以及第3区域EB1的覆盖率。在图6、图7中，在左右方向上延伸的黑色的线状的部分示出电介质层20，在左右方向上延伸的白色的线状的部分示出内部电极层30。此外，在左右方向上延伸的白色的线状的部分的中途存在的黑色的部分示出不存在金属材料的空洞部分V。因而，白色的部分越多，覆盖率越高。与图7相比，能够确认到图6中的空洞部分V少。因此，能够确认到图6所示的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率比图7所示的第2区域EA2以及第3区域EB1的覆盖率高。

<各种参数的测定>

以下，对各种参数的测定方法进行说明。各种参数能够通过以下的方法来测定。

<内部电极层以及电介质层的厚度的测定方法>

以下，对层叠陶瓷电容器1的内部电极层30的层叠方向T的厚度的测定方法进行说明。

首先，从第1侧面WS1侧或者第2侧面WS2起对层叠陶瓷电容器1进行研磨，由此使层叠体10的露出对置电极部11E的LT剖面露出。根据需要，对露出了观察位置的剖面进行蚀刻处理，将通过研磨而被拉伸的内部电极层30除去。对露出的剖面之中的图8所示的测定点M1～M6进行利用了SEM（扫描型电子显微镜）的观察。图8是示出层叠陶瓷电容器1的LT剖面的一个例子的图，并且是示出测定内部电极层30的厚度以及电介质层20的厚度时的测定点的图。另外，例如，仅在第1主面侧内层部112具有覆盖率高且厚度厚的上述的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的情况下，对测定点M1～M3进行利用了SEM的观察。

在第1主面侧内层部112设定测定点M1～M3。测定点M1是包含第1内部电极层31的第1区域EA1以及第2内部电极层32的第4区域EB2的部分。测定点M2是包含第1内部电极层31的第1中央区域EA0以及第2内部电极层32的第2中央区域EB0的部分。测定点M3是包含第1内部电极层31的第2区域EA2以及第2内部电极层32的第3区域EB1的部分。

在第2主面侧内层部113设定测定点M4～M6。测定点M4是包含第1内部电极层31的第1区域EA1以及第2内部电极层32的第4区域EB2的部分。测定点M5是包含第1内部电极层31的第1中央区域EA0以及第2内部电极层32的第2中央区域EB0的部分。测定点M6是包含第1内部电极层31的第2区域EA2以及第2内部电极层32的第3区域EB1的部分。

测定点M1、M4在长度方向L上设定于图2B、图8所示的距离Le1的中心位置。测定点M2、M5在长度方向L上设定于图2B、图8所示的距离Le0的中心位置。测定点M3、M6在长度方向L上设定于图2B、图8所示的距离Le2的中心位置。

观察各测定点时的观察倍率是能够观察4层的电介质层20和5层的内部电极层30的倍率，设为能够清晰地区分电介质层20和内部电极层30的倍率。图9是将测定点处的露出的内层部剖面的基于SEM的放大像的例子进行了附图化的图。

在测定层叠陶瓷电容器1的内部电极层30的厚度时，首先，如图9所示，在层叠陶瓷电容器1的剖面的放大像中，以间距S的等间隔引出在层叠体10的层叠方向上延伸的5条直线La～直线Le。间距S决定为想要测定的内部电极层30的厚度的5倍～10倍程度即可，例如，在测量厚度为约0.5μm的内部电极的情况下，设为间距S=2.5μm。接下来，在直线La～直线Le的各直线上测定内部电极层30的厚度。不过，在直线La～直线Le的各直线上内部电极层缺损从而夹着该内部电极层30的电介质层20彼此相连的情况或者测定位置的放大像不清晰的情况下，引出新的直线，对内部电极层30的厚度进行测定。

例如，在测定内部电极层30的厚度时，如图9所示，测定直线La上的厚度d1、直线Lb上的厚度d2、直线Lc上的厚度d3、直线Ld上的厚度d4、以及直线Le上的厚度d5。而且，关于第1主面侧内层部112中的测定点、以及第2主面侧内层部113中的测定点，分别通过上述的方法对5层的内部电极层30的每个层测定厚度，并将其平均值作为本实施方式的内部电极层30的厚度。例如，在测定第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度时，在测定点M2测定5处×5层的25点的厚度，在测定点M5测定5处×5层的25点的厚度，并将合计50点的平均值作为本实施方式的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度。例如，在测定第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的厚度时，在测定点M1、M3、M4、M6分别测定5处×5层的25点的厚度，并将合计100点的平均值作为本实施方式的第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的厚度。

另外，电介质层20的厚度也通过与内部电极层30同样的方法来测定。在测定电介质层20的厚度时，如图9所示，测定直线La上的厚度D1、直线Lb上的厚度D2、直线Lc上的厚度D3、直线Ld上的厚度D4、以及直线Le上的厚度D5。

而且，关于第1主面侧内层部112中的测定点、以及第2主面侧内层部113中的测定点，分别通过上述的方法对4层的电介质层20的每一层测定厚度，并将其平均值作为本实施方式的电介质层20的厚度。能够对与第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0对应的区域、与第1区域EA1以及第4区域EB2对应的区域、和与第2区域EA2以及第3区域EB1对应的区域各自的区域测定电介质层20的厚度。

能够反复研磨和测定，在第1侧面侧对置电极部112E的宽度方向W的中心位置、中央对置电极部111E的宽度方向W的中心位置、以及第2侧面侧对置电极部113E的宽度方向W的中心位置这3个位置，分别在测定点M1～M6这6处实施测定。

另外，根据想要进行测定的测定对象处，追加测定点。例如，在想要测定第1引出部D1以及第2引出部D2中的内部电极层30的层叠方向T的厚度的情况下，追加包含该测定对象处的部分作为测定点。在该情况下，也通过与上述的方法同样的方法进行测定。

<覆盖率的测定方法>

对内部电极层30相对于电介质层20的作为被覆率的覆盖率的测定方法进行说明。另外，本测定方法中的覆盖率的测定也称为线覆盖率的测定。

在前述的露出的LT剖面中，利用光学显微镜进行线覆盖率的测定。测定线覆盖率时的测定点基于图8所示的测定点M1～M6。不过，观察各测定点时的观察倍率设为1000倍。

如图6、图7所示，内部电极层30具有存在导电成分的区域和像空洞部分V这样不存在导电成分的区域。关于线覆盖率，在图6、图7所示的光学显微镜图像中，计算为实际上构成内部电极层30的导电成分所占的区域的长度方向L的长度相对于不考虑有无存在导电成分的情况下的内部电极层30的长度方向L的长度的比例，即，除了不存在导电成分的区域之外的长度方向L的长度相对于不考虑有无存在导电成分的情况下的内部电极层30的长度方向L的长度的比例。而且，关于第1主面侧内层部112中的测定点、以及第2主面侧内层部113中的测定点，分别测定内部电极层30的覆盖率，并将其平均值作为本实施方式的内部电极层30的覆盖率。例如，在测定第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率时，关于测定点M2以及测定点M5，分别测定内部电极层30的覆盖率，并将其平均值作为本实施方式的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率。例如，在测定第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率时，在测定点M1、M3、M4、M6，分别测定内部电极层30的覆盖率，并将其平均值作为本实施方式的第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率。

另外，根据想要进行测定的测定对象处，追加测定点。例如，在想要测定第1引出部D1以及第2引出部D2的覆盖率的情况下，追加包含该测定对象处的部分作为测定点。在该情况下，也通过与上述的方法同样的方法进行测定。

<距离、角度的测定方法>

利用前述的露出的LT剖面进行各种距离以及角度的测定。利用数字显微镜来实施距离以及角度的测定。

<制造方法>

接下来，对本实施方式的层叠陶瓷电容器1的制造方法进行说明。关于本实施方式的层叠陶瓷电容器1，只要满足上述的要件，其制造方法就不限定。然而，优选的制造方法具备以下的工序。以下，对各工序的详情进行说明。

准备电介质层20用的电介质片以及内部电极层30用的导电性膏。电介质片以及内部电极用的导电性膏包含粘合剂以及溶剂。粘合剂以及溶剂也可以是公知的粘合剂以及溶剂。

在电介质片上，例如，通过丝网印刷、凹版印刷等以给定的图案印刷内部电极层30用的导电性膏。由此，准备形成有第1内部电极层31的图案以及第2内部电极层32的图案的电介质片。另外，印刷方法并不限于丝网印刷等。

