CZ2020578A3 - Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie - Google Patents

Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie Download PDF

Info

Publication number
CZ2020578A3
CZ2020578A3 CZ2020-578A CZ2020578A CZ2020578A3 CZ 2020578 A3 CZ2020578 A3 CZ 2020578A3 CZ 2020578 A CZ2020578 A CZ 2020578A CZ 2020578 A3 CZ2020578 A3 CZ 2020578A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
ampoule
cleaning
furnace
neck
semiconductor technologies
Prior art date
Application number
CZ2020-578A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ309251B6 (cs
Inventor
Pavel Höschl
Pavel prof Höschl
Roman Fesh
Roman Dr. Fesh
Petr Sladký
Petr doc Sladký
Original Assignee
Univerzita Karlova
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univerzita Karlova filed Critical Univerzita Karlova
Priority to CZ2020-578A priority Critical patent/CZ309251B6/cs
Publication of CZ2020578A3 publication Critical patent/CZ2020578A3/cs
Publication of CZ309251B6 publication Critical patent/CZ309251B6/cs

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/007—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0075—Cleaning of glass
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/90—Investigating the presence of flaws or contamination in a container or its contents
    • G01N21/9018—Dirt detection in containers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/958—Inspecting transparent materials or objects, e.g. windscreens
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00—Glass compositions
    • C03C2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie spočívá v tom, že se čištěná ampule označí kódem, koncová část jejího hrdla se osadí hlavicí, která se opatří přívody a odvody plynu. Dále se ampule umístí do procesní pece, přitom se hlavice s částí hrdla ponechá mimo pec na laboratorní teplotě, přičemž se hlavicí sledují odděleně změny UV-VIS-IR optických vlastností vytváření úsad reakčních zplodin chloru s nečistotami na hrdle ampule v korelaci s procesem čištění. Dále se objem ampule čerpá na tlak 0,008 až 0,012 Pa a nechává ohřívat na procesní teplotu 1050 až 1175 °C a odplyňovat po dobu ohřevu 4 až 6 hod. Dále se ponechává působit plynný Cl2 na procesní teplotě po dobu alespoň 12 hod. Poté se zastaví ohřev ampule a ampule se spolu s pecí ponechá samovolně a/nebo řízené chladnout po dobu 11+/- 1 hod. Po ochlazení ampule a pece na laboratorní teplotu (300K) se plynný Cl2 odčerpá, ampule se napustí plynným N2 na atmosférický tlak a přítok a odtok plynu se zastaví. Nakonec se ampule vyjme z pece, hlavice se z hrdla ampule sejme, ampule se uzavře a hrdlo a ostatní části ampule se zpřístupní např. vizuálnímu, resp. jinému známému způsobu hodnocení procesu čištění pro další operace a použití.

