DD143127A1 - Vorrichtung zur durchfuehrung vorwiegend thermischer arbeitsprozesse,insbesondere in der halbleiterindustrie - Google Patents
Vorrichtung zur durchfuehrung vorwiegend thermischer arbeitsprozesse,insbesondere in der halbleiterindustrie Download PDFInfo
- Publication number
- DD143127A1 DD143127A1 DD21235079A DD21235079A DD143127A1 DD 143127 A1 DD143127 A1 DD 143127A1 DD 21235079 A DD21235079 A DD 21235079A DD 21235079 A DD21235079 A DD 21235079A DD 143127 A1 DD143127 A1 DD 143127A1
- Authority
- DD
- German Democratic Republic
- Prior art keywords
- items
- temperature
- processes
- working
- epitaxy
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007670 refining Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019932 CrNiMo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002449 FKM Polymers 0.000 description 1
- 241000282376 Panthera tigris Species 0.000 description 1
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000007600 charging Methods 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N plutonium atom Chemical compound [Pu] OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Durchführung vorwiegend thermischer Arbeitsprozesse, insbesondere der Scheibenprozesse in der Halbleiterindustrie und der Vergütungsverfahren in der Optik mit hohen Forderungen an - die Reinheit der Atmosphäre in der Vorrichtung, - die räumliche Temperaturkonstanz - die Länge der temperaturkonstanten Zone - die Möglichkeit der Realisierung zeitlicher und räumlicher Temperaturgradienten und - die Chargenstückzahl.
Description
212350 -ι-
Titel der Erfindung
Vorrichtung zur Durchführung vorwiegend thermischer Arbeitsprozesse, insbesondere in der Halbleiterindustrie»
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft eine universelle-Vorrichtung zur Durchführung vorwiegend thermischer Arbeitsprozesse, insbesondere der Scheibenprozesse in der Halbleiterindustrie und der Vergütungsverfahren in der Optik mit hohen Forderungen an
- die Reinheit der Atmosphäre in der Vorrichtung
- die räumliche Temperaturkonstanz
- die Länge der temperaturkonstanten Zone
- die Möglichkeit zur Realisierung zeitlicher und räumlicher Temperaturgradienten und
- die Chargenstückzahl.
-a- 2123 50
Die Verfahrenstechniken der Flüssigphasenepitaxie, wie Schiebeverfahren, Tauchverfahren, Beschickung mit und Entfernung von Schmelzen mittels Zentrifugalkraft und/ oder Schwerkraft sind realisierbar. Die Durchführung der Mehrfachepitaxie und die Herstellung von Vielschicht-JStrukturen können im Rahmen der Massenfertigung erfolgen.
Auch Bearbeitungsprozesse, die mit gasförmig zugeführten Eeaktanden arbeiten, wie Gasphasenepitaxie von A B -Verbindungen, Siliziumepitaxie, Gasphasendiffusiont Planartechnik, chemische Dampfphasenabscheidung, Ätz- und Oxidationsprozesse und Bedampfungsprozesse sind als Massenfertigungsprozesse durchführbar.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
Thermische Behandlungsverfahren zeichnen sich allgemein durch die partienweise Behandlung der Arbeitsgegenstände aus, wobei eine optimale Chargenkapazität angestrebt wird. Technische Lösungen für Durchlaufverfahren bei ständiger Aufrechterhaltung der Prozeßbedingungen sind auf wenige Anwendungen begrenzt und erfordern die an-" spruchsvollsten apparativen, steuerungs- und regelungstechnischen Bedingungen.
Allgemein üblich sind Vorrichtungen, die Prozeßbedingungen periodisch reproduzieren. Sie haben den gemeinsamen Nachteil geringer Chargenkapazität.
Diese Vorrichtungen beinhalten horizontale oder vertikale lineare Reaktoren und Heizeinrichtungen. Der Arbeitsraum wird durch lineare rohrförmige Körper gebildet und von der Heizeinrichtung umhüllt. Ihre nutzbare Länge wird durch die Länge der temperaturkonstanten Zone bestimmt, die nur einen Bruchteil der Reaktor länge einnimmt und durch andere Abstrahlungsbedingungen an den Ofenrandzonen sowie Unterschiede in Leistungseingabe, Wärmedurchgang und Wärmestrahlung nach innen oder außen - begrenzt wird.
