JPH0373442A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、金属層を有する情報記録媒体に関し、さらに
詳しくは、耐腐食性あるいは安定性に優れ、しかも記録
パワーの線速依存性が小さい情報記録媒体に関する。

発明の技術的背景 基板上に記録層と金属層とを有する書き換え可能な光磁
気ディスクなどの情報記録媒体では、該記録媒体に記録
するための記録パワーを内周部と外周部とで大きく異な
ることがないようにするため、記録パワーの線速依存性
を小さくすることが望まれている。

通常光磁気ディスクなどの情報記録媒体では、基板上に
光磁気記録層に加えて金属層が設けられているが、この
ような光磁気ディスクなどの情報記録媒体における金属
層としては、従来、ニッケル系合金、アルミニウム金属
あるいは０．１〜１０重量％のチタンを含むアルミニウ
ム合金からなる金属層が用いられてきた。ところがアル
ミニウム金属またはアルミニウムーチタン合金からなる
金属層は、耐腐食性に劣り、長期間の使用に耐えないと
いう問題点があった。

またニッケル合金からなる金属層は、その合金の種類に
よっては記録書込み時にディスクの内周部と外周部とで
必要な記録パワーが大きく異なり、記録パワーの線速依
存性が依然として大きいという問題点があった。

本発明者らは、耐腐食性あるいは長期安定性に優れ、し
かも記録パワーの線速依存性が小さいような情報記録媒
体を開発するため、鋭意検討したところ、クロムおよび
チタンを含むアルミニウム合金からなる金属層を有する
情報記録媒体は、耐腐食性に優れ、しかも記録パワーの
線速依存性が小さいことを見出１．て、本発明を完成す
るに至った。

発明の目的 本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、耐腐食性に優れ、しかも記録
パワーの線速依存性が小さい情報記録媒体を提供するこ
とを目的としている。

発明の概要 本発明に係る情報記録媒体は、基板上に記録層と金属層
とを有する情報記録媒体において、該金属層が、アルミ
ニウム合金を構成する全原子数を基準としてクロム０．
１〜５原子％とチタン０．１〜９．５原子％とを含み、
クロムとチタンとの合計含有量が１０原子％以下である
アルミニウム合金からなることを特徴としている。

このような本発明に係る情報記録媒体は、クロム０．１
〜５原子％とチタン０．１〜９．５原子％とを含み、ク
ロムとチタンとの合計含有量が１０原子％以下であるア
ルミニウム合金からなる金属層を有しているため、耐腐
食性に優れ、ｊ７かも記録パワーの線速依存性が小さく
、かつ記録層の保護作用にも優れている。

発明の詳細な説明 以下本発明に係る情報Ｍｅ録媒体について、具体的に説
明する。

第１図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の概略断
面図、第２図および第３図は本発明の他の実施例に係る
情報記録媒体の概略断面図である。

本発明に係る情報記録媒体では、レーザー光などの光に
よって、該記録媒体に書込まれた情報を読み出している
。このような情報記録媒体としては、具体的には、記録
されている情報の消去はできないが追加記録が可能な追
記型光ディスク、さらには記録されている情報の消去、
再生が可能であるとともに記録が可能な光磁気ディスク
、相変化ディスクなどの書換型光ディスクが挙げられる
。

本発明に係る情報記録媒体１は、たとえば第１図に示す
ように、基板２上に記録層３および金属層４とがこの順
序で設けられている。

本発明では、上記のような基板２の材質は特に限定され
ないが、基板２側（矢印Ａ）からレーザ光が入射する場
合には、透明基板であることが好ましく、具体的には、
ガラスやアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチル
メタクリレート、ポリカーボネ−ト、ポリカーボネート
とポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４．６１
４．０８号明細書に開示しであるような環状オレフィン
ランダト共重合体、下記の環状オレフィンランダム共重
合体（Ａ）、ポリ４−メチル−１−ペンテン、エポキシ
樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリ
エーテルイミド等の有機材料を用いることができる。こ
の中では、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー
ト、米国特許第４、６１４．７７８号明細書に記載のよ
うな共重合体および下記の環状オレフィンランダム共重
合体（Ａ）が好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料としては
、特に記録膜との密着性が良＜、複屈折率が小さいとい
う観点から、エチレンと、下記−般式［１］または［Ｉ
゛］で表わされる環状オレフィンとの共重合体からなる
環状オレフィン系ランダム共重合体が挙げられる。

