DE102008018536A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008018536A1 DE102008018536A1 DE102008018536A DE102008018536A DE102008018536A1 DE 102008018536 A1 DE102008018536 A1 DE 102008018536A1 DE 102008018536 A DE102008018536 A DE 102008018536A DE 102008018536 A DE102008018536 A DE 102008018536A DE 102008018536 A1 DE102008018536 A1 DE 102008018536A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- membrane
- wafer
- carrier
- deformation
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
- B28D5/0094—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being of the vacuum type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H10P72/7616—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating, a hardness or a material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
- B32B43/006—Delaminating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0428—Apparatus for mechanical treatment or grinding or cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/78—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/14—Semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7412—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger mit - einer parallel zu einer Kontaktfläche des Wafers ausrichtbaren, verformbaren Membran mit einer Kontaktseite zur zumindest teilweisen Kontaktierung der Kontaktfläche, - rückwärtig zu der Kontaktseite angeordneten Verformungsmitteln zur definiert steuerbaren Verformung der Membran und - Haftmitteln zur Anhaftung des Wafers an die Membran sowie Verfahren zum Ablösen und/oder Aufbringen eines Wafers von einem/auf einen Träger mit einer entsprechenden Vorrichtung.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung gemäß Anspruch 1 und Verfahren gemäß den Ansprüchen 14 und 16 zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger.
- Das Rückdünnen von Wafern ist in der Halbleiterindustrie häufig erforderlich und kann mechanisch und/oder chemisch erfolgen. Zum Rückdünnen werden die Wafer in der Regel auf einen Träger vorübergehend fixiert, wobei es für die Fixierung verschiedene Methoden gibt. Als Trägermaterial werden beispielsweise Folien, Glassubstrate oder Siliziumwafer verwendet.
- In Abhängigkeit von den verwendeten Trägermaterialien und der verwendeten Verbindungsschicht zwischen Träger und Wafer sind verschiedene Verfahren zur Auflösung oder Zerstörung der Verbindungsschicht bekannt, wie beispielsweise die Verwendung von UV-Licht, Laserstrahlen, Temperatureinwirkung oder Lösungsmittel.
- Das Ablösen stellt sich zunehmend als einer der kritischsten Prozessschritte dar, da die dünnen Substrate mit Substratdicken von wenigen μm beim Ablösen/Abziehen leicht brechen oder durch die für den Vorgang des Ablösens notwendigen Kräfte Schaden erleiden.
- Darüber hinaus haben die dünnen Substrate kaum bis keine Formstabilität und rollen sich typischerweise ohne Stützmaterial ein. Während der Handhabung der rückgedünnten Wafer ist mithin eine Fixierung und Unterstützung der Wafer praktisch unumgänglich.
- Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung und Verfahren anzugeben, um einen Wafer möglichst zerstörungsfrei von einem Träger zu lösen, mit dem darüber hinaus ein möglichst blasenfreies Aufbringen eines Wafers auf einen Träger möglich ist.
- Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen der Ansprüche 1, 14 und 16 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben. In den Rahmen der Erfindung fallen auch sämtliche Kombinationen aus zumindest zwei von in der Beschreibung, den Ansprüchen und/oder den Figuren angegebenen Merkmalen. Bei angegebenen Wertebereichen sollen auch innerhalb der genannten Grenzen liegende Werte als Grenzwerte offenbart und in beliebiger Kombination beanspruchbar sein.
- Der Erfindung liegt der Gedanke zugrunde, eine Vorrichtung anzugeben, um die auf den rückgedünnten Wafer wirkende Ablösekraft durch Verformung der Kontaktierungsfläche gezielt an dem Wafer anzusetzen, wobei vorzugsweise zuerst der Rand des meist kreisförmigen Wafers abgelöst wird, indem der Wafer an der Kontaktierungsseite anhaftet.
- Bevorzugt ist eine Kombination aus horizontaler Abziehkraft und vertikaler Durchbiegung, durch die ein sukzessives und schonendes Abheben des Randes bewirkt wird.