在此，利用图10、图11对内部电极层30用的导电性膏向电介质片上印刷的印刷方法进行说明。

如图11所示，印刷有内部电极层30的图案的电介质片由陶瓷生片G和配置在陶瓷生片G上的导电性膏P1以及导电性膏P2构成。导电性膏P1以及导电性膏P2由丝网S1的中空部分以及丝网S2的中空部分形成。

首先，如图10所示，利用具有由与第1内部电极层31以及第2内部电极层32的外形形状对应的图案形成的中空部分的丝网S1，在陶瓷生片G上配置导电性膏P1。

接下来，如图11所示，利用具有由与第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0对应的图案形成的中空部分的丝网S2，在导电性膏P1上丝网印刷导电性膏P2。由此，相当于第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的部分与其它区域相比变厚。

具体地，相当于第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的部分与相当于第1引出部D1、第2引出部D2、第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的部分相比变厚。由此，第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0成为覆盖率比第1引出部D1、第2引出部D2、第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2高的高覆盖率区域。另外，第1引出部D1以及第2引出部D2与第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2成为实质上相同的厚度，并成为实质上相同的覆盖率。

在此，例如图11所示的导电性膏P1以及导电性膏P2之中的右侧的部分是成为层叠陶瓷电容器的第1内部电极层31的部分P31，左侧的部分是成为另一个层叠陶瓷电容器的第2内部电极层32的部分P32。像这样准备电介质片。

将未印刷内部电极层30的图案的电介质片层叠给定片数，由此形成成为第1主面TS1侧的第1主面侧外层部12的部分P12。

接下来，如图12所示，在成为第1主面侧外层部12的部分P12的表面依次层叠图11所示的被丝网印刷的电介质片，由此形成成为内层部11的部分P11。在此，若着眼于图12中C所包围的部分来进行说明，则依次交替地层叠配置有成为第1内部电极层31的导电性膏P31的电介质片G1和配置有成为第2内部电极层32的导电性膏P32的电介质片G2。另外，关于图12中的C的部分，在后续的工序中被切出而构成一个层叠小片。

通过在该成为内层部11的部分P11的表面层叠给定片数的未印刷内部电极层30的图案的电介质片，从而形成成为第2主面TS2侧的第2主面侧外层部13的部分P13。由此，制作层叠片。

通过等静压压制等手段在高度方向上压制层叠片，从而制作层叠块。

通过将层叠块切割为给定的尺寸，从而切出层叠小片。此时，也可以通过滚筒研磨等使层叠小片的角部以及棱线部带有圆角。

通过对层叠小片进行烧成，从而制作层叠体10。烧成温度还依赖于电介质层20、内部电极层30的材料，但优选为900℃以上且1400℃以下。在此，通过根据区域对内部电极层30用的导电性膏的厚度进行调整，并且对压制条件以及烧成条件进行调整，从而能够得到具有本实施方式的内部电极层30的构造以及第1主面TS1以及第2主面TS2的表面形状的层叠体10。例如，通过对包含内部电极层30用的导电性膏的厚度的涂敷状态以及压制条件进行调整，从而可形成厚度递减的第1倾斜部FA1等倾斜部，能够得到本实施方式的内部电极层30。

在层叠体10的两端面涂敷成为基底电极层的导电性膏。

在本实施方式中，还在层叠体10的第1主面TS1以及第2主面TS2和第1侧面WS1以及第2侧面WS2侧涂敷导电性膏。此时，涂敷导电性膏，使得第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1比第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的长度方向L的距离Lt0长。

对更具体的制造方法的一个例子进行说明。在层叠体10的第1主面TS1或者第2主面TS2，与第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的位置对应地有第1平坦面PA0以及第2平坦面PB0。此外，在其周围形成有第1倾斜面FC1、第2倾斜面FC2、第3倾斜面FC3、以及第4倾斜面FC4。进而，在比各倾斜面靠端面侧形成有平面部PA1、PA2、PB1、PB2。

因此，例如，使得在比各倾斜面靠端面侧的平面部PA1、PA2、PB1、PB2涂敷导电性膏。像这样在层叠体10涂敷导电性膏，由此涂敷导电性膏以使得第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1比第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的长度方向L的距离Lt0长。另外，也可以在第1倾斜面FC1、第2倾斜面FC2、第3倾斜面FC3、第4倾斜面FC4的端面侧的一部分涂敷导电性膏。

另外，上述是制造方法的一个例子，并不限定于此。此外，基底电极层还能够在烧附处理后除去并进行调整。

在本实施方式中，基底电极层是烧附层。包含玻璃成分和金属的导电性膏例如通过浸渍等方法涂敷于层叠体10。然后，进行烧附处理，形成基底电极层。此时的烧附处理的温度优选为700℃以上且900℃以下。

另外，在将烧成前的层叠小片和涂敷于层叠小片的导电性膏同时进行烧成的情况下，烧附层优选对代替玻璃成分而添加了陶瓷材料的膏进行烧附来形成。此时，作为添加的陶瓷材料，特别优选使用与电介质层20相同种类的陶瓷材料。在该情况下，对烧成前的层叠小片涂敷导电性膏，将层叠小片和涂敷于层叠小片的导电性膏同时进行烧附，从而形成了形成有烧附层的层叠体10。

然后，在基底电极层的表面形成镀覆层。在本实施方式中，在第1基底电极层50A的表面形成第1镀覆层60A。此外，在第2基底电极层50B的表面形成第2镀覆层60B。在本实施方式中，作为镀覆层，形成Ni镀覆层以及Sn镀覆层。在进行镀覆处理时，可以采用电解镀覆、无电解镀覆的任意一种。不过，关于无电解镀覆，为了使镀覆析出速度提高，需要利用催化剂等的预处理，因此存在工序复杂化这样的缺点。因此，通常优选采用电解镀覆。Ni镀覆层以及Sn镀覆层例如通过滚筒镀覆来依次形成。

另外，在作为基底电极层而设置导电性树脂层的情况下，导电性树脂层也可以配置为覆盖烧附层。在设置导电性树脂层的情况下，包含热固化性树脂以及金属成分的导电性树脂膏涂敷在烧附层上，然后，以250～550℃以上的温度进行热处理。由此，热固化树脂热固化，从而形成导电性树脂层。该热处理时的气氛优选为N2气氛。此外，为了防止树脂的飞散并且防止各种金属成分的氧化，氧浓度优选为100ppm以下。

通过这样的制造工序，可制造层叠陶瓷电容器1。

<第2实施方式>

第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器1为了不增大层叠陶瓷电容器的尺寸地提高电容，增大了内部电极层30的层叠方向T的尺寸。更具体地，第1内部电极层31至少在第1主面侧内层部112或者第2主面侧内层部113的任一个部分中具有与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第1中央区域EA0，第2内部电极层32至少在第1主面侧内层部112或者第2主面侧内层部113的任一个部分中具有与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第2中央区域EB0。

在本实施方式中，为了不增大层叠陶瓷电容器的尺寸地进一步提高电容，增大了内部电极层30的宽度方向W的尺寸。具体地，第1内部电极层31具有在宽度方向W上距离比第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2长的第1中央区域EA0、以及在宽度方向W上距离比第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2长的第2中央区域EB0。至少第1中央区域EA0的宽度方向W的距离比第1引出部D1的宽度方向W的距离长，第2中央区域EB0的宽度方向W的距离比第2引出部D2的宽度方向W的距离长。根据这样的结构，能够更有效地得到本公开的效果。

以下，利用图2A～图3、图13～图14B对第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器1进行说明。另外，在以下的说明中，关于与第1实施方式相同的结构，有时通过在第1实施方式的说明中利用的图来进行说明。此外，有时标注在第1实施方式的说明中使用的附图标记并省略详细的说明。图13是第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的外观立体图。图14A是第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器中的相当于图4A的图。图14B是第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器中的相当于图4B的图。

内层部11包含在层叠方向T上交替地层叠的作为多个陶瓷层的多个电介质层20以及作为多个内部导体层的多个内部电极层30。

另外，内层部11的层叠方向T的厚度伴随着位于最靠第1主面TS1侧的内部电极层30的形状和位于最靠第2主面TS2侧的内部电极层30的形状而沿着长度方向L变化。内层部11的宽度方向W的尺寸遍及内层部11的长度方向L的全长而沿着多个内部电极层30的第1侧面WS1侧的端的形状和多个内部电极层30的第2侧面WS2侧的端的形状变化。