（以下余白） 一般式［■コ 一般式［Ｉ′］ （式中、ｎはＯまたはｌであり、ｍは０または正の整数
であって、 ＲＩ　、　Ｒ＋ｍ（１それぞれ独立に　水素原子、ハロ
ゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子
もしくは基を表し ＲＩＳ、ＲＩｓは、互いニ結合して単環または多環を形
成していてもよく、かっ該単環または多環が二重結合を
有していてもよく、 また、　ＲＩＳとＲ１とで、またはＲ１？とＲ１・とで
アルキリデン基を形成していてもよい）。

・・　［１’コ （式［Ｉ゛］中、ｐは０または１以上の整数であり、ｑ
およびｒｌｆ、　　０．　１または２であり、Ｒ１−Ｒ
１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭
化水素基　芳香族炭化水素基　およびアルコキシ基より
なる群から原子もしくは基を表しＲ８（またはＲ６）と
Ｒ・（またはＲ〒）とは、炭素数１〜３のアルキレン基
を介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直
接結合していてもよい。　） ただ獣　上記式［ｒｌにおいて、ｎはＯまたは１であり
、好ましくは０である。また、ｍはＯまたは正の整数で
あり、好ましくはＯ〜３である。

また上記式［Ｉ′］において、ｐは０または１以上の整
数であり、好ましくはＯ〜３の整数である。

そして、Ｒ１〜Ｒ１１＋（式［Ｉ］）、またはＲ１〜Ｒ
ＩＳ（式［ｘ’］）は、それぞれ独立番ｌ　水素原子、
ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる
原子もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子としては
、たとえ１ｆ、フッ素原子、塩素原子、臭素原子および
ヨウ素原子をあげることができる。

また、炭化水素基としては、それぞれ独立に、通常は炭
素原子数１〜６のアルキル瓜　炭素原子数３〜６のシク
ロアルキル基をあげることができ、アルキル基の具体的
な例として（戴　メチル基　エチル基　イソプロピル基
　イソブチル基　アミル基をあげることができ、シクロ
アルキル基の具体的な例として１九　シクロヘキシル基
　シクロプロピル基　シクロブチル基　シクロペンチル
基を挙げることができる。

また上記式［Ｉ′］において、Ｒｓ（またはＲｅ）とＲ
９（またはＲ丁）と（九　炭素数１〜３のアルキレン基
を介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直
接結合していてもよい。

さらに、上記式［＋］において、Ｒ＋　Ｓ−ＲＩ　ｍは
互いに結合して（共同して）単環または多環を形成して
いてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を有して
いてもよい。また、ＲＩｓとＲｅ８とで、またはＲ１丁
とＲｌｓとでアルキリデン基を形成していてもよい。こ
のようなアルキリデン基は、通常は炭素原子数２〜４の
アルキリデン基をあげることができ、その具体的な例と
して１ム　エチリデン基　プロピリデン基　インプロピ
リデン基およびインブチリデン基をあげることができる
。

前記式［ｒｌまたはｒｘ’ｌで表される環状オレフィン
ｌｅｔ、　　シクロペンタジェン類と、相応するオレフ
ィン類あるいは環状オレフィン類とをディールス・アル
ダ−反応により縮合させることにより容易に製造するこ
とができる。

