DD206028A1 - Verfahren zum abloesen einzelner elektronischer bauelemente von halbleitertraegern - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 3
- CTBUVTVWLYTOGO-UWVJOHFNSA-N 2-[(11z)-11-[3-(dimethylamino)propylidene]-6h-benzo[c][1]benzoxepin-2-yl]acetaldehyde Chemical compound C1OC2=CC=C(CC=O)C=C2C(=C/CCN(C)C)\C2=CC=CC=C21 CTBUVTVWLYTOGO-UWVJOHFNSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
UM BEI DER VERARBEITUNG VON AKTIVEN UND/ODER PASSIVEN ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN, INSBESONDERE HALBLEITERCHIPS, EINZELNE AUF HALBLEITERTRAEGER GEKLEBTE ODER GELOETETE BAUELEMENTE ENTFERNEN ZU KOENNEN, WEIL SIE DEFEKT, BESCHAEDIGT ODER FEHLPOSITIONIERT SIND, SOLL EINE VON SPEZIELLEN EIGENSCHAFTEN DESBAUELEMENTES BZW. DES TRAEGERSUBSTRATES UNABHAENGIGE, DIE BESEITIGUNG STOERENDER BINDEMITTELRESTE FOERDERNDE ERWAERMUNG UND ENTFERNUNG EINZELNER BAUELEMENTE GEFUNDEN WERDEN. DAZU WIRD DAS BAUELEMENT UND DIE VERBINDUNG BAUELEMENT/HALBLEITERTRAEGER MIT EINEM GASSTRAHL DEFINIERTER, UND ZWAR DURCH DIE EIGENSCHAFTEN DES BINDEMITTELS BESTIMMTER TEMPERATUR UND ZUSAMMENSETZUNG BEAUFSCHLAGT, DAS BAUELEMENT ERGRIFFEN, ENTGEGEN DEN BINDEMITTELRAENDERN AUF DER HAFTFLAECHE BEWEGT UND ABGEHOBEN.
Description
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Titel der Erfindung
Verfahren zum Ablösen einzelner elektronischer Bauelemente von HaIbIeiterträgern
Anwendungsgebiet der Erfindung
8ei der Verarbeitung von aktiven und/oder passiven elektronischen Bauelementen, insbesondere HaIbIeiterchips, müssen einige auf Trägerstreifen, Leiterplatten, flexiblen Leiterplatten, Keramiksubstrate, Glassubstrate usw. geklebte oder gelötete aktive oder passive elektronische Bauelemente entfernt werdem, we i I sie defekt oder beschädigtsind bzw. während des iMon t ageprozes ses f eh I pos i t i on i er t wurden, um sie im weiteren Per t iigungsp roz eß durch neue zu ersetzen.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
Es ist"üblich, defekte oder fehlpositionierte aktive und/oder passive elektronische 8auelemen te, die auf T ragerma ter i a I i en befestigt sind, durch mechanisches Zerstören zu entfernen. Dabei können benachbarte Bauelemente und das Trägersubstrat zerstört oder beschädigt sowie durch unkontro I I iertes Verblei-
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KJ
ben von Reststücken Fehlerquellen verursacht werden.
Eine we it-ere bekannte (Möglichkeit ist die örtliche Erwä rm.ung des Baue I emen.tes und/oder des Substrates. Diese Methode läßt sich nicht bei den Bauelementen und Trägersubstraten anwenden, die nur geringe Wärmeleitfähigkeit haben, bzw. bei Bauelementen, die in zueinander geringen Abständen auf dem Trägersubstrat befestigt sind.
Es ist auch schon vorgeschlagen worden, durch Stromimpulse eine örtliche Erwärmung der Verbindung Baue Iement/Trägersub-TO strat bzw. Leiterbahnen desselben zu erzielen und damit die Entfernung einze I ner Bauelemente zu ermöglichen. Dazu ist erforderlich,bei einemStromfluß auch einen ausreichenden Spannungsabfall zu ermöglichen. Diese Voraussetzung ist nicht bei allen Bauelementen bzw. Trägersubstraten gegeben.
Al I en bekannten Verfahren zum Ablösen einzelner Bauelemente haftet außerdem der'Nach te i I .an, daß in den meisten Fällen das verwendete Bindemittel in zu großen Mengen, d. h. für das Aufbringen e ines neuen Baue Iemen tes störend, auf dem Trägersubstrat verbleibt.