多个内部电极层30包含作为多个第1内部导体层的多个第1内部电极层31、和作为多个第2内部导体层的多个第2内部电极层32。

如图2A、图14A所示，第1内部电极层31具有第1对置部EA和第1引出部D1。如图2A、图14B所示，第2内部电极层32具有第2对置部EB和第2引出部D2。

第1对置部EA之中的第1中央区域EA0的宽度方向W的尺寸形成得大于第1引出部D1的宽度方向W的尺寸。第2对置部EB之中的第2中央区域EB0的宽度方向W的尺寸形成得大于第2引出部D2的宽度方向W。

第1对置部EA之中的第1中央区域EA0的宽度方向W的尺寸形成得大于第1区域EA1以及第2区域EA2的宽度方向W的尺寸。第2对置部EB之中的第2中央区域EB0的宽度方向W的尺寸形成得大于第3区域EB1以及第4区域EB2的宽度方向W的尺寸。

另外，层叠体10具有对置电极部11E。对置电极部11E是第1内部电极层31的第1对置部EA和第2内部电极层32的第2对置部EB相对置的部分。对置电极部11E构成为内层部11的一部分。在图14A以及图14B中，示出了对置电极部11E的宽度方向W以及长度方向L的范围。对置电极部11E的宽度方向W的尺寸遍及对置电极部11E的长度方向L的全长而沿着多个内部电极层30的第1侧面WS1侧的端的形状和多个内部电极层30的第2侧面WS2侧的端的形状变化。

另外，层叠体10具有侧面侧外层部。侧面侧外层部具有第1侧面侧外层部WG1和第2侧面侧外层部WG2。

第1侧面侧外层部WG1以及第2侧面侧外层部WG2的宽度方向W的尺寸遍及长度方向L的全长，与多个内部电极层30的第1侧面WS1侧的端的形状和多个内部电极层30的第2侧面WS2侧的端的形状无关地，大致固定地形成。但是，第1侧面侧外层部WG1以及第2侧面侧外层部WG2的宽度方向W的尺寸也可以不遍及长度方向L的全长地大致固定。

另外，第1侧面侧外层部WG1以及第2侧面侧外层部WG2的形状遍及长度方向L的全长而沿着多个内部电极层30的第1侧面WS1侧的端的形状和多个内部电极层30的第2侧面WS2侧的端的形状形成。因此，第1侧面侧外层部WG1以及第2侧面侧外层部WG2的一部分的形状在宽度方向W上弯曲。

如图2A～图3所示，内层部11具有第1主面侧内层部112、第2主面侧内层部113、以及配置在第1主面侧内层部与第2主面侧内层部之间的中央内层部111。中央内层部111、第1主面侧内层部112以及第2主面侧内层部113的层叠方向T的厚度分别伴随着内部电极层30的形状而沿着长度方向L变化。中央内层部111、第1主面侧内层部112以及第2主面侧内层部113的宽度方向W的距离分别遍及长度方向L的全长而沿着多个内部电极层30的宽度方向W上的两端的形状变化。

如图3、图14A、图14B所示，内层部11的对置电极部11E具有第1侧面侧对置电极部112E、第2侧面侧对置电极部113E、和中央对置电极部111E。

第1侧面侧对置电极部112E是对置电极部11E之中的第1侧面WS1侧的部分。第1侧面侧对置电极部112E的相当于第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的区域配置为在宽度方向W上向第1侧面WS1侧展宽。第2侧面侧对置电极部113E的相当于第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的区域配置为在宽度方向W上向第2侧面WS2侧展宽。

另外，也可以仅第1侧面侧对置电极部112E以及第2侧面侧对置电极部113E之中的一者在相当于第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的区域中配置为向第1侧面WS1侧或者第2侧面WS2侧展宽。

接下来，利用图2B、图14A～图14B对内部电极层30的详情进行说明。

第1对置部EA具有第1区域EA1、第2区域EA2、以及第1中央区域EA0。第1区域EA1配置在第1端面LS1侧。第2区域EA2配置在第2端面LS2侧。第1中央区域EA0位于第1区域EA1与第2区域EA2之间。第1中央区域EA0的覆盖率比第1区域EA1以及第2区域EA2的覆盖率高。此外，如图2B所示，第1中央区域EA0与第1区域EA1以及第2区域EA2相比配置得偏靠层叠体10的外侧。而且，作为第1高覆盖率区域的第1中央区域EA0的覆盖率比第1引出部D1的覆盖率高。第1中央区域EA0与第1引出部D1相比配置得偏靠层叠体10的外侧。

此外，如图14A、图14B所示，第1中央区域EA0的宽度方向W的距离TE0比第1区域EA1以及第2区域EA2的宽度方向W的距离TE1长。具体地，在宽度方向W上，第1中央区域EA0之中的第1侧面WS1侧的一部分与第1区域EA1以及第2区域EA2之中的第1侧面WS1侧的端相比配置在层叠体10的外侧。此外，在宽度方向W上，第1中央区域EA0之中的第2侧面WS2侧的一部分与第1区域EA1以及第2区域EA2之中的第2侧面WS2侧的端相比配置在层叠体10的外侧。此外，第1中央区域EA0的宽度方向W的距离TE0比第1引出部D1的宽度方向W的距离TE1长。第1引出部D1的宽度方向W的距离TE1也可以与第1区域EA1以及第2区域EA2的宽度方向W的距离TE1相同。

另外，也可以是，仅第1中央区域EA0之中的第1侧面WS1侧的一部分以及第2侧面WS2侧的一部分的任一者与第1区域EA1以及第2区域EA2之中的第1侧面WS1侧的端或者第2侧面WS2侧的端相比配置在层叠体10的外侧。

第2对置部EB具有第3区域EB1、第4区域EB2、以及第2中央区域EB0。第3区域EB1配置在第2端面LS2侧。第4区域EB2配置在第1端面LS1侧。第2中央区域EB0位于第3区域EB1与第4区域EB2之间。第2中央区域EB0的覆盖率比第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率高。此外，如图2B所示，第2中央区域EB0与第3区域EB1以及第4区域EB2相比配置得偏靠层叠体10的外侧。而且，作为第2高覆盖率区域的第2中央区域EB0的覆盖率比第2引出部D2的覆盖率高。第2中央区域EB0与第2引出部D2相比配置得偏靠层叠体10的外侧。

此外，如图14A、图14B所示，第2中央区域EB0的宽度方向W的距离TE0比第3区域EB1以及第4区域EB2的宽度方向W的距离TE1长。具体地，在宽度方向W上，第2中央区域EB0之中的第1侧面WS1侧的一部分与第3区域EB1以及第4区域EB2之中的第1侧面WS1侧的端相比配置在层叠体10的外侧。此外，在宽度方向W上，第2中央区域EB0之中的第2侧面WS2侧的一部分与第3区域EB1以及第4区域EB2之中的第2侧面WS2侧的端相比配置在层叠体10的外侧。第2中央区域EB0的宽度方向W的距离TE0比第2引出部D2的宽度方向W的距离TE1长。第2引出部D2的宽度方向W的距离TE1也可以与第3区域EB1以及第4区域EB2的宽度方向W的距离TE1相同。

另外，也可以是，仅第2中央区域EB0之中的第1侧面WS1侧的一部分以及第2侧面WS2侧的一部分的任一者与第3区域EB1以及第4区域EB2之中的第1侧面WS1侧的端或者第2侧面WS2侧的端相比配置在层叠体10的外侧。

由此，能够将对置电极部11E的区域确保得大，进而能够适当地确保覆盖率高的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的面积，因此能够提高电容。

此外，如图2A以及图2B所示，层叠体10具有从第1外部电极40A以及第2外部电极40B露出的露出部Ep、被第1外部电极覆盖的第1被覆部C1、和被第2外部电极40B覆盖的第2被覆部C2。

露出部Ep的长度方向L中心处的宽度方向W的距离TW0比第1被覆部C1的连结第1侧面WS1侧的表面和第2侧面WS2侧的表面的宽度方向W的最大距离TW1长。露出部Ep的长度方向L中心处的宽度方向W的距离TW0比第2被覆部C2的连结第1侧面WS1侧的表面和第2侧面WS2侧的表面的宽度方向W的最大距离TW1长。另外，在本实施方式中，露出部Ep的长度方向L中心处的宽度方向W的距离TW0成为层叠体10的露出部Ep处的宽度方向W的最大距离。