前記式 ［Ｉ］ または［■ ］ で表される環状オレ フィンとして１転 具体的に臥 たとえば下記のよ うな化合物を挙げることができる。

（以下余白） などのようなビシクロ［２，２，１コ ヘプトー２− エン誘 導体； ン ５．１０−ジメチルテトラ ＣＨ。

ＨＩ ＣＨ。

２、７．９−トリメチルテ ン ＣＨ。

一ドデセン セン ８−メチルテトラシフ ８−エチルテトラシフ １＠］−３−ドデセン ５、８．９ １０−テトラメチ ！　１　］−］３−ドデセ ン−メチル−９−エチルチ ー３−ドデセン −３−ドデセン ロ］−３−ドデセン ・１・ゴー３−ドデセン ５、ｉ丁、目］−３−ドデセン ン ８−エチリデン−９−イ ソ Ｔ」・］−］３−ドデセ 一ドデセン −３−ドデセン 、１２・５．１７・目］−３−ドデセ ン ・１・］−］３−ドデセ ン、１丁 目コー３−ドデセン ｐ、ｌ、１ｌＩＩ］　３−トチーｔ＝ ８−ｎ−プロピリデンー９ ン 一ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ８−インプロピリデン ［４，４，０，１２，１，１〒・目］−３−ドデセン 一ドデセン １・〕−〕３−ドデセ ン　１　］−］３−ドデセ ン−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１２ ｓ、１丁 目］−３ 一ドデセン 一ドデセン などのテトラシクロ［４，４，０，１２５，１１・目］
−３−ドデセ ン誘導体； （以下余白） ８−イソブロビリデン ＋３．Ｑ２．？、ＱＬ＋４］−４−ヘプタデセン ｆｔ　）：’（Ｑヘキ”ｊ−シクロ　［６，６，１，１
３−’、１１、＋３．Ｑ２．７．Ｑｌｌ デセン 、Ｉ４］−４−ヘプタデセン誘導体； デセン トコセン ヘプタデセン ＋１．１＠、１１３．１８．Ｑ３．Ｉ、Ｑ１２、＋７コ
ー５−トコセン １５−エチルオクタシフ などのオクタシクロ［８，８，０，１２・９．１４・〒
ＩＩ　Ｉ　、　Ｉ・１１１１８、Ｑｌｌ、Ｑ１０．１マ
コー５−トコセン誘導体：などノヘンタシクｔ：Ｉ　［
６，６，１，１”、０２−７，０’ｚ］−４− ヘキサデセン誘導体； ヘプタシクロ［８，７，０ コセン などのへブタシクロ−５−イコセン誘導体あるいはへブ
タシクロ−５−ヘンエイコセン１１導体；などのトリシ
クロ［４，４，０，１２・ｓ］−３−ウンデセン誘導体
； ５−メチル−トリシクロ などのト ’Ｊ　シクＴ：１　［４，３，Ｏ，Ｌ２−８］−３−テ
セン誘導体；メチル置換ベンタシ １４、１５−ジメチルベン などのペンタシクロ ［４，７，０，１２・Ｉ、ＱＩＩ３．ｐ１２］ −３−ペンタデセン誘導体； などのペンタシクロ［６，５，１，１ｌ−Ｑ２．Ｔ、Ｑ
Ｉ、＋３］−４− コセン ペンタデセン誘導体； ２、　電Ｓ　］ −４−エイコセン などのジエン化合物； などのへブタシクロ ［７，８，０，１’ １、Ｑ２．７，１１１１７．Ｑ １１．１１１，１１１１１１］ −４−エイコセン誘導体； そしてさらに眠 １ ５−フェニル−ビシクロ［ ，２１，ｌ目１・　ＱＩＪ、Ｉ・　１ｔＬ目］−５−ベ
ンタコセン −５−ベンタコセン などのノナシクロ［９，１０，１，１４・？　、　Ｑｌ
　、　ｔ　、　Ｑ２・Ｉ　Ｉ　、　Ｑｌ　２２１、１１
３．２＠、ＱｌｍｌＧ、　ｌ１６．Ｉ＃ココ−−ベンタ
コセン誘導体等を挙げることができる。

（以下余白） を挙げることができる。

（以下余白） ） Ｊ−、記のようなエチレンと、一般式［Ｉ］または〔ｌ
゛］で表される環状オレフィンとの共重合体としては、
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［７］が０．
０５〜１０．（ｌｌ　／　ｇの範囲にあり、軟化温度（
ＴＭＡ）が７０℃以上である環状オレフィン系ランダム
共重合体（以下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ
］という）が好ましく用いられる。また所望により、環
状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］に、エチレンと
、下記式［ｒ］または［＋’ｌで表される環状オレフィ
ンとの共重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定
した極限粘度［η］が０．０５〜５ａ／ｇの範囲にあり
、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフィ
ン系ランダム共重合体（以下環状オレフィン系ランダム
共重合体［Ｂ］　という）を配合して用いてもよい。

この上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重
合体である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］お
よび［Ｂ］は、エチレンおよび前記環状オレフィンを必
須成分とするものであるが、該必須の二成分の他に本発
明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合
可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意に
共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具体的
に臥　たとえば生成するランダム共重合体中のエチレン
威分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−フテン
、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オク
テン、　１−デセン、　１−ドデセン、　１−テトラデ
セン、１−へキサデセン、１−オクタデセン、１−エイ
コセンなどの炭素原子数が３〜２０のα−オレフィンな
どを例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
で］ｉ、エチレンに由来する繰り返し唯位（ａ）は、４
０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で
存在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返
し単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５
０モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰
り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰
り返し単位（ｂ）　ＩＬ　　ランダムに実質上線状に配
列している。なお、エチレン組成および環状オレフィン
組成は１３Ｃ−ＮＭＲによって測定した　この環状オレ
フィン系ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状
架橋構造を有していないこと（Ｌ　該共重合体が１３５
℃のデカリン中に完全に溶解することによって確認でき
る。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ηコは、０
．０５〜ＩＱａＱ／　ｇ、　　好ましくは０．０８〜５
ａＱ／Ｈの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃以上　好ましくは９０〜２５０℃、さ
らに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。なお軟
化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃ
ｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて厚さ１Ｍの
シートの熱変形挙動により測定し九　すなわちシート上
に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃／分で昇温
していき、針が０．６３５−侵入し、た温度をＴＭＡと
しｆ、　　また、該環状オレフィン系ランダム共重合体
のガラス転移温度（Ｔ　ｇ）は、通常５０〜２３０℃、
好ましくは７０〜２１０℃の範囲にあることが望ましい
。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度１九〇〜１０％、
好ましくは０〜７％、　とくに好ましくは０〜５％の範
囲である。

