CZ279621B6 - Zařízení pro zpracování substrátů - Google Patents
Zařízení pro zpracování substrátů Download PDFInfo
- Publication number
- CZ279621B6 CZ279621B6 CS91295A CS29591A CZ279621B6 CZ 279621 B6 CZ279621 B6 CZ 279621B6 CS 91295 A CS91295 A CS 91295A CS 29591 A CS29591 A CS 29591A CZ 279621 B6 CZ279621 B6 CZ 279621B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- window
- recipient
- vacuum recipient
- microwave
- microwave antenna
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 22
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000035900 sweating Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/3222—Antennas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/338—Changing chemical properties of treated surfaces
- H01J2237/3382—Polymerising
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Zařízení je určeno pro nanášení ochranné vsrstvy na povrhcovou plochu optických reflektorů (17) světlometů v oblasti (16) plazmatu, vytvářeného mikrovlnami ve vakuovém recipientu (1), který je opatřen přívodním hrdlem (6). Vakuový recipient (1) má kotoučem (8) z křemenného skla uzavřené průchozí okno (7) pro přívod mikrovlnné energie vytvářené vně skříně (2) recipientu (1) upraveným mikrovlnným generátorem (11). Mikrovlnná energie se akumuluje uvnitř recipientu (1) prostřednictvím na okno (7) připojené mikrovlnné antény (12).ŕ
Description
Oblast techniky
Vynález řeší zařízení pro zpracování substrátů, zejména pro nanášení ochranné vrstvy na povrch optických reflektorů v plazmatu, vytvářeném mikrovlnami v plynu, které je opatřeno ve tvaru bubnu vytvořeným a přívodem plynu opatřeným vakuovým recipientem pro uložení zpracovávaných substrátů, který má křemenným sklem nebo podobně uzavřené průchozí okno pro mikrovlnnou energii, vytvářenou generátorem uspořádaným vně recipientu a tato mikrovlnná energie je do vnitřku vakuového recipientu napájena mikrovlnnou anténou, připojenou zevnitř k oknu.
Dosavadní stav techniky
Z DE-PS 2 625 448 je známý způsob, jak je možné ochránit optické reflektory, například reflektory světlometů napařené hliníkem, proti korozi prostřednictvím plazmové polymerické vrstvy. K tomu účelu jsou reflektory vystaveny ve vakuovém recipientu monomerním parám organických sloučenin, například křemičité organické substance, a ochranná vrstva je vylučována polymeraci z parní fáze prostřednictvím záření z doutnavého výboje při použití wolframového žhavicího drátu. Vyloučené dávky tímto způsobem dosažené často nepostačují k získání minimální tloušťky vrstvy, která by zajistila dostatečnou odolnost proti vodě, která se vylučuje zvýšeným pocením. Přitom je třeba dbát nejen na tu skutečnost, aby se vyloučila potřebná minimální tloušťka vrstvy, avšak také to, aby na zvláště exponovaných místech, například na rovných plochách reflektoru, nebyla překročena maximální tloušťka vrstvy. Od mezní vrstvy o tloušťce zhruba 70 nm může totiž docházet k vytváření rušivých interferenčních barev, protože je splněna fázová podmínka destrukční interference modrého světla, to je index lomu ochranné vrstvy n=l,5. Tím nesplňuje reflektor požadavky na kvalitu. Proto smí mít poměr mezi největší tloušťkou ochranné vrstvy, například na rovných místech přední plochy, a nejmenší tloušťkou, například v oblasti krčku lampy i u hluboce tvarovaných reflektorů maximální hodnotu zhruba 2,8 : 1. Jinak nelze dosáhnout požadované odolnosti proti vodě vznikající pocením na několik stovek hodin bez nepříznivého optického ovlivnění pestrými interferenčními barvami.
Tuto podmínku často nelze u uvedeného způsobu, který používá wolframový žhavicí drát a doutnavý výboj, splnit. Podkladem pro takové, v některých případech nepřípustné rozdělení tloušťky vrstvy spočívá zpravidla ve výrobním tlaku, který je nutný pro hospodárné oddělení vrstev a který má řadovou velikost 0,1 až 1 Pa, při kterém jsou volné délky drah reakčních směsí menší než hloubková průtažnost povrstvovaného reflektoru. Další nevýhoda tohoto způsobu spočívá v relativně vysokých nákladech, které jsou způsobeny spotřebou wolframových žhavicích drátů.