-5- 212350
Historisch sind zu jedem Arbeitsverfahren spezielle Einrichtungen konzipiert worden, so daß heute eine Vielzahl der unterschiedlichsten Reaktorvarianten, Heizeinrichtungen und Anlagengeometrien in Betrieb sind und gleichermaßen unterschiedlich ersetzt oder neu konzipiert werden.
Ziel der Erfindung
Das Ziel der Erfindung besteht in der Schaffung einer universell einsetzbaren Vorrichtung mit einfachem, dem Verwendungszweck anpaßbaren Aufbau und höchster Chargenkapazität♦
Darlegung des V/esens der Erfindung
Die technische Aufgabenstellung beinhaltet eine Heizeinrichtung mit möglichst langer temperaturkonstanter Zone. Als Idealfall gilt dabei, daß Ofenlänge gleich nutzbarer Länge wird. Weiterhin muß die Rückführung der vorhandenen Variantenvielfalt von Reaktor- und Gefäßsystemen auf ein universell verwendbares Arbeitsgefäßprinzip zur Realisierung eines Baukastensystems mit wenigen Anpaßteilen für verschiedene Verwendungszwecke erfolgen. Im Ergebnis kann außerdem durch gleiche Einbaugeometrien eine typisierte Anlagengeometrie mit den drei Grundbestandteilen Reaktoraufbau, Medienversorgung und allgemeines Steuer- und Regelsystem konzipiert werden.
Merkmale der Erfindung
Die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabenstellung sieht als Grundelement eine horizontal liegende und ringförmig geschlossene Heizeinrichtung (Toroidalsystem) vor, weiterhin eine kreisringförmige, von der Heizeinrichtung umschlossene und um die zentrale Achse der Vorrichtung rotierende Aufnahmefläche für zweckentsprechend gestaltete Magazine und zum Abschluß gegen die Außenatmosphäre ein Arbeitsgefäß.
212350
Die Erfindung wird anhand von Zeichnungen und Beispielen näher erläutert und in ihren Anwendungsvarianten beschrieben·
Ausführungsbeispiele
Pig· 1 zeigt eine allgemeine Darstellung der Vorrichtung als Warmwandreaktor
Fig. 2 zeigt eine allgemeine Darstellung der Vorrichtung als Kaltwandreaktor
Pig· 5 zeigt das Gaszufuhr- und Antriebssystem
Pig· 4 zeigt die Ausrüstungsvariante Liquidepitaxie-Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen von Material aus der Flüssigphase
Pig. 5 zeigt die Ausrüstungsvariante Liquidepitaxie-Schi ebe verfahr en (dreifach gestocktes Magazin)
Pig. 6 zeigt die Ausrüstungsvariante Liquidepitaxie-Tauchverfahren
Pig· 7 zeigt die Ausrüstungsvariante Gasphasenepitaxie A B -Verbindungen, Siliziumepitaxie, Gasphasendiffusion, Planartechnik, Oxidation, Ätzen
Gemäß Pig· 1 und 2 besteht die Anordnung aus einer horizontal liegenden und ringförmig geschlossenen Heizeinrichtung mit dem Oberteil 1 und dem Unterteil 2. Die konzentrisch angeordneten Heizer 3» 4· und 5 dienen zur Medienvorheizung oder zur Realisierung einer oder mehrerer zusätzlicher Heizzonen. Mit dieser Anordnung werden konstante Abstrahlungsbedingungen über die gesamte Ofenlänge erreicht, so daß die nutzbare Länge gleich der Ofenlänge wird.
212350
Die Aufnahmefläche 6 für Magazine mit zu behandelnden Elementen folgt der Anordnung der Heizeinrichtung, besitzt Kreisringform und rotiert mit dem Trägerrohr 7 um die zentrale Achse der Vorrichtung.
Damit werden lokale Temperaturunterschiede verschiedener Umfangsstellen der Heizeinrichtung durch die Wärmeträgheit der gesamten Einsatzmasse auf die Größe der Regelschwankungen reduziert sowie der Einsatz unkomplizierter, schneller, d· h. nicht wärmeträger Heizeinrichtungen ermöglicht (Widerstandsheizer, Strahlungsheizer), die auch große zeitliche Temperaturgradienten erlauben.