本発明では、また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が７
０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ
］に、 エチレンと、上記式［２］または［■°］で表わされる
環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［ηコが０．０５〜５ａ／ｇ
の範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である
環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］を配合してな
る環状オレフィン系ランダム共重合体組成物から基板を
形成することが好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］で１４エチレンに
由来する繰り返し単位（ａ）Ｉｆ、　　６０〜９８モル
％、好ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており
、また該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）
は２〜４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の範囲で
存在しており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）
および該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）
は、ランダムに実質上線状に配列している。なお、エチ
レン組成および環状オレフィン組成はロＣ−ＮＭＲによ
って測定しｒ＝　　この環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ｂ］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有し
ていないこと１転　該共重合体が１３５℃のデカリン中
に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、０
１０５〜５ａＱ／ｇ、　　好ましくは０，０８〜３ａ／
ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）　ｉＬ　　７０℃未鳳　好ましくは一１０〜６０
℃、さらに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さら
に、該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガラ
ス転移温度（Ｔｇ）臥　　通常−３０〜６０℃、好まし
くは一２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘ＠回折法によって測定した結晶化度（九０−１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体［Ａ］および［Ｂ］を用いる場合には、該環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００１０．１〜
１００／１０．　　好ましくは１００１０．３〜１００
／７、とくに好ましくは１００１０．５〜１００１５の
範囲であることが望ましい。　［Ｂ］酸成分この範囲で
［Ａコ威分に配合することによって基板自体の優れた透
明性と表面平滑性を維持したままで本発明で用いる反射
膜との苛酷な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの場合
に比べさらに向上するという効果があり、　［Ａコと［
Ｂ］　とのブレンドよりなるこの上記の環状オレフィン
ランダム共重合体組成物を基板に用いれば本発明で用い
る反射膜との優れた密着性は高７龜　高湿条件下放置後
においてさえも変化がないという特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ］１４　　持開昭６０−１６８
７０８号公叛　特開昭６１−１２０８１６号公私　特開
昭６１−１１５９１２号公私　特開昭６１−１１５９１
６号公私　特開昭６２−２５２４０６号公報、特開昭６
２−２５２４０’７号公楓特開昭６１．２７１３０８号
公私　特開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本
出願人が提案した方法に従い適宜条件を選択することに
より、製造することができる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て、前記式［１］または［Ｉ°］で表される環状オレフ
ィンから導かれる構成単位（ｂ）は下記式［ｎ］または
［ｒｉ’ｌで表される構造の繰り返し単位を形成してい
ると考えられる力ｔ　一部の構成単位（ｂ）が開環重合
によって結合している場合もあり、また必要に応じて水
素添加することも可能である。

・・・［ｎ］ （式ｒｎＪ中、孔　ｎおよびＲ１−Ｒ１は前記式［Ｉ］
における定義と同様である。） ・・・　［■°］ （式［■゛］中、ｐｓ　　ｑＮ　　’およびＲ１〜ＲＩ
Ｓは前記式［Ｉ°］における定義と同様である。）本発
明に係る光磁気記録媒体の基板としては、前述したとお
り、上記のエチレンと環状オレフィンとのランダム共重
合体のほかに　同種または異種の環状オレフィン単量体
を開環して得られる環状オレフィン開環重合像　開環共
重合体またはそれらの水素添加物を用いることもできる
。このような環状オレフィン開環型合本　開環共重合体
およびこれらの水素添加物について、前記式［ｒ］で表
される環状オレフィンを例にして説明すると、以下に記
載するように反応して開環共重合体およびこれらの水素
添加物を構成していると考えられる。

↓開環 ↓水素添加 このような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環共重合体　及
びその水素添加物をあげることができる。

