DE1007773B - Verfahren zur Herstellung von N-abietylsubstituierten o-Chinondiaziden von Naphthalin- und Benzolsulfonsaeureamiden - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von N-abietylsubstituierten o-Chinondiaziden von Naphthalin- und BenzolsulfonsaeureamidenInfo
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft die Herstellung von o-Chinondiaziden (Diazooxyden) von aromatischen Sulfonsäureamiden,
in welchen das Stickstoffatom der Amidgruppe durch einen Abietylrest substituiert ist.
Diazooxyde von aromatischen Sulfonsäureamiden mit hochmolekularen Substituenten am Stickstoffatom der
Amidgruppe sind bereits für die Verwendung in der Lithographie empfohlen worden (vgl. beispielsweise die
deutschen Patentschriften 854 890, 865108, 865 410, 871 668 und 872 154). Bei den in diesen Patentschriften
genannten Verbindungen besteht der Substituent am Stickstoffatom entweder aus einer Alkyl- oder Arylgruppe.
Die Verbindungen dieser Klasse besitzen einen sowohl polaren als auch nichtpolaren Charakter, und aus diesem
Grunde sind sie praktisch nur in sehr kräftig wirkenden Lösungsmitteln, wie Dimethylformamid, Dimethylacetamid,
Dioxan und Äthylenglykolmonomethyläther, löslich. Obgleich diese Verbindungen vom Standpunkt der
Sensibilisierung der Platten für die Lithographie vorteilhafte Eigenschaften besitzen, so bereitet ihre allgemeine
Anwendung doch Schwierigkeiten wegen ihrer besonderen Löslichkeitseigenschaften, wenn sie bei verschiedenen
Harzschichten benutzt werden. Dies ist der Tatsache zuzuschreiben, daß die für das Auftragen dieser Sensibilisierungsmittel
benötigten kräftig wirkenden Lösungsmittel in die Harzschicht eindringen und diese aufquellen
oder anlösen und somit die Druckfläche beschädigen. Es besteht daher ein Bedürfnis an hochmolekularen Diazooxyden,
die auf Harzschichten in verhältnismäßig einfachen organischen Lösungsmitteln, wie Alkylestern
oder Ketonen, aufgetragen werden können.
Es wurde nun gefunden, daß Diazooxyde von aromatischen Sulfonsäureamiden, deren Substituent am Stickstoffatom
der Amidgruppe sich von einem hochmolekularen Terpen, wie Kolophonium, ableitet, das also die Struktur
eines Abietylrestes besitzt, sehr erwünschte Eigenschaften als Sensibilisatoren für lithographische Platten besitzen.
Beispielsweise haben diese Verbindungen eine gesättigte, unpolare Struktur, so daß sie in den üblichen organischen
Lösungsmitteln leicht löslich sind, obwohl diese Verbindungen ein sehr hohes Molekulargewicht, beispielsweise
über 1000, besitzen.
Die erfindungsgemäß herstellbaren Diazooxyde können durch die folgenden allgemeinen Formeln veranschaulicht
werden:
R1
Verfahren zur Herstellung
von N-abietylsubstituierten
o-Chinondiacziden von Naphthalin-
und Benzolsulfonsäureamiden
Anmelder:
General Aniline & Film Corporation,
New York, N. Y. (V. St. A.)
