DD294811A5 - Informationsaufzeichnungsmedien - Google Patents
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- DD294811A5 DD294811A5 DD34094790A DD34094790A DD294811A5 DD 294811 A5 DD294811 A5 DD 294811A5 DD 34094790 A DD34094790 A DD 34094790A DD 34094790 A DD34094790 A DD 34094790A DD 294811 A5 DD294811 A5 DD 294811A5
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- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 21
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 24
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 21
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 21
- 239000010955 niobium Substances 0.000 abstract description 18
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 144
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 25
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 22
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 16
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 15
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- OTTZHAVKAVGASB-UHFFFAOYSA-N hept-2-ene Chemical compound CCCCC=CC OTTZHAVKAVGASB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 13
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 9
- CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 1 -dodecene Natural products CCCCCCCCCCC=C CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 101150065749 Churc1 gene Proteins 0.000 description 7
- 102100038239 Protein Churchill Human genes 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 229940069096 dodecene Drugs 0.000 description 7
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 7
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexen-1-yl)cyclohexan-1-one Chemical compound O=C1CCCCC1C1=CCCCC1 GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecene Chemical class CCCCCCCCCCCCCCC=C GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- WLTSXAIICPDFKI-FNORWQNLSA-N (E)-3-dodecene Chemical compound CCCCCCCC\C=C\CC WLTSXAIICPDFKI-FNORWQNLSA-N 0.000 description 4
- ADOBXTDBFNCOBN-UHFFFAOYSA-N 1-heptadecene Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCC=C ADOBXTDBFNCOBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- -1 aluminum-titanium-chromium Chemical compound 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N icos-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC=C VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 4
- BNGUZDGWNATSIB-VQHVLOKHSA-N (e)-heptadec-4-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCC\C=C\CCC BNGUZDGWNATSIB-VQHVLOKHSA-N 0.000 description 3
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QQHSIRTYSFLSRM-UHFFFAOYSA-N alumanylidynechromium Chemical compound [Al].[Cr] QQHSIRTYSFLSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N n-decene Natural products CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJLHTVIBELQURV-UHFFFAOYSA-N 1-pentadecene Chemical class CCCCCCCCCCCCCC=C PJLHTVIBELQURV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 1-tetradecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=C HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 2
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GVRWIAHBVAYKIZ-FNORWQNLSA-N (e)-dec-3-ene Chemical class CCCCCC\C=C\CC GVRWIAHBVAYKIZ-FNORWQNLSA-N 0.000 description 1
- POPHMOPNVVKGRW-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,4a,5,6,7-octahydronaphthalene Chemical compound C1CCC2CCCCC2=C1 POPHMOPNVVKGRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIMKQSBXORKNPQ-UHFFFAOYSA-N 1,6-dimethylpentacyclo[6.6.1.13,6.02,7.09,14]hexadec-4-ene Chemical compound C1C2(C)C3CCCCC3C1C1C2C2CC1(C)C=C2 AIMKQSBXORKNPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940106006 1-eicosene Drugs 0.000 description 1
- FIKTURVKRGQNQD-UHFFFAOYSA-N 1-eicosene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCC=CC(O)=O FIKTURVKRGQNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJPHFJTRHXET-UHFFFAOYSA-N 1-methyltricyclo[5.2.1.02,6]dec-8-ene Chemical compound C12CCCC2C2(C)C=CC1C2 HYZJPHFJTRHXET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- SDTYFWAQLSIEBH-FNORWQNLSA-N 3-Undecene Chemical compound CCCCCCC\C=C\CC SDTYFWAQLSIEBH-FNORWQNLSA-N 0.000 description 1
- SDTYFWAQLSIEBH-UHFFFAOYSA-N 3-Undecene Natural products CCCCCCCC=CCC SDTYFWAQLSIEBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLTSXAIICPDFKI-UHFFFAOYSA-N 3-dodecene Chemical compound CCCCCCCCC=CCC WLTSXAIICPDFKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSWATWCBYRBYBO-UHFFFAOYSA-N 5-butylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C2C(CCCC)CC1C=C2 YSWATWCBYRBYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHJIJNGGGLNBNJ-UHFFFAOYSA-N 5-ethylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C2C(CC)CC1C=C2 QHJIJNGGGLNBNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLQHXBUQMCLGK-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-5-phenylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C(C=C2)CC2C1(C)C1=CC=CC=C1 SLLQHXBUQMCLGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCBPVYHMZBWMAZ-UHFFFAOYSA-N 5-methylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C2C(C)CC1C=C2 PCBPVYHMZBWMAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVFRNNALLLVPGJ-UHFFFAOYSA-N 7-methylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1CC2C=CC1C2C AVFRNNALLLVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005745 Ge—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005936 Ge—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical class [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
Gemaesz der vorliegenden Erfindung werden Informationsaufzeichnungsmedien mit einem Substrat und darauf einer Aufzeichnungsschicht und einer metallischen Schicht bereitgestellt, worin die metallische Schicht aus einer Aluminiumlegierung zusammengesetzt ist, enthaltend (i) Titan und (ii) mindestens ein Metall, ausgewaehlt aus Chrom, Niob und Magnesium. Die so bereitgestellten Informationsaufzeichnungsmedien weisen ausgezeichnete Korrosionsbestaendigkeit und nur eine geringe Abhaengigkeit des Aufzeichnungsvermoegens von der linearen Geschwindigkeit auf.
Description
51 592 ns/jr
MITSUI PETROCHEMICAL INDUSTRIES, LTD. TOKYO / JAPAN
BESCHREIBUNG Informationsaufzeichnunasmedien
Die vorliegende Erfindung betrifft
'' Informationsaufzeichnungsmedien mit einer metallischen
Schicht/ insbesondere betrifft sie Informationsaufzeichnungsmedien mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit oder Stabilität und einer geringen Abhängigkeit ihres Aufzeichnungsvermögens von der linearen Geschwindigkeit.
Bei Informationsaufzeichnungsmedien wie magneto-optischen Aufzeichnungsplatten mit einem Substrat und darauf einer Aufzeichnungsschicht und einer metallischen Schicht, welche zum erneuten Aufschreiben von Information befähigt sind, wird angestrebt, daß die Abhängigkeit des
,· Aufzeichnungsvermögens von der linearen Geschwindigkeit
klein gemacht wird, so daß das Aufzeichnungsvermögen zur Informationswiedergabe in diesen Medien nicht allzu stark schwankt zwischen den Innen- und Außenbereichen des Mediums.
Gewöhnlich wird bei Informationsaufzeichnungsmedien wie magneto-optischen Aufzeichnungsplatten eine metallische Schicht zusätzlich zur magneto-optischen Aufzeichnungsschicht auf einem Substrat ausgebildet. Die metallischen Schichten, die bisher in Informationsaufzeichnungsmedien vom Typ der
magnetooptischen Aufzeichnungsplatten verwendet worden sind, sind aus Nickellegierungen, Aluminiummetall oder Aluminiumlegierungen mit 0,1 bis 10 Gewichtsprozent Titan zusammengesetzt. Die metallischen Schichten aus Aluminiummetall oder Aluminium-Titanlegierungen wiesen jedoch insofern Nachteile auf, als ihre Korrosionsbeständigkeit gering war und sie einem Einsatz über einen längeren Zeitraum nicht standhielten.
Die metallischen Schichten aus Nickellegierungen wiesen auch insofern einen ernsthaften Nachteil auf, als das zum Zeitpunkt des Aufschreibens von Information in der Platte erforderliche Aufzeichnungsvermögen stark zwischen den Innen- und Außenbereichen der genannten Platte schwankt, mit dem Ergebnis, daß die Abhängigkeit des Aufzeichnungsvermögens von der linearen Geschwindigkeit immer noch groß ist.
Im Hinblick auf die Entwicklung von Informationsaufzeichnungsmedien, die eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit oder Stabilität sowie nur eine geringe Abhängigkeit des Aufzeichnungsvermögens von der linearen Geschwindigkeit aufweisen, führten die hier auftretenden Erfinder umfangreiche Forschungen durch, um herauszufinden, daß die Informationsaufzeichnungsmedien mit einer metallischen Schicht aus einer Aluminiumlegierung, enthaltend (i) Titan und (ii) mindestens ein Metall, ausgewählt aus Chrom, Niob und Magnesium, über eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit bei nur geringer Abhängigkeit des Aufzeichnungsvermögens von der linearen Geschwindigkeit verfügen. Auf diese Weise haben die Erfinder die vorliegende Erfindung vollbracht.