なあ、本発明においては上記のような開環型合本　開環
共重合体　これらの水素添加物および環状オレフィン系
ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カ
ルボン酸等で変性されていてもよい。このような変性物
置　上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カル
ボン酸、これらの無水轍　３よび不飽和カルボン酸のア
ルキルエステル等の誘導体とを反応させることにより製
造することができる。なお、この場合の環状オレフィン
系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる構成単位
の含有率は、通常は５０−１０モル％以下である。この
ような環状オレフィン系樹脂変性物１ム　所望の変性率
になるように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合して
グラフト重合させて製造することもできるし　予め高変
性率の変性物を調製し　次いでこの変性物と未変性の環
状オレフィン系樹脂とを混合することによっても製造す
ることができる。

本発明において、上記の開環重合像　開環共重合体　こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物１九　単独で、あるいは組み合
わせて使用することができる。

さらに　本発明において１転　上記のような環状オレフ
ィン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる
重合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］また
は［Ｉ°］で表される環状オレフィン以外の環状オレフ
ィンを重合させることもできる。このような環状オレフ
ィンとして（転　たとえば、 シクロブテン、 シクロペンテン、 シクロヘキセン、 ３．４−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２、
３．３ａ、　７ａ−テトラヒドロ　−４，７−メタノ−
１Ｈ−インデン、 ３ａ、　５．６．７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ
−ＩＨ−インデンなどをあげることができる。このよう
なべ也の環状オレフィンは単独で、あるｌｚ％！±組み
合わせて使用することができ、通常、Ｏ〜５０モル％の
量テ用いられる。

また本発明に係る光磁気記録媒体の基板番こ１Ｌ上記［
Ａ］および［Ｂ］酸成分他に　衝撃づ虫度を向上させる
ためのゴム成分を配合したり、耐熱安定斉Ｌ　耐候安定
斉Ｌ　帯電防止蝕　ス１ノツプ寿Ｌ　アンチブロッキン
グ却Ｌ　防曇斉Ｌ　滑部Ｌ　染料、顔料、天然法　合成
法　ワックスなどを配合すること力τでき、その配合割
合は適宜量である。たとえ＋４任意成分として配合され
る安定剤として具体的に１転　テトラキス［メチレン−
３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル
）プロピオネートコメタン、β−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸アルキル
エステル、２．２′−オキザミドビス［エチル−３（３
，５−ジ−ｔ−ブチル−４−とドロキシフェニル）コブ
ロビオネートなどのフェノール系酸化防止却Ｌ　ステア
リン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、１２−ヒドロキ
システアリン酸カルシウムなどの脂肪酸金属塩、グリセ
リンモノステアレート、グリセリンモノラウレート、グ
リセリンジステアレート、ペンタエリスリトールモノス
テアレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペ
ンタエリスリトールトリステアレート等の多価アルコー
ルの脂肪酸エステルなどを挙げることができる。これら
は単独で配合してもよい八　組み合わせて配合してもよ
く、たとえ１式　テトラキス［メチレン−３（３゜５−
ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ
ートコメタンとステアリン酸亜鉛およびグリセリンモノ
ステアレートとの組合せ等を例示することができる。

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いること
が好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価
以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエ
ステル化された多価アルコール脂肪酸エステルであるこ
とが好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとして１転
　具体的に臥　グリセリンモノステアレート、　グリセ
リンモノラウレート、グリセリンモノミリステート、グ
リセリンモノパルミテート、グリセリンジステアレート
、グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステ
ル、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエ
リスリトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジ
ラウレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペ
ンタエリスリトールトリステアレート等のペンタエリス
リトールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤１転　前記［Ａ］酸
成分よび［Ｂ］酸成分合計量ｔｉｏｏ重量部に対して０
〜１０重量部好ましくは０〜５重量部さらに好ましくは
０〜２重量部の量で用いら瓜　また多価アルコールの脂
肪酸エステルは［Ａ］酸成分よび［Ｂ］威分の合計重量
１００重量部に対してＯ〜１０重量龜　好ましくは０〜
５重量部の量で用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、必要により本
発明の目的および透明性を損なわない範囲で、シリカ、
ケイ藻土、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム、
軽石粒、軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水酸化マ
グネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、　ドロマイト、
硫酸カルシウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウム、亜
硫酸カルシウム、タルク、クレー　マイカ、アスベスト
、ガラス［Ｌ　　ガラスフレーク、ガラスピーズ、ケイ
酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト、グラ
ファイト、アルミニウム粉、硫化モリブデン、ボロン織
縁　炭化ケイ素繊駅　ポリエチレンＭＨＬポリプロピレ
ン繊龜　ポリエステル繊織　ポリアミド繊維等の充填剤
を配合してもよい。