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: M. M. Wirth, Dr. W. Schalk
und Dipl.-Ing. P. Wirth, Patentanwälte,
Frankfurt/M., Große Eschenheimer Str. 39
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 20. August 1954
V. St. v. Amerika vom 20. August 1954
Ralph Gower Davies Moore,
Chenango Forks, N. Y. (V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt worden
| 2 | N2 | |
| Ri | ||
| CH2 | O2S- | |
| R2-N-SO2- | -{[ | |
| V | ||
| = 0 | ||
| -N-R2 | ||
| CH2 | ||
| R1 |
CH2
N-SO2-C Z
In diesen Formeln bedeuten R1 — CH2 — einen
Abietylrest, wie Dehydroabietyl, Dihydroabietyl, Tetrahydroabietyl oder Dextropimaryl, R und R2 Wasserstoff
oder einen Alkylrest, wie Methyl oder Äthyl, oder einen Oxyalkylrest, wie Oxyäthyl, oder Oxypropyl, und R auch
einen Alkylenrest, wie Äthylen, sowie Z die Atome, die zur Vervollständigung eines Cxclohexadienringes, wie
1,5-Cyclohexadien, eines Alky Icy clohexadiens, wie Methylcyclohexadien
oder Äthylcyclohexadien, eines Halogencyclohexadiens, wie Chlorcyclohexadien oder Bromcyclohexadien,
oder eines Polyhydronaphthalinringes erforderlich sind, wobei =N2 und =0 immer benach-
709 508/492
3 4
barte Stellungen im gleichen Ring besetzen, η = 1 Folgende Verbindungen sind erfindungsgemäß herstell-
oder 2 ist und η immer 2 ist, wenn R für Alkylen steht. bar:
N-Dehydroabietyl-6-diazo-S-oxo-l-naphthalinsulfonsäureamid der wahrscheinlichen Formel
SO9-NH-CH5,
CH5
HH HH
I/
H H:
CHa
CH(CH3)2
HH HH
N-Dehydroabietyl-3-diazo-4-oxo-l, 5-cyclohexadien-l-sulfonsäureamid der wahrscheinlichen Formel
SO2-NH-CH2
HH HH
3 5
CH(CH3),
HH HH
N-Dehydroabietyl-N-ß-oxyäthyl-o-diazo-S-oxo-l -naphthalin-sulfonsäureamid der wahrscheinlichen Formel
SO, N CH
CH3CH2OH
HH HH
CH(CH3),
N-Dehydroabietyl-N-äthyl-o-diazo-S-oxo-l-naphthalinsulfonsäureamid der wahrscheinlichen Formel
SO2-N-CH2
CH(CH3).,
HH HH
N, N'-Didehydroabietyl-N, N'-äthylen-bis-(6-diazo-5-oxo-l-naphthalmsulfonsäureamid) der wahrscheinlichen
Formel:
CH(CH3)2
HH HH
5 6
N-Dehydroabietyl-o-methyl-S-diazo^-oxo-l, S-cyclohexadien-l-sulfonsäureamid der wahrscheinlichen Formel
N2-
SO9-N-CH,
V-CH,
HH HH
/ι ^ CH3
HH HH
CH(CH3),
N-Dehydroabietyl-S-chlor-S-diazo-o-oxo-l, 3-cyclo- N-Dehydroabietyl-S-diazo^-oxo-l-naphthalinsulfon-
hexadien-1-sulfonsäureamid, säureamid der wahrscheinlichen Formel
CH(CH3)2
N-Dehydroabietyl-5, 6, 7, S-tetrahydro^-diazo-S-oxo^-naphthalininsulfonsäureamid der wahrscheinlichen Formel
HH HH
HH
-SO2-N-CH2
= 0
CH,
H H
CH(CH3)2
HH N,
HH HH
N, N'-Didehydroabietyl-ß-diazo-'l-oxo-l, 6-naphthalin-disulfonsäureamid der wahrscheinlichen Formel
HH HH
-SO9-N-CH
SO9
NH-CH9 -71
H-
HH HH
HH HH
Λ A
CH (CH3),
CH,
HH HH
CH(CH3)2
N-Dihydroabietyl-3-diazo-4-oxo-l, 5-cyclohexadien- 65 N-Dihydroabietyl-6-diazo-S-oxo-l-naphthalinsulfon-
1-sulfonsäureamid, säureamid,
N-Tetrahydroabietyl-S-diazo^-oxo-l, 5-cyclohexadien- N-Tetrahydroabietyl-o-diazo-S-oxo-1 -naphthalinsul-
1-sulfonsäureamid, fonsäureamid oder
N - Dextropimaryl - 3 - diazo - 4- oxo -1,5- cyclohexadien- N - Dextropimaryl - 6 - diazo - 5 - oxo -1 - naphthalinsulf on·
1-sulfonsäureamid, 70 säureamid.