- Mit anderen Worten steigt die Ablösekraft vom Umfang des Wafers zum Zentrum während des Ablösens an, wobei insbesondere zusätzlich eine Querkraftkomponente vorteilhaft ist.
- Vorrichtungsgemäß betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger:
- – mit einer parallel zu einer Kontaktfläche des Wafers ausrichtbaren, verformbaren Membran mit einer Kontaktseite zur zumindest teilweisen Kontaktierung der Kontaktfläche,
- – rückwärtig zu der Kontaktseite angeordneten Verformungsmitteln zu definiert steuerbaren Verformung der Membran und
- – mit Haftmitteln zur Anhaftung des Wafers an die Membran.
- Durch die definiert steuerbare Verformung der Membran kann der rückgedünnte Wafer im Zusammenspiel mit der Anhaftung des Wafers an die Membran gezielt, vorzugsweise von außen nach innen, von dem Träger abgelöst werden.
- In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist die Membran omnipermeabel, insbesondere durch die Membran durchsetzende Löcher, wobei vorzugsweise die Zahl und/oder der Durchmesser der Löcher vorgegeben sind. Durch diese Maßnahme ist es möglich, den Wafer an die Membran anzusaugen, und zwar bei vorgegebener Zahl und/oder vorgegebenem Durchmesser der Löcher mit definierter Haftkraft. Es werden damit auch negative Effekte von Vakuumrillen auf den Wafer vermieden.
- Ein entsprechender Effekt wird erzielt, indem die Membran durch die Haftmittel mit einer Druckdifferenz beaufschlagbar ist.
- In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfassen die Haftmittel:
- – einen durch eine Saugwanne und eine die Saugwanne bedeckenden Membran gebildeten Saugraum sowie
- – eine an den Saugraum angeschlossene Vakuumpumpe.
- Weiterhin ist mit Vorteil vorgesehen, die Saugwanne durch einen, insbesondere impermeablen, durch Druck verformbaren Boden und eine Umfangswand zu bilden, da hierdurch von Außen über den verformbaren Boden Druckkräfte in den Saugraum übertragen werden können.
- In vorteilhafter Ausgestaltung der Erfindung umfassen die Verformungsmittel:
- – den verformbaren Boden der Saugwanne und
- – mindestens einen, vorzugsweise eine Vielzahl von, Abstandhaltern zur definierten Beabstandung der Membran von dem Boden.
- Durch die vorgenannte Ausgestaltung wird eine besonders effektive Übertragung der Druckkräfte auf die Membran ermöglicht und indem der Boden eine ähnliche Grundform wie die Membran und auch wie der Wafer aufweist, können die über die Fläche des verformbaren Bodens anliegenden Druckkräfte optimal an die Membran weitergegeben werden.
- In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung sind die Abstandhalter kantenfrei, insbesondere kugelförmig ausgebildet, wodurch eine möglichst gleichmäßige Kraftverteilung und -übertragung auf die Membran und damit auf den Wafer möglich ist. Vorzugsweise sind die Abstandhalter vom Zentrum der Membran gleichmäßig über die Fläche der Membran verteilt. Die Abstandhalter können unterschiedliche Geometrien aufweisen, sind aber vorzugsweise identisch. Noch bevorzugter werden eine Vielzahl von kleinen Kugeln als Abstandhalter in den Saugraum gefüllt.
- Weiterhin können die Verformungsmittel mit Vorteil umfassen:
- – einen durch eine Druckwanne und den die Druckwanne bedeckenden Boden gebildeten Druckraum sowie
- – eine an den Druckraum angeschlossene Druckpumpe.
- Der Druckraum ist mit einem Druck von bis zu 10 bar beaufschlagbar.
- Durch die vorgenannte Ausgestaltung der Verformungsmittel können nicht nur die Haftmittel, sondern auch die Verformungsmittel durch eine Vakuumpumpe betrieben werden, wobei möglicherweise sogar Synergieeffekte der Vakuumeinrichtung genutzt werden können.
- Beispielsweise könnte die Vakuumpumpe gleichzeitig die Druckpumpe sein.
