DD282109A5 - Schutzschicht fuer loetkontakte von elektronischen bauelementen - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Schutzschicht fuer Loetkontakte von elektronischen Bauelementen und bezieht sich insbesondere auf die Herstellung von Dickschichtschaltkreisen. Erfindungsgemaesz besteht die Schutzschicht aus einer vorzugsweise durch Tauchen aufgebrachten, bei Raumtemperatur und Luftatmosphaere getrockneten Loesung und einem daraus entstehenden, zumindest bis zum Loetprozesz auf dem gesamten elektronischen Bauelement verbleibenden Rueckstand. Die Loesung setzt sich aus einem nichtaktivierten Fluszmittel, insbesondere aus einer Kolophoniumloesung, und aus einem Gemisch von 85 Volumenanteilen in % Essigsaeureaethylester mit 15 Volumenanteilen in % AEthanol im Verhaeltnis der Volumenanteile von 1:50 bis 100 zusammen. Die Schichtdicke betraegt 1mm.{Schutzschicht; Loetkontakt; Bauelement, elektronisch; Loesung; Fluszmittel, nichtaktiviert; Gemisch; Essigsaeureaethylester; AEthanol; Volumenanteileverhaeltnis}
Description
In der Mikroelektronik worden in großem Umfang Kontaktschichton, z.B. aus Silber bzw. aus silberhaltigen Legierungen, eingesetzt. Bedingt durch notwendige Prozeßschritto liegt zwischen dor Schichtherstellung und dem Lötprozeß oft eine größero Zeitspanne, in der sich durch Einwirkung dor Umgebung auf tfa Kontaktschicht oine Fromdschicht aus Oxiden, Sulfiden, Karbonaten und anderen Korrosionsprodukton bildet. Da diose Schichten von dom beim Lötprozoß verwendeten Flußmittel nicht oder nur unzureichend entfernt worden können, ist die Benetzung der Kontaktflachen durch das Lot nicht in gefordertem Maße gegeben. Es entsteht Nacharbeit bzw. Ausschuß.
In dom DD-WP 260588 wird eino Schutzschicht für Uondflachen und für optoelektronische Bauelemente beschrieben. Diese Schutzschicht besteht aus einem Gemisch von Acrylat, Fottaminsalz, Montanwachs und Wachsester.
Als nachteilig erweist sich diese Schichtzusammensetzung, wenn noch Lötprozesse stattfinden sollen. Um einer Lötbadvorunreinigung vorzubeugen, muß die Schicht vor dem Löten aufwendig entfernt worden.
Andere Möglichkeiten des Schutzes der Kontaktschichten gegen korrosive Umgebungseinflüsse, wie die Verkürzung der Durchlaufzeiten oder die Lagerung in Stickstoff, sind nicht zuverlässig genug oder sind zu aufwendig.
Ziel der Erfindung ist es, nine Schutzschicht gegen korrosive Umgebungseinflüsse für Lötkontakte von elektronischen Bauelementen zu finden, o;<· die Lötbarkeit der Kontaktflächen an sich und auch über einen längeren Zeitraum zuverlässig gewährleistet und in ihrer Ho, rtellung wenig aufwendig ist.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Schutzschicht für Lötkontakte von elektronischen Bauelementen zu schaffon, deren Zusammensetzung und Eigenschaften es gestattet, das Ziel der Erfindung zu erreichen.
Erfindüngsgemäß besteht die Schutzschicht aus einer vorzugsweise durch Tauchen aufgebrachten, bei Raumtemperatur und Luftatmosphäre getrockneten Lösung und einem daraus entstehenden, zumindest bis zum Lötprozeß auf dem gesamten elektronischen Bauelement verbleibenden Rückstand. Die Ausgangslösung setzt sich aus einem nichtaktivierten Flußmittel, insbesondere aus einer Kolophoniumlösung und aus einem Gemisch von 85 Volumenanteilen in % Essigsäureäthylester mit 15 Volumenaiiteilen in % Äthanol zusammen. Das Flußmittel und das Gemisch sind im Verhältnis der Volumonantoile von 1:50 bis 100 vermischt. Die Schichtdicke der sich ergebenden Schutzschicht ist <1 pm.