露出部Ep的长度方向L中心处的宽度方向W的距离TW0比第1外部电极40A的连结第1侧面WS1侧的表面和第2侧面WS2侧的表面的宽度方向W的最大值TW2短。此外，露出部Ep的长度方向L中心处的宽度方向W的距离TW0比第2外部电极40B的连结第1侧面WS1侧的表面和第2侧面WS2侧的表面的宽度方向W的最大值TW2短。

如图1以及图2A所示，第1露出面EpsA具有与层叠方向T平行的第1平坦面PA0、将第1平坦面PA0和第1被覆面C1sA连结的第1倾斜面FC1、以及将第1平坦面PA0和第2被覆面C2sA连结的第2倾斜面FC2。在本实施方式中，在第1被覆面C1sA的层叠体中央侧形成有平面部PA1，第1倾斜面FC1将第1平坦面PA0和平面部PA1进行了连结。此外，在第2被覆面C2sA的层叠体中央侧形成有平面部PA2，第2倾斜面FC2将第1平坦面PA0和平面部PA2进行了连结。

即，本实施方式的第1主面TS1具有第1端面LS1侧的平面部PA1、第2端面LS2侧的平面部PA2、配置在平面部PA1与平面部PA2之间并从平面部PA1以及平面部PA2隆起的第1平坦面PA0、将第1平坦面PA0和平面部PA1连结的第1倾斜面FC1、以及将第1平坦面PA0和平面部PA2连结的第2倾斜面FC2。

第2露出面EpsB具有与层叠方向T平行的第2平坦面PB0、将第2平坦面PB0和第3被覆面C1sB连结的第3倾斜面FC3、以及将第2平坦面PB0和第4被覆面C2sB连结的第4倾斜面FC4。在本实施方式中，在第3被覆面C1sB的层叠体中央侧形成有平面部PB1，第3倾斜面FC3将第2平坦面PB0和平面部PB1进行了连结。此外，在第4被覆面C2sB的层叠体中央侧形成有平面部PB2，第4倾斜面FC4将第2平坦面PB0和平面部PB2进行了连结。

即，本实施方式的第2主面TS2具有第1端面LS1侧的平面部PB1、第2端面LS2侧的平面部PB2、配置在平面部PB1与平面部PB2之间并从平面部PB1以及平面部PB2隆起的第2平坦面PB0、将第2平坦面PB0和平面部PB1连结的第3倾斜面FC3、以及将第2平坦面PB0和平面部PB2连结的第4倾斜面FC4。

如图14A以及图14B所示，第1侧面WS1具有从第1外部电极40A以及第2外部电极40B露出的第1侧面侧露出面EWpsA、被第1外部电极40A覆盖的第1侧面侧被覆面CW1sA、和被第2外部电极40B覆盖的第2侧面侧被覆面CW2sA。

第1侧面侧露出面EWpsA具有与宽度方向W平行的第1侧面侧平坦面PWA0、将第1侧面侧平坦面PWA0和第1侧面侧被覆面CW1sA连结的第1侧面侧倾斜面FWC1、以及将第1侧面侧平坦面PWA0和第2侧面侧被覆面CW2sA连结的第2侧面侧倾斜面FWC2。

在本实施方式中，在第1侧面侧被覆面CW1sA的层叠体中央侧形成有平面部PWA1，第1侧面侧倾斜面FWC1将第1侧面侧平坦面PWA0和平面部PWA1进行了连结。此外，在第2侧面侧被覆面CW2sA的层叠体中央侧形成有平面部PWA2，第2侧面侧倾斜面FWC2将第1侧面侧平坦面PWA0和平面部PWA2进行了连结。

即，本实施方式的第1侧面WS1具有第1端面LS1侧的平面部PWA1、第2端面LS2侧的平面部PWA2、配置在平面部PWA1与平面部PWA2之间并从平面部PWA1以及平面部PWA2隆起的第1侧面侧平坦面PWA0、将第1侧面侧平坦面PWA0和平面部PWA1连结的第1侧面侧倾斜面FWC1、以及将第1侧面侧平坦面PWA0和平面部PWA2连结的第2侧面侧倾斜面FWC2。

如图14A以及图14B所示，第2侧面WS2具有从第1外部电极40A以及第2外部电极40B露出的第2侧面侧露出面EWpsB、被第1外部电极40A覆盖的第3侧面侧被覆面CW1sB、和被第2外部电极40B覆盖的第4侧面侧被覆面CW2sB。

第2侧面侧露出面EWpsB具有与宽度方向W平行的第2侧面侧平坦面PWB0、将第2侧面侧平坦面PWB0和第3侧面侧被覆面CW1sB连结的第3侧面侧倾斜面FWC3、以及将第2侧面侧平坦面PWB0和第4侧面侧被覆面CW2sB连结的第4侧面侧倾斜面FWC4。在本实施方式中，在第3侧面侧被覆面CW1sB的层叠体中央侧形成有平面部PWB1，第3侧面侧倾斜面FWC3将第2侧面侧平坦面PWB0和平面部PWB1进行了连结。此外，在第4侧面侧被覆面CW2sB的层叠体中央侧形成有平面部PWB2，第4侧面侧倾斜面FWC4将第2侧面侧平坦面PWB0和平面部PWB2进行了连结。

即，本实施方式的第2侧面WS2具有第1端面LS1侧的平面部PWB1、第2端面LS2侧的平面部PWB2、配置在平面部PWB1与平面部PWB2之间并从平面部PWB1以及平面部PWB2隆起的第2侧面侧平坦面PWB0、将第2侧面侧平坦面PWB0和平面部PWB1连结的第3侧面侧倾斜面FWC3、以及将第2侧面侧平坦面PWB0和平面部PWB2连结的第4侧面侧倾斜面FWC4。

由此，能够将对置电极部11E的区域确保得大，进而能够适当地确保覆盖率高的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的面积，因此能够提高电容。此外，通过形成平坦面，从而能够抑制安装时的吸附不良。

第1侧面侧倾斜面FWC1的长度方向L的距离Lwt1以及第2侧面侧倾斜面FWC2的长度方向L的距离Lwt2比第1侧面侧平坦面PWA0的长度方向L的距离Lwt0短。第3侧面侧倾斜面FWC3的长度方向L的距离Lwt1以及第4侧面侧倾斜面FWC4的长度方向L的距离Lwt2比第2侧面侧平坦面PWB0的长度方向L的距离Lwt0短。

由此，能够将对置电极部11E的区域确保得大，进而能够适当地确保覆盖率高的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的面积，因此能够提高电容。此外，通过确保平坦面的面积，从而能够抑制安装时的吸附不良。

另外，在本实施方式中，在长度方向L上，第1平坦面PA0的距离Lt0比第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1短。此外，在长度方向L上，第2平坦面PB0的距离Lt0比第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1短。像这样，优选在长度方向L上，在第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1的范围内配置有第1平坦面PA0以及第2平坦面PB0的长度方向L的距离Lt0。

另外，第1外部电极40A的端部40AE既可以位于第1倾斜面FC1以及第3倾斜面FC3，也可以位于比第1倾斜面FC1以及第3倾斜面FC3靠第1端面LS1侧的平面部PA1以及平面部PB1。第2外部电极40B的端部40BE既可以位于第2倾斜面FC2以及第4倾斜面FC4，也可以位于比第2倾斜面FC2以及第4倾斜面FC4靠第2端面LS2侧的平面部PA2以及平面部PB2。

在本实施方式中，第1外部电极40A的端部40AE位于第1倾斜面FC1和平面部PA1的边界部附近、以及第3倾斜面FC3和平面部PB1的边界部附近。此外，第2外部电极40B的端部40BE位于第2倾斜面FC2和平面部PA2的边界部附近、以及第4倾斜面FC4和平面部PB2的边界部附近。

另外，在本实施方式中，在长度方向L上，第1侧面侧平坦面PWA0的距离LWt0比第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1短。此外，在长度方向L上，第2侧面侧平坦面PWB0的距离LWt0比第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1短。像这样，优选在长度方向L上，在第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1的范围内配置有第1侧面侧平坦面PWA0以及第2侧面侧平坦面PWB0的长度方向L的距离LWt0。

另外，第1外部电极40A的端部40AE既可以位于第1侧面侧倾斜面FWC1以及第3侧面侧倾斜面FWC3，也可以位于比第1侧面侧倾斜面FWC1以及第3侧面侧倾斜面FWC3靠第1端面LS1侧的平面部PWA1以及平面部PWB1。第2外部电极40B的端部40BE既可以位于第2侧面侧倾斜面FWC2以及第4侧面侧倾斜面FWC4，也可以位于比第2侧面侧倾斜面FWC2以及第4侧面侧倾斜面FWC4靠第2端面LS2侧的平面部PWA2以及平面部PWB2。