本発明において、基板として上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダム
共重合体組成物を用いると、この環状オレフィン系ラン
ダム共重合体または該共重合体を含む組成物からなる基
板と記録層または保護層とが密着性に優れているために
　記録膜は長期安定性に優れるとともに記録膜の酸化が
効果的に防止される。したがってこの環状オレフィン系
ランダム共重合体からなる基板上に記録膜を積層してな
る光記録媒体１む　耐久性および記録特性などの面にお
ける長期安定性にも優れている。

このような基板２の厚みは特に限定されない八好ましく
は０．５〜５圓特に好ましくは１〜２Ｍである。

（以下余白） また本発明では、記録層３の材質も特に限定されないが
、たとえば記録層３が膜面に対して垂直な方向に一軸異
方性を有する光磁気記録層である場合には、記録層３は
、（＋）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、
（ｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とから
なるか、あるいは（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少な
くとも１種と、（ｉ）耐腐食性金属と、（ｉ）希土類か
ら選ばれる少なくともＩＷｉの元素からなることが好ま
しい。

（ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ５Ｖ、
Ｃｒ、−ＭｎＳＮｉＳＣｕ、Ｚｎなどが用いられるが、
このうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者であることが
好ましい。

（ｉ）耐腐食性金属は、記録層３に含ませることによっ
て、この光磁気記録層の耐酸化性を高めることができる
。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ５Ｐｄ、Ｔｉ
、、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ。

Ｈｆなどが用いられるが、このうちＰｔ、Ｐｄ。

Ｔｉが好ましく、特にＰｔまたはＰｄあるいはこの両者
であることが好ましい。

（ｉ）希土類元素としては、たとえばＧｄ、Ｔｂ。

Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ　ｒ、７ｍ％Ｙｂ、Ｌｕ％Ｌａ。

Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕなどが用いられる
。

このうちにｄ、Ｔｂ１Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｓｍ。

Ｐｒが好ましく用いられる。

このような光磁気記録層では、（ｆ）３ｄ遷移金属は、
３０〜８５原子％好ましくは４０〜７゜原子％の量で、
（ｉ）耐腐食性金属は３ｏ原子％まで好ましくは５〜２
５原子％までの量で、（ｉ）希土類元素は５〜５ｏ原子
％好ましくは２５〜４５原子％の量で存在していること
が望ましい。

記録層３が光磁気記録層以外の、たとえば相変化型記録
層である場合には、記録層３は、たとえば、Ｔｅを主成
分とした合金薄膜、ｓｅを主成分とした合金薄膜、Ｔｅ
−Ｇｅ−８ｂ合金薄膜、Ｉｎ−３ｂ−Ｔｅ合金薄膜、Ｔ
ｅ−Ｇｅ−Ｃｒ合金薄膜、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｚｎ合金薄膜等
で構成される。また追記型、相変化型の記録層としてポ
リメチン系化合物、シアニン系化合物などの有機色素膜
を用いることもできる。

本発明では、記録層４の膜厚は、特に限定されないが、
５０〜５０００　Ａ、好ましくはｉｏｏ〜２０００λで
ある。

本発明では、このような情報記録媒体における金属層４
は、アルミニウム合金を構成する全原子数を基準として
クロム０．１〜５原子％とチタン０．１〜９．５原子％
とを含み、クロムとチタンとの合計含有量がＩＯ原子％
以下であるアルミニウム合金から形成されている。

このようなりロムの含有量は、０．１〜５原子％の範囲
にあり、特に１〜３原子％の範囲にあることが好ましい
。

またチタンの含有量は、０．１〜９．５原子％の範囲に
あり、特に１〜５原子％の範囲にあることが好ましい。

クロムとチタンとの合計含有量は１０原子％以下である
ことが好ましい。本発明では、クロムの含有量が０．１
〜５原子％、チタンの含有量が０．１〜９．５原子％の
範囲にあり、かつクロムとチタンの合計含有量が１０原
子％以下であるアルミニウム合金を金屑層として用いる
ことにより、金属層および情報記録媒体が耐腐食性に優
れ、かつ、情報記録媒体の線速依存性が小さく、記録層
の保護作用に優れるという効果を有する。

また上記のような金属層４は、アルミニウム（＾ｌ）、
クロム（Ｃ０、チタン（Ｔｉ）のみからなる合金からな
っていてもよ（、またアルミニウム、クロム、チタンに
加えて、少量の他の元素（金属）を１種以上含むことも
できる。このような元素（金属）としては、たとえば、
シリコン（Ｓｉ）　、タンタル（ＴＩ）、銅（Ｃｏ）　
、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（２＋）　、マン
ガン（Ｍｕ）、バナジウム（Ｖ）などが挙げられ、この
ような他の金属は、アルミニウム合金中に通常５原子％
以下好ましくは２原子％以下の量で含まれる。