- Mit Vorteil ist weiterhin vorgesehen, dass die Verformungsmittel mindestens einen Begrenzer aufweisen, der die Verformung des Bodens in Richtung Druckraum begrenzend ausgebildet ist, insbesondere derart, dass der Boden bei Anliegen des Bodens am Begrenzer plan eben ist. Durch die Begrenzung der Verformung des Bodens kann mit Vorteil eine Ausgangsstellung der Vorrichtung vorgegeben werden, die vorliegt, wenn zumindest im Druckraum Atmosphärendruck/Umgebungsdruck oder Unterdruck bis Vakuum anliegt.
- Indem die Fläche der Kontaktseite kleiner als die Fläche der Kontaktfläche ist, um beim Abziehen des Wafers von dem Träger gegebenenfalls entstehende Klebewulste nicht auf die Membran zu übertragen, wird vermieden, die Membran und insbesondere deren Löcher zu kontaminieren.
- Mit Vorteil sind in einer Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung Aufheizmittel vorgesehen, die in einer Aufnahmeeinheit zur Aufnahme des Trägers integriert sind und/oder unterhalb einer Aufnahmeeinheit zur Aufnahme des Trägers angeordnet sind. Bei der Anordnung der Aufheizmittel unterhalb der Aufnahmeeinheit kann die Aufnahmeeinheit vor Aufheizen der Aufheizmittel zum Ablösen des Wafers weggefahren werden, damit eine direkte Wärmebeaufschlagung des Trägers und Wafers möglich ist.
- Dadurch, dass der Saugraum mit Unterdruck, insbesondere kleiner 500 mbar, beaufschlagt ist, wirkt die Wärme optimal auf das Verbindungsmittel zwischen Wafer und Träger ein. Die Aufheizmittel können dadurch sogar kleiner dimensioniert werden.
- Um die Verbindungskraft zu zerstören, ist es wichtig, das Verbindungsmittel sehr genau und gleichmäßig auf die zur Zerstörung der Hafteigenschaft nötige Temperatur zu bringen. Dies wird insbesondere erreicht, indem eine Abkühlung an der entgegengesetzten Seite der Wärmeeinbringung reduziert und minimiert wird. Dadurch entsteht eine sehr geringe Temperaturdifferenz zwischen der Temperatur des Trägers und des Wafers (hohe Gleichmäßigkeit). Würde dies nicht der Fall sein, hätte der Träger unter Umständen eine hohe Temperatur insbesondere an der zur Strahlungsquelle ausgesetzten Seite und das Temperaturgefälle zur Membran des Wafers würde sehr groß sein. Da der Wafer besonders dünn ist und Silizium eine sehr gute Wärmeleitfähigkeit besitzt, würde in diesem Fall die Klebeschicht nicht die zur Zerstörung der Hafteigenschaft notwendige Temperatur erreichen. Deshalb ist es besonders wichtig, beim Wafer einen hohen Isolationswert zu haben.
- Verfahrengemäß ist die Aufgabe durch ein Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger mit einer vorbeschriebenen Vorrichtung gelöst, das folgende Verfahrensschritte, insbesondere in der angegebenen Reihenfolge, aufweist:
- a) Ausrichten der verformbaren Membran mit deren Kontaktseite parallel zu der Kontaktfläche des Wafers,
- b) Kontaktierung von Membran und Wafer, und
- c) Verformung und Ablösung der Membran mittels der Verformungsmittel in Richtung der Kontaktseite, wobei die Verformung der Membran konvex erfolgt.
- Beim Ausrichten der verformbaren Membran mit deren Kontaktseite parallel zu der Kontaktfläche des Wafers ist möglicherweise ein Keilfehler durch im Stand der Technik bekannte Verfahren und Vorrichtungen auszugleichen.
- Zur Kontaktierung ist es sowohl möglich die Membran an den Wafer heranzufahren als auch umgekehrt oder durch Bewegung der beiden Bauteile Membran und Wafer aufeinander zu.
- Anstelle einer Membran kann auch eine Klebefolie verwendet werden.
