CS243318B1 - Způsob výroby fotolitografické masky výkonové polovodičové součástky - Google Patents
Způsob výroby fotolitografické masky výkonové polovodičové součástky Download PDFInfo
- Publication number
- CS243318B1 CS243318B1 CS85665A CS66585A CS243318B1 CS 243318 B1 CS243318 B1 CS 243318B1 CS 85665 A CS85665 A CS 85665A CS 66585 A CS66585 A CS 66585A CS 243318 B1 CS243318 B1 CS 243318B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- photoresist
- power semiconductor
- producing
- photolithographic mask
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Účelem řešení je snížení pracnosti, zmetkovitosti a úspory zařízení při rozprostírání vrstvy fotoresistu na povrchu Si destičky. Uvedeného účelu se dosáhne použitím chemicky upraveného fotoresistu, který se po nanesení na Si destičku samovolně rozprostře po jejím povrchu a dále zpracuje obvyklým způsobem. Fotoresist je opatřen - přídavkem rozpouštědla fotoresistu a organické látky s nízkým povrchovým napětím.
Description
Vynález se týká způsobu výroby fotolitografioké masky výkonové polovodičové součástky.
U výkonových polovodičových součástek stávajícího provedení se při celoplošném maskování fotolitografickou cestou nanese fotoresist na Si destičku a mechanicky se rozetře po celé její ploše. Pro vytvoření plošně členěných struktur se fotoresist nanese na Si destičku, po které se rozprostřě odstředěním.
Nevýhodou této technologie je velká pracnost, náročnost na zrak a pečlivost pracovníků, vznik nerovnoměrné vrstvy fotoresistu při kolísání otáček odstředivky a možnost mechanického poškození Si destičky.
Uvedené nevýhody odstraňuje způsob výroby fotolitografioké masky výkonové polovodičové součástky podle vynálezu, jehož podstatou je, že na upravený povrch Si destičky se nanese dávka chemicky upraveného fotoresistu. Po jeho samovolném rozprostření se vzniklá vrstva zpracuje obvyklým způsobem. Fotoresist je opatřen přídavkem rozpouštědla fotoresistu a organické látky s nízkým povrchovým napětím.
Uvedeným způsobem výroby fotolitografioké masky výkonové polovodičové součástky pomocí chemicky upraveného fotoresistu je dosaženo snížení pracnosti, zmetkovitosti a úspory zařízení /odstředivka/.
Příklad provedení
Pro odleptání 20 řím N+emitorové vrstvy se Si destička o průměru 40 mm po oxidaci opatří vrstvou chemicky upraveného fotorezistoru ve složení fotorezist : xylen : n-heptan = »1:1:4.
Ručně pomocí kapátka se nakapou 4 kapky chemicky upraveného fotorezistu na Si destičku, po jejímž povrchu se chemicky upravený fotorezist samovolně rozprostře. Vzniklá vrstva se suší a dále zpracujg obvyklým způsobem.
Přísadami organických látek s nízkým povrchovým napětím je dosaženo zředění fotorezistu, zvýšení jeho smáčivosti a zmenšení povrchového napětí vrstvy fotorezistu, což způsobuje žádané samovolné rozprostření vrstvy fotorezistu na povrchu Si destičky.
Způsob výroby podle vynálezu je vhodný pro všechny standardní výkonové polovodičové součástky, při jejichž výrobě se vyskytuje nejméně jedna operace maskování.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob výroby fotolitografioké masky výkonové polovodičové součástky z fotoresistu, vyznačený tím, že na upravený povrch Si destičky se nanese dávka fotoresistu chemicky upraveného přídavkem rozpouštědla fotoresistu a organické látky s nízkým povrchovým napětím a po jeho samovolném rozprostření se vzniklá vrstva dále zpracuje obvyklým způsobem.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS85665A CS243318B1 (cs) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | Způsob výroby fotolitografické masky výkonové polovodičové součástky |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS85665A CS243318B1 (cs) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | Způsob výroby fotolitografické masky výkonové polovodičové součástky |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS66585A1 CS66585A1 (en) | 1985-08-15 |
| CS243318B1 true CS243318B1 (cs) | 1986-06-12 |
Family
ID=5339195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS85665A CS243318B1 (cs) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | Způsob výroby fotolitografické masky výkonové polovodičové součástky |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS243318B1 (cs) |
-
1985
- 1985-01-31 CS CS85665A patent/CS243318B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS66585A1 (en) | 1985-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS57113289A (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
| DE102020216161B4 (de) | Werkstückbearbeitungsverfahren | |
| US5843627A (en) | Method for forming fine patterns of semiconductor device | |
| JPS5553448A (en) | Semiconductor element holding tape and mounting of element on wafer | |
| JPS6412553A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS56100420A (en) | Plasma etching method for oxidized silicon film | |
| US3709695A (en) | Fabrication of semiconductor devices | |
| JPS5596681A (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
| JPS59168639A (ja) | レジスト材塗布装置 | |
| JPS5673469A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP2699468B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| GB945735A (en) | Process for etching semiconductors in the fabrication of miniature semiconductor networks comprising a single semiconductor block | |
| KR940004853A (ko) | 박막 트랜지스터의 저항층 식각방법 | |
| JPS5732639A (en) | Production of semiconductor device | |
| SE9904798L (sv) | Högspänningshalvledaranordning och förfarande för tillverkning av ett passiveringsskikt på en högspänningshalvledaranordning | |
| JPS57145330A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS56150828A (en) | Manufacture of aperture iris | |
| KR980006504A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR960010725B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| JPS57180176A (en) | Manufacturing method for semiconductor device | |
| JPS5635437A (en) | Manufacturing of semiconductor device | |
| JPS5763862A (en) | Preparation of gaas fet | |
| JPS57133641A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5694779A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5750474A (en) | Manufacture of semiconductor device |