Description

Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie
Oblast techniky
Vynález se týká způsobu čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie zvláště pro výzkum, vývoj a výrobu elektronických a optoelektronických součástek.
Dosavadní stav techniky
Polotovary materiálu pro výrobu elektronických a optoelektronických součástek se převážně připravují za teplot vyšších než 1000 °C nej častěji v ampulích z křemenného skla.
I když jsou ampule pro zpracování uvedených polotovarů zhotovovány z co nej čistšího křemenného skla, jeho čistota je však menší než požadovaná čistota zpracovávaných materiálů. Následkem toho dochází zvláště za vysokých procesních teplot k přestupu nečistot z povrchu křemenné ampule do zpracovávaného ingotu polotovaru a k jeho znečištění.
Vzhledem k mimořádnému významu výchozí čistoty polotovarů materiálů pro účinnou funkci elektronických a optoelektronických součástek je pro odstranění těchto závažných nedostatků věnováno od šedesátých let minulého století až dosud mimořádné odborné úsilí.
Jednou z cest vedoucích ke snížení pravděpodobnosti přestupu nečistot z křemenných ampulí do zpracovávaných materiálů je opatřit jejich povrch izolačními vrstvami z teplotně a mechanicky odolných materiálů jako např. takových, které jsou popsány v patentech CZ 305576 B6: Způsob a zařízení pro přípravu mikroporézních vrstev nitridu křemíku v křemenných ampulích a CZ 307168 B6: Způsob a zařízení pro přípravu vrstev nitridu boritého v křemenných ampulích.
Avšak, tou nej základnější cestou vedoucí ke snížení pravděpodobnosti přestupu nečistot z křemenných ampulí do zpracovávaných materiálů je použití co nej čistších výchozích materiálů resp. polotovarů pro jejich výrobu. Tyto polotovary jsou dodávány v podobě trubic z křemenného skla.
Nevýhodou je, že i při použití trubic z křemenného skla co nejvyšší nominální čistoty pro výrobu ampulí a při zachování maximální čistoty technologií jejich výroby nelze zamezit jejich znečištění. Jinou nevýhodou je, že údaje hodnot výrobců resp. dodavatelů křemenných trubic o jejich nominální čistotě jsou statistického charakteru. Trubice nejvyšší čistoty se pak vyznačují vysokými pořizovacími náklady.
Výše uvedené ale i jiné nedostatky jsou odstraněny nebo do značné míry omezeny způsobem čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle předloženého technického řešení. K jeho vzniku předcházely jak poznatky vlastního teoretického studia a praktických zkoušek, tak i dosavadní poznatky získané studiem odborné i patentové literatury. Kvalitou i kvantitou patří mezi nej významnější světové producenty křemenných skel firma Heraeus.
V poslední době přihlásila a patentovala řadu způsobů přípravy materiálů a zařízení na bázi křemenných skel.
Ve skupině dokumentu: Method for manufacturing large sized quartz glass tube US 5785729 A; High purity synthetic silica and items such as semiconductor jigs manufactured therefrom US 2013115391 Al; Method for producing a molded body from an electrically melted synthetic
-1 CZ 2020 - 578 A3 quartz glass US 2015052948 Al; Method for producing synthetic quartz glass granules US 9580348 B2; Method for the manufacture of synthetic quartz glass US 9790120 B2; Method for producing an optical blank from synthetic quartz glass US 2018079674 Al; Method for the manufacture of doped quartz glass US 9878933 B2; není způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle předloženého technického řešení uveden.
Dokument: Method for the manufacture of synthetic quartz glass US 9790120 B2 uvedl pouze čistotu vyrobených křemenných skel a použité metody stanovení. Obsah kovových nečistot byl však stanovován až na konci procesu. Dále byla stanovována zbytková vlhkost volumetrickou a/nebo coulometrickou titrací podle Karl-Fischera, obsah kovových příměsí metodou ICP-MS pomocí aparatury Agilent 7500ce a obsah chloru neutronovou aktivační analýzou. V dokumentu: Method for producing opaque quartz glass, and blank made from the opaque quartz glass, US 2018179 098 Al byla pro hodocení kvality stanovována IR reflexní spectra. Dokument: Method for producing a large quartz glass tube, US 2016168005 Al popisuje průběžné sledování průměru zhotovované křemenné trubice dvěma kamerami během výroby avšak pouze pro kontrolu jejích rozměrů.
Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle předloženého technického řešení nebyl nalezen ani v patentové literatuře jiných výrobců ani v odborné literatuře a jiných, veřejně dostupných, informačních dokumentech.
Podstata vynálezu
Výše uvedené nedostatky jsou odstraněny způsobem čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle níže popsaných technických řešení.
Podstata způsobu čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle předloženého vynálezu spočívá vtom, že se čištěná ampule označuje kódem, její hrdlo se osazuje hlavicí tak, že se jejím prostřednictvím ponechává zakrytí části hrdla ampule tam, kde se utváří a roste úsada reakčních zplodin (chloru s nečistotami) během procesu čištění: hlavice se opatří přívody a odvody plynů a zahájí se nedestruktivní sledování, zaznamenávání a hodnocení (např. opticky a elektromagneticky) bezdrátově procesního stavu vzdáleným systémem pokročilými UV-VIS-IR metodami zobrazovací a spektrální analýzy (např. v podstatě takovými, jakými jsou vyvinuty pro sledování tzv. „drony“), přitom se případně řídí i průběh procesu čištění, přičemž, se sledování provádí nejjednodušeji a nej levněji např. pouze na počátku a na konci procesu čištění např. pomocí tzv. web kamery metodou (spektrální a prostorové reflexní) analýzy obrazu ve viditelném oboru spektra.