- Indem das Anhaften durch Anlegen eines Unterdrucks an der Rückseite der Membran erfolgt, wird durch den Unterdruck auf der Rückseite der Membran der zusätzliche Effekt erzielt, dass durch das Vakuum eine hervorragende Isolierung beim Aufheizen gewährleistet wird und damit ein gleichmäßiges Aufheizen mit geringem Energieverlust gewährleistet werden kann.
- Die Verformung der Membran beim Ablösen des Wafers erfolgt mit Vorteil konvex, das heißt die Ablösekraft steigt vom Rand der Membran möglichst gleichmäßig zum Zentrum der Membran hin an.
- Umgekehrt kann das erfindungsgemäße Verfahren auch zum Aufbringen eines Wafers auf einen Träger mit der oben beschriebenen Vorrichtung durch folgende, insbesondere in der nachfolgenden Reihenfolge ablaufende, Verfahrensschritte erfolgen:
- a) Kontaktierung von Membran und Wafer sowie Anhaften des Wafers an die Membran durch die Haftmittel,
- b) Ausrichten der verformbaren Membran sowie des daran anhaftenden Wafers mit einem Träger,
- c) konvexe Verformung der Membran und des Wafers mittels der Verformungsmittel und Aufbringung des Wafers auf den Träger.
- Die Aufbringung erfolgt mit Vorteil auf Grund der konvexen Verformung des Wafers vom Zentrum des Wafers aus, so dass Lufteinschlüsse, die bei einer flachen Auflage des Wafers auf den Träger häufig unvermeidbar sind, weitgehend vermieden werden.
- Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand der Zeichnungen; diese zeigen in:
-
1 : eine schematische Seitenansicht einer erfindungsgemäßen Vorrichtung und -
2 : eine schematische Aufsicht auf die erfindungsgemäße Membran. - In den Figuren sind gleiche Bauteile und Bauteile mit der gleichen Funktion mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.
- In
1 ist eine erfindungsgemäße Vorrichtung als Ausführungsform schematisch dargestellt, wobei Bauteile wie ein die Vorrichtung umgebendes Gehäuse oder Positionier- und/oder Justiereinrichtungen, wie beispielsweise ein Roboterarm, nicht dargestellt sind, da diese im Stand der Technik hinreichend bekannt sind. - Auf einer Aufnahmeeinheit
1 mit darin integrierten Heizmitteln14 , die vorliegend als Heizwendeln ausgebildet sind, ist ein Träger2 durch Unterdruckfixiermittel16 fixierbar. Mit dem Träger2 ist durch Verbindungsmittel3 , beispielsweise ein Kleber, ein Wafer4 verbunden, der in einem vorherigen Verfahrensschritt rückgedünnt worden ist, so dass eine Kontaktfläche4k des Wafers4 auf der dem Träger2 abgewandten Seite des Wafers4 frei liegt. - Wesentlicher Bestandteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist die aus den oberhalb des Wafers
4 angeordneten Bauteilen bestehende Einrichtung, an deren Unterseite eine Membran5 mit ihrer Kontaktseite5k zu der Kontaktfläche4k des Wafers4 gegenüberliegend angeordnet ist. - Eventuelle sich aus einem Keil des Waferstapels ergebende Nichtparallelitäten werden durch einen sogenannten Keilfehlerausgleich ausgeglichen, der im Stand der Technik hinreichend bekannt ist.