Die vorliegende Erfindung soll die oben erwähnten, mit dem Stand der Technik verbundenen Probleme lösen, und es ist eine Aufgabe der Erfindung,
Informationsaufzeichnungsmedien mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit und geringer Abhängigkeit des Aufzeichnungsvermögens von der linearen Geschwindigkeit bereitzustellen.
Das erste Informationsaufzeichnungsmedium der vorliegenden Erfindung mit einem Substrat und darauf einer Aufzeichnungsschicht und einer metallischen Schicht ist dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Schicht aus einer Aluminiumlegierung zusammengesetzt ist, enthaltend 0,1 bis 9,5 Atom-Prozent Titan und 0,1 bis 5 Atom-Prozent Chrom, bezogen auf alle, die Aluminiumlegierungsschicht darstellenden Atome, wobei der vereinigte Gehalt an Titan und Chrom nicht mehr als 10 Atomi-Prozent beträgt.
Das zweite Informationsaufzeichnungsrnedium der Erfindung mit einem Substrat und darauf einer Aufzeichnungsschicht und einer metallischen Schicht ist dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Schicht aus einer Aluminiumlegierung zusammengesetzt ist, enthaltend 0,5 bis 5 Atom-Prozent Titan und 0,5 bis 5 Atom-Prozent Niob, bezogen auf alle, die Aluminiumlegierungsschicht darstellenden Atome, wobei der vereinigte Gehalt an Titan und Niob 1 bis 5,5 Atom-Prozent beträgt.
Das dritte Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung mit einem Substrat und darauf einer Aufzeichnungsschicht und einer metallischen Schicht ist dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Schicht aus einer Aluminiumlegierung zusammengesetzt ist, enthaltend 0,1 bis 10 Atom-Prozent Titan und 0,1 bis 10 Atom-Prozent Magnesium, bezogen auf
JLWW
alle, die Aluminiumlegierungsschicht darstellenden Atome, wobei der vereinigte Gehalt an Titan und Magnesium nicht mehr als 15 Atom-Prozent beträgt.
Diese vorstehend verdeutlichten Informationsaufzeiehnungsmedien der vorliegenden Erfindung, die jeweils eine metallische Schicht aus einer Aluminiumlegierung aufweisen, die (i) Titan und (ii) ein Metall enthält, ausgewählt aus Chrom, Niob und Magnesium, weisen eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit/ eine geringe Abhängigkeit des Aufzeichnungsvermögens von der linearen Geschwindigkeit und ebenso einen ausgezeichneten Schutz der Aufzeichnungsschicht auf.
Fig. 1 stellt eine grobe Querschnittskizze einer Ausgestaltung des
Informationsaufzeichnungsmediums der vorliegenden Erfindung dar.
Fig. 2 stellt eine grobe Querschnittskizze einer weiteren Ausgestaltung des Informationsaufzeichnungsmediums der
vorliegenden Erfindung dar.
1 ... InformationsaufZeichnungsmedium
2 ... Substrat
3 ... Aufzeichnungsschicht
4 ... Metallische Schicht
5 ... Schutzfilm.
Die Informationsaufzeichnungsmedien der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend detailliert beschrieben.
Fig. 1 stellt eine grobe Querschnittskizze des Informationsaufzeichnungsmediums einer Ausgestaltung der Erfindung und Fig. 2 stellt ebenfalls eine grobe Querschnittskizze des Informat:onsaufzeichnungsmediums in einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung dar.
Beim Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung wird ι die im Aufzeichnungsmedium gespeicherte Information
mittels Licht, wie dem Licht eines Laserstrahls, abgelesen. Informationsaufzeichnungsmedien dieses Typs schließen konkret optische Platten vom Postskript-Typ, die zu zusätzlicher Aufzeichnung, jedoch nicht zum Löschen der aufgezeichneten Information befähigt sind, magnetooptische Aufzeichnungsplatten, die sowohl zur Informationsaufzeichnung als auch zum Löschen und der Wiedergabe der aufgezeichneten Information beifähigt sind, sowie optische Platten vom Wiederbeschriftungstyp ein, wie Phasenumkehrplatten.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich, sind beispielsweise in einem Informationsaufzeichnungsmedium 1 der Erfindung eine Aufzeichnungsschicht 3 und eine metallische Schicht 4 auf einem Substrat 2 in dieser Reihenfolge ausgebildet.
Materialien, die für das oben genannte Substrat 2 in der Erfindung eingesetzt werden, sind nicht auf spezitische Materialien besonders eingeschränkt. Wenn jedoch ein Laserstrahl auf das Substrat 2 (aus der Richtung eines Pfeiles A) einfällt, sind die dafür verwendeten Materialen vorzugsweise durchsichtig. Neben anorganischen Materialien, wie Glas, Aluminium und dgl., schließen solche durchsichtigen Materialien beispielsweise organische Materialien ein, wie Poly(methylmethacrylat), Polycarbonat, Polymerlegierungen von Polycarbonat mit Polystyrol, solche statistischen Cycloolefincopolymere wie gemäß US-PS 4,614,778, solche statistischen Cycloolefincopolymere (A), wie unten genannt, Poly-4-methyl-l-penten, Epoxyharze, Polyethersulfon, Polysulfon, Polyetherimid und dgl. Unter diesen organischen Materialien sind Poly(methylmethacrylat), Polycarbonat, solche statistischen Cycloolefincopolymere ( wie gemäß US-PS 4,614,778 und die unten genannten
statistischen Cycloolefincopolymere (A) bevorzugt.
Vom Standpunkt einer guten Haftung insbesondere zur Aufzeichnungsschicht und eines kleinen Doppelbrechungsindex aus betrachtet, sind besonders erwünschte Materialien für das in der vorliegenden Erfindung verwendete Substrat statistische Cycloolefincopolymere (A) aus Ethylen und einem Cycloolefin, dargestellt durch die folyende allgemeine Formel (I), (I-a) oder (I-b).
JLW $11
••'ti]
worin η 0 oder eine ganze positive Zahl ist, R bis
12 R gleich oder verschieden sind und jeweils ein Wasserstoffatom, Halogenatom oder eine
9 12 Kohlenwasserstoffgruppe darstellen, und R bis R , wenn sie zusammengenommen werden, einen mono- oder poly-cyclischen Kohlenwasserstoffring bilden können, der gegebenenfalls eine Doppelbindung oder Doppelbindungen
9 10 11 12 aufweisen kann, oder R und R oder R und R , wenn sie zusammengenommen werden, eine Alkylidengruppe bilden können.
Eine weitere Erklärung des durch die allgemeine Formel (I) dargestellten Cycloolefins wird nachfolgend gegeben. Das durch die allgemeine Formel (I) dargestellte Cycloolefin kann auch durch die folgende allgemein Formel (I-a)
17
18
111
dargestellt werden.
In der allgemeinen Formel (I-a) ist η 0 oder 1, m 0 oder
1 18 eine ganze positive Zahl und R bis R stellen jeweils ein Atom oder eine Gruppe dar, ausgewählt aus Wasserstoff/ Halogen und einer Kohlenwasserstoffgruppe.
15 18 R bis R , falls zusammengenommen/ können einen mono- oder poly-cyclischen Kohlenwasserstoffring bilden, der gegebenenfalls eine Doppelbindung oder Doppelbindungen aufweisen kann.
•IC "If? 1*7 IQ
Ferner können R und R oder R und R , falls zusammengenommen/ eine Alkylidengruppe bilden.
R5 R6 (CH,)
12
worin ρ eine ganze Zahl von mindestens 0/ g und r jeweils 0, i oder 2 sind, R bis R jeweils ein Atom oder eine Gruppe darstellen, ausgewählt aus Wasserstoff, Halogen, einer aliphatischen Kohlenwasserstoffgruppe,
einer aromatischen Kohlenwasserstoffgruppe und einer
C C Q »T
Alkoxygruppe, und R (oder R ) und R (oder R ) direkt miteinander verbunden sein können, und zwar ohne eine Zwischengruppe oder durch eine Alkylengruppe von 1 bis 3 Kohlenstoffatomen.
