DD206168B1 - Aetzmittel fuer polykristalline siliciumschichten - Google Patents
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Description
Zum Ätzen polykristalliner Siliciumschichten in der Halbleiterfertigung ist nach der DD-PS 123488 ein Ätzmittel bekannt, daß aus einem Gemischvon Essigsäure mit 0,9...3% Flußsäure, 2...8% Salpetersäure, 2...9% Wasser und 2 10~3...8· 10"3% Silbernitrat besteht. Dieses Ätzmittel hat den Nachteil, daß sich seine Ätzrate in Abhängigkeit von der Standzeit des Ätzmittels und der darin geätzten Anzahl von Halbleiterscheiben sehr stark ändert. Es wurden Änderungen der Ätzrate bis zu 40% gegenüber dem Anfangswert festgestellt, so daß die erforderliche Maßgenauigkeit der geätzten Strukturen im polykristallinen Silicium bei Chargenbearbeitung von Charge zu Charge nicht gegeben ist.
Ziel der Erfindung ist es, die Schwankungen der Maßgenauigkeit der geätzten Strukturen im polykristallinen Silicium bei Chargenbearbeitung von Charge zu Charge zu verringern.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Ätzmittel für polykristalline Siliciumschichten in der Halbleiterfertigung zu schaffen, dessen Ätzrate weitgehend unabhängig von der Standzeit des Ätzmittels und der darin geätzten Anzahl von Halbleiterscheiben ist.
Erfindungsgemäß ist die Aufgabe, ein Ätzmittel für polykristalline Siliciumschichten, bestehend aus einem Gemisch von Essigsäure, 0,9...3%Flußsäure,2...8%Salpetersäure,2...9%Wasserund2 · 10~3...8 10"3% Silbemitrat, zu schaffen, dadurch gelöst, daß das Ätzmittel eine katalytische Menge von Nitritionen enthält.
Es ist zweckmäßig, daß das Ätzmittel 0,03... 1% eines wasserlöslichen Nitrits enthält.
Es ist schließlich zweckmäßig, daß das Ätzmittel 0,03... 1 % Ammoniumnitrit enthält.
Es wurde gefunden, daß der Zusatz einer katalytischen Menge von Nitritionen sich außerordentlich stabilisierend auf die Ätzrate auswirkt.
Das erfindungsgemäße Ätzmittel hat den Vorteil, daß es bis kurz vor seiner Erschöpfung eine praktisch konstante Ätzrate besitzt.
Dadurch wurden die Schwankungen der Maßgenauigkeit der geätzten Strukturen im polykristallinen Silicium bei Chargenbearbeitung von Charge zu Charge derart verringert, daß die Ausbeute bei der Strukturierung des polykristallinen Siliciums wesentlich erhöht wird. Außerdem ist der Einsatz von Testscheiben zur Ätzratenbestimmung nicht mehr notwendig.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand zweier Ausführungsbeispiele näher erläutert werden.
Einer Ätzlösung aus 300ml Flußsäure (37,5%ig), 300ml Salpetersäure (65%ig), 18ml 0,1 η Silbernitratlösung und 5400ml Essigsäure (100%ig) werden 0,3g Ammoniumnitrit zugesetzt.
Einer Ätzlösung aus 250 ml Flußsäure (38,5%ig), 250 ml Salpetersäure (65%ig),4500ml Essigsäure (100%ig) und 15 ml 0,1 η Silbernitratlösung werden 5,3g Natriumnitrit oder Kaliumnitrit zugesetzt.
Es hat sich gezeigt, daß mit diesen Ätzlösungen die polykristallinen Siliciumschichten von bis zu 500 Halbleiterscheiben von 76mm Durchmesser strukturiert werden können, wobei die Schwankung der Ätzrate nur etwa 3...6% beträgt. Die Ätzmittel arbeiten selektiv und ätzen polykristallines Silicium etwa lOOmal schneller als Siliciumdioxid.
Claims (3)
1. Ätzmittel für polykristalline Siliciumschichten, bestehend aus einem Gemisch von Essigsäure, 0,9...3% Flußsäure, 2...8% Salpetersäure, 2... 9% Wasser und 2 10~3...8 · 10~3% Silbernitrat, dadurch gekennzeichnet, daß es eine katalytische Menge von Nitritionen enthält.
2. Ätzmittel nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß es 0,03... 1% eines wasserlöslichen Nitrits enthält.
3. Ätzmittel nach Punkt 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß es 0,03... 1 % Ammoniumnitrit enthält.
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Ätzmittel zur Strukturierung polykristalliner Siliciumschichten. Es findet Anwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DD24055282A DD206168B1 (de) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | Aetzmittel fuer polykristalline siliciumschichten |
Applications Claiming Priority (1)
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| DD24055282A DD206168B1 (de) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | Aetzmittel fuer polykristalline siliciumschichten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| DD206168A1 DD206168A1 (de) | 1984-01-18 |
| DD206168B1 true DD206168B1 (de) | 1986-12-10 |
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Country Status (1)
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Families Citing this family (1)
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| CN100467670C (zh) * | 2006-03-21 | 2009-03-11 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法 |
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1982
- 1982-06-09 DD DD24055282A patent/DD206168B1/de unknown
Also Published As
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|---|---|
| DD206168A1 (de) | 1984-01-18 |
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