CS264840B1 - Leptacf magnetrón - Google Patents

Leptacf magnetrón Download PDF

Info

Publication number
CS264840B1
CS264840B1 CS874486A CS448687A CS264840B1 CS 264840 B1 CS264840 B1 CS 264840B1 CS 874486 A CS874486 A CS 874486A CS 448687 A CS448687 A CS 448687A CS 264840 B1 CS264840 B1 CS 264840B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
etching
magnetron
cathode
sample
magnetic circuit
Prior art date
Application number
CS874486A
Other languages
Czech (cs)
English (en)
Other versions
CS448687A1 (en
Inventor
Jozef Ing Matuska
Rudolf Prof Ing Csc Harman
Original Assignee
Jozef Ing Matuska
Rudolf Prof Ing Csc Harman
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jozef Ing Matuska, Rudolf Prof Ing Csc Harman filed Critical Jozef Ing Matuska
Priority to CS874486A priority Critical patent/CS264840B1/sk
Publication of CS448687A1 publication Critical patent/CS448687A1/cs
Publication of CS264840B1 publication Critical patent/CS264840B1/sk

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

Očelom riešenia je konštrukcia leptacieho magnetrónu, ktorý je určený pre umiestnenie vo vnútri vákuovej komory a pri montáži nevyžaduje úpravu vákuovej aparatúri. Uvedeného účelu sa dosiahne tým, že katoda leptacieho magnetrónu má tvar hranola, na podstavách ktorého sú umiestnené pólové nástavce a vo vnútri ktorého je umiestnený magnetický obvod. Uspořiadanie magnetického obvodu je volené tak, aby siločiary magnetickej indukcie boli rovnoběžné s jednou stěnou, alebo s niekolkými stěnami katody, pričom na túto stenu je umiestnená vzorka s leptanou vrstvou samostatné alebo na držiaku podložiek. Leptací magnetrón podlá riešenia umožňuje tvarovanie izolačných, polovodičových a kovových vrstiev leptáním cez vhodné masky. Poskytuje vyššiu rýchlosť leptania ako v súčasnom období najviac rozšířená metoda reaktívneho iónového leptania. Napr. magnetrónovýra leptáním je možné zvýšit rýchlosť leptania SÍO2 v plazme CHF3 na 1,1,/im/min pri selektívnom pomere SÍO2/SÍ - 9,5 oproti rýchlosti 22 nm/min pri použití metody reaktívneho iónového leptania. Kedže leptací magnetrón podlá vynálezu možě byť umiestnený v tej istej komoře ako vzorka, može tvořit vhodný doplnok experimentálněj vákuovej aparatúry pre naprašovanie vrstiev, kde umožňuje dočistenie povrchu vzorky před depozíciou vrstvy resp. jej leptanie počas depozície za účelom získania vrstiev špeciálnych vlastností.