Konkrete Beispiele der durch die allgemeine Formel (I) dargestellten Cycloolefine schließen 1,4,5/8-Dimethano- 1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphtha1in, wie Octahydronaphthaline wie 2-Methyl-l,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphtha1in, 2-Ethyl-l,4,5,8-dimethano-l,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2-Propyl-l,4,5,8-dimethano-l,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin,
2-Hexy1-1,4,5,8-dimethano-l,2,3,4,4a,5,8,8aoctahydronaphtha1in, 2,3-Dimethyl-l,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2-Methyl-3-Ethyl-1,4,5,8-dimethano-l,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphtha1in, 2-Chlor-l,4,5,8-dimethano-l,2,3,4,4a,5,8,8aoctahydronaphthalin, 2-Brom-l,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2-Fluor-l,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphtha1in, 2,3-
octahydronaphthalin, 2-Cyclohexyl-l,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphtha1in, 2-n-Butyl-l,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2-Isobutyl-1,4,5,8-dimethano-l,2,3,4,4a,5,8,8aoctahydronaphthalin usw. ein.
Ferner schließt das durch die allgemeine Formel (I) dargestellte Cycloolefin Bicyclo(2,2,l)hept-2-enderivate, Tetracyclo(4,4,0,1, 1 xu)-3-dodecenderivate,
Hexacyclo(6,6,l,l3·6, i10·13, o2*7, O9'14) -4-heptadecenderivate,
Octacyclo(8,8,0,l2·9, I4'7, I11'18, I13'16,
Ο3'8, 012'17)-5- docosenderivate,
10 .
^,!,!3*6, O2*7,
9 14 0 ' )-4-hexadecenderivate,
Heptacyclo-S-eicosenderivate,
Heptacyclo-S-heneicosenderivate, Tricyclo(4,3,0,l ' )-
2 5 3-decenderivate/ Tricyclo(4,3,0,1 ' )-3-undecen-
derivate, Pentacycloiö^, 1,I3*6, O2'7, 09φ13)-4-pentadecenderivate, Pentacyclopentadecadienderivate/ Pentacyclo(4,7/0/12'5 / O8'13, l9tl2)-3-pentadecenderivate, Heptacyclo (8,7,0,1 , 0 ' , I10'17, ο11*16, l12'15)-4-eicosenderivate und
o,!,!4·7, O3*8, O2*10, O12'21, 19^ 1 15-18)_5_pentacosenderivate ein.
Konkrete Beispiele dieser oben genannten Verbindungen sind nachfolgend dargestellt.
11
3107010(2,2/l)hept-2-enderivate, wie:
Bicyclo[2,2,l]hept-2-en
CH, 6-Methylbicyclo[2,2,l]hept-2-en .
CH,
CH,
5,6-Dimethylbicyclo[2,2,l]hept-2-en.
l-Methylbicyclo[2,2,l]hept-2-en
C2H5 6-Ethylbicyclo[2,2,l]hept-2-en
nC4H9 6-n-Butylbicyclo[2,2,l]hept-2-en
6-Isobutylbicyclo[2,2,l]hept-2-en
CH,
7-Methylbicyclo[2,2,l]hept-2-en ..
12
5 7 10
Tetracyclo(4,4,0,1,1 )-3-clodecenderivate, wie:
Z 40
Tetracyclo[4,4,0,l2-5,l7-10]-3-dodecen.
S.lO-Dimethyltetracyclo [4,4,0,l2-5,17-i0]-3-dodecen:
2,10-Dimethyltetracyclo-[4,4,0,l2-5,l7-10]-3-dodecen
CH3 CH,
11,12-Dimethyltetracyclo-[4,4,05l2-5,l7.i0]-3-dodecen
CH,
CH3 2,7,9-Trimethyltetracyclo-[4,4,0,l2.5,i7.i0].3.dodecen
C2H5 P-Ethyl^J-dimethyltetracyclo-[4,4,0,l2-5,l7.i0]-3-dodecen·
CH3 P-Isobutyl^J-dimethyltetracyclo-
CH2CH [4,4,0,l2-5,17.l0]-3-dodecen> CH3
9,1 l.n-Trimethyltetracyclo-[4,4,0,l2-5,l7-10]-3-dodecen
P-Ethyl-ll.^-dimethyltetracyclo-[4,4,0,l2-5,l7-10]-3-dodecen
GH3" CH3 CH3
CH2CH I CH3
iMsobutyl-ll.ll-dimethyltetracyclo· [4,4,0,l2-5,l7-10]-3-dodecen
CH,
CH,
CH3 CH3
CH,
S.S.P.lO-Tetramethyltetracyclo-[4,4,0,12.5,17.i0].3.dodecen'
8-Methyltetracyclo[4,4,0, I2.5,i7.i0].3.dodecen .
8-Ethyltetracyclo[4,4,0, l2-5,17.i0]-3-dodecen
C3H7 8-Propyltetracyclo[4,4,0,
8-Hexyltetracyclo[4,4,0, 12.5ti7.i0].3.dodecen
-18n37 8-Stearyltetracyclo[4,4,0, I2.5,i7.i0].3-dodecen.
8,9-Dimethyltetracyclo[4,4,0, CH3 l?.5ti7.i0].3.dodecen ·.
CH3 C2H5
e-Ethyl-Q-Methyltetracyclo (4,4,0, 12.5fi7.i0]_3.dodecen.
Cl 8-Chlortetracyclo C4,4,0y
Br8-Bromtetracyclo C4,4,04 I2.5,l7.i0].3.dodecen '
8-Fluortetracyclo C4.4.0,
15
C1 e.g-Dichlortetracyclo [4,4,0, Cl 12.5ti7.i0].3_dodecen'.
CH3
12.5,i7.iO].3.dodecen
CH3
rT^s^Vs 8-Butyltetracyclo[4,4,0,
8-Ethylidentetracyclo f4,4,O, '=CHCH3 12.5,17.1O].3
[4,4,0,12.5,l7.i0].3.dodecen
C2H5
8-n-Propyliden -P-ethyltetracyclo[4,4,0,l",P.iO]-3-dodecen
CH(CH3)2 8-Ethyliden -9-isopropyltetracyclo
^=CHCH3 [4,4,0,l2-s,l7-10]-3-dodecen .
8-Ethyliden ^-butyltetracyclo [4,4,0,l2-5,l7-10l-3-dodecen
I=CHCH2CH3 e-n-Propylidentetracyclo [4,4,0,l2-5,l7-10]-3-dodecen
I=CHCH2CH3 e-n-Propyliden-ii-methyltetracyclo [4,4,0,l2-5,17.i0].3-dodecen
8-Ethyliden· -9-ethyltetracyclo [4,4,0.12-5,l7-10]-3-dodecen
CH(CH3)2
=CHCH2CH3 dodecen
8-n-Propyliden -9-
0^9 8-n-Propyliden -9-butyltetracyclo
OGu,
CH,e-Isopropylidentetracyclo [4,4,0,12.5,i7.i0].3_dodecen
CH,
=C-CH3 I CH3 8-Isopropyliden -P-methyltetracyclo [4,4,0,l2-5,l7-10]-3-dodecen :
CH3 8-Isopropyliden -9-ethyltetracyclo [4t4,0,l2.5,i7.i0].3.dodecen
CH(CH3)2
=C-CH3 I CH3 8-Isopropyliden· -9-isopropyltetracyclo[4,4,0,l2-5,l7-1(>]-3· dodecen
CH, 8-Isopropyliden -9-butyltetracyclo [4,4,0,12.5,17.i0].3.dodecen
Hexacyclo(6,6,l/1 heptadecenderivate, wie 10.13 n2.7 _9.14
CH,
Hexacyclo[6,6,l,13.6,110.13,02.7,09.14]· 4-heptadecen
12-Methylhexacyclo[6,6,1,13.6, 1 i0.i3,02.7,09.i4].4_heptadecen
C2H5
12-Ethylhexacyclo[6,6,l,l3.6, Iio.i3,o2.7,o9.i4].4.heptadecen
12-Isobutylhexacyclo[6,6,l,l3.6, 1 i0.i3,02.7,09.i4]_4_heptadecen:
CH,
CH3 I
CH2CH I CH,l.ö.lO-Trimethyl-lZ-isobutylhexacyclo[6,6,l,l3.6,i 10.13,02.7,09.14]·4-heptadecen1
19
OctacyclcXS^O,!2·9, I4'7, I11'18, I13·16, O3'8, 012*17)-5-docosenderivate, wie
13.i6f03.8toi2.i7]-5.docosen.