Unterschiedliche Temperaturbedingungen in Abhängigkeit von der Lage des Einsatzgutes existieren somit nicht. Radiale Temperaturgradienten über den Substratscheiben überschreiten die Werte linearer Rohröfen durch die angepaßte Form nicht. Die Chargenkapazität wird damit eine Funktion des Durchmessers der Vorrichtung.
Der Arbeitsraum wird durch zwei übereinandergestülpte glockenförmige Gefäße gebildet. Dabei verbleibt das innere kleinere Gefäß 8 stets in seiner Lage, während das äußere Gefäß 9 mittels einer Hubeinrichtung (nicht dargestellt) zum Beschicken und Reinigen einschließlich der Heizer 1 und 5 angehoben werden kann. Der Arbeitsraum wird damit voll zugänglich.
Die Einführung der Trägerrotation 10, die Einführung von Differenzbewegungen 11 der Magazinteile gegeneinander φ - rotatorisch und/oder vertikal - und die Medienzufuhr . erfolgen im Bereich der zentralen Achse des Unterteiles des Arbeitsgefäßes mittels der Anordnung 12.
-β- 212350
Eine Stabilisierung des langen Rotorsystems erfolgt mit den Graphitlagerringen 14 und 15-
Die abzuführenden gasförmigen Medien gelangen über den äußeren Zwischenraum der beiden Gefäße durch die Aüfnahmeplatte 15 in die Abgasleitung.
Sämtliche erforderlichen Dichtungen liegen außerhalb der temperaturbelasteten Bereiche.
Verfahrensbedingte Zusatzeinrichtungen können nach Bedarf Verwendung finden (Quellengefäße, Gasleiteinrichtungen, Abschirmungen).
Die Anordnung von zu behandelnden Elementen, vorzugsweise von Substratscheiben, kann, bedingt durch den isothermen Effekt der Gesamtanordnung und die radiale Gäszuführung bei allen Gasprozessen, hintereinander stehend erfolgen. Bei den Liquidprozessen erfolgt die Anordnung je nach Verfahren. Grundsätzlich sind höchste Packungsdichten als Voraussetzung für Massenarbeitsprozesse erzielbar.
In Fig. 2 (Kaltwandreaktor) liegen lediglich die angepaßten Heizeinrichtungen (vorzugsweise Quarzstrahler) im Inneren des Reaktors, wobei die polierte Innenseite der doppelwandigen Arbeitsgefäße als Strahlungsreflektor dient. Der Zwischenraum 16 wird vom Kühlmittel durchflossen.
Beispel 2
Fig· 3 zeigt das Medienzufuhr- und Antriebssystem in einer umfassenden Variante, die je nach Verwendungszweck vereinfacht werden kann.
-fi .II!! -IO /ο .,. i~.'i> :.· /
-?- 212350
Der Grundkörper 1 wird an der Aufnahmeplatte der gesamten Vorrichtung befestigt und mittels einer stopfbuchsartigen Verschraubung 2 am Zentralrohr 3 des Innenteiles des Arbeitsgefäßes vakuumdicht angeschlossen. Die Medienzufüh-' rungen 4 bis ? sind mittels eines speziellen Schneidringsystems mit dem Grundkörper verbunden. Der Innenkörper 8 trägt auf dem wiederum fest eingespannten Rohr 9 die Aufnahmefläche für zu behandelnde Elemente und führt die Hauptrotation aus. Das Innenteil 10 dient zur Einleitung der Differenzbewegungen von Magazinteilen (Nebenrotation und/oder Hub), die mit dem fest eingespannten Doppelrohr 11 eingeführt werden.
Ein der Arbeitsaufgabe entsprechend gestaltetes und codiertes Antriebssystem (nicht dargestellt) wird am unteren Ende der Anordnung befestigt. Die Medienwege werden mittels Dreh- und Schiebedurchführungen gegeneinander und gegen Außenatmo-. sphäre gedichtet. Die Medien werden bis zum Eintritt in den heißen Teil des Reaktors getrennt geführt". Zur Durchführung von Zentrifugalverfahren erfolgt eine Kugellagerung 12 und 15 für den Eauptrotor.