- Die Kontaktseite
5k ist demnach möglichst parallel zu der Kontaktfläche4k und fluchtend zu der Kontaktfläche4k ausgerichtet. Die Kontaktfläche4k und die Kontaktseite5k sind meist kreisförmig. - Die Membran
5 ist an einer hier kreisringförmigen Stirnfläche7s kraftschlüssig und dicht fixiert, wobei die Membran5 über die Kontaktseite5k verteilt Löcher13 aufweist, um über eine an der Membran5 anliegende Druckdifferenz den Wafer4 ansaugen zu können. - Oberhalb der Membran
5 ist durch eine Umfangswand7u und einem Boden7b einer Saugwanne7 zusammen mit der Membran5 ein Saugraum17 gebildet, der über eine Saugleitung12 durch eine nicht dargestellte Vakuumpumpe mit Unterdruck beaufschlagbar ist. - Der Boden
7b ist in seiner in1 gezeigten Ausgangsstellung eben und parallel zu der Membran5 , so dass der Saugraum17 im Wesentlichen eine flache Zylinderform aufweist. - Gleichmäßig im Saugraum
17 verteilt befinden sich kugelförmige Abstandhalter6 und deren Kugeldurchmesser6d entspricht im Ausgangszustand dem Abstand zwischen dem Boden7b und der Membran5 . - Oberhalb der Saugwanne
7 ist in etwa formkongruent eine Druckwanne9 mit einer Stirnfläche9s , einer Umfangswand9u und einem Boden9b angeordnet, deren Stirnfläche9s auf dem Boden7b des Saugraums7 plan und dicht aufliegt. - Durch der von der Druckwanne
9 und dem Boden7b umschlossenen Raum wird ein Druckraum8 gebildet, der über eine Druckleitung11 und eine nicht dargestellte Pumpe mit Druck beaufschlagbar ist. Die Druckwanne9 ist mit der Saugwanne7 fixiert, beispielsweise durch eine Kraft auf den Boden9b der Druckwanne9 oder durch eine anderweitige kraftschlüssig; Verbindung. - In dem in
1 dargestellten Ausgangszustand, in welchem im Saugraum7 und im Druckraum8 atmosphärischer Druck bzw. Umgebungsdruck vorherrscht, ist der impermeable Boden7b plan eben und liegt an zwischen dem Boden7b und dem Boden9b im Druckraum9 angeordneten Begrenzern10 an. - Unterhalb der Aufnahmeeinheit
1 können zusätzlich oder alternativ zu den Heizmitteln14 weitere Heizmittel15 vorgesehen sein. - Die Fläche der Kontaktseite
5k ist kleiner als die Fläche der Kontaktfläche4k des Wafers4 , um eine Kontamination der Membran5 durch Verbindungsmittel3 beim Ablösen des Wafers4 von dem Träger2 zu vermeiden. - Das Ablösen des Wafers
4 von dem Träger2 mit der in1 dargestellten Vorrichtung läuft wie folgt ab:
Nach dem Rückdünnen des durch die Verbindungsmittel3 auf dem Träger2 fixierten Wafers4 (Waferstapel) wird dieser Waferstapel von der Rückdünneinrichtung durch einen nicht dargestellten Roboterarm auf die Aufnahmeeinheit1 positioniert und anschließend durch Unterdruckfixiermittel16 auf der Aufnahmeeinheit1 fixiert. Mit demselben oder einem weiteren Roboterarm wird die mit Druckraum9 und Saugraum7 verbundene Membran5 mit deren Kontaktseite5k parallel zu der Kontaktfläche4k und fluchtend zu dieser ausgerichtet. - Anschließend wird die Membran
5 auf den Wafer4 abgesenkt und kontaktiert diesen in der in1 gezeigten drucklosen Ausgangsstellung. - Der Roboterarm kann den Waferstapel auch direkt an die Membran
5 übergeben, ohne Fixierung auf der Aufnahmeeinheit1 , so dass die Aufnahmeeinheit1 entfallen kann. In diesem Fall werden nur Heizmittel15 benötigt. Die Querkraft beim Ablösen des Trägers zum Wafer4 wird durch den Greifer18 (3 ) eingebracht, der weiter unten beschrieben ist. - Durch die Haftmittel, bestehend aus der Membran
5 mit Löchern13 , dem Saugraum17 und der über die Saugleitung12 angeschlossenen Vakuumpumpe wird die Membran5 an den Wafer4 angehaftet. - Währenddessen oder anschließend an das Anhaften und/oder Kontaktieren der Membran
5 mit dem Wafer4 wird der aus Wafer4 , Verbindungsmittel3 und Träger2 bestehende Stapel durch die Heizmittel14 und/oder Heizmittel15 aufgeheizt, wobei der Saugraum17 als Wärmeisolator und -regulator dient. - Das Verfahren wird über eine nicht dargestellte Steuereinheit gesteuert.