Die vorstehend genannten Verbindungen können hergestellt werden, indem ein entsprechendes o-Chinondiazid
eines aromatischen Sulfonylchlorides mit einem geeigneten Abietylamin umgesetzt wird. Als Reaktionsmedium kann irgendeine Flüssigkeit benutzt werden,
die ein hinreichend gutes Lösungsmittel für die Ausgangsstoffe ist und gegenüber dem Sulfonylchlorid
hinreichend inert ist. Als Lösungsmittel werden vorzugsweise Isopropylalkohol und Dioxan benutzt.
Als Abietylamine können verwendet werden Dehydroabietylamin, Dihydroabietylamin, Tetrahydroabietylamin,
Dextropimarylamin, 2-Dehydroabietylaminoäthanol, N-Methyldehydroabietylamin, N-Äthyldehydroabietylamin
oder N, N'-Äthylendidehydroabietylamin. Diese Amine können entweder allein oder in Mischung
miteinander angewandt werden. Besonders vorteilhaft hat sich das im Handel erhältliche Präparat »Rosin
Amine D« erwiesen, das etwa 90% Dehydroabietylamin
enthält.
Ein Diazosulfonylchlorid, das z. B. als Ausgangsstoff benutzt werden kann, ist das 6-Diazo-5-oxo-l-naphthalinsulfonylchlorid
der Formel
SO2Cl den 3-Diazo-4-oxo-l, 6-naphthalindisulfonylrest der
Formel
— O,
SO9-
den S-Chlor-o-diazo-o-oxo-l, 3-cyclohexadien-l-sulfonylrest
der Formel
Cl -f 'γ=Ν2
L J=O
den
rest
rest
SO8-
3-Diazo-5-methyl-4-oxo-l, 5-cyclohexadiensulfonylder
Formel
0,
.
SO2-
und den 6-Methyl-3-diazo-4-oxo-l, 5-cyclohexadiensulfonylrest
der Formel
3-Diazo-4-oxo-l-naphthalinsulfonylchlorid der Formel
SO2Cl
35
HoC-
40 SO,—
und 3-Diazo-4-oxo-l, 5-cyclohexadien-l-sulfonylchlorid
der Formel
= N,
SO9Cl
Die neuen Verbindungen können auch als Sulfonsaure-
T H r ί,· 5'6.7,8-Tetrahydro-4-diazo-3-oxo-2-naphthalmsulfonsaurerest
der Formel
Ηή
H-A
H H
\ I
^-SO2-
= 0
HH N9
Diese Reste können mit dem Abietylrest nach allgemein bekannten Verfahren eingeführt werden, die
beispielsweise in den deutschen Patentschriften 888 204 und 871 668 beschrieben sind.
Die Erfindung wird durch die nachstehenden Beispiele näher erläutert.
N-Dehydroabietyl-o-diazo-5-oxo-l-naphthalinsulfonsäureamid
Zu einer gerührten Lösung von 28,5 g Abietylamin »Rosin Amine Ό« der Hercules Powder Company in
160 ecm Dioxan wurden 28,5 g o-Diazo-5-oxo-l-naphthalinsulfonylchlorid
gegeben. Die Temperatur stieg auf 42° an; das Chlorid löste sich, und innerhalb von 5 Minuten
wurden 40 ecm einer Sn-Natriumcarbonatlösung zugesetzt.
Das Reaktionsgemisch wurde dann auf 45 bis 50° erhitzt und anschließend innerhalb von I1Z2 Stunden
unter Rühren auf Zimmertemperatur abgekühlt. Unter weiterem Rühren wurden dann langsam 300 ecm Eiswasser
sowie einige Impfkristalle aus einem zuvor hergestellten
Ansatz zugegeben. Das Öl, das sich zunächst abschied, verfestigte sich langsam zu kleinen Kügelchen. Nach einer
zweistündigen Abkühlung wurde das gelbe Produkt abfiltriert, gewaschen und unter vermindertem Druck
getrocknet. Die Ausbeute war praktisch quantitativ.
