DE1002087B - Gehaeuse fuer Richtleiter, Transistoren od. dgl. - Google Patents

Gehaeuse fuer Richtleiter, Transistoren od. dgl.

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Description

  • Gehäuse für Richtleiter, Transistoren od. dgl. Die Hauptpatentanmeldung S 41978 VIIIc/21g bezieht sich auf einen Transistor mit auf das Gehäuse gut wärmeleitend aufgesetztem Kollektor und einer außerhalb des Gehäuses angebrachten Isolierschicht, auf die eine Masse, welche gegebenenfalls in einen Schraubbolzen übergeht, aufgesetzt ist. Die Isolierschicht wirkt gemäß dem Hauptpatent gleichzeitig als Dielektrikum eines Kondensators, dessen eine Belegung das Gehäuse und dessen andere Belegung die Masse ist. Die Erfindung löst die Aufgabe einer besonders zweckmäßigen Ausbildung des isolierenden Dielektrikums.
  • Gemäß der Erfindung besteht die Isolierschicht aus einem Kunststoff, z. B. Kunstharz, der gegebenenfalls aushärtet oder zähflüssig-plastisch bleibt und dem ein pulverförmiger, fester und gut wärmeleitender Isolator, z. B. aus Quarz oder Keramik, eingelagert ist. Die Größe der einzelnen Quarzkörner ist dabei von einheitlicher Korngröße und so groß bemessen, wie der Abstand der beiden Belegungen voneinander sein soll.
  • Die Isolierschicht ist so aufgebracht, daß jeweils nur eine Lage Quarzkörner zwischen den entgegengesetzten Belegungen vorhanden ist. Durch diese Ausbildung des Dielektrikums wird der Vorteil erreicht, daß es bei besonders guter Wärmeleitung gleichzeitig einen wohldefinierten Abstand der Belegung festlegt.
  • In der Zeichnung ist eine Ausführungsform der Einrichtung nach der Erfindung beispielsweise dargestellt. Sie entspricht im wesentlichen der Fig. 3 der Hauptpatentanmeldung.
  • 1 bedeutet einen p-n-p-Flächentransistor, auf den eine Metallplatte 2 auf der Kollektorseite aufgelötet ist. Auf der Metallplatte 2 ist eine Isolierschicht 8 und auf diese eine Metallplatte 9 mit einem Bolzen 10 aufgesetzt. Beide sind durch Klammern 11 zusammengehalten. Erfindungsgemäß besteht die Isolierschicht 8 aus einem isolierenden Kunststoff, im Beispielsfalle Araldit 12, in welches Quarzkörner 13 von gleicher Größe derart eingelagert sind, daß sie eine einfache Lage von Quarzkörnern ergeben, welche den Abstand zwischen den Schichten 2 und 9 eindeutig definiert. Für einen Transistor von 1½ bis 2 Watt beträgt die Korngröße der Quarzkörner etwa 20 µ; es ist aber auch denkbar, etwas größere Körner von bis zu etwa 100 µ zur Abstandsfestlegung zu verwenden und die Zwischenräume mit kleineren Körnern von etwa 5 µ. auszufüllen.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Gehäuse für Richtleiter, Transistoren od. dgl., deren mindestens eine Elektrode in guter wärmeleitender Verbindung mit mindestens einem Teil des Gehäuses steht, welcher unter Zwischenschaltung einer elektrischen Isolierschicht auf eine zur Wärmeaufnahme dienenden Massegut wärmeleitend aufsetzbar ist, und bei denen die Isolierschicht außerhalb des Gehäuses angeordnet und mit diesem baulich derart vereinigt ist, daß sie als Dielektrikum eines Kondensators dient, dessen eine Belegung das Gehäuse und dessen andere Belegung ein auf die zur Wärmeaufnahme dienende Masse aufsetzbarer Metallbeil ist, nach der Hauptpatentanmeldung S 41978 VIII c/21 g, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht aus einem Kunststoff, z. B. Kunstharz, der gegebenenfalls aushärtet oder zähflüssig-plastisch bleibt, besteht, dem ein pulverförmiger, fester und gut wärmeleitender Isolator, z. B. aus Quarz oder Keramik, eingelagert ist.
  2. 2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch Bekenn, zeichnest, daß die einzelnen Körner des eingelagerten pulverförmigen Isolators unter sich nahezu gleich groß sind und eine Lage bilden.
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