Dále se ampule umístí do procesní pece, přitom se hlavice s částí hrdla ponechává mimo pec na laboratorní teplotě, přičemž se hlavicí sledují odděleně (tzv. metodou „remote sensing”) změny UV-VIS-IR optických vlastností vytváření se, rozprostírání se a narůstání vrstev úsad reakčních zplodin chloru s nečistotami na hrdle ampule během procesu čištění.
Dále se objem ampule čerpá na tlak 0,008 až 0,012 Pa a nechává ohřívat na procesní teplotu 1050 až 1175 °C a odplyňovat po dobu ohřevu 4 -6 hod.
Dále se na procesní teplotě 1050 až 1175 °C v ampulí zaměňuje plynný N2 plynným CI2, který se ponechává působit na procesní teplotě 1050 až 1 175 °C po dobu alespoň 12 hod.
Poté se zastaví ohřev ampule a ampule se spolu s pecí ponechá samovolně a/nebo řízené chladnout po dobu 11+/- 1 hod.
-2 CZ 2020 - 578 A3
Po ochlazení ampule a pece na laboratorní teplotu (300K) se plynný CE odčerpá, ampule se napustí plynným N2 na atmosférický tlak a přítok a odtok plynů se zastaví.
Nakonec se ampule vyjme z pece, sledování procesu se případně ukončí, případně se nechají sledovat další postupové kroky procesu čištění, hlavice se z hrdla ampule sejme, ampule se uzavře a hrdlo a ostatní části ampule se zpřístupní např. vizuálnímu resp. jinému známému způsobu hodnocení procesu čištění pro další operace a použití.
Objasnění výkresu
Podstata vynálezu je blíže objasněna pomocí připojeného výkresu na obr. 1, na kterém je znázorněno schéma uspořádání způsobu čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle předloženého vynálezu.
Příklady uskutečnění vynálezu
Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie se ukázaným příkladným uspořádáním podle předloženého technického řešení provádí mimo jiné tak, že se čištěná ampule 10 označí, osadí hlavicí 11 s homogenizačními nástavci 130 a 140 tak, že se jejím prostřednictvím zakryje koncová usazovací část 16 hrdla 15 ampule 10, přičemž se hlavice 11 opatří hadicovými přívody a odvody 12. 13 a 14 plynů a pomocí hlavice 11, se případně zahájí nedestruktivní sledování, zaznamenávání a hodnocení (např. opticky a elektromagneticky bezdrátově procesu čištění vzdáleným systémovým blokem 2 pokročilými UV-VIS-IR metodami zobrazovací a spektrální analýzy (např. v podstatě takovými, jaké jsou známy pro sledování tzv. „drony“), přitom se případně řídí blokem 2 i průběh procesu čištění. Sledování se provádí nejjednodušeji a nejlevněji např. pouze na počátku a na konci procesu čištění např. pomocí hlavice 1 opatřené kamerou 17 metodou (spektrální a prostorové reflexní) analýzy obrazu ve viditelném oboru spektra.
Dále se ampule 10 umístí do procesní pece 100. přitom se hlavice 11 prostřednictvím hrdla 15 ponechává mimo pec 100 na laboratorní teplotě, přičemž se systémovým blokem 2 pomocí hlavice 11 sledují odděleně tzv. metodou „remote sensing“ tj. mimo systém 1 změny UV-VIS-IR optických vlastností vytváření, rozprostírání se a narůstání usazováním reakčních zplodin chloru s nečistotami ve studené koncové usazovací části 16 hrdla 15 během procesu čištění ampule 10 v horké zóně 111 pece 100. Dále se ampule čerpá na tlak 0,008 až 0,012 Pa a nechává ohřívat topením 110 na procesní teplotu 1050 až 1175 °C a odplyňovat po dobu ohřevu 4-6 hod v zóně čištění 111. Dále se na procesní teplotě 1050 až 1175 °C v ampulí 10 zaměňuje plynný N2 plynným CI2, který se ponechává působit na procesní teplotě 1050 až 1 175 °C po dobu alespoň 12 hod.
Poté se zastaví ohřev ampule 10 a ampule se spolu s pecí 100 ponechá samovolně a/nebo řízené chladnout po dobu 11+/- 1 hod. Po ochlazení ampule 10 a pece 100 na laboratorní teplotu (300K) se plynný CI2 odčerpá, ampule 10 se napustí plynným N2 na atmosférický tlak a přítok a odtok plynů se zastaví. Nakonec se ampule 10 vyjme z pece 100. sledování procesu se případně ukončí a/nebo se sledují další postupové kroky procesu čištění, hlavice 11 se z ampule 10 sejme, ampule 10 se uzavře a ampule 10 se zpřístupní např. vizuálnímu resp. jinému známému způsobu hodnocení procesu čištění pro další technologické operace a použití.
Průmyslová využitelnost
Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro
-3 CZ 2020 - 578 A3 polovodičové technologie podle předloženého vynálezu je využitelný v polovodičovém průmyslu, kde jsou neznečištěné ampule z křemenného skla jedněmi ze základních součástí vysokoteplotních technologických procesů, kterými jsou např. příprava monokrystalů Si, III - V a II - VI sloučenin, temperance, žíhání a legování. Použití způsobu čištění a nedestruktivního 5 sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle předloženého vynálezu umožňuje snížit obsah řady cizích prvků jako např. Li, K, Na, B, Ca a zvláště Cu, které v křemenném skle rychle difundují, způsobují nežádoucí znečistění, neboť jsou ve sloučeninách III - V a II - VI elektricky aktivní (akceptory, donory). Významnou předností způsobu čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie ίο podle předloženého vynálezu je, že umožňuje průběžné sledování procesu čištění včetně jeho záznamu a tedy technicko-ekonomickou optimalizaci jeho materiálově-procesní skladby.