Ziel der Erfindung
Eine für al Ie Bauelemente bzw. Trägersubstrate geeignete Wärmezuführung bei Gewährleistung einer.weitestgenenden Beseitigung st orender Bindemittelreste.
Darlegung des Wesens der Erf indung - Die technische Au f gäbe ,. d f e durch die Erfin dung gelöst wird -
Um eine für al Ie Bauelemente bzw. Trägersubstrate geeignete Wärmezuführung und eine weitestgehende Beseitigung störender Bindemittelreste gewährleisten zu können, soll eine von speziellen Eig en schäften des Baue'-I emen tes bzw. des Substrates'
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unabhängige, die Beseitigung störender B indemitteI res te fördernde Erwärmung und Entfernung einzelner Bauelemente gefunden werden .
- Merkmale der Erfindung -
Das Bauelement und die Verbindung zwischen der Haftfläche des Trägersubstrates und dem Bauelement werden mit einem Gasstrahl definierter, und zwar durch die physikalischen und chemischen Eigenschaften des Bindemittels bestimmter Temperatur und Zusammensetzung beaufschlagt, das Bauelement wird ergriffen, entgegen den B indemitte I rändern auf der Haftfläche bewegt und abgehoben.
Für das Aufbringen eines neuen Bauelementes ist es meist vorteilhaft/die nicht am abgehobenen Baue I emen t ha f tender. , gelösten B indemitte I res te mittels des Gasstrahls wegzublasen.
Für die me is ten Bindemittel kann sinnvoll Stickstoff als Wärmeträger eingesetzt werden,
Ausführungsbe isp ie I
Die Erfindung wird anhand einer schematisehen Darstellung erläutert.
Das aus der Kanüle 2 um ein Bauelement 1 strömende Heißgas erwärmt gleichzeitigBauel emen t 1, Bindemittel 3 und die Haftfläche 5 des Trägersubstrates 6. Bei genügend hoher Temperatur des Bindemittels 3, Vorzugsweise bei örtlicher.Kühlung mittels des Greifers- 4 wird durch 3ewegen des Bauelemen t es 1, z. B. kreisförmige Bewegung, über die gesamte Fläche des Bindemittels 3 hinweg ein Abnehmen des Bauelementes 1 einschließlich Binde mitteis 3 mit. Greifer 4 mö glich. Eventuell am Baue Iemen t 1 nichthaftende Teile des Bindemittels 3 werden vom Gasstrahl abgeblasen. In der praktischen Ausführung wurde ein Stickstoffstrahl als War me träger mit einer Temperatur von 470 K verwendet.'
Claims (3)
- Erfindungsanspruch1. Verfahren zum Ab lösen einzelner elektronischer Bauelemen te von HaIbIeiterträgern , insbesondere von Ha IbIeiterchips , unter VVärmezu führung , gekennzeichnet dadurch, daß das Bauelement(i) und die Verbindung zwischen der Haftfläche (5) des Trägersubstrates (5) und dem Bauelement (1) mit einem Gasstrahl definierter, und zwar durch die physikalischen und chemischen Eigenschaftendes Bindemittels (3) besti mmter Tempera tür und Zusammensetzung beaufschlagt wird, daß das Bauelement (1) ergriffen, in eine Bewegung entgegen den B indemitte I rändern auf der Haftfläche (5) bewegt und abgehoben wird.
- 2. Verfahren nach Punkt 1 , gekennzeichnet dadurch, daß an der Haftfläche (5) verbl i ebene B indem ittelreste mittels des Gasstrahls weggeblasen werden.
- 3. Verfahren nach Punkt 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß als Gas Stickstoff verwendet wird.Hierzu 1 Seite Zeichnungen
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD24269382A DD206028A1 (de) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | Verfahren zum abloesen einzelner elektronischer bauelemente von halbleitertraegern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD24269382A DD206028A1 (de) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | Verfahren zum abloesen einzelner elektronischer bauelemente von halbleitertraegern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD206028A1 true DD206028A1 (de) | 1984-01-11 |
Family
ID=5540788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD24269382A DD206028A1 (de) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | Verfahren zum abloesen einzelner elektronischer bauelemente von halbleitertraegern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD206028A1 (de) |
-
1982
- 1982-08-23 DD DD24269382A patent/DD206028A1/de unknown
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