Überraschenderweise hat sich gezeigt, daß die erfindungsgemäße Vermischung der genannten Bestandteile zu einer Lösung, einer zuverlässige Schutzschicht gegen korrosive Umgebungseinflüsse orbringt, obwohl jede einzelne Komponente für sich dies nicht erwarten ließ bzw. ungeeignet ist.
Ausführungsbelspinl
Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher beschrieben werden.
Boi der Herstellung von Dickschichtschaltkreisen werden auf einem Keramiksubstrat für Kontaktschichten silberhaltige Werkstoffe, z. B. PtAg, verwendet. Nach dem Siebdrucken und Einbrennen dieser Schicht und dem Aufbringen (Siebdruck, Einbrennen) der übrigen Oickschichtkomponenten wird -Jie erfindungsgemäße Lösung aufgebracht.
Sie setzt sich aus einer Kolophoniumlösung (A) und einem Gemisch (B) von Essigsäureäthylester (85 Volumenanteile in %) mit Äthanol (15 Volumenanteile in %) zusammen. Die beiden Hauptkomponenten A und B sind beispielsweise in einem Verhältnis von 1:60 vormischt.
Jie fertige Lösung wird durch Tauchen oder Abschleudern auf den gesamten Dickschichtschaltkreis aufgebracht. Die Trocknung der entstehenden Schutzschicht geschieht bei Raumtemperatur und Luftatmosphäre. Die Schichtdicke der entstandenen Schutzschicht beträgt otwa 0,5pm
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Dio Schutzschicht ist damit einerseits so dick, daß oin zuverlässiger Schutz der Kontaktflächen gegen korrosiv Umgebungseinflüsse über längere Zeiträume (bis zu einigon Monaten) orroicht wird und andererseits so dünn, daß eino elektrische Kontaktierung bei notwendigen Meßvorgängen ermöglicht wird. Beim sich in der technologischen Reihenfolge anschließenden und oftmals zeitlich viel später Mögenden Lötprozeß löst sich die Schutzschicht beim Aufbringen des üblichen aktivierten Flußmittels ab und garantiert somit die zuverlässige Benetzung der Metallkontaktschicht. Evontuoil noch verbliebene Rückstände der Schutzschicht worden durch den sowioso vorgesehenen Waschprozoß in Mothylonchlorid problemlos bosoitigt. Selbst das Verbloibon von Toilon dor Schicht auf Boroichon dos Dickschichtschaltkroiscs ist in keiner Weise schädigend.
Claims (1)
- Schutzschicht für Lötkontakte von elektronischen Bauelementen, gekennzeichnet dadurch, daß sie aus einer vorzugsweise durch Tauchen aufgebrachten, bei Raumtemperatur und Luftatmosphäro getrockneten Lösung und einem daraus entstehenden, zumindest bis zum Lötprozeß auf dem gesamten elektronischen Bauelement verbleibenden Rückstand besteht, wobei sich die Lösung aus einem nichtaktiviertem Flußmittel, insbesondere aus einer kolophoniumlösung, und aus einem Gemisch von 85 Volumenanteilen in % Essigsäureäthylester mit 15 Volumenantoilen in %Äthanol im Verhältnis der Volumenanteile von 1:50 bis 100 zusammensetzt, wobei die Schichtdicke <1 μιτι ist.Anwendungsgebiet der ErfindungDio Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Mikroelektronik. Sio betrifft eine Schutzschicht für Lötkontakte von elektronischen Bauelementen, insbesondere auf Dickschichtschaltkroison.
Priority Applications (1)
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| DD282109A5 true DD282109A5 (de) | 1990-08-29 |
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