CN213242534U - 用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板 - Google Patents
用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型提供一种用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板，其包括AlSiC散热基板，所述AlSiC基板的表面设有氧化膜绝缘层，所述氧化膜绝缘层的表面设有导电膜，所述氧化膜绝缘层材质为AlSiC的氧化物。传统散热封装结构为金属基散热基板与绝缘陶瓷覆铜板焊接而成的多材料种类的多层结构，采用本实用新型的技术方案，减少了材料种类，也就减小了热失配，解决了传统封装结构中材料种类多和界面多的问题，减小材料热阻和界面热阻，提高整体结构散热能力，减少焊接工序，降低了生产成本，工艺流程简单，易于实现自动化生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子散热基板技术领域，尤其涉及一种用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板。
背景技术
随着现代微电子技术的迅速发展，电子系统与电子设备向着高集成度、微型化、高能量、高效率、高可靠性方向发展。电子系统的高集成度必然带来高的功率密度，高的功率密度使得电子设备产生高热量，而过高的工作温度会严重影响电子元件的电性能、机械性能、热稳定性、热循环可靠性等诸多性能，因此解决散热问题是电子封装继续向前发展的重要环节。封装结构中散热功能大部分由绝缘陶瓷覆铜板和金属基散热基板承担。传统的功率芯片封装结构中，绝缘陶瓷覆铜板和金属散热基板二者之间往往通过钎焊连接，这就导致封装结构中存在多层材料带来的显著材料热阻和界面热阻，使得整体结构散热困难；同时由于绝缘陶瓷覆铜板和金属基散热基板的热膨胀系数(CTE)差别较大，易因热失配应力导致连接或材料断裂，导致封装结构的热循环可靠性显著降低。
实用新型内容
针对上述技术问题，本实用新型公开了一种用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板，提高了封装结构的散热性能。
对此，本实用新型的技术方案为：
一种用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板，其包括AlSiC基板，所述AlSiC基板的表面设有氧化膜绝缘层，所述氧化膜绝缘层的表面印刷有导电膜；所述氧化膜绝缘层的材质为AlSiC的氧化物。进一步的，所述AlSiC的氧化物的成分包含Al2O3和SiO2。
采用此技术方案，整个一体化基板中，氧化膜绝缘层为AlSiC基板中Al和SiC二者的共同氧化产物，其不仅具有良好的绝缘性，同时其与AlSiC基板具有更好的结合性。此一体化基板中的材料的种类少，界面少，减少了材料种类，也就减小了热失配导致的热应力。
作为本实用新型的进一步改进，所述氧化膜绝缘层为采用对AlSiC基板的表面进行微弧氧化处理得到，也就是氧化膜绝缘层为微弧氧化膜。
作为本实用新型的进一步改进，所述导电膜为采用厚膜工艺得到。
作为本实用新型的进一步改进，所述导电膜为厚膜法获得的导电金属层。
作为本实用新型的进一步改进，所述导电膜为导电银膜。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：
采用本实用新型的技术方案，减少了材料种类，也就减小了热失配导致的热应力；解决了传统封装结构中材料种类多和界面多的问题，减小材料热阻和界面热阻，提高整体结构散热能力；减少焊接工序，降低了生产成本，工艺流程简单，易于实现自动化生产。
附图说明
图1是本实用新型实施例一种用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板的俯视结构示意图。
图2是本实用新型实施例一种用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板的侧面结构示意图。
附图标记包括：
1-AlSiC散热基板，2-氧化膜绝缘层，3-导电膜。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型的较优的实施例作进一步的详细说明。
如图1和图2所示，一种用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板，其包括AlSiC基板1，所述AlSiC基板1的表面设有氧化膜绝缘层2，所述氧化膜绝缘层2的表面设有导电膜3。所述氧化膜绝缘层2为采用对AlSiC基板1的表面进行微弧氧化处理得到，也就是为微弧氧化膜。所述导电膜3为采用厚膜法工艺得到的厚膜涂层。
进一步的，所述AlSiC基板1的厚度优选为5mm，所述氧化膜绝缘层厚度为20μm，所述导电膜3为通过厚膜法制备得到的导电银膜。
以上所述之具体实施方式为本实用新型的较佳实施方式，并非以此限定本实用新型的具体实施范围，本实用新型的范围包括并不限于本具体实施方式，凡依照本实用新型之形状、结构所作的等效变化均在本实用新型的保护范围内。
Claims (5)
1.一种用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板，其特征在于：其包括AlSiC基板，所述AlSiC基板的表面设有氧化膜绝缘层，所述氧化膜绝缘层的表面印刷有导电膜；所述氧化膜绝缘层的材质为AlSiC的氧化物。
2.根据权利要求1所述的用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板，其特征在于：所述氧化膜绝缘层为采用对AlSiC基板的表面进行微弧氧化处理得到。
3.根据权利要求2所述的用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板，其特征在于：所述导电膜采用厚膜法工艺得到。
4.根据权利要求3所述的用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板，其特征在于：所述导电膜为厚膜法获得的导电金属层。
5.根据权利要求1~4任意一项所述的用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板，其特征在于：所述导电膜为导电银膜。
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