JPH03252384A - セラミック基板のレーザースクライブ方法 - Google Patents
セラミック基板のレーザースクライブ方法Info
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- JPH03252384A JPH03252384A JP2045970A JP4597090A JPH03252384A JP H03252384 A JPH03252384 A JP H03252384A JP 2045970 A JP2045970 A JP 2045970A JP 4597090 A JP4597090 A JP 4597090A JP H03252384 A JPH03252384 A JP H03252384A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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-
- H—ELECTRICITY
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セラミック基板を分割する際前工程で行われ
るセラミック基板のレーザースクライバ−によるスクラ
イブ方法に関する。
るセラミック基板のレーザースクライバ−によるスクラ
イブ方法に関する。
例えばハイブリッドＩＣは、セラミック基板に回路パタ
ーンを形成し、さらに電子素子を搭載して作成されるが
、個々のハイブリッドＩＣは、数十ミリメータ角板であ
るので、これらが−度に多数得られるように大きなセラ
ミック板を分割して作製される。
ーンを形成し、さらに電子素子を搭載して作成されるが
、個々のハイブリッドＩＣは、数十ミリメータ角板であ
るので、これらが−度に多数得られるように大きなセラ
ミック板を分割して作製される。
この分割前のいわゆる集合基板から個々のセラミック基
板を分割する手段の一つとして、レーザースクライブ法
が用いられている。これは、レーザーによって集合基板
表面にミシン目状のスリットを形成するものであり、こ
のスリットを形成した後電子部品を実装してからこのス
リットに沿って分割され製品ができあがる。
板を分割する手段の一つとして、レーザースクライブ法
が用いられている。これは、レーザーによって集合基板
表面にミシン目状のスリットを形成するものであり、こ
のスリットを形成した後電子部品を実装してからこのス
リットに沿って分割され製品ができあがる。
従来、レーザースクライブ法によるスリットの形成は、
配線や電子素子をはんだ付けするためのはんだ付はラン
ド等の例えば銀ペースト等による厚膜塗膜を形成してか
ら行うものと、この厚膜塗膜を形成する前に行うものと
２通りある。
配線や電子素子をはんだ付けするためのはんだ付はラン
ド等の例えば銀ペースト等による厚膜塗膜を形成してか
ら行うものと、この厚膜塗膜を形成する前に行うものと
２通りある。
しかしながら、後者の厚膜塗膜を形成する前にレーザー
スクライブを行う場合には、これにより住じたスリット
の周縁に溶融したセラミックが盛り上がる等のいわゆる
パリが生じ、これをそのままにして厚ＩＩ！！１１１を
例えばスクリーン印刷により形成しようとすると、スク
リーンにパリが引っ掛かってスクリーンを損傷する等の
問題がある。
スクライブを行う場合には、これにより住じたスリット
の周縁に溶融したセラミックが盛り上がる等のいわゆる
パリが生じ、これをそのままにして厚ＩＩ！！１１１を
例えばスクリーン印刷により形成しようとすると、スク
リーンにパリが引っ掛かってスクリーンを損傷する等の
問題がある。
また、厚膜塗膜を形成した後のセラミック基板にレーザ
ースクライブを行なう場合、上記と同様にスリット周縁
にできたパリについてその除去作業を行なう際に、厚Ｗ
／！塗膜を損傷することがあるのみならず、レーザーに
よって高温に熱っせられてセラミックの昇華物が生じ、
これが厚膜塗膜の電極ランド表面に付着し、電子部品や
リード端子をはんだ付けするときにはんだを良く付着し
ないという問題がある。
ースクライブを行なう場合、上記と同様にスリット周縁
にできたパリについてその除去作業を行なう際に、厚Ｗ
／！塗膜を損傷することがあるのみならず、レーザーに
よって高温に熱っせられてセラミックの昇華物が生じ、
これが厚膜塗膜の電極ランド表面に付着し、電子部品や
リード端子をはんだ付けするときにはんだを良く付着し
ないという問題がある。
本発明は、上記課題を解決するために、セラミック基板
に複数の回路パターンを有しそれぞれの回路パターンに
電子部品を搭載後各回路パターン毎にセラミック基板を
分割するセラミック基板の分割の前工程において、上記