Zur Reinigung kann das Produkt in einer alkoholischen
10
Natriumhydroxydlösung gelöst, filtriert und mit wäßriger Essigsäure gefällt werden (Schmelzpunkt 115 bis 136°;
Zersetzung) oder einfach aus Alkoholen, Äthylacetat, Aceton oder wäßrigem Dioxan umkristallisiert werden.
Das im vorstehenden Beispiel und in den Beispielen 3, 4 und 5 benutzte Sulfonylchlorid wurde nach einem Verfahren
hergestellt, wie es in der deutschen Patentschrift 865 410, S. 2, Zeilen 98 bis 103, beschrieben ist.
N-Dehydroabietyl-3-diazo-4-oxo-l, 5-cyclohexadien-1
-sulf onsäureamid
Eine Lösung von 8,6 g »Rosin Amine D« in 50 ecm
Dioxan wurde mit 6,6 g 3-Diazo-4-oxo-l, 5-cyclohexadien-1-sulfonylchlorid
(F. = 111 bis 112°; korrigiert) und dann mit 12 ecm einer 3-n-wäßrigen Natriumcarbonatlösung
versetzt. Das Reaktionsgemisch, das sich von selbst auf 40 bis 50° erwärmt hatte, wurde 1 1J2 Stunden gerührt
und dann langsam mit 100 ecm kaltem Wasser versetzt. Das öl, das sich nach dem Abkühlen über Nacht abgeschieden
hatte, wurde abgetrennt und ein Vakuum getrocknet. Nach dieser Behandlung bestand es aus
einem dunklen, zerreibbaren, lichtempfindlichen, festen Produkt.
Das vorstehend verwendete Sulfonylchlorid wurde nach dem in der deutschen Patentschrift 888 204, S. 10,
Zeile 23 bis 27, beschriebenen Verfahren hergestellt.
N-Dehydroabietyl-N-^-oxyäthyl-6-diazo-
5-oxo-l-naphthalinsulfonsäureamid
Nach dem Verfahren des Beispiels 1 wurden 33 g 2-Dehydroabietylaminoäthanol (»Polyrad 0100«) und
28,5 g 6-Diazo-5-oxo-1-naphthalinsulfonylchlorid in
160 ecm Dioxan umgesetzt. Das erhaltene gelbe Produkt war sehr lichtempfindlich. Es schmolz unter Zersetzung
bei etwa 95 bis 105°.
N, N'-Di-(dehydroabietyl)-N, N'-äthylen-bis-(6-diazo-5-oxo-l
-naphthalinsulf onsäureamid)
Nach dem Verfahren des Beispiels 1 wurden 15 g N, N'-Äthylendidehydroabietylamin in 80 ecm Dioxan
mit 14,2 g 6-Diazo-5-oxo-l-naphthalinsulfonylchlorid in 20 ecm 3n-Natriumcarbonatlösung umgesetzt. Das erhaltene
dunkelfarbige teerartige Produkt kristallisierte langsam aus und schmolz bei etwa 105° unter Zersetzung.
Das Äthylendiaminzwischenprodukt wurde hergestellt, indem theoretische Mengen von »Rosin Amine Ό« und
Äthylenbromid in Xylol bei 140° umgesetzt wurden, g0
worauf das Gemisch mit einer Natriumhydroxydlösung behandelt wurde, um die Base von dem Dihydrobromid
zu befreien.
N-Dehydroabietyl-o-diazo-S-oxo-l-naphthalinsulfonsäureamid
55
Das Verfahren war dasselbe wie im Beispiel 1, doch wurden an Stelle des Dioxans 200 ecm Isopropylalkohol
benutzt und die Menge Eiswasser von 300 ecm auf 100 ecm
verringert. Durch die Verwendung des Isopropylalkohols fiel die anfängliche Abscheidung des Produktes als öl
weg, und es wurde ein feinpulveriges gelbes Produkt erhalten, das leicht zu trocknen war, keine Reinigung
erforderte und oberhalb 150° schmolz.