15-Methyloctacyclo[8,8,0,l2.9,i4.7,1,11.18, 113.16,03.8,012.17].5.docosen>.
C2H51,11.18, Ii3.i6,o3.8,oi2.i7].5.docosen..;
e,!,].3'6, O2'7, Q9*14)-4-
hexadecenderivate, wie
Pentacyc!o[6,6, hexadecen
CH3 CH,
1,3-Dimethylpentacyclo[6,6,l, l3.6,02.7,09.i4].4-hexadecen
20
CH,
1,6-Dimethylpentacyclo[6,6,1, 13.6,02.7,09.14]- 4-hexadeceiv
15,16-Dimethylpentacyclo[6,6,l,
Heptacyclo-S-eicosenderivate oder Heptacyclo-S-heneicosenderivate, wie:
03.8,oi2.i6].5.:eicosen
Heptac.yclo[8,8,0,l2-9,l4.7(iii.i8, 03.8,oi2.i7]-5-heneicosen
2 5 Tricyclo(4/3/0,l * )-3-decenderiate, wie:
Tricyclo[4,3,0,12·5] -3 -decen
21
2-Methyltricyclo [4,3,0,12.5]-3-decen.
5-Methyltricyclo decen-'.
2 5 Tricyclo(4,4,0/1 ' )-3-undecenderivate, wie:
Tricyclo[4,4,0,l2-5]-3-undecen.
CH,
10-Methyl-tricyclo[4A0,l2·5] 3-undecen .
/S,!,!3'6, O2'7, 09*13)-4-pentadecen-
derivate, wie:
O2.7to9-13]-4-pentadecen
CH3 CH3
1,3 -Dimethylpentacyclo[6,5,1,13·6, 02.7fQ<U3]-4-pentadecen
CH,
1,6-Dimethylpentacyclo[6,5,1,13·6, O2.7fo9.i3]-4-pentadecen·
14,15-Dimethylpentacyclo[6,5,l,l3·6, O2.7fo9.i3]-4-pentadecen· .
Dienverbindungen, wie:
O Ί
Pentacyclo[6,5,l,l3·6» O2.7fo9.i3]-4,lO-pentadecadien
Ao
^O,].2·5, O8*13, 19*12)-3-
pentadecenderivate/ wie:
pentadecen-
JbM 211
.. . _.._ί^/ο τ η λ3·6 η2 · 7 ι χθ · 17 -11.16
Heptacyclo(8/7,O,1 ,0,1 ,0 ,
15 ' )-4-eicosenderivate, wie
40 Λ%
AH Heptacyclo[8,7,0,l3.6,02.7,iio.i7t 0»i.i«fl12-15]-4-eicosen
CH3 CH3
Dimethyl-substituiertes Heptacyclo
eicosen
Nonacyclo(10,9,l,l4·7, O3'8, O2'10, O12*21, ^2.20t 014.19^ 115.18)^5_ pentacosenäerivate/ wie:
113.20,014.19, ii5.i8]-5-pentacosen
Trimethylsubstituiertes
014.19,115.i8]-5-pentacosen
zn
24
Die folgenden Verbindungen können als konkrete Beispiele der durch die Formel (I-b) dargestellten Cycloolefine genannt werden.
5-Phenylbicyclo[2,2,l]hept-2-en
C H
5-Methyl-5-phenylbicyclo(2,2,1) hept-2-en
C H2
5-Benzylbicyclo[2,2,l]hept-2-en
5-Tölylbicyclo , (2,2, l]hept-2-en
1,4-Methano-l, la,4,4atetrahydrofluoren
1, 4-Methano-l, 4,4a,5,10,10ahexahydroanthracen
Cyclopentadienacenaphthylen- *dditionsprodukte
AO A5-(a-Naphthyl)bicyclo[2,2,i!I&ept-2-en
Die statistischen Cycloolefincopolymere (A) umfassen Ethyleneinheiten und die oben genannten Cycloolefineinheiten als wesentliche Komponenten, jedoch können die genannten Copolymere, falls notwendig, zusätzlich zu diesen zwei wesentlichen Komponenten weitere copolymerisierbare ungesättigte Monomerkomponenten enthalten, solange sie die Verwirklichung der Ziele der vorliegenden Erfindung nicht behindern. Die ungesättigten Monomere, die mit den CopoJymeren (A), falls notwendig, copolymerisiert werden, können beispielsweise alpha-Olefine mit 3 bis 20 Kohlenstoffatomen einschließen, wie Propylen, 1-Buten, 4-Methyl-l-penten, 1-Hexen, 1-Octen, 1-Decen, 1-Dodecen, 1-Tetradecen, 1-Hexadecen, 1-Octadecen und 1-Eicosen, welche bis zur equimolaren Menge der Ethylenkomponente im resultierenden statistischen Copolymer eingesetzt werden können.
Im statistischen Cycloolefincopolymer (A) mit einem Erweichungspunkt (TMA) von mindestens 700C sind die wiederkehrenden Einheiten (a) aus Ethylen in einer Menge von 40 bis 85 Mol-Prozent, vorzugsweise von 50 bis Mol-Prozent, vorhanden, während die wiederkehrenden Einheiten (b) aus dem Cycloolefin in einer Menge von bis 60 Mol-Prozent, vorzugsweise von 25 bis 50 Mol-Prozent, vorhanden sind, und diese wiederkehrenden Einheiten (a) und (b) sind in der im wesentlichen linearen Kette des Copolymers (A) statistisch angeordnet. Der molare Prozentgehalt der wiederkehrenden Einheiten (a) und
13 (b) wurde durch C-NMR bestimmt. Die Tatsache, daß dieses statistische Cycloolefincopolymer (A) bei 135°C in Decalin vollkommen löslich ist, belegt, daß es im wesentlichen linear aufgebaut und frei von einer gelbildenden vernetzten Struktur ist.
Das statistische Cycloolefincopolymer (A) hat eine
intrinsische Viskosität (eta) von 0,05 bis 10 dl/g,
vorzugsweise von 0,08 bis 5 dl/g, gemessen in Decalin bei 135°C.
Die Erweichungstemperatur (TMA) des statistischen Cycloolefincopolymers (A), gemessen mit einem thermisch-mechanischen Analysegerät, beträgt mindestens 700C, vorzugsweise 90 bis 2500C, und weiter bevorzugt 100 bis 2000C. Die oben genannte Erweichungstemperatur (TMA) wurde durch Aufzeichnung des thermischen Deformationsverhaltens eines Plättchens des Copolymers (A) von 1 mm mittels eines thermomechanischen Analysegerätes von Du Pont bestimmt. Insbesondere wurde eine Quarznadel senkrecht auf dem Plättchen unter einer Last von 49 g angeordnet und das ganze mit einer Geschwindigkeit von 5°C/min erwärmt:. Die Temperatur, bei welcher die Nadel in das Plättchen mit einer Tiefe von 0,635 mm eindrang, wurde als TMA genommen. Das statistische Cycloolefincopolymer (A) hat eine Glasübergangstemperatur (Tg) von normalerweise 50 bis 2300C, vorzugsweise 70 bis 2100C.
Die Kristallinität des statistischen Cycloolefincopolymers (A), gemessen durch Röntgenstrahlbeugung, beträgt normalerweise 0 bis 10%, vorzugsweise 0 bis 7% und weiter bevorzugt 0 bis 5%.
Die Cycloolefincopolymere (A), die die erfindungsgemäß verwendete statistische
Cycloolefincopolymerzusammensetzung für das Substrat bilden, können alle durch die Verfahren hergestellt werden, welche von den hier auftretenden Erfindern in JP-OS'en 168708/1985, 120816/1986, 115912/1986 und 115916/1986, 252406/1987, 252407/1987, 271308/1986 und
28
272216/1986 vorgeschlagen wurden, wobei man die Bedingungen in geeigneter Weise auswählt.