在本实施方式中，第1外部电极40A的端部40AE位于第1侧面侧倾斜面FWC1和平面部PWA1的边界部附近、以及第3侧面侧倾斜面FWC3和平面部PWB1的边界部附近。此外，第2外部电极40B的端部40BE位于第2侧面侧倾斜面FWC2和平面部PWA2的边界部附近、以及第4侧面侧倾斜面FWC4和平面部PWB2的边界部附近。

第1侧面侧平坦面PWA0优选和与宽度方向W正交的面大致平行。第1侧面侧平坦面PWA0和平面部PWA1以及平面部PWA2优选大致平行。更优选地，第1侧面侧平坦面PWA0和平面部PWA1以及平面部PWA2和与宽度方向W正交的面大致平行。

第2侧面侧平坦面PWB0优选和与宽度方向W正交的面大致平行。第2侧面侧平坦面PWB0和平面部PWB1以及平面部PWB2优选大致平行。更优选地，第2侧面侧平坦面PWB0和平面部PWB1以及平面部PWB2和与宽度方向W正交的面大致平行。

另外，在本实施方式中，通过具有上述的倾斜面，从而在第1侧面WS1以及第2侧面WS2的两面，作为层叠体10的表面的一部分的平坦面凸起配置，但也可以在第1侧面WS1以及第2侧面WS2的任一个面，作为层叠体10的表面的一部分的平坦面凸起配置。

本实施方式的第1内部电极层31优选在第1主面侧内层部112、第2主面侧内层部113以及中央内层部111中具有与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第1中央区域EA0。

不过，第1内部电极层31也可以至少在第1主面侧内层部112或者第2主面侧内层部113的任一个部分中具有与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第1中央区域EA0。由此，也可得到不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容这样的效果。

本实施方式的第2内部电极层32优选在第1主面侧内层部112、第2主面侧内层部113以及中央内层部111中具有与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第2中央区域EB0。

不过，第2内部电极层32也可以至少在第1主面侧内层部112或者第2主面侧内层部113的任一个部分中具有与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比覆盖率高且厚度厚的上述的第2中央区域EB0。由此，也可得到不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容这样的效果。

本实施方式的第1内部电极层31优选在第1侧面侧对置电极部112E、第2侧面侧对置电极部113E以及中央对置电极部111E中具有与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比覆盖率高且厚度厚、进而在宽度方向W上向层叠体10的外侧展宽的上述的第1中央区域EA0。

本公开并不限于此，但通过除了中央对置电极部111E之外还在第1侧面侧对置电极部112E以及第2侧面侧对置电极部113E中具有与第1引出部D1、第1区域EA1以及第2区域EA2相比覆盖率高且厚度厚、进而在宽度方向W上向层叠体10的外侧展宽的上述的第1中央区域EA0，从而能够确保覆盖率高的第1中央区域EA0的面积，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。

本实施方式的第2内部电极层32优选在第1侧面侧对置电极部112E、第2侧面侧对置电极部113E以及中央对置电极部111E中具有与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比覆盖率高且厚度厚、进而在宽度方向W上向层叠体10的外侧展宽的上述的第2中央区域EB0。

本公开并不限于此，但通过除了中央对置电极部111E之外还在第1侧面侧对置电极部112E以及第2侧面侧对置电极部113E中具有与第2引出部D2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比覆盖率高且厚度厚、进而在宽度方向W上向层叠体10的外侧展宽的上述的第2中央区域EB0，从而能够确保覆盖率高的第2中央区域EB0的面积，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。

<制造方法>

接下来，对第2实施方式的层叠陶瓷电容器1的制造方法进行说明。关于本实施方式的层叠陶瓷电容器1，只要满足上述的要件，其制造方法就不限定。然而，优选的制造方法具备以下的工序。以下，对各工序的详情进行说明。

准备电介质层20用的电介质片以及内部电极层30用的导电性膏。

在电介质片上，例如，通过丝网印刷、凹版印刷等以给定的图案印刷内部电极层30用的导电性膏。由此，准备形成有第1内部电极层31的图案以及第2内部电极层32的图案的电介质片。

丝网S1的中空部分具有相当于第1区域EA1的部分、相当于第1中央区域EA0的部分以及相当于第2区域EA2的部分、或者相当于第3区域EB1的部分、相当于第2中央区域EB0的部分以及相当于第4区域EB2的部分。

丝网S1的中空部分具有宽度方向的距离比相当于第1区域EA1的部分以及相当于第2区域EA2的部分的宽度方向的距离长的相当于第1中央区域EA0的部分。丝网S1的中空部分具有宽度方向的距离比相当于第3区域EB1的部分以及相当于第4区域EB2的部分的宽度方向的距离长的相当于第2中央区域EB0的部分。丝网S2的中空部分具有相当于第1中央区域EA0或者第2中央区域EB0的部分。

由此，如上述，导电性膏P1以及导电性膏P2由丝网S1的中空部分以及丝网S2的中空部分形成，相当于第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的部分与其它区域相比在宽度方向W上变宽。

接下来，如图11所示，利用具有由与第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0对应的图案形成的中空部分的丝网S2，在导电性膏P1上丝网印刷导电性膏P2。由此，相当于第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的部分与其它区域相比变厚，并且与其它区域相比在宽度方向W上变宽。

具体地，相当于第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的部分与相当于第1引出部D1、第2引出部D2、第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的部分相比，在宽度方向W上变宽且变厚。由此，第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0成为与第1引出部D1、第2引出部D2、第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2相比在宽度方向W上宽且覆盖率高的高覆盖率区域。另外，第1引出部D1以及第2引出部D2与第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2成为实质上相同的厚度，并成为实质上相同的覆盖率。

通过将层叠块切割为给定的尺寸，从而切出层叠小片。在此，通过滚筒研磨等切削层叠小片的侧面之中的两端面侧，加工成相当于第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的部分在宽度方向上相对地变宽。

具体地，通过边进行施加掩模边进行滚筒研磨等从而切削层叠小片的侧面之中的相当于第1引出部D1的部分、相当于第1区域EA1或者第3区域EB1的部分、相当于第2区域EA2以及第4区域EB2的部分以及相当于第2引出D2的部分。相当于第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的部分相对于相当于第1引出部D1的部分、相当于第1区域EA1或者第3区域EB1的部分、相当于第2区域EA2以及第4区域EB2的部分以及相当于第2引出D2的部分而在宽度方向上变宽。此时，也可以通过滚筒研磨等使层叠小片的角部以及棱线部带有圆角。

另外，后续的制造方法的详情与第1实施方式相同，因此省略说明。通过这样的制造工序，可制造层叠陶瓷电容器1。

<实验例>

接下来，关于代表本公开的层叠陶瓷电容器1而对第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器1进行的实验例加以说明。按照第1实施方式记载的制造方法，制作了调整第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度以及覆盖率而制作的7种批次的层叠陶瓷电容器，作为实验例1～7的试样。此外，作为比较例的试样，制作了内部电极层的厚度以及覆盖率一样的试样。然后，使用所制作的试样进行了静电电容的评价、安装评价。关于各实验例以及比较例的具体的内部电极层的厚度以及覆盖率、评价结果等，记载于后述的表1。另外，内部电极层的引出部的厚度以及覆盖率成为与对置部端部区域相同的设计。

首先，按照本实施方式记载的制造方法，制作了以下的规格的层叠陶瓷电容器，作为实验例的试样。

·层叠陶瓷电容器的尺寸：1608尺寸

·电容：22μF

·额定电压：25V

·电介质层：BaTiO₃（电介质层的厚度：1μm）

·内部电极层：Ni

·基底电极层：包含导电性金属（Cu）和玻璃成分的电极（分别配置在第1端面、第2端面的基底电极层的厚度：36μm，分别配置在第1主面、第2主面、第1侧面、第2侧面的基底电极层的厚度：9μm）

·镀覆层：形成Ni镀覆层（2μm）以及Sn镀覆层（4μm）这两层

·内部电极层：Ni

·层叠片数：550层

·对置部处的中央区域（高覆盖率区域）所占的比例：75%

在此，各批次是根据不同的制造条件而制造的批次，分别调整了第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度以及覆盖率。按照各实验例以及比较例，制作了必要数量的用于各评价的试样。此外，按照各实验例以及比较例制作了5个尺寸、内部电极层的厚度以及覆盖率测定用的试样，将5个试样的尺寸、内部电极层的厚度以及覆盖率的测定值的平均值计算为各实验例以及比较例的尺寸、内部电极层的厚度以及覆盖率的值。

