CS244261B1 - Contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips - Google Patents

Contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips Download PDF

Info

Publication number
CS244261B1
CS244261B1 CS848934A CS893484A CS244261B1 CS 244261 B1 CS244261 B1 CS 244261B1 CS 848934 A CS848934 A CS 848934A CS 893484 A CS893484 A CS 893484A CS 244261 B1 CS244261 B1 CS 244261B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
layer
nickel
contact electrode
ceramic capacitor
capacitor chips
Prior art date
Application number
CS848934A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS893484A1 (en
Inventor
Stojan A Iliev
Karel Fiala
Zdenek Hrabacek
Bronislav Malcik
Jiri Kubenka
Original Assignee
Stojan A Iliev
Karel Fiala
Zdenek Hrabacek
Bronislav Malcik
Jiri Kubenka
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stojan A Iliev, Karel Fiala, Zdenek Hrabacek, Bronislav Malcik, Jiri Kubenka filed Critical Stojan A Iliev
Priority to CS848934A priority Critical patent/CS244261B1/en
Publication of CS893484A1 publication Critical patent/CS893484A1/en
Publication of CS244261B1 publication Critical patent/CS244261B1/en

Links

Landscapes

  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

Řešení se týká kontaktovací elektrody, u níž je keramická hmota po obou stranách opatřena první vrstvou niklu Ni a na jedné její straně je na první vrstvu niklu Ni nanesena druhá vrstva hliní­ ku Al, zatímco na druhé straně keramické hmoty je na první vrstvu niklu Ni nanesena třetí vrstva mědi Cu nebo zlata Au. Použitím se dosáhne úspor až 100 % u drahých kovů, čip je levnější a spolehlivější. Je vhodná pro všechny typy hybridních integrovaných obvodů.The solution concerns a contact electrode in which the ceramic mass is provided on both sides with a first layer of nickel Ni and on one side of it a second layer of aluminum Al is applied to the first layer of nickel Ni, while on the other side of the ceramic mass a third layer of copper Cu or gold Au is applied to the first layer of nickel Ni. The use achieves savings of up to 100% in precious metals, the chip is cheaper and more reliable. It is suitable for all types of hybrid integrated circuits.

Description

Vynález ee týká kontaktovací elektrody pro jednovrstvé keramické kondenzátorové čipy, používané v hybridních integrovaných obvodech.The invention relates to a contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips used in hybrid integrated circuits.

U dosud známých jednovrstvých keramických kondenzátorových čipů používaných v hybridních obvodech jsou elektrody opatřeny stříbropaladiovou vrstvou určenou pro pájení vývodů. Nevýhodou dosavadního stavu je svár hliníkového drátku AISi 1% s kontaktovací stříbropaladiovou vrstvou, což nevyhovuje z hlediska funkční spolehlivosti hybridních obvodů. Další nevýhodou je rov něž spotřeba drahých kovů, jako je stříbro, paladium.In the prior art single-layer ceramic capacitor chips used in hybrid circuits, the electrodes are provided with a silver-palladium layer for soldering terminals. A disadvantage of the prior art is the welding of the AISi 1% aluminum wire with the silver-plated contact layer, which is not satisfactory in terms of the functional reliability of the hybrid circuits. Another disadvantage is also the consumption of precious metals such as silver, palladium.

Uvedené nevýhody se odstraní použitím kontaktovací elektro dy pro jednovrstvé keramické kondenzátorové čipy podle vynálezu jehož podstata spočívá v tom, že keramická hmota je po obou stranách opatřena první vrstvou niklu a na jedné její straně je na první vrstvu niklu nanesena druhá vrstva hliníku, zatím_co na druhé straně keramické hmoty je na první vrstvu niklu nanesena třetí vrstva mědi nebo zlata.These disadvantages are overcome by the use of a contact electrode for the single-layer ceramic capacitor chips according to the invention, characterized in that the ceramic mass is provided on both sides with a first nickel layer and on one side with a second layer of aluminum on the first nickel layer. On the side of the ceramic, a third layer of copper or gold is deposited on the first nickel layer.

Použitím kontaktovací elektrody podle vynálezu se dosáhne úspor drahých kovů až 100 %. Keramický kondenzátorový čip s kon taktovací elektrodou podle vynálezu je spolehlivější než doposud používaný jednovrstvý keramický kondenzátorový čip, je lacinější než používané monolitické kondenzátorové čipy.By using the contact electrode according to the invention, precious metal savings of up to 100% are achieved. The capacitor chip with a contact electrode according to the invention is more reliable than the single-layer ceramic capacitor chip used hitherto, is cheaper than the monolithic capacitor chips used.

Kontaktovací elektroda podle vynálezu bude blíže popsána podle připojeného výkresu.The contact electrode of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawing.