Ferner kann in der vorliegenden Erfindung als Substratmaterial ebenfalls eine statistische Cycloolefincopolymerzusammensetzung aus einem statistischen Cycloolefincopolymer (A), hergestellt durch Copolymerisation von Ethylen mit einem durch die folgende Formel (I), (I-a) oder (I-b) dargestellten Cycloolefin und mit einer intrinsischen Viskosität (eta) von 0,05 bis dl/g, gemessen in Decalin bei 135°C, und einer Erweichungstemperatur (TMA) von mindestens 700C, sowie aus einem statistischen Cycloolefincopolymer (B), hergestellt durch Copolymerisation von Ethylen mit einem durch die Formel (I), (I-a) oder (I-b) dargestellten Cycloolefin und mit einer intrinsischen Viskosität (eta) von 0,05 bis dl/g, gemessen in Decalin bei 135°C, und einer Erweichungstemperatur (TMA) von weniger als 700C, verwendet werden.
Ferner kann das Substrat der magneto-optischen Aufzeichnungmedien gemäß der Erfindung aus Polymeren mit wiederkehrenden Einheiten der allgemeinen Formel (III), die aus Ringöffnung der Cykloolefinmonomere (I) resultieren, oder aus Polymeren mit wiederkehrenden Einheiten der allgemeinen Formel (IV), die aus der Hydrierung der Einheiten (III) resultieren, hergestellt sein.
••[Ill]
•••[iv]
In der allgemeinen Formel (III) oder (IV) sind η und R
12 bis R wie in der allgemeinen Formel (I) definiert.
Die Dicke des Substrats, obwohl nicht besonders darauf eingeschränkt, beträgt vorzugsweise 0,5 bis 5 mm und insbesondere 1 bis 2 mm.
In der vorliegenden Erfindung sind die Materialien für die Aufzeichnungsschicht 3 nicht besonders auf spezifische Materialien eingeschränkt. Wenn jedoch die verwendete Aufzeichnungsschicht 3 eine magneto-optische Aufzeichnungsschicht mit einer monoaxialen Anisotropie, senkrecht zur Schichtoberfläche, ist, setzt sich diese Aufzeichnungsschicht 3 vorzugsweise aus mindestens einem
Metall, ausgewählt aus (i) 3d-Übergangsmetallen, und mindestens einem Element, ausgewählt aus (iii) seltenen Erdelementen, oder aus mindestens einem Element, ausgewählt aus (i) 3d-Übergangsmetallen, (ii) einem korrosionsbeständigen Metall und mindestens einem Element, ausgewählt aus (iii) seltenen Erdelementen, zusammen.
Die verwendeten 3d-Übergangsmetalle schließen Fe, Co, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu und Zn ein. Von diesen Metallen sind Fe oder Co oder beide bevorzugt.
Das korrosionsbeständige Metall (ii) ist dazu befähigt, die Oxidationsbeständigkeit dieser als Aufzeichnungsschicht 3 vorliegenden magneto-optischen Aufzeichnungsschicht durch Einlagerung des genannten korrosionsbeständigen Metalls in diese Aufzeichnungsschicht 3 zu verbessern. Das verwendete korrosionsbeständige Metall schließt Pt, Pd, Ti, Zr, Ta, Mo, Nb und Hf ein. Von diesen Metallen sind Pt, Pd und Ti und insbesondere Pt oder Pd oder beide bevorzugt.
Die verwendeten seltenen Erdelemente (iii) schließen z.B. Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm und Eu ein. Von diesen Elementen sind Gd, Tb, Dy, Ho, Nd, Sm und Pr bevorzugt.
Die oben genannte magneto-optische Aufzeichnungsschicht enthält das 3d-Übergangsmetall (i) erwünschterweise in einer Menge von 30 bis 85 Atom-Prozent, vorzugsweise 40 bis·70 Atom-Prozent, das korrosionsbeständige Metall (ii) in einer Menge von weniger als 30 Atom-Prozent, vorzugsweise 5 bis 25 Atom-Prozent, und das seltene Erdelement (iii) in einer Menge von 5 bis 50 Atom-Prozent, vorzugsweise 25 bis 45 Atom-Prozent.
Wenn die verwendete Aufzeichnungsschicht 3 eine andere als die magneto-optische Aufzeichnungsschicht, z.B. eine Aufzeichnungsschicht vom Phasenumkehrtyp ist, ist diese Aufzeichnungsschicht 3 aus einem solchen Legierungsfilm zusammengesetzt wie z.B. aus im wesentlichen Te oder Se und aus einem Te-Ge-Sb-Legierungsfilm, In-Sb-Te-Legierungsfilm, Te-Ge-Cr-Legierungsfiim oder Te-Ge-Zn-Legierungsfilm. Ferner kann ein organischer Farbstoffilm aus Polymethinverbindungen oder Cyaninverbindungen als Aufzeichnungsschicht vom Phasenumkehrtyp ebenfalls verwendet werden.
Die Dicke der Aufzeichnungsschicht 3, obwohl nicht
ο besonders darauf eingeschränkt, beträgt 50 bis 5000 A, vorzugsweise 100 bis 2000 A.
In dem ersten Informationsaufzeichnungsmedium dev vorliegenden Erfindung ist die metallische Schicht aus einer Aluminiumlegierung gebildet, enthaltend 0,1 bis 9,5 Atom-Prozent, vorzugsweise 1 bis 5 Atom-Prozent, Titan und 0,1 bis 5 Atom-Prozent, vorzugsweise 1 bis 3 Atom-Prozent, Chrom, bezogen auf alle die Aluminiumlegierungsschicht bildenden Atome.
In dieser Aluminiumlegierung beträgt der vereinigte Gehalt an Titan und Chrom erwünschterweise nicht mehr als 10 Atom-Prozent. Die metallische Schicht des ersten Informationsaufzeichnungsmediurns der Erfindung kann kleine Mengen mindestens eines anderen Elements (Metalls) zusätzlich zum oben genannten Aluminium, Titan und Chrom enthalten. Dieses andere Element (Metall) schließt z.B. Silizium (Si), Tantal (Ta), Kupfer (Cu), Wolfram (W), Zirkon (Zr), Mangan (Mn), Vanadin (V) und Niob (Nb) ein. Die Menge des anderen, in der metallischen Schicht
enthaltenen Elements (Metalls) beträgt, falls vorhanden, gewöhnlich nicht mehr als 5 Atom-Prozent, vorzugsweise nicht mehr als 2 Atom-Prozent.
Im zweiten Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung ist die metallische Schicht aus einer Aluminiumlegierung gebildet, enthaltend 0,5 bis 5 Atom-Prozent, vorzugsweise 1 bis 3 Atom-Prozent, Titan und 0,5 bis 5 Atom-Prozent, vorzugsweise 1 bis 3 Atom-Prozent, Niob (Nb), bezogen auf alle die Aluminiumlegierungsschicht bildenden Atome.
In dieser Aluminiumlegierung beträgt der vereinigte Gehalt an Titan und Niob erwünschterweise 1 bis 5,5 Atom-Prozent, vorzugsweise 2 bis 4 Atom-Prozent. Diese metallische Schicht des zweiten Informationsaufzeichnungsmediums kann kleine Mengen mindestens eines anderen Elements (Metalls) zusätzlich zum oben genannten Aluminium, Titan und Niob enthalten. Dieses andere Element (Metall) schließt z.B. Silizium (Si), Tantal (Ta), Kupfer (Cu),Wolfram (W), Zirkon (Zr), Mangan (Mn), Magnesium (Mg), Vanadin (V) und Chrom (Cr) ein. Die Menge des anderen, in der metallischen Schicht, enthaltenen Elements (Metalls) beträgt, falls vorhanden, gewöhnlich nicht mehr als 5 Atom-Prozent, vorzugsweise nicht mehr als 2 Atom-Prozent.
In dem dritten Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung ist die metallische Schicht aus einer Aluminiumlegierung gebildet, enthaltend 0,1 bis 10 Atom-Prozent, vorzugsweise 1 bis 5 Atom-Prozent, Titan und 0,1 bis 10 Atom-Prozent, vorzugsweise 1 bis 5 Atom-Prozent, Magnesium, bezogen auf alle die Aluminiumlegierungschicht bildenden Atome.
In dieser Aluminiumlegierung beträgt der vereinigte Gehalt
an Titan und Magnesium erwünschterweise nicht mehr als Atom-Prozent/ vorzugsweise 1 bis 10 Atom-Prozent.