セラミック基板の少なくとも分割予定線及びその近傍に
剥離可能な被覆体又は洗い流し可能な樹脂膜を被覆して
からレーザーによるスクライブ用のスリットを形成する
セラミック基板のレーザースクライブ方法を提供するも
のである。
に複数の回路パターンを有しそれぞれの回路パターンに
電子部品を搭載後各回路パターン毎にセラミック基板を
分割するセラミック基板の分割の前工程において、上記
セラミック基板の少なくとも分割予定線及びその近傍に
剥離可能な被覆体又は洗い流し可能な樹脂膜を被覆して
からレーザーによるスクライブ用のスリットを形成する
セラミック基板のレーザースクライブ方法を提供するも
のである。
レーザーのスクライブによるスリットを形成する前に少
なくともそのスリットを形成する個所に剥離可能な被覆
体又は洗い流し可能な樹脂膜を被覆したので、レーザー
による熱で昇華するセラミックの飛散が抑制されるとと
もに、たとえ飛散したとしてもこれらの被覆体に付着し
、厚膜塗膜の電極ランド表面に付着しないので、後工程
における電子素子のはんだ付けを損なうことがない。
なくともそのスリットを形成する個所に剥離可能な被覆
体又は洗い流し可能な樹脂膜を被覆したので、レーザー
による熱で昇華するセラミックの飛散が抑制されるとと
もに、たとえ飛散したとしてもこれらの被覆体に付着し
、厚膜塗膜の電極ランド表面に付着しないので、後工程
における電子素子のはんだ付けを損なうことがない。
次に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図（イ）中、１は集合セラミック基板、２は厚膜塗
膜からなる電極ランド、３は電極ランド以外の配線や抵
抗体等を被覆するガラス層である。
膜からなる電極ランド、３は電極ランド以外の配線や抵
抗体等を被覆するガラス層である。
なお、電極ランド、配線、抵抗体等により回路パターン
が形成される。
が形成される。
この状態の集合セラミック基板１の図示想像線のところ
にレーザーのスクライブを行ってスリットを形成すると
きは、同図（ロ）に示すようにレーザースクライブを行
おうとはる個所にセロテープ（商品名） ４を貼着し、
集合セラミック基板ｌの表面をマスキングする。
にレーザーのスクライブを行ってスリットを形成すると
きは、同図（ロ）に示すようにレーザースクライブを行
おうとはる個所にセロテープ（商品名） ４を貼着し、
集合セラミック基板ｌの表面をマスキングする。
これにレーザー光を照射すると、同図（ハ）に示すよう
に、レーザーが照射された部分のセロテープ４が溶解す
るとともに集合セラミック基板１にスリット５がミシン
目状に入る。この操作を第３図（イ）の点線で示すとこ
ろに行なう。
に、レーザーが照射された部分のセロテープ４が溶解す
るとともに集合セラミック基板１にスリット５がミシン
目状に入る。この操作を第３図（イ）の点線で示すとこ
ろに行なう。
この後、図示省略したが、厚さ１００ ｐｍのアクリル
系粘着テープを上記張り合わせたセロテープで熔融せず
残っている部分に貼り付けて剥がすようにすると、その
接着力でセロテープが剥がれる。
系粘着テープを上記張り合わせたセロテープで熔融せず
残っている部分に貼り付けて剥がすようにすると、その
接着力でセロテープが剥がれる。
このようにし第１１図（ニ）に示すようにレーザースク
ライブによるスリットが集合セラミック基板１に形成さ
れる。
ライブによるスリットが集合セラミック基板１に形成さ
れる。
そして、電極２にクリームはんだをはんだスクリーンを
用いて印刷し、その後電子部品をこの電極に載置し、リ
フローはんだ装置によりはんだ付けを行なう。
用いて印刷し、その後電子部品をこの電極に載置し、リ
フローはんだ装置によりはんだ付けを行なう。
第１図は集合セラミック板の片面実装の場合であるが、
両面実装の場合には同様のことを集合セラミック基板の
裏面についても行なっても良い。
両面実装の場合には同様のことを集合セラミック基板の
裏面についても行なっても良い。
このようにして得られたセラミック集合基板をその表面
に形成したミシン目のスリットに沿って機械的に分割す
る。これにより第３図（ロ）に示す電子部品を搭載した
セラミック基板６．６・・ができあがる。
に形成したミシン目のスリットに沿って機械的に分割す
る。これにより第３図（ロ）に示す電子部品を搭載した
セラミック基板６．６・・ができあがる。
上記はセロテープを用いたが、メンディングテープ、両
面紙粘着テープ、両面セロハン粘着テープ、導電性粘着
テープ、プリント基板用粘着テープ等の剥離可能でレー
ザーの当たった個所が溶融する被覆体を用いても良い。
面紙粘着テープ、両面セロハン粘着テープ、導電性粘着
テープ、プリント基板用粘着テープ等の剥離可能でレー
ザーの当たった個所が溶融する被覆体を用いても良い。