Z literatury jsou známé plazmové výrobní postupy se zvláště vysokou účinností, které v podstatě připouštějí snížení tlaku až na zhruba 10 Pa. K nim patři elekronově cyklotronová rezonanční
-1CZ 279621 B6 výroba plazmatu (ECR) s budicími frekvencemi v oblasti gigahertzů. Protože volná dráha reakčních směsí je při těchto nízkých výrobních tlacích mnohem větší než hloubkové protažení povrstvovaných částí, je možné očekávat podstatné zdokonalení rozdělení tloušťky vrstvy na reflektorech.
Z DE-OS 37 05 666 je známé zařízení pro výrobu plazmatu a pro zpracovávání substrátů. Prostřednictvím mikrovln vytvořené plazma pro povrstvování substrátu uloženého v evakuovatelné skříni zajišťuje, že prostřednictvím permanentních magnetů, které jsou upraveny v blízkosti povrstvovaného substrátu, je možné vytvářet uvnitř skříně elektronově cyklotronovou rezonanci, která umožňuje prostorově cílené zapálení plazmatu. V DE-OS 37 05 666 jsou podrobně popsány základy elektronově cyklotronové rezonance a proto zde nejsou blíže uváděny. Pro vazbu mikrovln jev jedné boční stěně skříně vytvořeno v podélném směru upravené, velké, pravoúhlé okno, které je hermeticky uzavřeno prostřednictvím desky z křemenného skla. K tomu účelu musí být skříň téměř po celé délce naříznuta. Za oknem je ve velmi malé vzdálenosti od povrstvovaných substrátů upravena uzavřená magnetová konfigurace pro vytváření ECR-plazmatu. Toto zařízení je vhodné i pro povrstvování vylisovaných trojrozměrných předmětů.
Podstata vynálezu
V zařízení pro zpracování substrátů, zejména pro nanášení ochranné vrstvy na povrch optických reflektorů v plazmatu, vytvořeném mikrovlnami v plynu, které je opatřeno ve tvaru bubnu vytvořeným á přívodem plynu opatřeným vakuovým recipientem pro uložení zpracovávaných substrátů, který má křemičitým sklem nebo podobně uzavřené průchozí okno pro mikrovlnnou energii, vytvářenou generátorem uspořádaným vně recipientu, je podle vynálezu mikrovlnná energie dovnitř vakuového recipientu napájena mikrovlnnou anténou, připojenou zevnitř k oknu, a uvnitř vakuového recipientu je v sousedství mikrovlnné antény uspořádána magnetická lavice pro vytváření místních elektronově cyklotronových rezonancí.
Hlavní výhoda tohoto řešení spočívá v tom, že nedojde vytvořením otvoru, který slouží jako mikrovlnné okno, k žádnému zeslabení recipientu, protože okno může být relativně malé. Dále je možné velmi snadno realizovat i dodatečnou úpravu mikrovlnného okna do stávajícího recipientu. Mikrovlnná energie, kterou vytváří mikrovlnný vysílač, je rozdělována mikrovlnnou anténou, která je připojená uvnitř recipientu na okno, překryté křemenným sklem nebo podobně. To umožňuje optimální využití prostoru, který je v recipientu, pro uložení povrstvovaných substrátů. To platí zejména pro takové substráty, které jsou vloženy známým způsobem do planetových klecí bubnového plnicího vozu, který zajíždí do recipientu dveřmi . Přitom je zdroj povrstvování uspořádán od povrstvovaných substrátů v relativně velké vzdálenosti, což je výhodné i z hlediska příznivého rozdělování tloušťky vrstvy na hluboce tvarované substráty. Mimoto lze provádět povrstvování ve velkém prostorovém úhlu. Tím se podstatně zkrátí potřebná doba povrstvování pro jednu dávku při stejném výrobním tlaku.