Die Arbeitsgefäße, die Träger- und Zufuhrelemente bestehen vorzugsweise aus Quarz bzw. hochlegiertem Stahl (X5CrNiMo 18.9)1 das Medienzufuhr- und Antriebssystem aus hochlegiertem Stahl (X^CrNiMo 18.9) und die Dichtungselemente aus Pluorkautschuk (Viton).
Figur 4 zeigt den Einsatz einer Vorrichtung für eine Liquidepitaxievariante für alle Schichtstrukturen.
212350
Vorteilhaft wirken sich die mehrfachen K^-Spülströme aus, die .Magazin und Substratscheiben von der hoch temperaturbelasteten Wandung des Quarzgefäßes abschirmen (Übergang , von Silizium und 02-Diffusion).
Bei einem Durchmesser des Arbeitsgefäßes von 500 mm beträgt die Chargenkapazität dieser Vorrichtung ca. Scheiben von 50 mm Durchmesser.
Figur 5 stellt die Vorrichtung für die Durchführung der Schiebevariante des Liquidepitaxieverfahrens mit 3fach Magazin dar.
Das Doppelrohr 1 erhält im oberen Teil als Mitnehmer .eine angepaßte Geometrie und verliert seine Punktion als Gaszuführung. Die eingesteckten Quarzs"täbe 3» 4 und 5 stellen eine formschlüssige Verbindung zu den Schiebekassetten 6, 7 und 8 her. Die Substrataufnahmen 9» 10 und 11 werden lagenweise mit Substraten 12 beschickt und auf der Aufnahmefläche fixiert.
Im Medienzufuhr- und Antriebssystem kann nach Fig. 3 der Medienanschluß 5 offen bleiben, und das Innenteil 10 wird in geeigneter V/eise in seiner Höhe fixiert (nicht dargestellt). ·
Bei einem Durchmesser des Arbeitsgefäßes von 500 mm beträgt die Chargenkapazität dieser Vorrichtung ca. 60 Scheiben von 50 mm Durchmesser (Einschichtepitaxie), wobei Scheibendurchmesser von 80 mm möglich sind.
Figur 6 stellt die Vorrichtung für die Durchführung der Tauchvariante des LiquidVerfahrens dar. Das innere Doppelrohr 1 erhält oben eine angepaßte Geometrie zum Einhängen der unter 45° geneigten Scheiben 2. Das Tauchgefäß. 3 wird auf der Aufnahmeflache fixiert.
Bei Einschichtepitaxie können ca· 120 Scheiben gleichzeitig beschichtet werden und der Antriebszapfen für Nebenrotation wird in geeigneter T/eise an die Hauptrotation fixiert.
Bei Mehrschichtepitaxie ergibt sich die Chargenkapazität aus dem Quotienten von 120 und der Anzahl der Schichtkomponenten. Alle drei Bewegungssysteme werden benötigt.
Beispiel 6 . .
Figur 7 stellt die Vorrichtung für Gasphasenepitaxie von TTT V
Ax B -Verbindungen dar.
Kfebenrotation und Hubbewegung werden fixiert. Reaktanden und Substrate sind wieder vorteilhaft von der Quarzwandung abgeschirmt und die Außenräume werden mit H2 gespült. Die Zuführung der korrosiven und stark toxischen Medien, wie HCl-, Arsin- oder Phosphin-7/asserstoffgemische erfolgen im Hedienzufuhr- und Antriebssystem nach Pig. 3 am Anschluß 5; HCl und Wasserstoff werden bei 6 eingespeist. Damit sind die Einspeisungssteilen der kor-
•25 rosiven und stark toxischen Medien an der Drehdurchführung von den Anschlüssen 4 und 7 mit Wasserstofführung zusätzlich nach außen abgeschirmt.
-ίο- 212350
Die Einstellbarkeit des .thermodynamischen Gleichgewichts in Gasphasenepitayiesystemen u. a. für A B -Verbindungen zur definierten Abscheidung ist durch die getrennt steuerbaren Heizzonen für GaCl-Zone, Mischzone und Abscheidungszone gesichert. Die gezeigte Anordnung erfüllt ebenfalls die gaskinetischen Anforderungen.
