DD217346A2 - Halbleiterspeicherelement mit zwei feldeffekttransistoren - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterspeicherelement mit zwei Feldeffekttransistoren nach Patent 160 601, dessen Einsatz insbesondere auf dem Gebiet der integrierten Halbleiterspeicher fuer elektronische Rechner und Datenverarbeitungsanlagen erfolgt. Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, durch Modifikation der Anordnung die Lesespannung und die Lesegeschwindigkeit des Halbleiterspeicherelementes zu erhoehen. Erfindungsgemaess wird die Aufgabe dadurch geloest, dass in dem Halbleiterspeicherelement mit zwei Feldeffekttransistoren nach Patent 160 601 das Gate des Transfertransistors Tt als Floatinggate wirkt, die Source- und Drainelektroden des Transfertransistors zum einen auf die Bitleitung und zum anderen auf eine Lesesteuerleitung fuehrt und weiterhin das Gate des Ladetransistors TL direkt an die Wortleitung (entspricht Kapazitaet C2x ) geschaltet ist bzw. das Gate des Ladetransistors TL direkt an die Wortleitung geschaltet ist und zusaetzlich die Kapazitaet C2 am Gate des Transfertransistors Tt entfaellt (entspricht Kapazitaet C2x , Kapazitaet C2 0). Fig. 2
Description
HalbleitersDeicherelement mit zwei Feldeffekttransistoren
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterspeicherelement mit zwei Feldeffekttransistoren nach Patent 1£0 6Oi',, dessen Einsatz insbesondere auf dem Gebiet der integrierten Halbleiterspeicher für elektronische Rechner und Datenverarbeitungsanlagen erfolgt.
Das im Patent jSO6öi beschriebene Halbleiterspeicherelement mit zwei Feldeffekttransistoren wurde in einem Ausführungsbeispiel derart beschrieben, daß das Lesen einer Information dadurch geschieht, daß die Bitleitung zunächst auf einen niedrigen Spannungspegel, z.B. (OV),entladen wird. Nach Aktivierung der Speicherzelle mit einem Wortleitungsimpuls wird im Speicherzustand "H" die Bitleitung über den Transfertransistor T, auf einen Bruchteil der Betriebsspannung aufgeladen. Selbst bei optimaler Bemessung des Halbleiterspeicherelementes sind keine größeren Lesespannungen als 1 V zu erreichen.
Ziel der Erfindung · ..
Die Verbesserung der Halbleiterspeicherelemente mit zwei Feldeffekttransistoren nach Patent 160 601 ist darauf gerichtet, die Lesespannung und die Lesegeschwindigkeit des Halbleiterspeicherelementes zu erhöhen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, durch Modifikation der Anordnung die Lesespannung und die Lesegeschwindigkeit des Halbleiterspeicherelementes zu erhöhen. Erf indungsgemä'ß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß, in dem Halbleiterspeicherelement mit zwei Feldeffekttransistorennach Patent i£O ΘΟ1 das Gate des Transfertransistors T, als Floatinggate wirkt, die Source- und Drainelektroden des . / Transfertransistors zum einen auf die Bitleitung und zum anderen auf eine Lesesteuerleitung führsnund weiterhin das Gate des Ladetransistors T, direkt an die IVortleitung (entspricht Kapazität C2A—» 00 ~) geschaltet ist bzw. das Gate des Lade-, transistors T. direkt an die Wortleitung geschaltet ist und zusätzlich die Kapazität C2 am Gate des Transfertransistors T. entfällt (entspricht Kapazität C2X—*· oc /Kapazität C2—-O)
Die Erfindung soll,nachfolgend an Ausführungsbeispielen näher
erläutert werden. - ' .
Die dazugehörigen Zeichnungen zeigen: -
Fig. 1: Speicherelement mit 2 Feldeffekttransistoren und 2 Kapazitäten ;.
Fig. 2: Speicherelement mit 2 Feldeffekttransistoren und 1 Kapazität
Fig. 3: Speicherelement mit 2 Feldeffekttransistoren
Das Schreiben erfolgt bei den Varianten in Fig. 1,2,3 durch einen High-Pegel an der Wortleitung W, wodurch der Ladetransistor T. eingeschaltet und das Floatinggate des Transfertransistors entsprechend dem Pegel der Bitleitung B mehr oder weniger aufgeladen wird (CL = "H " ; Q = "L").