Zvláště výhodné je, pokud uvnitř recipientu a na okno připojená mikrovlnná anténa je vytvořena vlnovodem, který je na pros
-2CZ 279621 B6 tor nenáročným způsobem upraven ve směru podélné osy vakuového recipientu. Dále je výhodné, když je mikrovlnná anténa jedním svým koncem upevněna na vnitřní straně vakuového recipientu a když má vlnovodovou část, která zevnitř překrývá okno vytvořené ve vakuovém recipientu. Pro snížení hustoty mikrovlnného výkonu na vakuovém okně ke výhodná transformace průřezu mikrovlnného vlnovodu a jeho připojení se zvětšeným průřezem. Tak se současně chrání vnitřní strana vakuového okna před znečištěním, pokud jsou substráty před svým povrstvením plazmovým polymerem vystaveny kovovému napařování, například napařování hliníkem. Úpravou magnetické lavice ve tvaru tyče a rovnoběžně s mikrovlnnou anténou se umožní místně omezená elektronově cyklotronová rezonance, která zajišťuje zvláště homogenní rozdělení plazmatu po celé podélné ose vakuového recipientu při velmi nízkém výrobním tlaku. Tato magnetická lavice je s výhodou vytvořena z permanentních magnetů, a to tak, že sousedící řady magnetů mají střídající se polaritu.
Podle dalšího výhodného vytvoření je ve vakuovém recipientu uspořádán nejméně jeden vyhřívaný odpařovací drát pro primární kovové napařování povrstvovaného substrátu, jehož přívody proudu jsou vedeny skrz čelní stěnu, která je opatřena oknem vakuového recipientu, a to s výhodou skrze víko, ve kterém je upraveno okno.
Přehled obrázků na výkrese
Vynález jev dalším podrobněji vysvětlen na příkladu provedení ve spojení s připojenými výkresy, kde na obr. 1 je v podélném řezu schematicky znázorněno zařízení pro zpracovávání světlometů a na obr. 2 je schematicky znázorněno zařízení podle obr. 1 v příčném řezu.
Příklad provedení vynálezu
Na obr. 1 je patrný vakuový recipient 1, který má podélnou válcovou skříň 2, která je na obou čelních stranách uzavřena první čelní stěnou 3. a druhou čelní stěnou 4,. Druhá čelní stěna 4 je vytvořena jako hermeticky uzavíratelné dveře, které v otevřené poloze umožňují plnit vakuový recipient 1 zpracovávanými substráty. Skříň 2 může být evakuována prostřednictvím hrdla 5., na které je připojeno neznázorněné čerpadlo. Povrstvování substrátů se provádí prostřednictvím monomerní páry, která se vpouští do skříně 2 před přívodní hrdlo 6 a ve skříni 2 se ionizuje. Monomery nebo směsi monomerů jsou s výhodou v DE-PS 2 6 25 448 uvedené chemické sloučeniny ze skupiny siloxanů a silanů.
První čelní stěna 3. skříně 2 je opatřena průchozím oknem 7 pro mikrovlnnou energii, které je uzavřeno kotoučem 8. z materiálu, který propouští mikrovlnné záření, například z křemenného skla. Okno 7 je vytvořeno v odnímatelném víku které uzavírá vstupní otvor 10 do vnitřku skříně 2. U znázorněného příkladu provedení je otvor 10 vytvořen uprostřed první čelní stěny 3. a okno 7 je uspořádáno uprostřed první čelní stěny 3. a okno 7 je uspořádáno uprostřed víka 9.
Záření, vytvářené mikrovlnným generátorem 11, navazuje přes kotouč 8. a okno 7 na mikrovlnnou anténu 12. V principu může být mikrovlnná anténa 12 vytvořena ve velmi různé podobě, jako
-3CZ 279621 B6 například ve tvaru trychtýřového zářiče, štěrbinové antény nebo antény se spínacími kolíky. Mikrovlnná anténa 12 je, jak je to patrno z obr. 1, vytvořena jako centrálně uspořádaná trubka, která je upravena ve směru podélné osy skříně 2. Svým ve tvaru kapky vytvořeným koncem, to je vlnovodovou částí 13., je mikrovlnná anténa 12 jednostranně upevněna na vnitřní straně víka 9, přičemž tato dutá vlnovodová část 13 úplně překrývá okno 7 a kotouč 8.. Tím se zabrání tomu, aby se na kotouči 8 mohly vytvářet nánosy, které by odrážely mikrovlny a tak nepříznivě ovlivňovaly výkon zařízení. Taková ochrana kotouče 8 je důležitá zejména tehdy, pokud jsou povrstvované substráty předem ve stejném vakuovém recipientu 1 napařovány kovovou vrstvou zejména hliníkovou vrstvou, jako je to běžně prováděno u světlometů. K tomu účelu upravené odpařovací ústrojí je opatřeno odpařovacím drátem 14, který je na výkrese znázorněn. Je připojen ke zdroji proudu, který je upraven mimo vakuový recipient 1. Přívod 14a proudu pro odpařovací drát 14 je veden víkem 9. mimo okno 7 a mimo kotouč 8.