Claims (7)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    1. Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle předloženého vynálezu, vyznačující se tím, že se ampule označí kódem, její hrdlo se osadí hlavicí, opatří se přívody a odvody plynu a zahájí se nedestruktivní sledování a záznam jejího procesního stavu systémem vzdáleného hodnocení a/nebo řízení průběhu procesu čištění.
  2. 2. Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle nároku 1, vyznačující se tím, že se ampule umístí do procesní pece tak, že se usazovací část hrdla ampule s nasazenou hlavicí ponechává mimo pec na laboratorní teplotě a sleduje se proces čištění prostřednictvím procesu usazování reakčních zplodin čištění pokročilými UV-VIS-IR metodami zobrazovací a spektrální analýzy.
  3. 3. Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle nároků 1 a 2, vyznačující se tím, že se objem ampule vyčerpá na tlak 0,008 až 0,012 Pa a nechá se ohřívat na procesní teplotu 1050 až 1175°C a odplyňovat po dobu ohřevu 4-6 hod, načež se ampule napustí plynným N2 na atmosférický tlak.
  4. 4. Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle nároků 1 až 3, vyznačující se tím, že se na procesní teplotě 1050 až 1175 °C v ampulí zamění plynný N2 plynným Cl2, který se ponechá působit na procesní teplotě 1050 až 1 175 °C po dobu alespoň 12 hod.
  5. 5. Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle nároků 1 až 4, vyznačující se tím, že se zastaví ohřev ampule a ampule se spolu s pecí ponechá samovolně a/nebo řízené chladnout po dobu 11+/- 1 hod.
  6. 6. Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle nároku 1 až 5, vyznačující se tím, že po ochlazení ampule a pece na laboratorní teplotu se plynný Cl2 odčerpá, ampule se napustí plynným N2 na atmosférický tlak a přítok a odtok plynu se zastaví.
  7. 7. Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie podle nároků 1 až 6, vyznačující se tím, že se ampule vyjme se z pece, sledování procesu se případně ukončí, hlavice se z hrdla ampule sejme, ampule se uzavře a hrdlo včetně ampule se zpřístupní pro závěrečné analytické hodnocení a další operace a použití.
CZ2020-578A 2020-10-23 2020-10-23 Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie CZ309251B6 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ2020-578A CZ309251B6 (cs) 2020-10-23 2020-10-23 Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ2020-578A CZ309251B6 (cs) 2020-10-23 2020-10-23 Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ2020578A3 true CZ2020578A3 (cs) 2022-05-04
CZ309251B6 CZ309251B6 (cs) 2022-06-22