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung von N-abietylsubstituierten
o-Chinondiaziden von Naphthalin- und Benzolsulfonsäureamiden der Formeln
R-
CH2
N —
und
R,—
O9S-N-R,
CH,
in denen R1 — CH2— einen Abietylrest, wie Dehydroabietyl,
Dihydroabietyl, Tetrahydroabietyl oder Dextropimaryl, R und R2 Wasserstoff, einen Alkylrest
oder einen Oxyalkylrest und R auch einen Alkylenrest sowie Z die Atome bedeuten, die zur Vervollständigung
eines Cyclohexadienringes oder eines Polyhydronaphthalinringes erforderlich sind und wobei =N2
und = O immer benachbarte Stellungen im gleichen Ring besetzen, η = 1 oder 2 ist und η immer 2 ist,
wenn R für Alkylen steht, dadurch gekennzeichnet, daß ein den vorstehend angegebenen Formeln entsprechendes
o-Chinondiazid eines aromatischen SuI-fonylchlorides in einem geeigneten Lösungsmittel,
wie Isopropylalkohol oder Dioxan, in bekannter Weise mit einem Abietylamin umgesetzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Abietylamin Dehydroabietylamin,
Dihydroabietylamin, Tetrahydroabietylamin, 2-Dehydroabietylaminoäthanol oder N, N'-Äthylendi-(dehydroabietyl)-amin
verwendet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 865 410,872 154,888 204.
© 709 508/492 4.57
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Families Citing this family (69)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1116674A (en) * | 1966-02-28 | 1968-06-12 | Agfa Gevaert Nv | Naphthoquinone diazide sulphofluoride |
| US3637384A (en) * | 1969-02-17 | 1972-01-25 | Gaf Corp | Positive-working diazo-oxide terpolymer photoresists |
| US4024122A (en) * | 1973-02-12 | 1977-05-17 | Rca Corporation | Method of purifying 2,4-bis(6-diazo-5,6-dihydro-5-oxo-1-naphthalenesulfonyloxy benzophenone) |
| DE3837500A1 (de) * | 1988-11-04 | 1990-05-23 | Hoechst Ag | Neue, strahlungsempfindliche verbindungen, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial |
| JP2944296B2 (ja) | 1992-04-06 | 1999-08-30 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版の製造方法 |
| JP3503839B2 (ja) | 1994-05-25 | 2004-03-08 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| JP3290316B2 (ja) | 1994-11-18 | 2002-06-10 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版 |
| US5853947A (en) * | 1995-12-21 | 1998-12-29 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Quinonediazide positive photoresist utilizing mixed solvent consisting essentially of 3-methyl-3-methoxy butanol and propylene glycol alkyl ether acetate |
| JP3506295B2 (ja) | 1995-12-22 | 2004-03-15 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性平版印刷版 |
| TW502135B (en) | 1996-05-13 | 2002-09-11 | Sumitomo Bakelite Co | Positive type photosensitive resin composition and process for preparing polybenzoxazole resin film by using the same |
| US7285422B1 (en) | 1997-01-23 | 2007-10-23 | Sequenom, Inc. | Systems and methods for preparing and analyzing low volume analyte array elements |
| EP0852341B1 (de) | 1997-01-03 | 2001-08-29 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Verfahren zur Bebilderung einer photoempfindlichen Harzzusammensetzung |
| US6602274B1 (en) | 1999-01-15 | 2003-08-05 | Light Sciences Corporation | Targeted transcutaneous cancer therapy |
| US6454789B1 (en) * | 1999-01-15 | 2002-09-24 | Light Science Corporation | Patient portable device for photodynamic therapy |
| US6511790B2 (en) | 2000-08-25 | 2003-01-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Alkaline liquid developer for lithographic printing plate and method for preparing lithographic printing plate |
| US20020142483A1 (en) * | 2000-10-30 | 2002-10-03 | Sequenom, Inc. | Method and apparatus for delivery of submicroliter volumes onto a substrate |
| WO2002037184A1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-10 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Positive photosensitive resin composition, process for its preparation, and semiconductor devices |
