CS244261B1 - Contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips - Google Patents
Contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips Download PDFInfo
- Publication number
- CS244261B1 CS244261B1 CS848934A CS893484A CS244261B1 CS 244261 B1 CS244261 B1 CS 244261B1 CS 848934 A CS848934 A CS 848934A CS 893484 A CS893484 A CS 893484A CS 244261 B1 CS244261 B1 CS 244261B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- nickel
- contact electrode
- ceramic capacitor
- capacitor chips
- Prior art date
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
Řešení se týká kontaktovací elektrody, u níž je keramická hmota po obou stranách opatřena první vrstvou niklu Ni a na jedné její straně je na první vrstvu niklu Ni nanesena druhá vrstva hliní ku Al, zatímco na druhé straně keramické hmoty je na první vrstvu niklu Ni nanesena třetí vrstva mědi Cu nebo zlata Au. Použitím se dosáhne úspor až 100 % u drahých kovů, čip je levnější a spolehlivější. Je vhodná pro všechny typy hybridních integrovaných obvodů.The solution concerns a contact electrode in which the ceramic mass is provided on both sides with a first layer of nickel Ni and on one side of it a second layer of aluminum Al is applied to the first layer of nickel Ni, while on the other side of the ceramic mass a third layer of copper Cu or gold Au is applied to the first layer of nickel Ni. The use achieves savings of up to 100% in precious metals, the chip is cheaper and more reliable. It is suitable for all types of hybrid integrated circuits.
Description
Vynález ee týká kontaktovací elektrody pro jednovrstvé keramické kondenzátorové čipy, používané v hybridních integrovaných obvodech.The invention relates to a contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips used in hybrid integrated circuits.
U dosud známých jednovrstvých keramických kondenzátorových čipů používaných v hybridních obvodech jsou elektrody opatřeny stříbropaladiovou vrstvou určenou pro pájení vývodů. Nevýhodou dosavadního stavu je svár hliníkového drátku AISi 1% s kontaktovací stříbropaladiovou vrstvou, což nevyhovuje z hlediska funkční spolehlivosti hybridních obvodů. Další nevýhodou je rov něž spotřeba drahých kovů, jako je stříbro, paladium.In the prior art single-layer ceramic capacitor chips used in hybrid circuits, the electrodes are provided with a silver-palladium layer for soldering terminals. A disadvantage of the prior art is the welding of the AISi 1% aluminum wire with the silver-plated contact layer, which is not satisfactory in terms of the functional reliability of the hybrid circuits. Another disadvantage is also the consumption of precious metals such as silver, palladium.
Uvedené nevýhody se odstraní použitím kontaktovací elektro dy pro jednovrstvé keramické kondenzátorové čipy podle vynálezu jehož podstata spočívá v tom, že keramická hmota je po obou stranách opatřena první vrstvou niklu a na jedné její straně je na první vrstvu niklu nanesena druhá vrstva hliníku, zatím_co na druhé straně keramické hmoty je na první vrstvu niklu nanesena třetí vrstva mědi nebo zlata.These disadvantages are overcome by the use of a contact electrode for the single-layer ceramic capacitor chips according to the invention, characterized in that the ceramic mass is provided on both sides with a first nickel layer and on one side with a second layer of aluminum on the first nickel layer. On the side of the ceramic, a third layer of copper or gold is deposited on the first nickel layer.
Použitím kontaktovací elektrody podle vynálezu se dosáhne úspor drahých kovů až 100 %. Keramický kondenzátorový čip s kon taktovací elektrodou podle vynálezu je spolehlivější než doposud používaný jednovrstvý keramický kondenzátorový čip, je lacinější než používané monolitické kondenzátorové čipy.By using the contact electrode according to the invention, precious metal savings of up to 100% are achieved. The capacitor chip with a contact electrode according to the invention is more reliable than the single-layer ceramic capacitor chip used hitherto, is cheaper than the monolithic capacitor chips used.
Kontaktovací elektroda podle vynálezu bude blíže popsána podle připojeného výkresu.The contact electrode of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawing.