Rovnoběžně s mikrovlnnou anténou 12 a v nepatrné vzdálenosti od ní je uspořádána tyčová magnetická lavice 15. Prostřednictvím této magnetické lavice 15 se vytváří vhodné magnetické pole, které splňuje elektronově cyklotronovou rezonanční podmínku. Přitom jsou ionizací monomerních molekul v mikrovlnném poli vytvářené elektrony na podklad Lorentzovy síly uváděny na spirálové dráhy kolem magnetických siločar. Tím se podstatně zvýší pravděpodobnost ionizace pro plynové molekuly při uvedeném nízkém procesním tlaku. Tyčová magnetická lavice 15 je upevněna na plnicím voze, který je podrobněji popsán v dalším.
V detailu je magnetická lavice 15 vytvořena z tyčového nosiče z měkkého magnetického materiálu se dvěma navzájem protilehlými, rovnoběžnými rovnými plochami, na kterých jsou u příkladu provedení uspořádány vždy tři řady jednotlivých magnetů ve stejné vzájemné rozteči, přičemž jejich konce pólů jsou z hlediska polarity rozdílné vzhledem ke koncům pólů vždy sousedící řady jednotlivých magnetů.
Při splnění podmínek ECR, to je hustoty magnetického toku B = 87,5 mT při mikrovlnné frekvenci _f = 2,45 GHz, vznítí se v obou šrafovaně vyznačených oblastech 16 plazma. Pokud se přivede polymerizovatelný monomer, jako například hexamethyldisiloxan (HMDS(O)), vylučuje se ochranná vrstva polymeru zpolymerováného doutnavým výbojem.
Princip tedy spočívá v tom, že se místo wolframového žhavicího drátu uspořádá ve vakuovém recipientu 1 vhodná magnetická lavice 15. Tím zcela odpadá až dosud nezbytné elektrické spojení pro vytápění a pro přívod vysokého napětí. Prostřednictvím o sobě známých elementů vyzařující mikrovlnné vlny se v zařízení akumuluje mikrovlnná energie a je tak běžně k dispozici. Přitom je procesní tlak nastaven tak nízký, že na základě Paschenova zákona nedochází k žádnému vznícení plazmatu prostřednictvím obvyklých rázových lavinových procesů. Jen v oblasti magnetické lavice 15, kde je splněna podmínka cyklotronové rezonance, dochází k rezonančnímu plazmovému vývoji. Proto se neuskutečňuje rozdělování plazmatu po celé délce zařízení v praxi jen obtížně, realizovatelným homogenním rozdělováním mikrovlnného pole, ale prostřednictvím vhodného magnetického pole. Ve vztahu na procesní tlak tento
-4CZ 279621 B6 koncept znamená, že zařízení by se mělo provozovat ^při tlacích p menších než 0,1 Pa. Podle očekávání umožňuje nízký procesní tlak dokonalejší rozdělování tloušťky vrstvy doutnavých polymerů na hlubokých reflektorech. Experimentální hodnota poměru tloušťky vrstvy mezi předním plochým místem a krčkem lampy je menší než 2:1.
U povrstvovaných substrátů se jedná o reflektory 17 světlometu. Proto jsou známým způsobem nasazeny planetové klece 18, které mají válcový vnější tvar a které jsou uloženy mezi dvěma kruhovým centrálním vybráním 19 opatřenými kotouči 20., přičemž jejich uložení je otočné. Kotouče 20 jsou upraveny otočně v neznázorněném rámu, který je sám o sobě opatřen dvěma navzájem diametrálně protilehlými kladkovými ústrojími 21. Ke každému kladkovému ústrojí 21 je přiřazena kolejnička 22, která je upravena na vnitřní straně skříně 2. Po těchto kolejničkách 22 může zavážecí vozík, který má planetovou klec 18 a kotouč 20., prostřednictvím kladek kladkového ústrojí 21 volně zajíždět a vyjíždět do a ze skříně 2..