| DE60137398D1 (de) | 2000-11-30 | 2009-03-05 | Fujifilm Corp | Lithographische Druckplattenvorläufer |
| US20040067435A1 (en) | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image forming material |
| EP1400856B1 (de) | 2002-09-20 | 2011-11-02 | FUJIFILM Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Flachdruckplatte |
| US6852465B2 (en) * | 2003-03-21 | 2005-02-08 | Clariant International Ltd. | Photoresist composition for imaging thick films |
| EP1491952B1 (de) | 2003-06-23 | 2015-10-07 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positiv arbeitende lichtempfindliche Harzzusammensetzung, Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Harzfilms, Halbleitervorrichtung, Anzeigevorrichtung, und Verfahren zur Herstellung der letzteren |
| US7416822B2 (en) * | 2004-01-20 | 2008-08-26 | Asahi Kasei Emd Corporation | Resin and resin composition |
| JP4404734B2 (ja) | 2004-09-27 | 2010-01-27 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
| JP4800321B2 (ja) | 2004-12-09 | 2011-10-26 | コーロン インダストリーズ インク | ポジティブ型ドライフィルムフォトレジスト及びこれを製造するための組成物 |
| JP4474296B2 (ja) | 2005-02-09 | 2010-06-02 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
| JP4404792B2 (ja) | 2005-03-22 | 2010-01-27 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
| JP5034269B2 (ja) | 2005-03-31 | 2012-09-26 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成材料、及びポリイミド前駆体樹脂組成物 |
| US20070105040A1 (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-10 | Toukhy Medhat A | Developable undercoating composition for thick photoresist layers |
| EP1965256B1 (de) | 2005-11-30 | 2014-04-30 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive lichtempfindliche harzzusammensetzung und verwendung derselbigen zur herstellung einer halbleiteranordnung und eines displays |
| JP5171628B2 (ja) | 2006-08-15 | 2013-03-27 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| MY151282A (en) | 2007-08-10 | 2014-04-30 | Sumitomo Bakelite Co | Positive-type photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, and semiconductor device |
| US20090180931A1 (en) | 2007-09-17 | 2009-07-16 | Sequenom, Inc. | Integrated robotic sample transfer device |
| JP2009085984A (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版 |
| JP2009083106A (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 平版印刷版用版面保護剤及び平版印刷版の製版方法 |
| JP4890403B2 (ja) | 2007-09-27 | 2012-03-07 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
| JP4994175B2 (ja) | 2007-09-28 | 2012-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版、及びそれに用いる共重合体の製造方法 |
| JP4790682B2 (ja) | 2007-09-28 | 2011-10-12 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
| CN101855026A (zh) | 2007-11-14 | 2010-10-06 | 富士胶片株式会社 | 干燥涂布膜的方法和制造平版印刷版前体的方法 |
| JP2009236355A (ja) | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujifilm Corp | 乾燥方法及び装置 |
| JP5164640B2 (ja) | 2008-04-02 | 2013-03-21 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
| JP5183380B2 (ja) | 2008-09-09 | 2013-04-17 | 富士フイルム株式会社 | 赤外線レーザ用感光性平版印刷版原版 |
| KR101023089B1 (ko) * | 2008-09-29 | 2011-03-24 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| TWI459141B (zh) * | 2008-10-20 | 2014-11-01 | Cheil Ind Inc | 正型光敏性樹脂組成物 |
| RU2409560C2 (ru) * | 2009-01-11 | 2011-01-20 | Учреждение Российской академии наук Институт высокомолекулярных соединений РАН | Способ получения 2,1-диазонафталинон-хлорида-5-сульфокислоты |
| JP2010237435A (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版 |
| CN102548769B (zh) | 2009-09-24 | 2015-08-12 | 富士胶片株式会社 | 平版印刷版原版 |
| KR101333698B1 (ko) * | 2009-11-10 | 2013-11-27 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR101333704B1 (ko) * | 2009-12-29 | 2013-11-27 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR20120066923A (ko) | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 제일모직주식회사 | 신규 페놀 화합물 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR101423539B1 (ko) | 2010-12-20 | 2014-07-25 | 삼성전자 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR101400187B1 (ko) | 2010-12-30 | 2014-05-27 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자 |