• Die oben genannte metallische Schicht des dritten Informationsaufzeichnungsmediums der Erfindung kann kleine Mengen mindestens eines anderen Elements (Metalls) zusätzlich zum oben genannten Aluminium, Titan und Magnesium enthalten. Dieses andere Element (Metall) schließt z.B. Silizium (Si), Tantal (Ta), Kupfer (Cu), Wolfram (W), Zirkon (Zr), Mangan (Mn) und Vanadin (V) ein. Die Menge des anderen in der metallischen Schicht vorhandenen Elements (Metalls) beträgt, falls vorhanden, gewöhnlich nicht mehr als 5 Atom-Prozent, vorzugsweise nicht mehr als 2 Atom-Prozent.
Diese metallische Schichten weisen eine Filmdicke von bis 5000 A, vorzugsweise 500 bis 3000 A und insbesondere von 700 bis 2000 A auf.
Die in der vorliegenden Erfindung verwendeten metallischen Schichten erfüllen ihre Funktion als gute wärmeleitende Schichten, und in der Gegenwart dieser metallischen Schichten kann verhindert werden, daß der Zentralbereich der kleinen Grübchen, die in den Aufzeichnungsschichten ausgebildet sind, durch die Einwirkung des darauf angewandten Aufzeichnungslaserstrahls übermäßig auf eine hohe Temperatur erhitzt wird. Im Ergebnis wird die Abhängigkeit der Informationsaufzeichnungsmedien der Erfindung von der linearen Geschwindigkeit klein gemacht.
Die metallischen Schichten der Erfindung, die auch eine ausgezeichnete Kollisionsbeständigkeit aufweisen, sind dadurch gekennzeichnet, daß die Abhängigkeit der Informationsaufzeichnungsmedien von der linearen Geschwindigkeit klein ist, sogar nach Einsatz über einen langen Zeitraum, und daß die metallischen Schichten die Aufzeichnungsschichten ausgezeichnet schützen.
Die in Fig. 1 gezeigte Struktur der Informationsaufzeichnungsmedien der Erfindung ist lediglich als Verdeutlichung, jedoch nicht zur Einschränkung angegeben. Beispielsweise können sie hergestellt werden, indem man einen Schutzfilm (weiterer Film) 5 auf dem vorgenannten Substrat 2 und dann ferner die Aufzeichnungsschicht 3 und die metallische Schicht 4 in dieser Reihenfolge vorsieht. Der Schutzfilm (weiterer Film) 5 ist erwünschterweise aus Si3N4, SiN (0 kleiner χ kleiner 4/3), AlN, ZnSe, ZnS, Si oder CdS gebildet, obwohl nicht darauf eingeschränkt. Die Dicke dieses Schutzfilms beträgt 100 bis 2000 A, vorzugsweise 300 bis 1500 A. Von diesen zur Bildung des Schutzfilms verwendeten Materialien sind insbesondere Si3N. und SiN (0 kleiner χ kleiner 4/3) bevorzugt, vom Standpunkt
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der Bruchbeständigkeit aus betrachtet.
Die Funktion des Schutzfilms besteht darin, die Aufzeichnungsschicht zu schützen, und gleichzeitig wird durch ihn die Empfindlichkeit des Informationsaufzeichnungsmediums gesteigert, und er dient als ein weiterer Film. Ein solcher Schutzfilm weist erwünschterweise einen Brechungsindex auf, der größer als derjenige des Substrats ist.
Die Informationsaufzeichnungsmedien der vorliegenden Erfindung können hergestellt werden, indem man auf dem Substrat die Aufzeichnungsschicht und die metallische Schicht, und, falls notwendig, die Schutzschicht ausbildet, und zwar unter Anwendung solcher Filmbildungsverfahren wie z.B. VakuumabscheitTung, Spritzen, Elektronenstrahlabscheidung und dgl.
Die Informationsaufzeichnungsmedien der vorliegenden Erfindung mit der metallischen Schicht aus einer Aluminiumlegierung, enthaltend (i) Titan und (ii) mindestens ein Metall ausgewählt aus Chrom, Niob und Magnesium, wie vorstehend verdeutlicht, zeichnen sich durch Korrosionsbeständigkeit, geringe Abhängigkeit des Aufzeichnungsvermögens von der linearen Geschwindigkeit sowie hervorragenden Schutz der Aufzeichnungsschicht aus.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend unter Bezug auf die Beispiele erläutert, es sollte jedoch klargestellt sein, daß die Erfindung in keiner Weise auf diese Beispiele beschränkt ist.
Der in den folgenden Beispielen benutzte Begriff "optimales Aufzeichnungsvermögen" bezeichnet ein
Aufzeichnungsvermögen, mit welchem Schriftsignale bei einer Frequenz von 1 MHz und einem Leistungsfaktor von 50% aufgezeichnet werden und welches mindestens die sekundären Harmonien von aus den aufgezeichneten Signalen wiedergegebenen Signalen erzeugt. Aufzeichnungsmedien zeigen einen geringeren Grad der Abhängigkeit von der linearen Geschwindigkeit, wenn die Informationsaufzeichnungsmedien einen geringeren Unterschied der optimalen Aufzeichnungsvermögen aufweisen, welche bei unterschiedlichen linearen Geschwindigkeiten bestimmt werden.
Nachfolgend wurde die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht als erstes durch die folgende Vorgehensweise geprüft.
Auf ein Glassubstrat wurde eine metallische Schicht in einer Dicke von 1000 A aus einer Aluminium-Titan-Chrom-Legierung durch das Spritzverfahren unter Verwendung eines Komposittargets aus Aluminium-Titan-Chrom abgeschieden. Die Titan- und Chromgehalte in der so erhaltenen, die metallische Schicht bildenden Aluminiumlegierung betrugen jeweils 2 Atom-Prozent. Diese metallische Schicht wurde vier Stunden lang bei 600C in eine wässrige Lösung mit Gewichtsprozent Natriumchlorid getaucht, wodurch die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht durch Messung der Änderung der Reflexion der metallischen Schicht und des Oberflächenprofils der metallischen Schicht nach vierstündigem Eintauchen bewertete wurde.
Es wurde keine Änderung der Reflexion der metallischen Schicht vor und nach dem Eintauchen der metallischen
Schicht in die wässrige Natriumchloridlösung beobachtet. Die Anzahl an kleinen Löchern, die in der metallischen Schicht nach dem Eintauchen beobachtet wurden, betrug nicht mehr als 50 Stück (es waren 40 Stück) pro Einheitsfläche der metallischen Schicht (5 cm χ 5 cm).
Auf ein Scheibensubstrat aus einem amorphen Copolymer aus Ethylen mit l,A,5,B-Himet\\Bno~l,2,3,A,AB.,5,Z,^^- octahydronaphthalin (Strukturformel: nachfolgend abgekürzt als DMON), wobei das amorphe Copolymer 59 Mol-Prozent Gehalt an Ethyleneinheiten, bestimmt durch NMR-Analyse, eine intrinsische Viskosität (eta) von 0,42 dl/g, gemessen in Decalin bei 135°C, und eine Erweichungstemperatur (TMA) von 1540C aufwies, wurden aufeinanderfolgend ein Schutzfilm aus Si3N4 auf eine Dicke von 1000 A und eine Aufzeichnungsschicht aus Pt10Tb29Fe55Co6 (Atom-Prozent) auf eine Dicke von 500 A durch das Spritzverfahren und darauf eine metallische Schicht aus
ο einer AI-Cr-Ti-Legierung (700 A Filmdicke) durch das Spritzverfahren unter Verwendung eines Komposittargets aus Al-Cr-Ti abgeschieden. In dem so erhaltenen, die metallische Schicht bildende Aluminium betrugen der Cr-Gehalt 2 Atom-Prozent und der Ti-Gehalt 2 Atom-Prozent.
Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde für ca. 720 Stunden unter den Bedingungen von 8O0C und einer relativen Feuchtigkeit von 85 Prozent gehalten, wodurch die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht durch Messung der Reflexionsänderung des genannten Informationsaufzeichnungsmediums bewertet wurde.
Es wurde keine Änderung der Reflexion des Informationsaufzeichnungsmediums vor und nach dem Halten des Informationsaufzeichnungsmediums unter den Bedingungen von 800C und einer relativen Feuchtigkeit von 85 Prozent beobachtet.