Family

ID=81926081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ2020-578A CZ309251B6 (cs) 2020-10-23 2020-10-23 Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie

Country Status (1)

Country Link
CZ (1) CZ309251B6 (cs)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023223293A1 (en) * 2022-05-20 2023-11-23 Mb-Microtec Ag Fabrication of glass cells for hermetic gas enclosures

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6382036B1 (en) * 2000-09-26 2002-05-07 General Electric Company Apparatus for measuring surface particulate contamination
US8815103B2 (en) * 2008-04-30 2014-08-26 Corning Incorporated Process for preparing an optical preform
CN103068754B (zh) * 2010-08-12 2016-05-25 康宁股份有限公司 氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的处理
JP6204416B2 (ja) * 2015-07-17 2017-09-27 住友化学株式会社 フィルム検査装置、フィルム検査方法、およびフィルム製造方法
CN111349968B (zh) * 2020-03-29 2022-01-25 四川大学 一种硒硫化镉多晶的合成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023223293A1 (en) * 2022-05-20 2023-11-23 Mb-Microtec Ag Fabrication of glass cells for hermetic gas enclosures
US12366831B2 (en) 2022-05-20 2025-07-22 Mb-Microtec Ag Fabrication of glass cells for hermetic gas enclosures

Also Published As

Publication number Publication date
CZ309251B6 (cs) 2022-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3728146B1 (en) Manufacturing process for striae-free multicomponent chalcogenide glasses via convection mixing
US11731896B2 (en) Manufacturing process for striae-free multicomponent chalcogenide glasses via multiple fining steps
US3370921A (en) Crystallization resistant vitreous silica formed by the addition of silicon to silica
CZ2020578A3 (cs) Způsob čištění a nedestruktivního sledování procesu čištění křemenných ampulí pro polovodičové technologie
US8596094B2 (en) Synthetic silica glass with uniform fictive temperature
CN107337339A (zh) 生产高折射薄玻璃基板的方法
US4666486A (en) Process for making bulk heavy metal fluoride glasses
JP5774400B2 (ja) シリカ粉の評価方法、シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法
US20220073400A1 (en) Chalcogenide glass material
US6634189B1 (en) Glass reaction via liquid encapsulation
TW201712170A (zh) 雙摻雜閃爍晶體製作方法
Zha et al. Heat treatment in semi-closed ampoule for obtaining stoichiometrically controlled cadmium telluride
US1540264A (en) Process of annealing glass
Warden et al. Influence of impurities and OH-group content on viscosity, cristobalite formation and bubble evolution in fused quartz crucibles at temperatures for Czochralski process
RU2559974C1 (ru) Способ получения оптической керамики на основе фторида кальция и изготовленная этим способом оптическая керамика
CN101693596B (zh) 一种钕离子掺杂钠钙硅系激光玻璃陶瓷及其制备方法
JP5992572B2 (ja) シリカ粉の評価方法、シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法
Mishinov et al. Adhesion Strength of the Interface between Solid Phases in the Ga x Ge40–x S60–Quartz Glass System
Zarabad et al. Time-temperature-transformation diagrams for crystallization of the oxyfluoride glass system
Cimek et al. Synthesis conditions of ZBLAN glass for mid-infrared optical components
KR102785723B1 (ko) 칼코게나이드 유리 봉재의 압출
Mcgill Processing of Advanced Infrared Materials
JP4882075B2 (ja) ルチル（ＴｉＯ２）単結晶の製造方法及びルチル（ＴｉＯ２）単結晶、並びにこれを用いた光アイソレータ
Stamminger Chemical reaction of hydrogen with synthetic silica glass between 500 and 900 C
PL425619A1 (pl) Wieloskładnikowe szkła tytanowo-germanianowe oraz sposób ich otrzymywania

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20231023