Pohon obou kotoučů 20 se uskutečňuje prostřednictvím na hřídeli 23 uložené kladky 24 nebo ozubeného kola, které jsou v záběru s vnějším obvodem kotouče 20. Od rotačního pohybu kotoučů 20 lze odvodit i pohon planetových klecí 18. Pohon hřídele 23 se uskutečňuje hřídelem 25 motoru přes spojku 26.
Jak je patrno z obrázků, využívá zařízení pro úpravu mikrovlnné antény 12 a tyčové magnetické lavice 15 volného prostoru, který je k dispozici uvnitř zavážecího vozíku. Tím nevznikají nároky na prostor ve skříni 2 vakuového recipientu 1, který by byl jinak nutný pro úpravu mikrovlnné antény 12 a tyčové magnetické lavice 15. Jak je patrno z obr. 2, překrývá plazma vytvořené mikrovlnnou anténou 12a tyčovou magnetickou lavicí 15 oblast 16 v prostorovém úhlu zhruba 180°. Tím se zajistí současné povrstvování nejméně dvou řad světlometových reflektorů, což umožní podstatné zkrácení doby, která je potřebná pro povrstvování. U provedení podle vynálezu také zcela odpadá nutnost ochrany kotouče 8 prostřednictvím přídavných clon nebo jiným způsobem před tím, než dochází k napařování hliníkem, to je z toho důvodu, že mikrovlnný vlnovod zajistí překrytí kotouče 2· Popsané uspořádání zdroje pro povrstvování substrátů umožňuje bez problémů přestavovat stávající zařízení na ECR-způsob.
Claims (8)
1. Zařízení pro zpracovávání substrátů, zejména pro nanášení ochranné vrstvy na povrch optických reflektorů v plazmatu, vytvořeném mikrovlnami v plynu, které je opatřeno ve tvaru bubnu vytvořeným a přívodem plynu opatřeným vakuovým recipientem pro uložení zpracovávaných substrátů, který má křemenným sklem nebo podobně uzavřené průchozí okno pro mikrovlnnou energii, vytvářenou generátorem uspořádaným vně recipientu, a tato mikrovlnná energie je do vnitřku vakuového recipientu napájena mikrovlnnou anténou, připojenou zevnitř k oknu, vyznačující se tím,že uvnitř vakuového recipientu (1) je v sousedství mikrovlnné antény (12) uspořádána magnetická lavice (15) pro vytváření místních elektronově cyklotronových rezonancí.
2. Zařízeni podle nároku 1, vyznačující se tím, že mikrovlnná anténa (12) je tvořena vlnovodem, který je upraven ve směru podélné osy vakuového recipientu (1).
3. Zařízení podle nároků 1 nebo 2, vyznačující se t í m, že mikrovlnná anténa (12) je jedním svým koncem upevněna na vnitřní straně vakuového recipientu (1).
4. Zařízení podle jednoho z předcházejících nároků 1 až 3, vyznačující se tím, že mikrovlnná anténa (12) má vlnovodovou část (13), která zevnitř překrývá okno (7) vytvořené ve vakuovém recipientu (1).
5. Zařízení podle nároku 1, vyznačující se tím, že magnetická lavice (15) je vytvořena ve tvaru tyče a je upravena rovnoběžně s mikrovlnnou anténou (12).
6. Zařízení podle nároku 5, vyznačuj ící se tím, že magnetická lavice (15) sestává ze systému permanentních magnetů, který má ve tvaru tyče upravený nosník z měkkého magnetického materiálu se dvěma rovnoběžnými, navzájem protilehle uspořádanými rovinnými plochami, na kterých jsou ve stejné vzájemné vzdálenosti uspořádány řady jednotlivých magnetů, jejichž pólové konce jsou z hlediska polarity pólových konců sousedících řad jednotlivých magnetů rozdílné.
7. Zařízení podle jednoho z předcházejících nároků 1 až 6, vyznačující se tím, že ve vakuovém recipientu (1) je uspořádán nejméně jeden vyhřívaný odpařovací drát (14) pro primární kovové napařování povrstvovaného substrátu, jehož přívody (14a) proudu jsou vedeny skrz čelní stěnu (3), která je opatřena oknem (7) vakuového recipientu (1).