- Nach Erreichen der für das Lösen des Klebers (Verbindungsmittel
3 ) erforderlichen Temperatur wird der an der Membran anhaftende Wafer4 durch konvexe Verformung der Membran5 mittels der Verformungsmittel abgelöst, wobei automatisch ein Ablösen des Wafers4 vom Rand4r des Wafers4 erfolgt. Bevorzugt wird über Relativbewegung des Trägers2 zur Membran5 eine Querkraft eingebracht. - Die Verformungsmittel sind gebildet durch den über die Druckleitung
11 und die nicht dargestellt Pumpe mit Druck beaufschlagten Druckraum8 sowie den impermeablen, verformbaren Boden7b , die Abstandhalter6 und die Membran5 . - Die Druckwanne
9 und die Saugwanne7 können einstückig ausgebildet sein. Ebenso können die Begrenzer10 und/oder die Abstandhalter6 Ausformungen der Böden7b und/oder9b sein. - Durch Anlegen von Überdruck im Druckraum
8 wird der Boden7b wegen der massiveren Bauweise der Druckwanne9 konvex gewölbt bzw. dynamisch durchgebogen, wobei die Durchbiegung proportional zu dem anliegenden Überdruck von bis zu 10 bar und damit programmierbar bzw. steuerbar durch die Steuereinheit ist. - Durch die Durchbiegung des Bodens
7b werden die Abstandhalter6 in Richtung der Membran5 gedrückt, wodurch die Membran5 ebenfalls analog dem Boden7b durchgebogen wird. Durch diesen Effekt einer gleichmäßigen, präzisen und genau programmierbaren Durchbiegung der Membran5 unter Beibehaltung der Haftkraft an der Membran5 kann der Wafer4 vom Rand her vom Träger2 abgelöst werden. Zusätzlich zu der vertikalen Kraftkomponente über die Membran5 kann der Wafer4 durch einen Greifer18 gemäß3 in horizontaler Richtung abgeschoben werden, wodurch der Wafer4 schonend von dem Träger2 gelöst wird, ohne auf dem Wafer4 befindliche Chips19 zu beschädigen. - Der Greifer
18 ist dabei in Form eines Hakens ausgebildet, mit einem Vorsprung20 , der eine geringere Höhe H aufweist als die Dicke D des Wafers4 . Die Querkraft oder horizontale Kraftkomponente kann auch durch die Aufnahmeeinheit1 oder einem Vakuumgreifer übertragen werden. - Um bei thermischen temporären Klebeverbindungen als Verbindungsmittel
3 die genaue Einhaltung der Temperatur zu ermöglichen, befinden sich in der Aufnahmeeinheit1 und/oder im Bereich des Saugraums17 einer oder mehrerer Temperaturfühler, die eine Kontrolle der eingebrachten Temperatur ermöglichen und über eine Steuerungssoftware der Steuerungseinrichtung (nicht gezeigt) den Ablösevorgang steuern. - Durch die Isolierwirkung des Saugraumes
17 muss der Stapel aus Wafer4 , Verbindungsmittel3 und Träger2 nur von einer Seite beheizt werden. - Die oben beschriebene Vorrichtung kann weiterhin für ein Verfahren zum Aufbringen des Wafers
4 auf einen weiteren Träger2' , beispielsweise eine Sägefolie oder einen prozessierten Wafer, verwendet werden und zur Vermeidung von Lufteinschlüssen beim Übertragen bzw. Kontaktieren des dünnen Wafers4 mit dem weiteren Träger2' ist eine Aufbringung des Wafers4 in gewölbter Form besonders vorteilhaft. - Das heißt, dass der durch obiges Verfahren abgelöste Wafer
4 durchgebogen an der Membran5 bleibt und mit dem weiteren Träger2' ausgerichtet wird. Der konvex geformte Wafer4 wird dann im Zentrum auf den Träger2' aufgesetzt und durch Rückverformung, also Absenken des Drucks im Druckraum9 auf den Träger2' aufgebracht, wobei Lufteinschlüsse weitgehend vermieden werden. - Die Gefahr von Lufteinschlüssen ist insbesondere bei Klebefolien besonders groß, so dass es das vorliegende Verfahren erlaubt, Wafer ohne Lufteinschlüsse auf adhäsiven Materialien abzulegen.
