DD200213A1 - Mikrodraht zur automatischen drahtbondung - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 101100393542 Peptoclostridium acidaminophilum grdC gene Proteins 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
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Abstract
Mikrodraehte aus reinem oder dotiertem Gold sind bekannt. Sie lassen sich nach konventionellen Verfahren schwierig verformen, so dass Zusatzverfahren angewandt werden muessen, die die Eigenschaften beeintraechtigen. Die vorgestellte Erfindung umgeht diesen Mangel, indem ein edelmetallfreier, gut verformbarer Mikrodraht hergestellt wird, der auf automatischen Drahtbondern unter Beruecksichtigung entsprechender Schutzatmosphaeren zur Kontaktierung von Halbleiterbauelementen einsetzbar ist. Der Draht besteht vorzugsweise aus E-cu bzw. E-Ni, wird in direkter Verformung an 15...150 *m gezogen und zur Eigenschaftseinstellung zwischen 150...900 grdC / 0,1...100 s schlussgeglueht.
Description
Einsatzgebiet des erfindungsgemäß hergestellten Mikrodrahtes sind vorwiegend Bauelemente der Mikroelektronik, die thermisch und elektrisch/mechanisch belastet werden können. Insbesondere eignet sich dieser Werkstoff als bondfähiger Leitdraht in Festkörperschaltkreisen.
Charakteristik der | bekannten technische^ Lösungen
Nach WP 126 559 und WP 206 574 werden als Mikrodrähte für die automatische Drahtbondung in Festkörperschaltkreisen Feinstdrähte aus Au5N mit erhöhter Festigkeit durch Y + Fe- bzw. Co + Cr-Zusatz verwendet. Diese Materialien haben neben den gegenüber Reinstgold verbesserten mechanischen Eigenschaften auch eine ausgezeichnete Korrosions- und Oxydationsbeständigkeit durch den hohen Goldanteil.
Drähte dieser Qualität lassen sich jedoch im Feinstdrahtbereich nur schwer verformen, so daß die Eigenschaften der Mikrodrähte beeinträchtigende Zusatzverfahren angewandt werden müssen, um den Werkstoff an die geforderten Endabmessung ziehen zu können.
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Ziel der Erfindung ·
Ziel, der Erfindung ist ein auf automatischen Drahtbondgeräten einsetzbarer Mikrodraht, der edelmetallfrei ist und ohne Zwischenglühung bzw. Mantelwerkstoffe (Wollastonverfahren) direkt an den geforderten Enddurchmesser verformt werden kann. Bei Verwendung einer inerten'Atmosphäre kann die störende Korrosion, und Oxydation während des Bondens vermieden werden«
Wesen der Erfindung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen leichtverformbaren, direktziehfähigen Mikrodraht zu entwickeln, der auf automatischen Sondgeräten verarbeitet werden kann, der kein Edelmetall enthält und der durch Verwendung einer inerten Atmosphäre während des Bondprozesses nicht oxydiert bzw. korrodiert.
Typisch für die erfindungsgemäße Lösung ist der Einsatz von E-Cu bzw. E-Ni mit Gehalten von 99,9 ... 99,99 % Cu bzw. Ni, die Erschmelzung im Vakuuminduktionsofen und die Verarbeitung in bekannter Weise zu Mikrodraht mit einem Durchmesser von 15 ... 150 /um. Zur Einstellung der geforderten Eigenschaften ist am Fertigdraht eine Schlußglühung vorzunehmen im Bereich von 150 ... 600 0C für Cu bzw. für Ni von 400 ... 900 0C bei Zeiten von 0,1 ... 100 s.
Die Verarbeitung im Festkörperschaltkreis erfolgt auf automatisch arbeitenden Bondgeräten. Dabei ist während der Herstellung der Bondkugel eine Schutzgasatmosphäre Ar/Np-Gemisch z.u verwenden«
Elektrolytkupfer einer Reinheit von 99,9 ... 99,99 %
wird im Vakuuminduktionsofen erschmolzen, auf eine Vordrahtabmessung von ca. 8 mm Durchmesser gepreßt bzw. gewalzt und nach einer Beizbehandlung an die Endabmessung direktgezogen.
Im Anschluß an die Verformung wird eine Schlußglühung
vorgenommen im Temperaturbereich von 150 ... 600 0C bei
Zeiten von 0,1 ... 100 s.
Claims (1)
- ErfindunqsanspruchMikrodraht für automatische Drahtbonder, dadurch qekenn , daß er aus vorzugsweise Elektrolytkupfer bzw.Elektrolytnickel einer Reinheit 99>9 ... 99,99 % besteht als Verunreinigungselemente weder Si, Ga, Sb und Bi enthält und in bekannter Weise an. einen. Durchmesser von 15 ... 150 ,um gezogen wird, wobei zur Einstellung der geforderten Eigenschaften eine Schlußglühung im Bereich von 150 ... 900 °C/O,1 ... 100 s vorgenommen werden kann und die Verarbeitung im Drahtbonder bei dem Anschmelzen der Kugel eine Schutzgasatmosphäre verwandt wird, um eine Korrosion/Oxydation zu vermeiden.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD23286181A DD200213A1 (de) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | Mikrodraht zur automatischen drahtbondung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD23286181A DD200213A1 (de) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | Mikrodraht zur automatischen drahtbondung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD200213A1 true DD200213A1 (de) | 1983-03-30 |
Family
ID=5533182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD23286181A DD200213A1 (de) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | Mikrodraht zur automatischen drahtbondung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD200213A1 (de) |
-
1981
- 1981-08-28 DD DD23286181A patent/DD200213A1/de unknown
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