Description

Vynález sa týká leptacieho magnetrónu, u ktorého sa rieši umiestnenie vo vákuovej komoře, konštrukoia magnetrónu a přísun vzorky do pracovného priestoru magnětrónu.
Doposial vyvinuté leptacie magnetróny, používané pre tvarovanie vrstiev pre mikroelektronické aplikácie, majú oddelene umiestnený magnetický obvod od pristoru vzorky. Vlastná konštrukcia leptacieho magnetrónu je v pomocnej vákuovej komoře, ktorá je čerpaná napr. difuznou vývevou a oddělená od pracovnej komory tenkým nemagnetickým plechom. Magnetrón je v tomto priestore mechanicky pohybovaný, pričom jeho pracovně magnetické pole preniká cez deliaci plech do pracovnej komory, kde sposobí pri tlaku 0,1 až 10 Pa zapálenie anomálneho tlejivého výboja a leptanie vrstvy na vzorke. Vzorka je umiestnená na deliacom plechu zo strany hlavněj komory. Celková konštrukcia komory je preto zložitá, vyžaduje separátně čerpanie, mechanicky rozmietaný magnetický obvod a nerieši přesun vzorky po skončení operácie leptania. Ďalšia používaná konštrukcia leptacieho magnetrónu je umiestnená na stene vákuovej komory a vzorka prechádza cez výboj magnetrónu umiestnená na palete. Nedostatkom takejto konštrukcie je, že vákuová aparatúra musí obsahovat prírubu pre uchytenie magnetrónu, a zariadenie nie je možné polohovat vo vákuovej komoře pre potřeby leptania vrstvy počas depozície vrstvy.
Vyššie uvedené nedostatky sú odstránené leptacím magnetrónem podlá vynálezu, ktorý je umiestnený vo vnútri vákuovej komory a ktorého podstata spočívá v tom, že katoda magnetrónu má tvar hranola, na podstavách ktorého sú umiestnené pólové nástavce, a vo vnútri ktorého je umiestnený magnetický obvod. Usporiadanie magnetického obvodu je volené tak, aby siločiary magnetíckej indukcie bolí rovnoběžné s jednou stranou alebo niekolkými stranami katody. Na stene katody, s ktorou sú siločiary magnetíckej indukcie rovnoběžné, alebo rovnoběžně s touto stěnou katody, je umiestnená podložka s leptanou vrstvou samostatné, alebo na držiaku podložky.
Výhodou leptacieho magnetrónu podlá vynálezu je, že magnetrón nevyžaduje pre umiestnenie vo vnútri vákuovej komory špeciálne príruby, pretože je uchytený pomocou dvoch priechodiek vodnej a elektrickej priechodky, alebo pomocou jednej kombinovanej vodnej-elektrickej priechodky. Ďalšou výhodou je, že nevyžaduje k prevádzke separátně čerpaný vákuový priestor, preto leptací magnetrón je umiestnený v tej istej vákuovej komoře ako vzorka, je konštrukčne jednoduchý, neobsahuje rozmietaný magnetický obvod, ani samotný leptací magnetrón nie je mechanicky pohybovaný, a relativný pohyb medzi leptacím magnetrónom a vzorkou zabezpečuje držiak vzoriek, na ktorom móže byt vzorka upevněná, a pohybom ktorého prechádza vzorka postupné výbojom leptacieho magnetrónu.
Na pripojenom výkrese je na obr. 1 zjednodušené znázorněný příklad realizácie leptacieho magnetrónu podlá vynálezu.
Leptací. magnetrón je umiestnený vo vnútri vákuovej komory 1. Celková zostava magnetrónu je zložená z vlastného telesa katody 5 a kombinovanej vodnej-elektrickej vákuovej priechodky 10, ktorá pomocou prívodných rúr 2 zabezpečuje pozíciu magnetrónu vo vnútri vákuovej komory JI. Magnetický obvod magnetrónu 6 je tvořený zostavou permanentných magnetov, vloženou do vnútra telesa katody 5. Pólové nástavce 8, ktoré zabezpečujú požadované tvarovanie magnetického póla, sú ku katodě připevněné rozoberatelne, a podlá požiadaviek na tvar leptacej zóny sa možu vymieňať. Teleso katody má tvar 4-bokého hranola. Pri uvedenej konštrukcii sú siločiary magnetickej indukcie 7 rovnoběžné s každou stěnou katody. Výboj magnetrónu £ hoří preto nad všetkými stěnami katody, a na ne sú premiestnené vzorky J3 počas leptania. Vzorka sa može na stenu katody položit, alebo može byť premiestnená pomocou držiaka vzoriek 2_. Pri premiestnení vzorky na držiaku, ked vzorka prechádza pri hrané katody, výboj zhasne, ale pri situovaní před celou stěnou katody J5 sa výboj 4 opSt zapálí a sposobí leptanie povrchu vzorky 2·
Leptací magnetrón podlá vynálezu umožňuje tvarovanie izolačných, polovodičových a kovových vrstiev leptáním cez vhodné masky. Poskytuje vyššiu rýchlost leptania ako v súčasnom období najviac rozšířená metoda reaktívneho iónového leptania. Napr. magnetrónovým leptáním je možné zvýšit rýchlost leptania SiO2 v plazme CHF3 na 1,1 ^im/min pri selektívnom pomere SiO2/Si - 9,5 oproti rýchlosti 22 nm/min pri použití metody reaktívneho iónového leptania.
Kedže leptací magnetrón podlá vynálezu može byt umiestnený v tej istej komoře ako vzorka a nevyžaduje špeciálnu úpravu vákuovej aparatúry, može tvoriť vhodný doplnok experimentálněj vákuovej aparatúry pre naprašovanie vrstiev, kde umožňuje dočistenie povrchu vzorky před depozíciou vrstvy resp. jej leptanie počas depozície za účelom zlskania vrstiev špeciálnych vlastností.