Es ist wiederum eine Beschichtung von ca. 120 Scheiben pro Charge möglich, wobei der Scheibendurchmesser ca. 80 mm betragen kann. - .
Die in Pig. 7 gezeigte Anordnung kann mit gleichem Magazin bei T/eiterer Vereinfachung (ohne Zusatzheizzonen und Quellengefäß) z. B. unmittelbar für Siliziumepitaxie, Diffusion, Planarprozesse, Oxidations- und Ätzprozessegenutz t werden, wenn die geeigneten Reaktanden eingespeist werden.
Die bisher beschriebenen Varianten erfordern neben dem jeweils angepaßten Magazin nur geringfügige Modifizierungen der Grundeinrichtung (nach Pig. 1, 2, 3) im Oberteil des Doppelrohres 11 aus Fig. 3.
Die gemeinsame Reaktorgeoraetrie ermöglicht weitere grundlegende Realisierungsstrategien:
a) Erarbeitung eines Universalanlagentyps mit
- universellem Reaktorsystem einschließlich Zubehör
- universellem Medienversorgungssystem und
- universellem Steuer- und Regelsystem mit austauschbarem Prozeßprogrammgeber (einschließlich Temperaturprogramm) .
-11- 2123 50
b) Einsatz von Universalanlagen mit wechselndem Prod.uktionsspektrum und Wechselprogrammgeber oder
c) Einsatz von Einzweckanlagen mit konstantem Produktionsspektrum unter Vernachlässigung nicht benötigter Teile oder Baugruppen bei gleicher .Anlagenge ome-
Weitere Scheibenprozesse, wie chemische Dampfphasenabscheidung, Vakuumbedampfungstechuiken u. a., lassen sich ebenfalls in den dargestellten Anlagentyp eingliedern# *
Der übliche kostenintensive Sondermaschinenbau derar-• tiger Betriebseinrichtungen mit zweckbezogener Entwick-. lung, konstruktiver Durcharbeitung und Einzelanfertigung kann erfindungsgemäß bei entscheidender Verbesserung der Prozeßparameter (Reinheit, Temperaturkonstanz, Chargenetückzahl) durch einen kostengünstigen Serienbau abgelöst werden·
Claims (1)
- 2123.50-1*-Erfindungsanspruch1# Vorrichtung zur Durchführung vorwiegend thermischer Arbeitsprozesse, insbesondere in der Halbleiterinduetriej, gekennzeichnet dadurch, daß die Heizeinrichtung die Arbeitsfläche in Form eines kreisförmig gebogenen Rohres (Toroid) ganz oder teilweise umschließt,2» Vorrichtung nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß zur vertikalen Hauptachse des Systems konzentrische Heizzonen realisierbar sind*3· Vorrichtung nach Punkt 1 und 2, gekennzeichnet dadurch, daß die Geometrie der Aufnahmefläche für Magazine und/oder zu bearbeitende Elemente eine geschlossene, horizontal liegende Kreis- oder Kreisringfläche darstellt«4# Vorrichtung nach Punkt 1 bis 3» gekennzeichnet dadurch, daß die Länge der temperaturkonstanten Zone der Ofenlänge entspricht«5# Vorrichtung nach Punkt 1 bis 4, gekennzeichnet dadurch, daß die Minimierung der räumlichen Temperaturtoleranzen für die zu bearbeitenden Elemente entlang des Kreisringes der Arbeitsfläche bis auf die Größe der Regeischwankungen mittels rotatorischer Bewegung der Arbeitsfläche um die zentrale vertikale Achse der Vorrichtung erfolgt·S0 Vorrichtung nach Punkt 1 bis 5> gekennzeichnet dadurch, daß der Einsatz eines kreisringförmigen Magazins aus einem Stück, die kreisförmige Aneinanderreihung von Einzelmagazinen oder eine scheibenförmige Anordnung möglich sind·-U-2123507# Vorrichtung nach Punkt 1 bis 6, gekennzeichnet dadurch, daß der Arbeitsraum durch ein angepaßtes zweiteiliges, vertikal voll zu öffnendes Arbeitsgefäß, vorzugsweise aus Quarz oder anderen beständigen Materialien, gegen die Außenatmosphäre abgeschlossen wird, dessen Dichtungen außerhalb der "temperaturbelasteten Bereiche liegen und das als* Warm- oder Kaltwandreaktor ausgebildet sein kann«8# Vorrichtung