8. Zařízení podle nároku 7, vyznačující se tím, že otvory pro přívody (14a) proudu jsou upraveny ve víku (9), v němž je upraveno okno (7).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4003904A DE4003904A1 (de) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | Vorrichtung zum behandeln von substraten in einem durch mikrowellen erzeugten, gasgestuetzten plasma |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS9100295A2 CS9100295A2 (en) | 1991-08-13 |
| CZ279621B6 true CZ279621B6 (cs) | 1995-05-17 |
Family
ID=6399763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS91295A CZ279621B6 (cs) | 1990-02-09 | 1991-02-07 | Zařízení pro zpracování substrátů |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5324362A (cs) |
| EP (1) | EP0514384B1 (cs) |
| JP (1) | JP3124288B2 (cs) |
| KR (1) | KR100204196B1 (cs) |
| CZ (1) | CZ279621B6 (cs) |
| DE (2) | DE4003904A1 (cs) |
| ES (1) | ES2076515T3 (cs) |
| RU (1) | RU2074534C1 (cs) |
| WO (1) | WO1991012353A1 (cs) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4039352A1 (de) * | 1990-12-10 | 1992-06-11 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von schichten auf oberflaechen von werkstoffen |
| DE4203632C2 (de) | 1992-02-08 | 2003-01-23 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Vakuumbeschichtungsanlage |
| FR2693619B1 (fr) * | 1992-07-08 | 1994-10-07 | Valeo Vision | Dispositif pour le dépôt de polymère par l'intermédiaire d'un plasma excité par micro-ondes. |
| FR2693620B1 (fr) * | 1992-07-09 | 1994-10-07 | Valeo Vision | Appareil pour le dépôt d'un polymère par l'intermédiaire d'un plasma excité par micro-ondes. |
| DE4310258A1 (de) * | 1993-03-30 | 1994-10-06 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zur Herstellung einer Plasmapolymerschutzschicht auf Werkstücken, insbesondere Scheinwerferreflektoren |
| US5472509A (en) * | 1993-11-30 | 1995-12-05 | Neomecs Incorporated | Gas plasma apparatus with movable film liners |
| US5641359A (en) * | 1996-02-08 | 1997-06-24 | Applied Materials, Inc. | Process gas delivery system |
| US6509568B1 (en) | 1998-11-02 | 2003-01-21 | Advantest Corporation | Electrostatic deflector for electron beam exposure apparatus |
| DE10064237A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Volkswagen Ag | Radarradom zum Schutz von Radarstrahlern |
| DE10202311B4 (de) * | 2002-01-23 | 2007-01-04 | Schott Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von dielektrischen Körpern |
| DE10240160A1 (de) * | 2002-08-30 | 2004-03-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Korrosionsgeschütztes Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| US7493869B1 (en) | 2005-12-16 | 2009-02-24 | The United States Of America As Represented By The Administration Of Nasa | Very large area/volume microwave ECR plasma and ion source |
| FR2922358B1 (fr) * | 2007-10-16 | 2013-02-01 | Hydromecanique & Frottement | Procede de traitement de surface d'au moins une piece au moyen de sources elementaires de plasma par resonance cyclotronique electronique |
| FR3019708B1 (fr) * | 2014-04-04 | 2016-05-06 | Hydromecanique & Frottement | Procede et dispositif pour generer un plasma excite par une energie micro-onde dans le domaine de la resonnance cyclonique electronique (rce), pour realiser un traitement de surface ou revetement autour d'un element filiforme. |
| DE102024205250A1 (de) * | 2024-06-07 | 2025-12-11 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Festkörpermikrowellen-Plasmaquelle für die vakuumgestützte Oberflächenbehandlung |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE435297B (sv) * | 1975-08-22 | 1984-09-17 | Bosch Gmbh Robert | Optiska reflektorer framstellda genom att reflektorytan belegges med ett skyddsskikt |
| DE2625448C3 (de) * | 1976-06-05 | 1986-11-13 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Schutzschicht auf der Oberfläche optischer Reflektoren |
| JPS5673539A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-18 | Toshiba Corp | Surface treating apparatus of microwave plasma |