また、第２図に示すように、第１図（イ）と同様な回路
パターンを形成した集合セラミック基板に第２図（ロ）
に示すように、レーザーによるスクライブをする面にフ
ラックスを塗布してその塗膜４′でセラミック基板表面
をマスキングし、電極ランド表面を保護する。
パターンを形成した集合セラミック基板に第２図（ロ）
に示すように、レーザーによるスクライブをする面にフ
ラックスを塗布してその塗膜４′でセラミック基板表面
をマスキングし、電極ランド表面を保護する。
その後、同図（ハ）に示すように、レーザースクライバ
−によって集合セラミック基板にスリット５゛をミシン
目状に入れる０次いで集合セラミック基板を洗浄し、フ
ラックス膜を洗い流し、同図（ニ）に示すレーザースク
ライブされた集合セラミック基板を得る。
−によって集合セラミック基板にスリット５゛をミシン
目状に入れる０次いで集合セラミック基板を洗浄し、フ
ラックス膜を洗い流し、同図（ニ）に示すレーザースク
ライブされた集合セラミック基板を得る。
必要により集合セラミック基板の裏面についも同様のこ
とを行った後、クリームはんだをスクリーン印刷により
電極に印刷し、これに電子部品を載せてリフローはんだ
装置によりはんだ付けを行なう。
とを行った後、クリームはんだをスクリーン印刷により
電極に印刷し、これに電子部品を載せてリフローはんだ
装置によりはんだ付けを行なう。
この後第１図の場合と同様にスリットに沿って集合セラ
ミック基板を分割することにより電子部品を搭載したセ
ラミック基板ができあがる。
ミック基板を分割することにより電子部品を搭載したセ
ラミック基板ができあがる。
上記フラックスとしては非ハロゲン活性化ロジンフラン
クス、ハロゲン含有弱活性化ロジンフラックス、活性化
ロジンフランクス等が用いられる。
クス、ハロゲン含有弱活性化ロジンフラックス、活性化
ロジンフランクス等が用いられる。
また、洗い流し可能な樹脂膜を上記フラックス膜と同様
に用いても良い。
に用いても良い。
上記は電極等の回路パターンの厚膜塗膜を形成した後レ
ーザースクライブを行ったが、この厚膜形成前にレーザ
ースクライブしようとする面に上記と同様の被覆体又は
フラックス膜や樹脂膜を形成することによりマスキング
し、その後レーザースクライブを行ってスリットを形成
しても良く、この場合には熱っせられて昇華するセラミ
ック成分の飛散が防止されるので、スリットの周縁にパ
リが生じない、したがって、この後スクリーン印刷を行
ってもスクリーンを損傷する等のことがない０本発明は
この場合も含む。
ーザースクライブを行ったが、この厚膜形成前にレーザ
ースクライブしようとする面に上記と同様の被覆体又は
フラックス膜や樹脂膜を形成することによりマスキング
し、その後レーザースクライブを行ってスリットを形成
しても良く、この場合には熱っせられて昇華するセラミ
ック成分の飛散が防止されるので、スリットの周縁にパ
リが生じない、したがって、この後スクリーン印刷を行
ってもスクリーンを損傷する等のことがない０本発明は
この場合も含む。
本発明によれば、 レーザーのスクライブによるスリッ
トを形成する前に少なくともそのスリットを形成する個
所及びその近傍に剥離可能な被覆体又は洗い流し可能な
樹脂膜を被覆したので、レーザーによる熱で昇華するセ
ラミックの飛散が抑制されるとともに、たとえ飛散した
としてもこれらの被覆体に付着し、厚膜塗膜の電極に付
着しないので、後工程における電子素子のはんだ付けを
損なうことがない。
トを形成する前に少なくともそのスリットを形成する個
所及びその近傍に剥離可能な被覆体又は洗い流し可能な
樹脂膜を被覆したので、レーザーによる熱で昇華するセ
ラミックの飛散が抑制されるとともに、たとえ飛散した
としてもこれらの被覆体に付着し、厚膜塗膜の電極に付
着しないので、後工程における電子素子のはんだ付けを
損なうことがない。
第１図（イ）〜（ニ）は本発明の一実施例の方法を示す
断面工程図、第２図（イ）〜（ニ）はその他の実施例の
方法を示す断面工程図、第３図（イ）は分割線を示す説
明図、同（ロ）はその分割状態を示す説明図である。 図中、１は集合セラミック基板、２は厚ＷＩ塗膜からな
る電極ランド、３はガラス層、４は被覆体としてのセロ
テープ、４゛は樹脂膜としてのフラッス膜、５．５゛は
スリットである。 第１図 （ハ） 平成２年２月２８日 （二］ （／′） （勾 第３図 （イ） （口２
断面工程図、第２図（イ）〜（ニ）はその他の実施例の
方法を示す断面工程図、第３図（イ）は分割線を示す説
明図、同（ロ）はその分割状態を示す説明図である。 図中、１は集合セラミック基板、２は厚ＷＩ塗膜からな
る電極ランド、３はガラス層、４は被覆体としてのセロ
テープ、４゛は樹脂膜としてのフラッス膜、５．５゛は