-
- 1
- Aufnahmeeinheit
- 2, 2'
- Träger
- 3
- Verbindungsmittel
- 4
- Wafer
- 4k
- Kontaktfläche
- 4r
- Rand
- 5
- Membran
- 5k
- Kontaktseite
- 6
- Abstandhalter
- 6d
- Kugeldurchmesser
- 7
- Saugwanne
- 7b
- Boden
- 7s
- Stirnfläche
- 7u
- Umfangswand
- 8
- Druckraum
- 9
- Durckwanne
- 9b
- Boden
- 9s
- Stirnfläche
- 9u
- Umfangswand
- 10
- Begrenzer
- 11
- Druckleitung
- 12
- Saugleitung
- 13
- Löcher
- 14
- Heizmittel
- 15
- Heizmittel
- 16
- Unterdruckfixiermittel
- 17
- Saugraum
- 18
- Griefer
- 19
- Chips
- 20
- Vorsprung
- H
- Höhe
- D
- Dicke
Claims (16)
- Vorrichtung zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers (
4 ) auf einen/von einem Träger (2 ) mit – einer parallel zu einer Kontaktfläche (4k ) des Wafers (4 ) ausrichtbaren, verformbaren Membran (5 ) mit einer Kontaktseite (5k ) zur zumindest teilweisen Kontaktierung der Kontaktfläche (4k ), – rückwärtig zu der Kontaktseite (5k ) angeordneten Verformungsmitteln zur definiert steuerbaren Verformung der Membran (5 ) und – Haftmitteln zur Anhaftung des Wafers (4 ) an die Membran (5 ). - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (
5 ) omnipermeabel ist, insbesondere durch die Membran (5 ) durchsetzende Löcher (13 ), wobei vorzugsweise die Zahl und/oder der Durchmesser der Löcher (13 ) vorgegeben sind. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (
5 ) durch die Haftmittel mit einer Druckdifferenz beaufschlagbar ist. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Haftmittel umfassen: – einen durch eine Saugwanne (
7 ) und eine die Saugwanne (7 ) bedeckende Membran (5 ) gebildeten Saugraum (17 ) sowie – eine an den Saugraum (17 ) angeschlossene Vakuumpumpe. - Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Saugwanne (
7 ) durch einen, insbesondere impermeablen, durch Druck verformbaren Boden (7b ) und eine Umfangswand (7u ) gebildet ist. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verformungsmittel umfassen: – den vorformbaren Boden (
7b ) der Saugwanne (7 ) und – mindestens einen, vorzugsweise eine Vielzahl von Abstandhaltern (6 ) zur definierten Beabstandung der Membran (5 ) von dem Boden (7b ). - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abstandhalter (
6 ) kantenfrei, insbesondere kugelförmig ausgebildet sind. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verformungsmittel umfassen: – einen durch eine Druckwanne (
9 ) und den die Druckwanne (9 ) bedeckenden Boden (9b ) gebildeten Druckraum (8 ) sowie – eine an den Druckraum (8 ) angeschlossene Druckpumpe. - Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Verformungsmittel mindestens einen Begrenzer (
10 ) aufweisen, der die Verformung des Bodens (7b ) in Richtung Druckraum (8 ) begrenzend ausgebildet ist, insbesondere derart, dass der Boden (7b ) bei Anliegen des Bodens (7b ) am Begrenzer (10 ) plan eben ist. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Fläche der Kontaktseite (
5k ) kleiner als die Fläche der Kontaktfläche (4k ) ist. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung Aufheizmittel (
14 ,15 ) aufweist. - Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufheizmittel (
14 ) in eine Aufnahmeeinheit (1 ) zur Aufnahme des Trägers (2 ) integriert sind. - Vorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufheizmittel (
15 ) unterhalb einer Aufnahmeeinheit (1 ) zur Aufnahme des Trägers (2 ) angeordnet sind. - Verfahren zum Ablösen eines Wafers (