Das Lesen erfolgt bei den Lösungen gemäß Fig. 1,2,nach'dem die Bitleitung B auf die Betriebsspannung,Cz.B. IL = 5V) vorgeladen, die Lesesteuerleitung LS entladen (z.B. U1 Q = OV) und durch einen mittleren Spannüngspegel an der Wortleitung W der Ladetransistor T. nicht eingeschaltet, aber der Transfertran-'-., sistor T, eingeschaltet wird, falls auf dem Floatinggate eine Ladung CL . = "H" gespeichert war. In diesem Fall wird die Bitleitung über den Transfertransistor T auf OV entladen. War keine oder nur eine kleine Ladung CQ =. "L") auf dem Floatinggate gespeichert, so bleibt die Bitleitung, auf der Betriebsspannung aufgeladen, da dann der Transfertransistor T nicht eingeschaltet werden kann.
Das Lesen erfolgt bei der Variante nach Typ 3, nachdem die Bitleitung auf die Betriebsspannung (z.B. LL = 5V) vorgeladen wurde und die Lesesteuerleitung von einem bestimmten mittleren Spannungspegel Cz-B. U = 1,5V), der im nicht ausgewählten. Zustand einen Stromfluß durch den Transfertransistor T, in jedem Falle verhindert, auf OV geschaltet wird. War die Ladung auf dem Floatinggate groß genug, CQ1 = "H"), so daß der Transfertransistor T. eingeschaltet ist, so wird die Bitleitung entladen. Ist entgegen die Ladung auf dem Floatinggate klein (Q '= "L"), so daß der Transfertransistor T, ausgeschaltet bleibt, so wird die Bitleitung nicht entladen.
Claims (1)
- ErfindunqsanspruchHalbleiterspeicherelement mit zwei Feldeffekttransistoren nach
Patent 160 £01 , daß die Gates des Transfer- und des
Ladetransistors über die Kapazitäten C2'v und C2 an die Wortleitung geschaltet sind, daß die resultierende Schwellspannung
des Ladetransistors zwischen den resultierenden Schwellsoannunaen des Transfertransistors im "1" bzw. "0" - Zustand liegt, und daß. die erste Drain/Source"- Elektrode des Transfertransistors direkt mit der Bitleitung verbunden ist, gekennzeichnet dadurch, daß
das Gate des Transfertransistors (T,) als Floatinggate wirkt, die Source- und Drainelektroden des Transfertransistors zum einen
auf die Bitleitung (8) und zum anderen auf eine Lesesteuerleitung (LS) führen und weiterhin das Gate des Ladetransistors (T. ) direkt an die Wortleitung (entspricht Kapazität C2-*oe) geschaltet ist
bzw. das Gate des Ladetransistors (T.) direkt an d'i,e Wortleitung (W) geschaltet ist und zusätzlich die Kapazität (C2) am Gate des Transfertransistors (T.) entfällt (entspricht Kapazität C2~—*-oo ,Kapazität C2 —*· 0) . . _Hierzu ein Blatt Zeichnunaen
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD25083383A DD217346A2 (de) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | Halbleiterspeicherelement mit zwei feldeffekttransistoren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD25083383A DD217346A2 (de) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | Halbleiterspeicherelement mit zwei feldeffekttransistoren |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD217346A2 true DD217346A2 (de) | 1985-01-09 |
Family
ID=5547254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD25083383A DD217346A2 (de) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | Halbleiterspeicherelement mit zwei feldeffekttransistoren |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD217346A2 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19705001A1 (de) * | 1996-04-12 | 1997-10-16 | Lg Semicon Co Ltd | Dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff ohne Kondensator und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Speichers |
-
1983
- 1983-05-11 DD DD25083383A patent/DD217346A2/de not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19705001A1 (de) * | 1996-04-12 | 1997-10-16 | Lg Semicon Co Ltd | Dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff ohne Kondensator und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Speichers |
| DE19705001C2 (de) * | 1996-04-12 | 2002-06-13 | Lg Semicon Co Ltd | Dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff ohne Kondensator |
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