<静电电容的测定方法>

利用C测量仪，测定了在频率为120Hz、施加电压为0.5Vrms的条件下得到的静电电容。按照各实验例以及比较例，对50个试样进行评价，并将其平均值作为各实验例以及比较例的静电电容。

<安装评价>

对在安装基板搭载层叠陶瓷电容器时的、安装机的安装器导致的吸附不良的产生率进行了评价。按照各实验例以及比较例，对50个试样进行了评价。

在表1中，示出实验例1～7以及比较例的测定结果以及评价结果。

[表1]

在表1中，测定结果记载于中央区域厚度te0、对置部端部区域厚度te1、厚度比te0/te1、中央区域覆盖率Ce0、对置部端部区域覆盖率Ce1、覆盖率差Ce0-Ce1、层叠体膨胀尺寸（单侧）、层叠体膨胀率、以及外部电极的主面侧厚度。评价结果记载于静电电容、静电电容评价结果、尺寸评价结果、安装评价中的吸附不良产生率、吸附不良评价结果、以及综合评价。

在表1中，中央区域厚度te0是第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度的测定结果的平均值。对置部端部区域厚度te1是第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的厚度的测定结果的平均值。厚度比是中央区域厚度te0除以对置部端部区域厚度te1而得的数值。

在表1中，中央区域覆盖率Ce0是第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率的测定结果的平均值。对置部端部区域覆盖率Ce1是第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率的测定结果的平均值。覆盖率差是从中央区域覆盖率Ce0减去对置部端部区域覆盖率Ce1而得的数值，由百分点（%pt）表示。

在表1中，层叠体的膨胀尺寸（单侧）是由第1倾斜面FC1以及第2倾斜面FC2形成的第1平坦面PA0的隆起高度tf和由第3倾斜面FC3以及第4倾斜面FC4形成的第2平坦面PB0的隆起高度tf的平均值。层叠体膨胀率是层叠体10的露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0除以第1被覆部C1以及第2被覆部C2的连结第1主面TS1侧表面（平面部PA1、平面部PA2）和第2主面TS2侧表面（平面部PB1、平面部PB2）的层叠方向T的最大距离T1而得的数值。在本实验例中，前述的最大距离T1的平均为930μm。外部电极的主面侧厚度是配置在第1主面TS1的第1外部电极的厚度、配置在第1主面TS1的第2外部电极的厚度、配置在第2主面TS2的第1外部电极的厚度、以及配置在第2主面TS2的第2外部电极的厚度的平均值。

在表1中，在静电电容的项目中，示出了通过上述的静电电容的测定方法而测定的层叠陶瓷电容器的静电电容。在静电电容评价结果的项目中，在本实验例中，在为22.0μF以上的情况下将评价结果设为〇，在低于22.0μF的情况下将评价结果设为×。

在表1中，在尺寸评价结果的项目中，通过增大第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度从而第1平坦面PA0以及第2平坦面PB0在层叠方向T上会比第1外部电极40A或者第2外部电极40B向外侧突出的情况下将评价结果设为△，在不向外侧突出的情况下将评价结果设为〇。

在表1中，在安装评价中的吸附不良产生率的项目中，记载有对比较例、实验例1～7各自50个层叠陶瓷电容器进行了安装时的安装机的安装器导致的吸附不良的产生率。在吸附不良评价结果的项目中，50个中产生了吸附不良的试样为1个以下的情况下将评价结果设为〇，产生了吸附不良的试样为2个以上且15个以下的情况下将评价结果设为△，产生了吸附不良的试样超过15个的情况下将评价结果设为×。在本次的实验例中，无论在哪个实验例中，产生了吸附不良的试样的个数均为15个以下。

在表1中，在综合评价的项目中，任一个评价结果包含△（容许）的情况下将评价结果设为△（容许），任一个评价结果包含×（不良好）的情况下将评价结果设为×（不良好），无论哪个评价结果都为〇（良好）的情况下将评价结果设为〇（良好）。

可确认到覆盖率差为2.2百分点以上，静电电容成为22.0μF以上，可得到电容提高的效果。根据从结果得到的倾向，覆盖率差例如若为3.0百分点以上，则关于电容提升可预料到更高的效果，覆盖率差若为4.0百分点以上，则关于电容提升可预料到进一步高的效果。根据比较例以及各实验例的评价结果的倾向，通过使中央区域覆盖率Ce0高于对置部端部区域覆盖率Ce1从而可得到本实施方式的效果，可确认到越使中央区域覆盖率Ce0高于对置部端部区域覆盖率Ce1则越会提高静电电容的倾向。

可确认到厚度比为101.6%以上，静电电容成为22.0μF以上，可得到电容提高的效果。根据从结果得到的倾向，可预料到厚度比例如更优选为102%以上，进一步优选为103%以上。由此，能够提高中央部的覆盖率从而提高电容。此外，厚度比可以为111.3%以下，也可以为109.8%以下。根据比较例以及各实验例的评价结果的倾向，通过使中央区域厚度te0高于对置部端部区域厚度te1从而可得到本实施方式的效果，可确认到越使中央区域厚度te0高于对置部端部区域厚度te1则越会提高静电电容的倾向。

另外，若厚度比超过109.8%，则电容提高的效果变得受限。此外，若厚度比变得过高，则层叠体的中央区域的尺寸变大，层叠体的膨胀尺寸（单侧）接近于外部电极的主面侧厚度，因此变得难以将层叠陶瓷电容器1整体的尺寸抑制得小，并且变得容易产生安装评价中的吸附不良。因而，若厚度比变得过高，则电容提高的效果会不断减少，并且根据产品的尺寸、外部电极的厚度，会产生变得难以采用的情况。

在此，在比较例的试样中，未确认到本实施方式的第1倾斜部FA1、第2倾斜部FA2、和第3倾斜部FB1以及第4倾斜部FB2，另一方面，在实验例1～7的试样中，可确认到本实施方式的第1倾斜部FA1、第2倾斜部FA2、和第3倾斜部FB1以及第4倾斜部FB2。通过设为这样的结构，从而在上述的评价中得到了良好的评价结果。

此外，在实验例1～7的试样中，可确认到在长度方向L上，第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的距离比第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离短。通过设为这样的结构，从而在上述的评价中得到了良好的评价结果。

此外，在实验例1～7的试样中，可确认到层叠体10的露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0比第1被覆部C1以及第2被覆部C2的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的最大距离T1长。通过设为这样的结构，从而在上述的评价中得到了良好的评价结果。

此外，在实验例1～6的试样中，可确认到层叠体10的露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0比第1外部电极40A以及第2外部电极40B的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的最大距离T2短。通过设为这样的结构，从而在上述的评价中得到了更良好的评价结果。层叠体的膨胀尺寸（单侧）优选比外部电极的主面侧厚度小。

根据以上说明的实施方式涉及的层叠陶瓷电容器1，起到以下的效果。在一般的层叠陶瓷电容器中，在将第1外部电极的表面和第2外部电极的表面连结的假想面与层叠体的表面之间的部分存在空间。该空间是只要外部电极具有侧面厚度就必然存在的空间，但对电容密度没有贡献。

对于使静电电容提高的方法之一，可考虑使内部电极层的覆盖率提高从而使净有效面提高的方法。在此，内部电极层的覆盖率与内部电极层的厚度具有正的相关，因此为使覆盖率提高而需要增厚内部电极层的厚度。因而，为了以相同的层叠方向T的尺寸设计层叠体，需要与增厚内部电极层的量对应地减少内部电极层的片数。因此，由增厚内部电极层引起的静电电容提高的效果会由于内部电极层的片数的减少而抵消。

根据本公开，能够提供一种层叠陶瓷电容器，能够有效地利用存在于将第1外部电极的表面和第2外部电极的表面连结的假想面与层叠体的表面之间的部分的空间从而不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高静电电容。