上述したような金属層の膜厚は、通常１００大〜５００
０λ、好ましくは５００λ〜３０００ム、特に好ましく
は７００大〜２０００Åである。

本発明に係る金属層は熱良伝導体層としての機能を果し
ており、この金属層が存在することによって記録層に記
録されたビットの中心部が記録レーザ光によって過度に
高温になることが防止され、その結果、記録パワーの線
速依存性が小さくなると考えられる。

また本発明における金属層は、耐腐食性に優れているた
め、長期間使用した後においても、記録媒体の線速依存
性が小さいという特徴を有しており、また記録層に対す
る保護作用にも優れている。

本発明に係る情報記録媒体は、第１図に示す構成に限定
されず、たとえば第２図に示すように、上記のような基
板２上に保護膜（エンハンス膜）５を積層し、その上に
記録層３と金属層４とを積層させてもよい。また第３図
に示すように、基板２上に第１保護膜５を積層し、その
上に記録層３を積層し、さらにその上に第２保護膜５お
よび金属膜４を順次積層させてもよい。このような保護
膜（エンハンス膜）５としては、たとえばＳｔ　　Ｎ　
　ＳＳ　ｊＮｘ　（０＜ｘ＜４／３）４ Ａｔ　Ｎ５ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、Ｓ　ｊまたはＣｄＳから
形成されることが好ましいが、これらに限定されない。

このような保ＩＮの膜厚は、１００〜２０００入好まし
くは３００〜１５００λ程度である。この中で耐クラツ
ク性および記録パワーの線速依存性の点から、特にＳｉ
　　Ｎ　　、ＳｉＮｘ４ （０＜ｘ＜４／３）を用いることが好ましい。

保護膜は、記録膜を保護する働きをするとともに、場合
によっては情報記録媒体の感度を高め、エンハンス膜と
しての働きをもしている。このような保護膜は、基板の
屈折率よりも大きな屈折率を有していることが好ましい
。

本発明に係る情報記録媒体は、基板上に記録層および金
属層そして必要に応じて保護層を、たとえば真空蒸着法
、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法などの成
膜法を採用して成膜することによって製造することがで
きる。

発明の効果 このように本発明に係る情報記録媒体は、クロムとチタ
ンとを特定量で含むアルミニウム合金からなる金属層を
有しているため、耐腐食性に優れ、しかも記録パワーの
線速依存性が小さく、かつ記録層の保護作用にも優れて
いる。

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。

なお、本明細書において、最適記録パワーとはｆ＝ＩＭ
Ｈｒ　５ｄａｔｙ　　５０％の書込み信号に対して再生
信号の２次高調波が最小となる記録パワーのことを表わ
し、線速による最適記録パワーの差が小さい程線速依存
性が小さい。

実施例１ 以下、まず金属層の耐腐食性を下記のようにして検討し
た。

ガラス基板上に、アルミニウム（ＡＩ）−１０ム（Ｃ＋
）−チタン（ＴＩ）の複合ターゲットを用いてスパッタ
リングによって、厚さ１０００人のアルミニウムークロ
ム−チタン合金よりなる金属層を作製した。

作製された金属層のクロムおよびチタンの含有量は、そ
れぞれ２原子％であった。

この金属層を、６０℃の１０重量％塩化ナトリウム水溶
液に４時間浸漬し、金属層の耐腐食性を反射率の変化を
測定することによって評価した。

金属層の反射率は、塩化ナトリウム水溶液の浸漬前と浸
漬後で変化しなかった。

浸漬後の金属層の単位面積当り（５ａｏＸ５ａｎ）に発
生したピンホール数は５０個以下（４８個）であった。

実施例２ 非晶質ポリオレフィンからなる基板上に、Ｓｉ３Ｎ４か
らなる保護膜（膜厚１０００大）と、Ｐ　ｔＴｂＦｅＣ
ｏ　（Ｐ　ｔ、ｏＴｂ２．Ｆｅ５５Ｃｏ６）からなる記
録層（膜厚５００λ）とを順次スパッタリング法により
積層し、この記録膜上にＡｌ−Ｃｒ−Ｔｉの複合ターゲ
ットを用いてスパッタリング法によって、厚さ７００Å
のＡｌ−Ｃｒ−Ｔｉ合金からなる金属層を積層した。得
られた金属層を構成するＡ７合金（層）中のＣｒの含有
量は２原子％、Ｔｉ含有量は２原子％であった。