- 2 244 261- 2 244 261

Na obou stranách keramické hmoty 1 je napařena Si naprášena první vrstva 2 niklu Ni a na jedné její etraně je na první vrstvu 2 niklu Ni nanesena druhá vrstva 2 hliníku Al, zatím co na druhé straně keramické hmoty 1 je na první vrstvu niklmOn both sides of the ceramic mass 1 the first layer 2 of nickel Ni is sputtered and on one of its sides a second layer 2 of aluminum Al is deposited on the first layer 2 of nickel Ni, while on the other side of the ceramic mass 1 is nickel

U kontaktovací elektrody podle vynálezu se kontaktní vrstvy niklu Ni a hliníku Al použije jako elektrody pro svár a kontaktní vrstvy niklu Ni a mědi Cu použije pro lepení do hybridních obvodů. Pro použití jednovrstvých keramických kondenzátorových čipů pro speciální obvody lze použít místo vrstvy mědi Cu vrstvu zlata Au.In the contact electrode according to the invention, the contact layers of nickel Ni and aluminum Al are used as welding electrodes and the contact layers of nickel Ni and copper Cu are used for bonding to hybrid circuits. For the use of single-layer ceramic capacitor chips for special circuits, an Au gold layer can be used instead of the Cu copper layer.

Vrstva hliníku Al pro svár má výbornou vodivost, vysokou pevnost a svár s AISi 1% drátkem je monolitický a spolehlivý.The aluminum Al layer for the weld has excellent conductivity, high strength and the weld with AISi 1% wire is monolithic and reliable.

Uspořádání kontaktovací elektrody keramických kondenzátorových čipů podle vynálezu je vhodné pro všechny typy vyráběných tenkovrstvých i tlustovrstvých hybridních integrovaných obvodů.The contact electrode arrangement of the ceramic capacitor chips according to the invention is suitable for all types of thin-film and thick-film hybrid integrated circuits produced.

Claims (1)

Kontaktpvací elektroda pro jednovrstvé keramické kondenzátorové Sip^ vyznačující se tím, že keramická hmota /1/ je po obou stranách opatřena první vrstvou /2/ niklu /Ni/ a na jedné její straně je na první vrstvu /2/ niklu /Ni/ nanesena druhá vrstva /5/ hliníku /Al/, zatínuco na druhé straně keramické hmoty /1/ je na první vrstvu /2/ niklu /Ni/ nanesena třetí vrstva /4/ mědi /Cu/ nebo zlata /Au/.Contacting electrode for a single-layer ceramic capacitor Sip 4, characterized in that the ceramic mass (1) is provided on both sides with a first layer (2) of nickel (Ni) and on one side of the first layer (2) of nickel (Ni) A layer (5) of aluminum (Al), while on the other side of the ceramic mass (1), a third layer (4) of copper (Cu) or gold (Au) is applied to the first layer (2) of nickel (Ni).
CS848934A 1984-11-22 1984-11-22 Contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips CS244261B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS848934A CS244261B1 (en) 1984-11-22 1984-11-22 Contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS848934A CS244261B1 (en) 1984-11-22 1984-11-22 Contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS893484A1 CS893484A1 (en) 1985-09-17
CS244261B1 true CS244261B1 (en) 1986-07-17

Family

ID=5440595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS848934A CS244261B1 (en) 1984-11-22 1984-11-22 Contact electrode for single-layer ceramic capacitor chips

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS244261B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
CS893484A1 (en) 1985-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5841183A (en) Chip resistor having insulating body with a continuous resistance layer and semiconductor device
USH498H (en) Electronic component including soldered electrical leads
ATE168608T1 (en) METHOD FOR BONDING WIRES TO OXIDATION SENSITIVE SOLDERABLE METAL SUBSTRATES
US4562514A (en) Polarized electronic component and its manufacturing process
KR880013243A (en) Electrical connection between gold alloy wire and copper dope aluminum semiconductor circuit interconnect coupling pad and method for manufacturing same
US5495223A (en) Hybrid integrated circuit device
JPS639957A (en) Semiconductor lead frame
JP2640009B2 (en) Interlayer connection method for metal substrates
JP2651853B2 (en) Electronic equipment
JPS6311744Y2 (en)
SU368679A1 (en) METHOD OF CONNECTING CONCLUSIONS TO SEMICONDUCTOR DEVICES
JP2759297B2 (en) Electronic components with leads
RU1457744C (en) Metal-and-ceramic of microcircuit
JPS57157553A (en) Semiconductor device
JPS6292354A (en) Hybrid ic
JPS6333856A (en) Lead frame for electronic component
JPH071789B2 (en) Electronic components with leads
JPH01137654A (en) Chip carrier
JPH01144641A (en) Chip carrier
CS212393B1 (en) Conductive layer of hybrid integrated circuit
JPH0258257A (en) Semiconductor package with leads
JPH03280458A (en) Electronic component provided with lead
JPS6041867B2 (en) Electronic components with multimetallic layers
JPS62241364A (en) Electronic part with lead and manufacture thereof
JPS647630A (en) Bonding structure of semiconductor device