（1）本公开的层叠陶瓷电容器1具有：层叠体10，包含层叠的多个电介质层20，并包含在层叠方向T上相对的第1主面TS1以及第2主面TS2、在与层叠方向T正交的宽度方向W上相对的第1侧面WS1以及第2侧面WS2、和在与层叠方向T以及宽度方向W正交的长度方向L上相对的第1端面LS1以及第2端面LS2；第1内部电极层31，配置在电介质层20上，并在第1端面LS1露出；第2内部电极层32，配置在电介质层20上，并在第2端面LS2露出；第1外部电极40A，配置在第1端面LS1上并与第1内部电极层31连接；和第2外部电极40B，配置在第2端面LS2上并与第2内部电极层32连接，第1内部电极层31具有与第2内部电极层32对置的第1对置部EA、和从第1对置部EA向第1端面LS1侧引出的第1引出部D1，第2内部电极层32具有与第1内部电极层31对置的第2对置部EB、和从第2对置部EB向第2端面LS2侧引出的第2引出部D2，第1对置部EA具有：第1高覆盖率区域EA0，是相对于第1引出部D1配置得偏靠层叠方向T上的层叠体10的外侧且覆盖率比第1引出部D1的覆盖率高的区域，第2对置部EB具有：第2高覆盖率区域EB0，是相对于第2引出部D2配置得偏靠层叠方向T上的层叠体10的外侧且覆盖率比第2引出部D2的覆盖率高的区域。

由此，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容。

（2）在（1）的层叠陶瓷电容器1中，第1高覆盖率区域EA0的宽度方向W的距离TE0比第1引出部D1的宽度方向W的距离TE1长，第2高覆盖率区域EB0的宽度方向W的距离TE0比第2引出部D2的宽度方向的距离TE1长。

由此，即使在宽度方向W上，也能够将高覆盖率区域确保得更宽，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。

（3）在（2）的层叠陶瓷电容器1中，层叠体10具有从第1外部电极40A以及第2外部电极40B露出的露出部Ep、被第1外部电极40A覆盖的第1被覆部C1、和被第2外部电极40B覆盖的第2被覆部C2，露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0比第1被覆部C1以及第2被覆部C2的连结第1主面TS1侧的表面和第2主面TS2侧的表面的层叠方向T的最大距离T1长，且比第1外部电极40A以及第2外部电极40B的连结第1主面TS1侧的表面和第2主面TS2侧的表面的层叠方向T的最大距离T2短，露出部Ep的长度方向L中心处的宽度方向W的距离TW0比第1被覆部C1以及第2被覆部C2的连结第1侧面WS1侧的表面和第2侧面WS2侧的表面的宽度方向W的最大距离TW1长，且比第1外部电极40A以及第2外部电极40B的连结第1侧面WS1侧的表面和第2侧面WS2侧的表面的宽度方向W的最大值TW2短。

由此，能够将高覆盖率区域确保得更宽，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。

（4）在（1）～（3）中任一个层叠陶瓷电容器1中，第1主面TS1具有从第1外部电极40A以及第2外部电极40B露出的第1露出面EpsA、被第1外部电极40A覆盖的第1被覆面C1sA、和被第2外部电极40B覆盖的第2被覆面C2sA，第1露出面EpsA具有与层叠方向T平行的第1平坦面PA0、将第1平坦面PA0和第1被覆面C1sA连结的第1倾斜面FC1、和将第1平坦面PA0和第2被覆面C2sA连结的第2倾斜面FC2。

由此，与第1平坦面PA0对应地变得容易确保覆盖率高的第1高覆盖率区域EA0以及第2高覆盖率区域EB0的面积，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容。

（5）在（4）的层叠陶瓷电容器中，第1倾斜面FC1的长度方向L的距离Lt1以及第2倾斜面FC2的长度方向L的距离Lt2比第1平坦面PA0的长度方向L的距离Lt0短。

（6）在（2）或（3）的层叠陶瓷电容器中，第1侧面WS1具有从第1外部电极40A以及第2外部电极40B露出的第1侧面侧露出面EWpsA、被第1外部电极40A覆盖的第1侧面侧被覆面CW1sA、和被第2外部电极40B覆盖的第2侧面侧被覆面CW2sA，第1侧面侧露出面EWpsA具有与层叠方向T平行的第1侧面侧平坦面PWA0、将第1侧面侧平坦面PWA0和第1侧面侧被覆面CW1sA连结的第1侧面侧倾斜面FWC1、和将第1侧面侧平坦面PWA0和第2侧面侧被覆面CW2sA连结的第2侧面侧倾斜面FWC2。

由此，即使在宽度方向W上，也与第1侧面侧平坦面PWA0对应地变得容易确保覆盖率高的第1高覆盖率区域EA0以及第2高覆盖率区域EB0的面积，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容。

（7）在（6）的层叠陶瓷电容器1中，第1侧面侧倾斜面FWC1的长度方向L的距离Lwt1以及第2侧面侧倾斜面FWC2的长度方向L的距离Lwt2比第1侧面侧平坦面PWA0的长度方向L的距离Lwt0短。

此外，在本公开的层叠陶瓷电容器1中，第1对置部EA具有：第1区域EA1，是第1端面LS1侧的区域；第2区域EA2，是第2端面LS2侧的区域；和第1中央区域EA0，是位于第1区域EA1与第2区域EA2之间的区域，并且是相对于第1区域EA1以及第2区域EA2配置得偏靠层叠方向T上的层叠体10的外侧且覆盖率比第1区域EA1以及第2区域EA2的覆盖率高的区域，第2对置部EB具有：第3区域EB1，是第2端面LS2侧的区域；第4区域EB2，是第1端面LS1侧的区域；和第2中央区域EB0，是位于第3区域EB1与第4区域EB2之间的区域，并且是相对于第3区域EB1以及第4区域EB2配置得偏靠层叠方向T上的层叠体10的外侧且覆盖率比第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率高的区域，第1内部电极层31还具有将第1区域EA1和第1中央区域EA0连结的第1倾斜部FA1、以及将第2区域EA2和第1中央区域EA0连结的第2倾斜部FA2，第2内部电极层32还具有将第3区域EB1和第2中央区域EB0连结的第3倾斜部FB1、以及将第4区域EB2和第2中央区域EB0连结的第4倾斜部FB2。

由此，能够提供一种能够不增大层叠陶瓷电容器的尺寸地提高电容的层叠陶瓷电容器。

此外，在本公开的层叠陶瓷电容器1中，在长度方向L上，第1中央区域EA0的距离比第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1短，在长度方向L上，第2中央区域EB0的距离比第1外部电极40A与第2外部电极40B之间的距离L1短。

此外，在本公开的层叠陶瓷电容器1中，层叠体10具有从第1外部电极40A以及第2外部电极40B露出的露出部Ep、被第1外部电极40A覆盖的第1被覆部C1、和被第2外部电极40B覆盖的第2被覆部C2，露出部Ep的长度方向L中心处的层叠方向T的距离T0比第1被覆部C1以及第2被覆部C2的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的最大距离T1长，且比第1外部电极40A以及第2外部电极40B的连结第1主面TS1侧表面和第2主面TS2侧表面的层叠方向T的最大距离T2短。

此外，在本公开的层叠陶瓷电容器1中，第1主面TS1具有从第1外部电极40A以及第2外部电极40B露出的第1露出面EpsA、被第1外部电极40A覆盖的第1被覆面C1sA、和被第2外部电极40B覆盖的第2被覆面C2sA，第1露出面EpsA具有与层叠方向T平行的第1平坦面PA0、将第1平坦面PA0和第1被覆面C1sA连结的第1倾斜面FC1、和将第1平坦面PA0和第2被覆面C2sA连结的第2倾斜面FC2。

由此，与第1平坦面PA0对应地变得容易确保覆盖率高的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的面积，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容。

此外，在本公开的层叠陶瓷电容器1中，第1倾斜面FC1的长度方向L的距离Lt1以及第2倾斜面FC2的长度方向L的距离Lt2比第1平坦面PA0的长度方向L的距离Lt0短。

由此，与第1平坦面PA0对应地变得容易确保覆盖率高的第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的面积，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。

此外，在本公开的层叠陶瓷电容器1中，第1内部电极层31还具有位于第1引出部D1的第5倾斜部FA3，第2内部电极层32还具有位于第2引出部D2的第6倾斜部FB3。

此外，在本公开的层叠陶瓷电容器1中，第1倾斜部FA1以及第2倾斜部FA2的倾斜角度θ比第5倾斜部FA3的倾斜角度θ2小，第3倾斜部FB1以及第4倾斜部FB2的倾斜角度θ比第6倾斜部FB3的倾斜角度θ2小。