nach Punkt 1 bis 7> gekennzeichnet dadurch, daß die Einführung der rotatorischen Bewegung der Aufnahmefläche, der Bewegung von Magazinteilen gegeneinander, der Bewegung von anderen verfahrensbedingten Einrichtungen und die Einführung . der Medien über die zentrale vertikale Achse der Vorrichtung erfolgen kann und die außerhalb der. temperaturbelasteten Bereiche eingeführt und gegen Atmosphäre abgedichtet werden.9« Vorrichtung nach Punkt 1 bis 8, gekennzeichnet da- ·· durch, daß die Zuführung von Medien zu jeder beliebigen Stelle der Vorrichtung erfolgen kann«10, Vorrichtung nach Punkt 1 bis 9> gekennzeichnet dadurch, daß eine beliebige Anordnung von verfahrensbedingten Zusatzeinrichtungen im und am Arbeitsgefäß erfolgen kann*1 111· Vorrichtung nach Punkt 1 bis 10, gekennzeichnet dadurch, daß aufgrund der Temperaturverteilung und der Anordnung Bedingungen für das Erzielen hoher Packungsdichten zu bearbeitender scheibenförmiger Elemente bis zur hintereinander stehenden Anordnung gegeben sind.21 Z 3 5 U12# Vorrichtung nach Punkt 1 bis 11, gekennzeichnet dadurch, daß die Fixierung der zu bearbeitenden Elemente durch Zentrifugalkraft erfolgen kann«13# Vorrichtung nach Punkt 1 bis 12, gekennzeichnet dadurch, daß die in der Halbleitertechnik üblichen•Arbeitsprozesses» die mit flüssigen oder gasförmigen Reaktanden, Schutz- oder Trägergasen sowie Unteroder Überdruck operieren, z# B· I&quidphasen-Epitaxie als Einfach- oder Mehrfachepitaxie sowie zur Erzeugung von Vielschichtstrukturen zweier oder mehrerer Komponenten, die Verfahren der Gasphasenepitaxie, Diffusion, Planarprozesse, Oxidations- und Ätzprozesse auf ein gemeinsames Arbeitsgefäß und eine gemeinsame Heizeinrichtung als Grundlage eines Baukastensystems für Massenarbeitsprozesse zurückgeführt werden·14· Vorrichtung nach Punkt 1 bis 13, gekennzeichnet dadurch, daß für alle Prozeßvarianten schnelle Heiz-, einrichtungen mit geringer Wärmeträgheit eingesetzt werden können, die temperaturstationäre und/oder temperaturzeitabhängige Prozesse zulassen·15*. Vorrichtung nach Punkt 3 und 5 bis 12, gekennzeichnet dadurch, daß bei entsprechender Modifikation des Arbeitsgefäßes mit gleicher Aufnahmegeometrie Plächenheizer und andere verfahrensbedingte Zusatzeinrichtungen, ζ. Β, für chemische Dampfphasenabscheidung und Bedampfungstechniken u# a,, einsetzbar sind·2123 5016» Vorrichtung nach Punkt 1 bis 15t gekennzeichnet dadurch, daß mit der erfindungsgemäßen Reaktorgeometrie Prozeßverbesserungen eintreten, die es gestatten, einen Universalanlagentyp für die Halbleiterindustrie und/oder ein jeweils prozeßbezogen realisierbares Anlagen-Baukastensystem anstelle von Sonder- und Spezialeinrichtungen bei wesentlichen Kostensenkungen zu verwenden*Hierzu....?.....Seiten Zeichnungen
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD21235079A DD143127A1 (de) | 1979-04-20 | 1979-04-20 | Vorrichtung zur durchfuehrung vorwiegend thermischer arbeitsprozesse,insbesondere in der halbleiterindustrie |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD21235079A DD143127A1 (de) | 1979-04-20 | 1979-04-20 | Vorrichtung zur durchfuehrung vorwiegend thermischer arbeitsprozesse,insbesondere in der halbleiterindustrie |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD143127A1 true DD143127A1 (de) | 1980-07-30 |
Family