Claims (1)

  1. PREDMET VYNÁLEZU
    Leptací magnetrón umiestnený vo vnútri vákuovej komory, ktorý sa vyznačuje tým, že katoda magnetrónu (5) má tvar hranola, na podstavách ktorého sú umiestnené pólové nástavce (8) a vo vnútri ktorého je umiestnený magnetický obvod (6), ktorý má siločiary magnetickej indukcie (7) rovnoběžné s jednou stěnou alebo miekolkými stěnami hranola, pričom na stene katódy (5), s ktorou sú siločiary magnetickej indukcie (7) rovnoběžné, alebo rovnoběžně s touto stěnou katódy (5), je umiestnená vzorka (3) s leptanou vrstvou samostatné alebo na držiaku vzoriek (2).
CS874486A 1987-06-18 1987-06-18 Leptacf magnetrón CS264840B1 (sk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS874486A CS264840B1 (sk) 1987-06-18 1987-06-18 Leptacf magnetrón

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS874486A CS264840B1 (sk) 1987-06-18 1987-06-18 Leptacf magnetrón

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS448687A1 CS448687A1 (en) 1988-05-16
CS264840B1 true CS264840B1 (sk) 1989-09-12

Family

ID=5387713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS874486A CS264840B1 (sk) 1987-06-18 1987-06-18 Leptacf magnetrón

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS264840B1 (sk)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2510444C2 (ru) * 2012-09-25 2014-03-27 Общество с ограниченной ответственностью "Инженерное бюро Юркевича" Трехсводчатая станция метрополитена колонного типа и способы ее возведения (устройство и способы юркевича п.б.)

Also Published As

Publication number Publication date
CS448687A1 (en) 1988-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4610770A (en) Method and apparatus for sputtering
US4179351A (en) Cylindrical magnetron sputtering source
JP2771205B2 (ja) 粒子衝撃による固体表面の加工処理のための方法及び装置
US4657619A (en) Diverter magnet arrangement for plasma processing system
KR101290915B1 (ko) 마그네트론 스퍼터링 장치
GB2138449A (en) Method for pure ion plating using magnetic fields
KR870006231A (ko) 진공 스퍼터링 장치
WO2009157438A1 (ja) カソードユニット及びこのカソードユニットを備えたスパッタリング装置
CS264840B1 (sk) Leptacf magnetrón
JPS5816068A (ja) プレ−ナマグネトロン方式のスパッタリング方法
JPS59133370A (ja) マグネトロンスパツタ−装置
JPH08209343A (ja) 平面マグネトロン・スパッタリングの方法と装置
EP1273025B1 (de) Vorrichtung zum plasmabehandeln der oberfläche von substraten durch ionenätzung
JPH0881769A (ja) スパッタ装置
JPS6128029B2 (sk)
JP2769572B2 (ja) マグネトロンスパッタリング用カソード
JPS56156763A (en) Finely working method and apparatus by plasma sputtering
JPS6089571A (ja) マグネトロン型スパツタ装置
EP0417780A2 (en) Method and device for evaporating an arc discharge cathode with cathode spots with reduced macroparticle emission
JPH04354868A (ja) マグネトロン型スパッタ装置用ターゲット
JPH0566724B2 (sk)
JP2531052Y2 (ja) マグネトロンスパッタ装置
JPS63162865A (ja) スパツタリングカソ−ド
JPH06136529A (ja) マグネトロンスパッタ装置
JPS63230873A (ja) スパツタ装置