此外，在本公开的层叠陶瓷电容器1中，由第1倾斜部FA1产生的第1区域EA1与第1中央区域EA0之间的层叠方向T的高低差距离ls1比配置在第1内部电极层31与第2内部电极层32之间的电介质层20的层叠方向T的厚度Tc大，由第3倾斜部FB1产生的第3区域EB1与第2中央区域EB0之间的层叠方向T的高低差距离ls3比配置在第1内部电极层31与第2内部电极层32之间的电介质层20的层叠方向T的厚度Tc大。

由此，能够有效利用由倾斜部产生的高低差来增厚第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的内部电极层30的厚度Te从而充分提高覆盖率，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。

此外，在本公开涉及的层叠陶瓷电容器1中，由第1倾斜部FA1产生的第1区域EA1与第1中央区域EA0之间的层叠方向T的高低差距离ls1比第1内部电极层31或者第2内部电极层32的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的厚度Tc之和Tt大，由第3倾斜部FB1产生的第3区域EB1与第2中央区域EB0之间的层叠方向T的高低差距离Ls3比第1内部电极层31或者第2内部电极层32的层叠方向T的厚度Te与电介质层20的厚度Tc之和Tt大。

由此，能够有效利用由倾斜部产生的高低差来增厚第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的内部电极层的厚度Te从而充分提高覆盖率，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地进一步提高电容。

此外，在本公开的层叠陶瓷电容器1中，第1中央区域EA0、第1区域EA1以及第2区域EA2具有和与层叠方向T正交的面大致平行的部分，第2中央区域EB0、第3区域EB1以及第4区域EB2具有和与层叠方向T正交的面大致平行的部分。

由此，能够抑制形成如尺寸局部地变大的部分，能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容。

此外，在本公开的层叠陶瓷电容器1中，第1倾斜部FA1的长度方向L的距离Le3以及第2倾斜部FA2的长度方向L的距离Le4比第1中央区域EA0的长度方向L的距离Le0短，第3倾斜部FB1的长度方向L的距离Le4以及第4倾斜部FB2的长度方向L的距离Le3比第2中央区域EB0的长度方向L的距离Le0短。

此外，在本公开的层叠陶瓷电容器1中，第1倾斜部FA1的厚度随着朝向第1端面LS1而递减，第2倾斜部FA2的厚度随着朝向第2端面LS2而递减，第3倾斜部FB1的厚度随着朝向第2端面LS2而递减，第4倾斜部FB2的厚度随着朝向第1端面LS1而递减。

若存在内部电极层30的厚度急剧地变化的部分，则有可能会形成夹着电介质层20的内部电极层间的距离局部地短的部分。在该情况下，电场集中在该部分，因此层叠陶瓷电容器1的可靠性有可能下降。如果是上述结构，则能够抑制在倾斜部附近形成内部电极层间的距离局部地短的部分，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸的提高电容，并且抑制电解集中导致的层叠陶瓷电容器1的可靠性的下降。此外，能够防止倾斜部处的应力集中，因此能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容，并且进一步抑制层叠体的裂纹的产生。

此外，本公开的层叠陶瓷电容器1中的、第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度为第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的厚度的101.6%以上且111.3%以下，第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率与第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率之差为2.2百分点以上。

由此，能够提供一种能够不增大层叠陶瓷电容器1的尺寸地提高电容的层叠陶瓷电容器1。

此外，本公开的层叠陶瓷电容器1中的、第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的厚度为第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的厚度的101.6%以上且109.8%以下。

此外，本公开的层叠陶瓷电容器1中的、第1中央区域EA0以及第2中央区域EB0的覆盖率与第1区域EA1、第2区域EA2、第3区域EB1以及第4区域EB2的覆盖率之差为2.2百分点以上且11.4百分点以下。

本发明并不限定于上述实施方式的结构，能够在不变更本发明的主旨的范围内适当地变更并应用。另外，将在上述实施方式中记载的各个优选的结构组合2个以上的发明也还是本发明。

附图标记说明

1：层叠陶瓷电容器；

10：层叠体；

20：电介质层；

31：第1内部电极层；

32：第2内部电极层；

40A：第1外部电极；

40B：第2外部电极；

D1：第1引出部；

D2：第2引出部；

EA：第1对置部；

EA0：第1中央区域（第1高覆盖率区域）；

EA1：第1区域；

EA2：第2区域；

EB：第2对置部；

EB0：第2中央区域（第2高覆盖率区域）；

EB1：第3区域；

EB2：第4区域；

L：长度方向；

LS1：第1端面；

LS2：第2端面；

T：层叠方向；

TS1：第1主面；

TS2：第2主面；

W：宽度方向；

WS1：第1侧面；

WS2：第2侧面。

Claims

1.一种层叠陶瓷电容器，具有：

层叠体，包含层叠的多个电介质层，并包含在层叠方向上相对的第1主面以及第2主面、在与层叠方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面、和在与层叠方向以及宽度方向正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面；

第1内部电极层，配置在所述电介质层上，并在所述第1端面露出；

第2内部电极层，配置在所述电介质层上，并在所述第2端面露出；

第1外部电极，配置在所述第1端面上并与所述第1内部电极层连接；和

第2外部电极，配置在所述第2端面上并与所述第2内部电极层连接，

其中，

所述第1内部电极层具有与所述第2内部电极层对置的第1对置部、和从所述第1对置部向所述第1端面侧引出的第1引出部，

所述第2内部电极层具有与所述第1内部电极层对置的第2对置部、和从所述第2对置部向所述第2端面侧引出的第2引出部，

所述第1对置部具有：第1高覆盖率区域，是相对于所述第1引出部配置得偏靠所述层叠方向上的所述层叠体的外侧且覆盖率比所述第1引出部的覆盖率高的区域，

所述第2对置部具有：第2高覆盖率区域，是相对于所述第2引出部配置得偏靠所述层叠方向上的所述层叠体的外侧且覆盖率比所述第2引出部的覆盖率高的区域。

2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述第1高覆盖率区域的所述宽度方向的距离比所述第1引出部的所述宽度方向的距离长，

所述第2高覆盖率区域的所述宽度方向的距离比所述第2引出部的所述宽度方向的距离长。

3.根据权利要求2所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述层叠体具有从所述第1外部电极以及所述第2外部电极露出的露出部、被所述第1外部电极覆盖的第1被覆部、和被所述第2外部电极覆盖的第2被覆部，

所述露出部的所述长度方向中心处的所述层叠方向的距离比所述第1被覆部以及所述第2被覆部的连结所述第1主面侧的表面和所述第2主面侧的表面的所述层叠方向的最大距离长，且比所述第1外部电极以及所述第2外部电极的连结所述第1主面侧的表面和所述第2主面侧的表面的所述层叠方向的最大距离短，

所述露出部的所述长度方向中心处的所述宽度方向的距离比所述第1被覆部以及所述第2被覆部的连结所述第1侧面侧的表面和所述第2侧面侧的表面的所述宽度方向的最大距离长，且比所述第1外部电极以及所述第2外部电极的连结所述第1侧面侧的表面和所述第2侧面侧的表面的所述宽度方向的最大值短。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述第1主面具有从所述第1外部电极以及所述第2外部电极露出的第1露出面、被所述第1外部电极覆盖的第1被覆面、和被所述第2外部电极覆盖的第2被覆面，所述第1露出面具有与所述层叠方向平行的第1平坦面、将所述第1平坦面和所述第1被覆面连结的第1倾斜面、和将所述第1平坦面和所述第2被覆面连结的第2倾斜面。

5.根据权利要求4所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述第1倾斜面的所述长度方向的距离以及所述第2倾斜面的所述长度方向的距离比所述第1平坦面的所述长度方向的距离短。

6.根据权利要求2或3所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述第1侧面具有从所述第1外部电极以及所述第2外部电极露出的第1侧面侧露出面、被所述第1外部电极覆盖的第1侧面侧被覆面、和被所述第2外部电极覆盖的第2侧面侧被覆面，

所述第1侧面侧露出面具有与所述层叠方向平行的第1侧面侧平坦面、将所述第1侧面侧平坦面和所述第1侧面侧被覆面连结的第1侧面侧倾斜面、和将所述第1侧面侧平坦面和所述第2侧面侧被覆面连结的第2侧面侧倾斜面。

7.根据权利要求6所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述第1侧面侧倾斜面的所述长度方向的距离以及所述第2侧面侧倾斜面的所述长度方向的距离比所述第1侧面侧平坦面的所述长度方向的距离短。