- 2 244 261- 2 244 261
Na obou stranách keramické hmoty 1 je napařena Si naprášena první vrstva 2 niklu Ni a na jedné její etraně je na první vrstvu 2 niklu Ni nanesena druhá vrstva 2 hliníku Al, zatím co na druhé straně keramické hmoty 1 je na první vrstvu niklmOn both sides of the ceramic mass 1 the first layer 2 of nickel Ni is sputtered and on one of its sides a second layer 2 of aluminum Al is deposited on the first layer 2 of nickel Ni, while on the other side of the ceramic mass 1 is nickel
U kontaktovací elektrody podle vynálezu se kontaktní vrstvy niklu Ni a hliníku Al použije jako elektrody pro svár a kontaktní vrstvy niklu Ni a mědi Cu použije pro lepení do hybridních obvodů. Pro použití jednovrstvých keramických kondenzátorových čipů pro speciální obvody lze použít místo vrstvy mědi Cu vrstvu zlata Au.In the contact electrode according to the invention, the contact layers of nickel Ni and aluminum Al are used as welding electrodes and the contact layers of nickel Ni and copper Cu are used for bonding to hybrid circuits. For the use of single-layer ceramic capacitor chips for special circuits, an Au gold layer can be used instead of the Cu copper layer.
Vrstva hliníku Al pro svár má výbornou vodivost, vysokou pevnost a svár s AISi 1% drátkem je monolitický a spolehlivý.The aluminum Al layer for the weld has excellent conductivity, high strength and the weld with AISi 1% wire is monolithic and reliable.
Uspořádání kontaktovací elektrody keramických kondenzátorových čipů podle vynálezu je vhodné pro všechny typy vyráběných tenkovrstvých i tlustovrstvých hybridních integrovaných obvodů.The contact electrode arrangement of the ceramic capacitor chips according to the invention is suitable for all types of thin-film and thick-film hybrid integrated circuits produced.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS848934A CS244261B1 (en) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | Contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS848934A CS244261B1 (en) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | Contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS893484A1 CS893484A1 (en) | 1985-09-17 |
| CS244261B1 true CS244261B1 (en) | 1986-07-17 |
Family
ID=5440595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS848934A CS244261B1 (en) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | Contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS244261B1 (en) |
-
1984
- 1984-11-22 CS CS848934A patent/CS244261B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS893484A1 (en) | 1985-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5841183A (en) | Chip resistor having insulating body with a continuous resistance layer and semiconductor device | |
| USH498H (en) | Electronic component including soldered electrical leads | |
| ATE168608T1 (en) | METHOD FOR BONDING WIRES TO OXIDATION SENSITIVE SOLDERABLE METAL SUBSTRATES | |
| US4562514A (en) | Polarized electronic component and its manufacturing process | |
| KR880013243A (en) | Electrical connection between gold alloy wire and copper dope aluminum semiconductor circuit interconnect coupling pad and method for manufacturing same | |
| US5495223A (en) | Hybrid integrated circuit device | |
| JPS639957A (en) | Semiconductor lead frame | |
| JP2640009B2 (en) | Interlayer connection method for metal substrates | |
| JP2651853B2 (en) | Electronic equipment | |
| JPS6311744Y2 (en) | ||
| SU368679A1 (en) | METHOD OF CONNECTING CONCLUSIONS TO SEMICONDUCTOR DEVICES | |
| JP2759297B2 (en) | Electronic components with leads | |
| RU1457744C (en) | Metal-and-ceramic of microcircuit | |
| JPS57157553A (en) | Semiconductor device | |
| JPS6292354A (en) | Hybrid ic | |
| JPS6333856A (en) | Lead frame for electronic component | |
| JPH071789B2 (en) | Electronic components with leads | |
| JPH01137654A (en) | Chip carrier | |
| JPH01144641A (en) | Chip carrier | |
| CS212393B1 (en) | Conductive layer of hybrid integrated circuit | |
| JPH0258257A (en) | Semiconductor package with leads | |
| JPH03280458A (en) | Electronic component provided with lead | |
| JPS6041867B2 (en) | Electronic components with multimetallic layers | |
| JPS62241364A (en) | Electronic part with lead and manufacture thereof | |
| JPS647630A (en) | Bonding structure of semiconductor device |