| KR101400186B1 (ko) | 2010-12-31 | 2014-05-27 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자 |
| KR101400192B1 (ko) | 2010-12-31 | 2014-05-27 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자 |
| US20130108956A1 (en) | 2011-11-01 | 2013-05-02 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Nanocomposite positive photosensitive composition and use thereof |
| KR101423176B1 (ko) | 2011-11-29 | 2014-07-25 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자 |
| KR101413076B1 (ko) | 2011-12-23 | 2014-06-30 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자 |
| KR101432603B1 (ko) | 2011-12-29 | 2014-08-21 | 제일모직주식회사 | 감광성 노볼락 수지, 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 이를 포함하는 반도체 소자 |
| KR101413078B1 (ko) | 2011-12-30 | 2014-07-02 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR101423177B1 (ko) | 2011-12-30 | 2014-07-29 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| JP5490168B2 (ja) | 2012-03-23 | 2014-05-14 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法 |
| JP5512730B2 (ja) | 2012-03-30 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版の作製方法 |
| KR20140086724A (ko) | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 제일모직주식회사 | 표시장치 절연막용 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 표시장치 절연막 및 표시장치 |
| KR101667787B1 (ko) | 2013-08-13 | 2016-10-19 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자 |
| KR101750463B1 (ko) | 2013-11-26 | 2017-06-23 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자 |
| KR101728820B1 (ko) | 2013-12-12 | 2017-04-20 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자 |
| KR102090449B1 (ko) | 2016-03-31 | 2020-03-18 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물, 경화 릴리프 패턴의 제조 방법 및 반도체 장치 |
| CN113341651B (zh) * | 2021-06-25 | 2023-08-25 | 北京北旭电子材料有限公司 | 一种光刻胶及图案化方法 |
| CN121079290A (zh) | 2023-04-27 | 2025-12-05 | 默克专利股份有限公司 | 光活性化合物 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE865410C (de) * | 1943-07-10 | 1953-02-02 | Kalle & Co Ag | Lichtempfindliche Verbindungen fuer die Diazotypie |
| DE872154C (de) * | 1950-12-23 | 1953-03-30 | Kalle & Co Ag | Photomechanisches Verfahren zur Herstellung von Bildern und Druckformen mit Hilfe von Diazoverbindungen |
| DE888204C (de) * | 1949-07-23 | 1953-08-31 | Kalle & Co Ag | Verfahren zur Herstellung von Kopien, besonders Druckformen, mit Hilfe von Diazoverbindungen, und dafuer verwendbares lichtempfindliches Material |
-
0
- NL NL199484D patent/NL199484A/xx unknown
- BE BE539175D patent/BE539175A/xx unknown
- NL NL95406D patent/NL95406C/xx active
-
1954
- 1954-08-20 US US451294A patent/US2797213A/en not_active Expired - Lifetime
-
1955
- 1955-06-17 GB GB17639/55A patent/GB787360A/en not_active Expired
- 1955-08-02 DE DEG17709A patent/DE1007773B/de active Pending
- 1955-08-17 CH CH341071D patent/CH341071A/de unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE865410C (de) * | 1943-07-10 | 1953-02-02 | Kalle & Co Ag | Lichtempfindliche Verbindungen fuer die Diazotypie |
| DE888204C (de) * | 1949-07-23 | 1953-08-31 | Kalle & Co Ag | Verfahren zur Herstellung von Kopien, besonders Druckformen, mit Hilfe von Diazoverbindungen, und dafuer verwendbares lichtempfindliches Material |
| DE872154C (de) * | 1950-12-23 | 1953-03-30 | Kalle & Co Ag | Photomechanisches Verfahren zur Herstellung von Bildern und Druckformen mit Hilfe von Diazoverbindungen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB787360A (en) | 1957-12-04 |
| CH341071A (de) | 1959-09-15 |
| NL95406C (de) | |
| BE539175A (de) | |
| US2797213A (en) | 1957-06-25 |
| NL199484A (de) |
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