スリットである。 第１図 （ハ） 平成２年２月２８日 （二］ （／′） （勾 第３図 （イ） （口２
Claims (1)
- （１）セラミック基板に複数の回路パターンを有しそれ
ぞれの回路パターンに電子部品を搭載後各回路パターン
毎にセラミック基板を分割するセラミック基板の分割の
前工程において、上記セラミック基板の少なくとも分割
予定線及びその近傍に剥離可能な被覆体又は洗い流し可
能な樹脂膜を被覆してからレーザーによるスクライブ用
のスリットを形成するセラミック基板のレーザースクラ
イブ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045970A JPH0676269B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | セラミック基板のレーザースクライブ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045970A JPH0676269B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | セラミック基板のレーザースクライブ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252384A true JPH03252384A (ja) | 1991-11-11 |
| JPH0676269B2 JPH0676269B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=12734085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2045970A Expired - Lifetime JPH0676269B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | セラミック基板のレーザースクライブ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676269B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005328696A (ja) * | 2005-06-23 | 2005-11-24 | Hitachi Cable Fine Tech Ltd | 電線の端末加工方法及び電線加工品の製造方法 |
| JP2007181858A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Chrovit Japan:Kk | レーザーマーキングにおける防塵方法 |
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| WO2014085660A1 (en) * | 2012-11-29 | 2014-06-05 | Corning Incorporated | Sacrificial cover layers for laser drilling substrates and methods thereof |
| US9346706B2 (en) | 2012-11-29 | 2016-05-24 | Corning Incorporated | Methods of fabricating glass articles by laser damage and etching |
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| US12180108B2 (en) | 2017-12-19 | 2024-12-31 | Corning Incorporated | Methods for etching vias in glass-based articles employing positive charge organic molecules |
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| JPS63112078A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-17 | Hitachi Ltd | 穴又は溝の加工方法 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2045970A patent/JPH0676269B2/ja not_active Expired - Lifetime
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