CS 26U5B4 U1 i "i
Vynález sa týká spůsobu tepelného npracuvanla vyaukotopluliiých supravodivých tolikýchvrstlev na báze oxidov prvkov vzácných zemin. Příprava tenkých vrstiev na báze oxidov prvkov vzácných zemin, napr. Y, Ba, La, Lu atď.,s cieíoro získat vysokoteplotně supravodivé vrstvy s kritickou teplotou 30 až 95 Kclvin vy-žaduje po nanesení vrstvy vo vákuovom zariadení dodatočné tepelné žíhanie v kyslíkovejatmosféře pri teplotách do 900 °C a žíhacich časoch do 11 hodin za účelom kryštalizacievrstvy v tetragonálnej Struktúre s následným přechodem do órtorombickej štruktúry, počaspomalého och 1 adzovan i a na izbovú teplotu, priicm táto je zodpovědná za supravodivostv rs *. i ev.
Známe žfhacie postupy v kyslíkové) atmosféře sú napr. po připlave vrstvy so zloženímYjBa^CujO^, kedy sa táto vrstva žíhá pri teplotě 900 HC po dubu 50 miniil s následným ží-háním pri teplote 540 °C po dobu 10 hodin, viz Oijkkamp, 0. - Venkatesan, 1. - Wu,X.O. andal.: Preparation of Y-Ba-Cu-0xide superconductor thin films using pulsed laser evaporationfrom hígh Tc bulk materiál. Appl.pbys.1e11. , 1907, 51, s.619-629 alebo podía uvedenejliteratury po přípravě vrstvy so zložením YjBa^CujO^, sa táto vrstva žíhá pri teplote 900°Cpo dobu 2 hodiny a následné sa žíhá pri teplote 540 °C po dobu 2 hodin. Při tepelnom spracovaní vrstiev podlá uvedených postupov ide o dlhé žíhacie časy privysokých teplotách, takže difúznymi procesmi dochádza k interakci: podložky a vrstvy, čímsa zlioršujú základné kritické parametre supravodiče, najma jeho kritická teplota a kritickáprúdová hustota vrstiev.
Zmienené nedostatky v podstatnej miere odstraňuje spósob tepelného spracovania vysoko-teplotných supravodivých tenkých vrstiev na báze oxidov prvkov vzácných zemin podía vynálezu,ktorého podstata spočívá v tom, že vrstva sa žíhá vo vákuu s parciálnym tlakom kyslikaB.lO^Pa až 10 Pa po dobu 5 až 15 minut pri teplote 700 °C až 750 °C, ďalej sa vrstva žíháv kyslíku pri tlaku 0,1 MPa až 0,5 MPa priřteplote 650 °C až 700 °C, po dobu 3 až 30 minut,potom sa vrstva žíhá pri tlaku kyslika 0,1 MPa až 0,5 MPa při teplote 400 °C až 500 °Cpo dobu 5 až 10 minut a nakoniec sa vrstva v kyslíkovom prostředí ochladí na izbovú teplotu. Výhoda tepelného spracovania vrstiev podía vynálezu spočívá v podstatné kratších časochpri nižších žíhacich teplotách a tým aj menšej degradácii kritickej teploty supravodivýchvrstiev. Podstatu vynálezu dokumentují následujíce příklady.
Tenká vrstva hrůbky 0.7 ^im so zložením blízkým Υ^β^Ου^Ο* připravená kodepozíciou z trochzdrojov vákuovým naparováním pri tlaku kyslika 10 ? Pa na safírovú podložku pri teplote 550 °Co hrúhke 0,7 um, sa žíhá 5 min pri teplote 700 °C vo vákuu s parciálnym tlakom kyslika 5 Pa.Následovalo žíhanie při 700 °C v kyslíku pri tlaku 0,1 MPa po dobu 3 miň. Tepelné spraco-vanle bolo završené 5 minutovým žíháním při teplote 400 °C a tlaku kyslika 0,1 MPa. Nako-niec vzorka bola v kyslíku ochladená na izbovú teplotu. Takto připravená vzorka vykazovalásupravodivé vlastnosti s kritickou teplotou 70 K. V druhom přiklade sa tenká vrstva s hrúbkou 0.7 um, připravená ako v prvom příklade,žíhá pri teplote 750 0 C vo vákuu s parciálnym tlakom kyslika 8.10 Pa po dobu 15 minut.Následovalo žíhanie pri 650 °C po dobu 15 minut pri tlaku kyslika 0,15 MPa. Ďalej bolavzorka žíhaná pri teplote 500 °C a tlaku kyslika 0,15 MPa po dobu 10 minut. Nakoniec bolavzorka v kyslíku ochladená na izbovú teplotu a vykazovala supravodivé vlastnosti s kri-tickou teplotou blízkou 70 K.
Vynález má využitie v přípravě vysokotep 1 o tnýcli supravodivých vrstiev na báze oxidovprvkov vzácných zemin, na ktorých je možné připravovat supravodivé kryoelektronické Struk-tury na rýchly přenos informácií, meranie slabých magnetických polí a pod.