ID=5517739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD21235079A DD143127A1 (de) | 1979-04-20 | 1979-04-20 | Vorrichtung zur durchfuehrung vorwiegend thermischer arbeitsprozesse,insbesondere in der halbleiterindustrie |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD143127A1 (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926793A (en) * | 1986-12-15 | 1990-05-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of forming thin film and apparatus therefor |
| US4969416A (en) * | 1986-07-03 | 1990-11-13 | Emcore, Inc. | Gas treatment apparatus and method |
| US5517001A (en) * | 1992-06-15 | 1996-05-14 | Thermtec, Inc. | High performance horizontal diffusion furnace system |
-
1979
- 1979-04-20 DD DD21235079A patent/DD143127A1/de not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4969416A (en) * | 1986-07-03 | 1990-11-13 | Emcore, Inc. | Gas treatment apparatus and method |
| US4926793A (en) * | 1986-12-15 | 1990-05-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of forming thin film and apparatus therefor |
| US5517001A (en) * | 1992-06-15 | 1996-05-14 | Thermtec, Inc. | High performance horizontal diffusion furnace system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69306783T2 (de) | Reaktor zur herstellung von halbleiterplaettchen durch gasphasenabscheidung | |
| DE69321954T2 (de) | Methode zur behandlung von halbleiter-wafern und apparat mit kontolle des waerme- und des gasflusses | |
| DE69120193T2 (de) | Batchverfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben | |
| DE69323079T2 (de) | Rotierende halterung als maschinenteil für die bearbeitung von halbleiterplättchen, einsetzbar bei der chemischen gasphasenabscheidung von wolfram | |
| US4760244A (en) | Apparatus for the treatment of semiconductor materials | |
| DE69833018T2 (de) | Schnelle wärmebehandlungsanlage mit umlaufendem substrat | |
| DE69230401T2 (de) | Cvd-vorrichtung und verfahren mit primärström | |
| DE69629980T2 (de) | Methode mit Temperaturreglung zum Abscheiden eines Werkstoffes | |
| DE69733923T2 (de) | Senkrechter Doppelofen zur Wärmebehandlung | |
| EP0011148B1 (de) | CVD-Beschichtungsvorrichtung für Kleinteile und ihre Verwendung zur Beschichtung von Spannelementen von Dentalturbinen | |
| EP0327718A2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Temperaturbehandlung von Halbleitermaterialien | |
| EP0444618B1 (de) | Plasma-Behandlungsvorrichtung | |
| EP1774057A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur chemischen gasphasenabscheidung mit hohem durchsatz | |
| EP1948845A1 (de) | Cvd-reaktor mit gleitgelagertem suszeptorhalter | |
| EP1404903A1 (de) | Prozesskammer mit abschnittsweise unterschiedlich drehangetriebenem boden und schichtabscheideverfahren in einer derartigen prozesskammer | |
| DE69110619T2 (de) | Abscheidungsvorrichtung für das Aufwachsen von einem Material unter reduzierter Gefahr. | |
| DD143127A1 (de) | Vorrichtung zur durchfuehrung vorwiegend thermischer arbeitsprozesse,insbesondere in der halbleiterindustrie | |
| US2817605A (en) | Method for sealing the pores in a carbon body | |
| US3012902A (en) | Process of reacting a vaporous metal with a glass surface | |
| DE3906075C2 (de) | ||
| DE3889735T2 (de) | Chemischer dampfniederschlagsreaktor und dessen verwendung. | |
| US20040126299A1 (en) | Method for performing thermal reactions between reactants and a furnace for same | |
| EP2487441A2 (de) | Duplexoberflächenbehandlung von Metallgegenständen | |
| EP0763148B1 (de) | Reaktor und verfahren zum beschichten von flächigen substraten | |
| DE1297086B (de) | Verfahren zum Herstellen einer Schicht von einkristallinem Halbleitermaterial |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ENJ | Ceased due to non-payment of renewal fee |