得られた情報記録媒体を、８０℃、相対湿度８５％の雰
囲気下に約７２０時間保持した後、情報記録媒体の反射
率を測定したところ、反射率は変化しなかった。

実施例３ エチレンと１．４．５．８−ジメタノ−１，２，３，４
，４１，５，１！。

以下［ＩＭＯＮと略記する）の非品性の共重合体（’Ｃ
−ＮＭＲ分析で測定したエチレン含ｆｆ１５９モル％、
ＤＭＯＮ含量４１モル％、１３５℃デカリン中で測定し
た極限粘度［η］が０．４２ｄｌ／ｇ。

軟化温度（ＴＭＡ）１５４℃）からなる基板上に、Ｓｉ
３Ｎ４からなる保護膜（膜厚１１００λ）と、ＰｔＴｂ
ＦｅＣｏからなる記録層（膜厚２６０大）とを順次スパ
ッタリング法により積層し、この記録膜上にＡＩ−Ｃｒ
−Ｔ　１（７）複合ターゲットを用いてスパッタリング
法によって、厚さ５００ＡのＡｌ−Ｃｒ−Ｔｌ合金から
なる金属層を積層した。

得られた金属層を構成するＡ１合金（層）中のＣｒの含
有量は２原子％、Ｔｉ含有量は２原子％であった。

得られた情報記録媒体を、８０℃、相対湿度８５％の雰
囲気下に約７２０時間保持した後、情報記録媒体の反射
率を測定したところ、反射率は変化しなかった。

またこの情報記録媒体の線速５．７ｍ／ｓｅｅでノ最適
記録パワーは３．５ｍＷであり、線速１．１．３ｍ／客
ｔｃでの最適記録パワーは５．１ｍＷであった。

比較例１ ガラス基板上に、アルミニウムークロムの複合ターゲッ
トを用いてスパッタリングによって、厚さ１０００λの
アルミニウムークロム合金よりなる金属層を作製した。

作製された金属層のクロムの含有量は、２原子％であっ
た。

この金属層を６０℃、１０重量％の塩化ナトリウム水溶
液に４時間浸漬させた。

４時間浸漬後の反射率の変化と膜状態の変化とを測定し
た。

金属層の反射率は、浸漬により約２％低下した。

また、金属層の単位面積当り（５ｃｍＸ５ｃｍ）に発生
したピンホール数は約７０個であった。

比較例２ 比較例１とは合金組成の異なるアルミニウムークロム合
金からなる複合ターゲットを用いて、クロムの含有量が
４原子％の金属層を作製した以外は、比較例１と同様に
して金属層を作製した。

この金属層を比較例１と同様にして塩化ナトリウム水溶
液に浸漬し、浸漬後の反射率の変化と膜状態の変化とを
測定した。

金属層の反射率は、塩化ナトリウム水溶液の浸漬前と浸
漬後で変化はなく、浸漬後の金属膜の単位面積当り（５
ｃｍＸ５ｃｍ）に発生したピンホール数は約７０個であ
った。

比較例３ 比較例１において、アルミニウムークロムの複合ターゲ
ットの代わりに、アルミニウムーチタンの複合ターゲッ
トを用いた以外は、比較例】と同様にして金属層を作製
した。

作製された金属層のチタン含有量は２原子％であった。

この金属層を比較例１と同様にして塩化ナトリウム水溶
液に浸漬し、浸漬後の反射率の変化と膜状態の変化とを
測定した。

金属層の反射率は、浸漬により約８％低下した。

また、金属層の単位面積当り（５０１Ｘ５ＱＩ＋）に発
生したピンホール数は５１個であった。

比較例４ 比較例３とは合金組成の異なるアルミニウムーチタン合
金からなる複合ターゲットを用いて、チタンの含有量が
４原子％である金属層を作製した以外は、比較例３と同
様にして金属層を作製した。

この金属層を比較例１と同様にして塩化ナトリウム水溶
液に浸漬し、浸漬後の反射率の変化と膜状態の変化とを
測定した。

金属層の反射率は、浸漬により約２％低下した。

また、金属膜には、極めて多数（１１５個以上）のピン
ホールが発生した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の概略断
面図、第２図および第３図は本発明の他の実施例に係る
情報記録媒体の概略断面図である。 １・・・情報記録媒体 ３・・・記録層 ５・・・保護膜 ２・・・基板 ４・・・金属層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板上に記録層と金属層とを有する情報記録媒体に
   おいて、該金属層が、アルミニウム合金を構成する全原
   子数を基準として、クロム０．１〜５原子％とチタン０
   ．１〜９．５原子％とを含み、クロムとチタンとの合計
   含有量が１０原子％以下であるアルミニウム合金からな
   ることを特徴とする情報記録媒体。