Auf ein Scheibensubstrat aus einem amorphen Copolymer aus Ethylen mit 1,4,5,8-Dimethano-l,2,3,4,4a,5,8,8aoctahydronaphthalin (Strukturformel: nachfolgend abgekürzt als DMON), wobei das amorphe Copolymer 59 Mol-Prozent an Ethyleneinheiten, bestimmt durch NMR-Analyse, eine intrinsische Viskosität (eta) von 0,42 dl/g, gemessen in Decalin bei 135°C, und eine Erweichungstemperatur (TMA) von 540C aufwies, wurden aufeinanderfolgend ein Schutzfilm aus Si-N. auf eine Dicke von 1100 A und eine Aufzeichnungsschicht aus Pt10Tb29Fe55Co6 (AtOTi-Prozent) auf eine Dicke von 260 A durch das Spritzverfahren und darauf eine metallische Schicht aus einer Al-Cr-Ti-Legierung (500 A Filmdicke) durch das Spritzverfahren unter Verwendung eines Komposittargets aus Al-Cr-Ti abgeschieden. Im so erhaltenen, die metallische Schicht bildenden Aluminium betrugen der Cr-Gehalt 2 Atom-Prozent und der Ti-Gehalt 2 Atom-Prozent.
Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde für ca. 720 Stunden unter den Bedingungen von 8O0C und einer relativen Feuchte von 85 Prozent gehalten, wodurch die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht durch Messung der Reflexionsänderung des genannten Informationsaufzeichnungsmediums bewertet wurde.
Es wurde keine Änderung der Reflexion des Informationsaufzeichnungsmediums vor und nach dem Halten des Informationsaufzeichnungsmediums unter den Bedingungen von 800C und einer relativen Feuchtigkeit von 85 Prozent beobachtet.
Das optimale Aufzeichnungsvermögen dieses Informationsaufzeichnungsmediums betrug bei einer linearen Geschwindigkeit von 5,7 m/sec 3,5 mW und bei einer linearen Geschwindigkeit von 11,3 m/sec 5,1 mW.
Auf einem Glassubstrat wurde eine metallische Schicht aus
o einer Aluminiumlegierung mit einer Filmdicke von 1000 A durch das Spritzverfahren unter Verwendung eines Komposittargets aus Aluminium-Chrom gebildet.
Der Chromgehalt der so gebildeten metallischen Schicht betrug 2 Atom-Prozent.
Diese metallische Schicht wurde 4 Stunden lang bei 600C in eine wässrige Lösung mit 10 Gewichtsprozent Natriumchlorid getaucht.
Nach vierstündigem Eintauchen der metallischen Schicht wurden Änderungen der Reflexion und des Oberflächenprofils der metallischen Schicht gemessen.
Die Reflexion der auf diese Weise eingetauchten metallischen Schicht sank um ca. 2 Prozent.
Die Anzahl der auf der metallischen Schicht beobachteten kleinen Löcher betrug ca. 70 Stück pro Einheitsfläche (5 cm χ 5 cm).
Λ9 211
Eine metallische Schicht mit 4 Atom-Prozent Chrom wurde in derselben Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 erhalten, jedoch unter Verwendung eines Komposittargets aus einer Aluminium-Chrom-Legierung, die sich bezüglich.der Zusammensetzung von dem in Vergleichsbeispiel 1 verwendeten Komposittarget unterschied.
Diese metallische Schicht wurde in derselben Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 in die wässrige Natriumchloridlösung getaucht, worauf Änderungen der Reflexion und des Oberflächenprofils der auf diese Weise eingetauchten metallischen Schicht gemessen wurden.
Es wurde keine Änderung der Reflexion der metallischen Schicht vor und nach dem Eintauchen der metallischen Schicht in die Natriumchloridlösung beobachtet, und die Anzahl der auf der metallischen Schicht nach ihrem Eintauchen beobachteten kleinen Löcher betrug ca. 70 Stück pro Einheitsfläche (5 cm χ 5 cm).
Eine metallische Schicht wurde in derselben Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 erhalten, jedoch unter Verwendung eines Komposittargets aus Aluminium-Titan anstatt des Komposittargets aus Aluminium-Chrom.
Der Titangehalt der so erhaltenen metallischen Schicht betrug 2 Atom-Prozent.
Diese metallische Schicht wurde in derselben Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 in die wässrige Natriumchloridlösung
getaucht, worauf Änderungen der Reflexion und des Oberflächenprofils der auf diese Weise eingetauchten metallischen Schicht gemessen wurden.
Die Reflexion der so eingetauchten metallischen Schicht sank um ca. 8 Prozent.
Die Anzahl der auf der metallischen Schicht beobachteten kleinen Löcher betrug 51 Stück pro Einheitsiläche (5 cm χ 5 cm).
Eine metallische Schicht mit 4 Atom-Prozent Titan wurde in derselben Weise wie in Vergleichsbeispiel 3 erhalten, jedoch unter Verwendung eines Komposittargets aus einer Aluminium-Titan-Legierung, die sich bezüglich der Zusammensetzung von dem in Vergleichsbeispiel 3 verwendeten Komposittarget unterschied.
Die metallische Schicht wurde in derselben Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 in die wässrige Natriumchloridlösung getaucht, worauf Änderungen der Reflexion und des Oberflächenprofils der metallischen Schicht nach ihrem Eintauchen gemessen wurden.
Die Reflexion der so eingetauchten metallischen Schicht sank um ca. 2 Prozent.
Mehr als 115 Stück kleine Löcher wurden auf der Oberfläche der so eingetauchten metallischen Schicht gefunden.
811
Auf einem Glassubstrat wurde eine metallische Schicht aus einer Aluminium-Titan-Niob-Legierung durch das Spritzverfahren unter Verwendung eines Komposittargets aus Aluminium (Al)-Titan (Ti)-Niob (Nb) mit einer Filmdicke
ο von 1100 A gebildet. In dieser Aluminiumlegierung betrugen der Gehalt an Ti 1,5 Atom-Prozent und derjenige von Nb 1,5 Atom-Prozent.
Diese metallische Schicht wurde 4 Stunden lang bei 600C in eine Salzlösung mit 10 Gewichtsprozent NaCl getaucht, wodurch die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht durch Messung der Änderungen der Reflexion und des Oberflächenprofils der metallischen Schicht nach ihrem vierstündigen Eintauchen bewertet wurde. Das Ergebnis war, daß keine Änderung der Reflexion der metallischen Schicht vor und nach ihrem Eintauchen festgestellt wurde.
Die Anzahl der auf der Oberfläche der metallischen Schicht nach ihrem Eintauchen beobachteten kleinen Löcher betrug nicht mehr als 40 Stück (38 Stück) pro Einheitsfläche (5cm χ 5 cm).
Auf ein wie in Beispiel 2 verwendetes Substrat wurden aufeinanderfolgend durch das Spritzverfahren ein Schutzfilm (1000 A Filmdicke) aus Si0N7, und eine
Q al
Aufzeichnungsschicht (500 A Filmdicke) aus
Pt,_TbonFeccCoc und darauf eine metallische 1U Z9 Db 0 ο
Schicht (700 A Filmdicke) aus einer Al-Ti-Nb-Legierung durch das Spritzverfahren unter Verwendung eines Komposittargets aus Al-Ti-Nb abgeschieden. In der so
erhaltenen Al-Legierung (Schicht), de die metallische Schicht bildete, betrugen der Ti-Gehalt 2 Atom-Prozent und der Nb-Gehalt 2 Atom-Prozent.
Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde für ca. 720 Stunden unter den Bedingungen von 80°C und einer relativen Feuchtigkeit von 85 Prozent gehalten, wodurch die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht durch Messung der Änderung der Reflexion des Informationsaufzeichnungsmediums bewertet wurde.
Es wurde keine Änderung der Reflexion des Informaticnsaufzeichnungsmediums vor und nach dem Halten der metallischen Schicht unter der Bedingung von 800C und einer relativen Feuchtigkeit von 85 Prozent beobachtet.
