DD206168A1 - Aetzmittel fuer polykristalline siliciumschichten - Google Patents
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Abstract
DIE ERFINDUNG BETRIFFT EIN AETZMITTEL ZUR STRUKTURIERUG POLYKRISTALLINER SILICIUMSCHICHTEN IN DER HALBLEITERBAUELEMENTEFERTIGUNG. ZIEL IST DIE VERRINGERUNG VON SCHWANKUNGEN DER MASSGENAUIGKEIT DER GEAETZTEN STRUKTUREN. AUFGABE IST ES, EIN AETZMITTEL ZU SCHAFFEN, DESSEN AETZRATE WEITGEHEND UNABHAENGIG VON DER STANDZEIT DES AETZMITTELS UND DER DARIN GEAETZTEN ANZAHL VON HALBLEITERSCHEIBEN IST. DAS ERFINDUNGSGEMAESSE AETZMITTEL BESTEHT AUS EINEM GEMISCH VON ESSIGSAEURE, 0,9...3 % FLUSSSAEURE, 2...8 % SALPETERSAEURE, 2...9 % WASSER, 2 . 10 HOCH-3...8.10 HOCH-3 % SILBERNITRAT UND EINER KATALYTISCHEN MENGE VON NITRITIONEN, VORZUGSWEISE 0,03...1 PROMILLE EINES WASSERLOESLICHEN NITRITS, INSBESONDERE 0,03...1 PROMILLE AMMONIUMNITRIT.
Description
240 5 52 8
Titel der Erfindung ^ Ätzmittel für polykristalline Siliciumschichten
Die Erfindung betrifft ein Ätzmittel zur Strukturierung polykristalliner Siliciumschichten· Es findet Anwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen*
Zum Ätzen polykristalliner Siliciumschichten in der Kalbleiterfertigung ist nach der DD-PS 123 488 ein Ätzmittel λ bekannt, daß aus einem Gemisch von Essigsäure mit 0,9···3% Flußsäure, 2..*8% Salpetersäure, 2...3% Wasser und 2 * 10 .... 8 · 10 % Silbernitrat besteht. Dieses Ätzmittel hat den frachteil, daß sich seine Ätzrate in Abhängigkeit von der Standzeit des Ätzmittels und der darin geätzten Anzahl von Halbleiterscheiben sehr stark ändert» Es wurden Änderungen der Ätzrate bis zu 40% gegenüber dem Anfangswert festgestellt, so daß die erforderliche Maßgenauigkeit der geätzten Strukturen im polykristallinen Silicium bei Chargenbearbeitung von Charge zu Charge nicht gegeben ist,
-a- 240552 ö
.Ziel der Erfindung
Ziel der Erfindung ist es, die Schwankungen der Maßgenauigkeit der geätzten Strukturen im polykristallinen Silicium bei Chargenbearbeitung von Charge zu Charge zu verringern.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Ätzmittel für polykristalline Siliciumschichten ·in der Halbleiterfertigung zu schaffen, dessen Itzrate weitgehend unabhängig von der Standzeit des Ätzmittels und der darin geätzten Anzahl von Halbleiterscheiben ist·
Erfindungsgemäß ist die Aufgabe, ein Ätzmittel für polykristalline Siliciumschichten, bestehend aus einem Gemisch von Essigsäure, O,9»«-*3% Flußsäure, 2··*8% Salpetersäure, 2·.··9^ Wasser und 2 · 10"*^·..8 · 10""% Silbernitrat, zu schaffen, dadurch gelöst, daß das Ätzmittel eine katalytische Menge von Sitritionen enthalt*
Es ist, zweckmäßig, daß das Ätzmittel 0,0^·*·1%<? eines wasserlöslichen Nitrits enthält.
Es ist schließlich zweckmäßig, daß das Ätzmittel 0,03 *··1%«Ammoniumnitrit enthält. Es wurde gefunden, daß der Zusatz einer katalytischen Menge von Uitritionen sich außerordentlich stabilisierend auf die Ätzrate auswirkt·
Das erfindungsgemäße Ätzmittel hat den Vorteil, daß es bis kurz vor seiner Erschöpfung eine praktisch konstante Ätzrate besitzt» Dadurch wurden die Schwankungen der Haßgenauigkeit der geätzten Strukturen im polykristallinen Silicium bei Chargenbearbeitung von Charge zu Charge derart verringert, daß die Ausbeute bei der Strukturierung
des polykristallinen Siliciums wesentlich erhöht wird·. Außerdem, ist der Einsatz von Testscheiben zur Ätzratenbestimmung nicht mehr notwendig·
Die Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden·
Einer Ätzlösung aus 300 ml Flußsäure (37,5%ig), 300 ml Salpetersäure (65#ig), 18 ml 0,1 η Silbernitratlösung und 5400 ml Essigsäure (100$ig) werden 0,3 g Ammoniumnitrit zugesetzt·
; v .'· Es hat sich gezeigt, daß mit dieser Ä'tzlösung die polykristallinen Siliciumschichten yon bis zu 500 Halbleiterscheiben von 76 mm Durchmesser strukturiert werden können, wobei die Schwankung der Ätzrate nur etwa 3*·*6% beträgt«. Das Ätzmittel arbeitet selektiv und ätzt polykristallines Silicium etwa 100 mal schneller als Siliciumdioxid·
Claims (1)
- Erf indungsans pr uchÄtzmittel für polykristalline Siliciumschichten, bestehend aus einem Gemiscii von Essigsäure, 0,9···3% Flußsäure, 2...Q% Salpetersäure, 2.·.99δ Wasser und 2 * 10"^.β^ 8 · 10"% Silbernitrat, dadurch gekennzeichnet, daß es eine katalytische Menge von Mtritionen enthält·Itzmittel nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß es 0,03.»·1%οeines wasserlöslichen Nitrits enthält.Ätzmittel nach Punkt 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß es 0,03···1$«Ammoniumnitrit enthält·
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD24055282A DD206168B1 (de) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | Aetzmittel fuer polykristalline siliciumschichten |
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| DD24055282A DD206168B1 (de) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | Aetzmittel fuer polykristalline siliciumschichten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD206168A1 true DD206168A1 (de) | 1984-01-18 |
| DD206168B1 DD206168B1 (de) | 1986-12-10 |
Family
ID=5539126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| DD24055282A DD206168B1 (de) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | Aetzmittel fuer polykristalline siliciumschichten |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| DD (1) | DD206168B1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2006892A4 (de) * | 2006-03-21 | 2012-02-29 | Wuxi Suntech Power Co Ltd | Säurekorrosionslösung zur herstellung von polysilicium-velour und angewandtes verfahren dafür |
-
1982
- 1982-06-09 DD DD24055282A patent/DD206168B1/de unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DD206168B1 (de) | 1986-12-10 |
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