| JPS6113626A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| FR2583250B1 (fr) * | 1985-06-07 | 1989-06-30 | France Etat | Procede et dispositif d'excitation d'un plasma par micro-ondes a la resonance cyclotronique electronique |
| JPS63103089A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Canon Inc | 気相励起装置及びそれを用いた気体処理装置 |
| DE3705666A1 (de) * | 1987-02-21 | 1988-09-01 | Leybold Ag | Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin |
| US5126635A (en) * | 1988-04-08 | 1992-06-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Microwave plasma operation using a high power microwave transmissive window assembly |
| US5180436A (en) * | 1988-07-26 | 1993-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave plasma film deposition system |
-
1990
- 1990-02-09 DE DE4003904A patent/DE4003904A1/de not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-01-10 DE DE59106272T patent/DE59106272D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-10 RU SU915053032A patent/RU2074534C1/ru active
- 1991-01-10 KR KR1019920701891A patent/KR100204196B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1991-01-10 JP JP03502023A patent/JP3124288B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-10 US US07/917,133 patent/US5324362A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-10 EP EP91901683A patent/EP0514384B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-10 WO PCT/DE1991/000018 patent/WO1991012353A1/de not_active Ceased
- 1991-01-10 ES ES91901683T patent/ES2076515T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-07 CZ CS91295A patent/CZ279621B6/cs not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0514384A1 (de) | 1992-11-25 |
| RU2074534C1 (ru) | 1997-02-27 |
| ES2076515T3 (es) | 1995-11-01 |
| EP0514384B1 (de) | 1995-08-16 |
| US5324362A (en) | 1994-06-28 |
| JP3124288B2 (ja) | 2001-01-15 |
| JPH05504168A (ja) | 1993-07-01 |
| WO1991012353A1 (de) | 1991-08-22 |
| DE4003904A1 (de) | 1991-08-14 |
| CS9100295A2 (en) | 1991-08-13 |
| DE59106272D1 (de) | 1995-09-21 |
| KR100204196B1 (ko) | 1999-06-15 |
| KR920703871A (ko) | 1992-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4939424A (en) | Apparatus for producing a plasma and for the treatment of substrates | |
| US5468520A (en) | Process for barrier coating of plastic objects | |
| US5324362A (en) | Apparatus for treating substrates in a microwave-generated gas-supported plasma | |
| US5517085A (en) | Apparatus including ring-shaped resonators for producing microwave plasmas | |
| JP4150504B2 (ja) | イオン化物理蒸着のための方法および装置 | |
| JP3546246B2 (ja) | プラズマ強化装置と電気アーク蒸着法 | |
| KR100322700B1 (ko) | 플라즈마처리장치및그방법 | |
| KR20090023352A (ko) | 이중 플라즈마 비임 소스 및 그 방법 | |
| US5074985A (en) | Film forming apparatus | |
| US7338581B2 (en) | Sputtering apparatus | |
| US9589768B2 (en) | Method and apparatus for producing a reflection-reducing layer on a substrate | |
| JPH05217535A (ja) | 粒子源、特に反応性のイオンエッチング法及びプラズマcvd法のための粒子源 | |
| JPH11214196A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPH06507522A (ja) | クラスタツールのソフトエッチングモジュールおよびそのecrプラズマ発生装置 | |
| JP2002500429A (ja) | Ecrプラズマ源用の同軸共鳴マルチポートマイクロ波アプリケータ | |
| US5053244A (en) | Process for depositing silicon oxide on a substrate | |
| JPH06220631A (ja) | マイクロ波強化スパッタリング装置 | |
| JP2001058127A (ja) | マイクロ波を励起することによってチャンバ中でプラズマを発生させる装置。 | |
| WO1999012184A2 (en) | Microwave power applicator for generating reactive chemical species from gaseous reagent species | |
| US3777704A (en) | Apparatus for vaporizing metal on a substratum | |
| EP0707663A1 (en) | Sputtering device | |
| KR101310093B1 (ko) | 플라즈마 생성을 위한 방법 및 장치 | |
| JP2590112B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| EP0778608A2 (en) | Plasma generators and methods of generating plasmas | |
| GB2265635A (en) | Cathodic sputtering device comprising at least four targets using plasma produced by microwaves |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| IF00 | In force as of 2000-06-30 in czech republic | ||
| MM4A | Patent lapsed due to non-payment of fee |
Effective date: 20020207 |