Auf einem wie in Beispiel 2 verwendeten Substrat wurden aufeinanderfolgend durch das Spritzverfahren ein Schutzfilm (1100 A Filmdicke) aus Si-N. und eine
ο "3^ Aufzeichnungsschicht (260 A Filmdicke) aus Pt1nTb00Fe-CCo-. und darauf eine metallische Schicht (500 A Filmdicke) aus einer Al-Ti-Nb-Legierung durch das Spritzverfahren unter Verwendung eines Composittargets aus Al-Ti-Nb abgeschieden. In der so erhaltenen Al-Legierung (Schicht), die die metallische Schicht bildete, betrugen der Ti-Gehalt 2 Afcom-Prozent und der Nb-Gehalt 2 Atom-Prozent.
Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde für ca. 720 Stunden unter den Bedingungen von 800C und einer Luftfeuchtigkeit von 85 Prozent gehalten, wodurch die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht durch
Messung der Änderung der Reflexion des Informationsaufzeichnungsmedium« bewertet wurde.
Es wurde keine Änderung der Reflexion des Informätionsaufzeichnungsmediums vor und nach dem Halten der metallischen Schicht unter der Bedingung von 800C und einer relativen Feuchtigkeit von 85 Prozent beobachtet.
Das optimale Aufzeichnungsvermögen dieses Informationsaufzeichnungsmediums betrug bei einer linearen Geschwindigkeit von 5,7 m/sec 3,6 mW und bei einer linearen Geschwindigkeit von 11,3 m/sec 5,5 mW.
Auf einem Glassubstrat wurde eine metallische Schicht (1000 A Filmdicke) aus einer Aluminium-Titan-Magnesium-Legierung durch das Spritzverfahren unter Verwendung eines Composittargets aus Aluminium (Al)-Titan (Ti)-Magnesium (Mg) gebildet. Der Gehalt an Ti betrug 2,0 Atom-Prozent und derjenige von Mg 4,0 Atom-Prozent.
Diese metallische Schicht wurde 4 Stunden lang bei 600C in eine Salzlösung mit 10 Gewichtsprozent NaCl getaucht, wodurch die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht durch Messung der Änderungen der Reflexion und des Oberflächenprofils der metallischen Schicht bewertet wurde. Das Ergebnis war, daß kei-4e Änderung der Reflexion vor und nach dem Eintauchen festgestellt wurden.
Die Anzahl der auf der Oberfläche der so eingetauchten metallischen Schicht beobachteten kleinen Löcher betrug nicht mehr als 30 Stück (27 Stück) pro Einheitsfläche von
S11
5 cm x 5 cm
Vergleichsbeispiel 5
Auf einem Glassubstrat wurde eine metallische Schicht
ο (1000 A Filmdicke) aus einer Aluminium-Magnesium-Legierung durch das Spritzverfahren unter Verwendung eines Composittargets aus Aluminium-Magnesium gebildet. Der Gehalt an Magnesium in der so erhaltenen metallischen Schicht betrut 5 Atom-Prozent.
Diese metallische Schicht wurde 4 Stunden lang bei 6O0C in eine wässrige Lösung mit 10 Gewichtsprozent Natriumchlorid getaucht.
Nach vierstündigem Eintauchen wurden die Veränderungen der Reflexion und das Oberflächenprofil der Metallschicht gemessen.
Die Reflexion der so eingetauchten metallischen Schicht sank um ca. 2 Prozent.
Die Anzahl der auf der Oberfläche der so eingetauchten metallischen Schicht beobachteten kleinen Löcher betrug ca. 70 Stück pro Einheitsfläche (5 cm χ 5 cm).
Auf ein Scheibensubstrat aus einem amorphen Copolymer aus Ethylen mit l,4/5/8-Dimethano-l,2/3,4/4a;5/8/8aoctahydronaphthalin (Strukturformel:
nachfolgend abgekürzt mit DMON), wobei das amorphe Copolymer 59 Mol-Prozent Gehalt an Ethyleneinheiten, bestimmt durch NMR-Analyse, eine
intrinsische Viskosität (eta) von 0,42 dl/g, gemessen in Decalin bei 135°C, und eine Erweichungstemperatur (TMA) von 154°C aufwies, wurden aufeinanderfolgend ein Schutzfilm aus Si3N4 auf eine Dicke von 1100 A und eine Aufzeichnungssicht aus Pt10Tb3QFe55Co6 (Atom-Prozent) auf eine Dicke von 260 A durch das Spritzverfahren und darauf eine metallische Schicht aus einer Al-Mg-Ti-Legierung (800 A Filmdicke) durch das Spritzverfahren unter Verwendung eines Composittargets aus Al-Mg-Ti abgeschieden. In dem so erhaltenen Aluminium, das die metallische Schicht bildete, betrugen der Mg-Gehalt 4 Atom-Prozent und der Ti-Gethalt 2 Atom-Prozent.
Das optimale Aufzeichnungsvermögen dieser InformationsaufZeichnungsschicht betrug bei einer linearen Geschwindigkeit von 5,7 m/sec 4,5 mW und bei einer linearen Geschwindigkeit von 11,3 m/sec 6,0 mW.
Spritzverfahren unter Verwendung eines Komposittargets aus Al-Mg-Ti-Cr abgeschieden. In dem so erhaltenen Aluminium, das die metallische Schicht bildete, betrugen der Mg-Gehalt 4 Atom-Prozent, der Cr-Gehalt 2 Atom-Prozent und der Ti-Gehalt 1 Atom-Prozent.
Das optimale Aufzeichnungsvermogen dieses Informationsaufzeichnungsmediums betrug bei einer linearen Geschwindigkeit von 5,7 m/sec 4,0 mW und bei einer linearen Geschwindigkeit von 11,3 m/sec 5,7 mW.
Claims (4)
- 51 592 ns/jrMITSUI PETROCHEMICAL IiDUSTlIEE9 LTD.Xo A Jiü L·BMOlS=, JLUMTITlIf (R>T1Il Jt IUItM 1*ist1 bis 9,Tl IK'S itsffTRi H ίΓή ^ Tl 11 TTfHl H fSäfTfl *i1 (Si) Tf Tl Tl Tfil (Til lWi Tl Il (o fSiTTfi (mI iS^TTildarauf @inmit ©in@im Substrat umddie ÄlumiimiuiralegierwEcj bilfleaäeini Atoime, wobei3. Informationsaufzeichnungsmedium mit einem Substrat und darauf einer Aufzeichnungsschicht und einer metallischen Schicht,dadurch gekennzeichnet, daßdie metallische Schicht aus einer Aluminiumlegierung zusammengesetzt ist, enthaltend 0,1 bis 10 Atom-Prozent Titan und 0,1 bis 10 Atom-Prozent Magnesium, bezogen auf alle, die Aluminiumlegierung bildenden Atome, wobei der vereinigte Gehalt an Titan und Magnesium nicht mehr als 15 Atom-Prozent beträgt.
- 4. Informationsaufzeichnungsmedium mit einem Substrat und darauf einer Aufzeichnungsschicht und einer metallischen Schicht,dadurch gekennzeichnet, daßdie metallische Schicht aus einer Aluminiumlegierung zusammengesetzt ist, enthaltend 0,1 bis 10 Atom-Prozent Titan, 0,1 bis 10 Atom-Prozent Magnesiumί und nicht mehr als 10 Atom-Prozent Chrom, bezogen aufalle die Aluminiumlegierung bildenden Atome, wobei der vereinigte Gehalt an Titan, Magnesium und Chrom nicht mehr als 15 Atom-Prozent beträgt.so,,,G-Il B/340 947znsn
- 5. -Informationsaufzeichnungsmedium gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 4,dadurch gekennzeichnet, daßdie Aufzeichnungsschicht eine magneto-optische Aufzeichnungsschicht ist.
- 6. Informationsaufzeichnungsmedium gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 4,dadurch geknnzeichnet, daß die Filmdicke der metallischen Schicht 100 bis 5000 beträgt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12955289 | 1989-05-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD294811A5 true DD294811A5 (de) | 1991-10-10 |
Family
ID=15012329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD34094790A DD294811A5 (de) | 1989-05-23 | 1990-05-23 | Informationsaufzeichnungsmedien |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0373442A (de) |
| DD (1) | DD294811A5 (de) |
-
1990
- 1990-05-23 DD DD34094790A patent/DD294811A5/de not_active IP Right Cessation
- 1990-05-23 JP JP2132873A patent/JPH0373442A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373442A (ja) | 1991-03-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
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