4 ) von einem Träger (2 ) mit einer Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche durch folgende Verfahrensschritte: a) Ausrichten der verformbaren Membran (5 ) mit deren Kontaktseite (5k ) parallel zu der Kontaktfläche (4k ) des Wafers (4 ), b) Kontaktierung von Membran (5 ) und Wafer (4 ) sowie Anhaften des Wafers (4 ) an die Membran (5 ) durch die Haftmittel, und c) Verformung und Ablösung der Membran (5 ) mittels der Verformungsmittel in Richtung der Kontaktseite (5k ), wobei die Verformung der Membran (4 ) konvex erfolgt. - Verfahren nach Anspruch 14, bei dem der Träger (
2 ) und der Wafer (4 ) vor der Ablösung des Wafers (4 ) zur Lösung eines zwischen Wafer (4 ) und Träger (2 ) befindlichen Verbindungsmittels (3 ) durch Aufheizmittel (15 ) aufgeheizt werden. - Verfahren zum Aufbringen eines Wafers (
4 ) auf einen Träger (2' ) mit einer Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche durch folgende Verfahrensschritte: a) Kontaktierung von Membran (5 ) und Wafer (4 ) sowie Anhaften des Wafers (4 ) an die Membran (5 ) durch die Haftmittel, b) Ausrichten der verformbaren Membran (5 ) sowie des daran anhaftenden Wafers (4 ) mit einem Träger (2' ), und c) konvexe Verformung der Membran (5 ) und des Wafers (4 ) mittels der Verformungsmittel und Aufbringung des Wafers (4 ) auf den Träger (2' ).
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008018536.1A DE102008018536B4 (de) | 2008-04-12 | 2008-04-12 | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger |
| ATA357/2009A AT506622B1 (de) | 2008-04-12 | 2009-03-05 | Vorrichtung und verfahren zum aufbringen und/oder ablösen eines wafers auf einen/von einem träger |
| US12/402,542 US8157615B2 (en) | 2008-04-12 | 2009-03-12 | Device and process for applying and/or detaching a wafer to/from a carrier |
| JP2009070508A JP5421629B2 (ja) | 2008-04-12 | 2009-03-23 | ウェーハをキャリアに付加しかつ/またはキャリアから分離させるためのデバイスおよび方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008018536.1A DE102008018536B4 (de) | 2008-04-12 | 2008-04-12 | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102008018536A1 true DE102008018536A1 (de) | 2009-10-15 |
| DE102008018536B4 DE102008018536B4 (de) | 2020-08-13 |
Family
ID=41060606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102008018536.1A Active DE102008018536B4 (de) | 2008-04-12 | 2008-04-12 | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8157615B2 (de) |
| JP (1) | JP5421629B2 (de) |
| AT (1) | AT506622B1 (de) |
| DE (1) | DE102008018536B4 (de) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012139627A1 (de) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Biegsame trägerhalterung, vorrichtung und verfahren zum lösen eines trägersubstrats |
| US20130048224A1 (en) * | 2009-04-16 | 2013-02-28 | Gregory George | Debonding Temporarily Bonded Semiconductor Wafers |
| WO2013091714A1 (de) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Biegsame substrathalterung, vorrichtung und verfahren zum lösen eines ersten substrats |
| DE102019135499B3 (de) * | 2019-12-20 | 2021-04-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Ablöseelement, Ablöseeinheit und Verfahren zum Ablösen einer Halbleiterschicht von einem Substrat |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006026331B4 (de) * | 2006-06-02 | 2019-09-26 | Erich Thallner | Transportable Einheit zum Transport von Wafern und Verwendung einer Gelfolie in einer transportablen Einheit |
| US8267143B2 (en) * | 2009-04-16 | 2012-09-18 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Apparatus for mechanically debonding temporary bonded semiconductor wafers |
| US8366873B2 (en) * | 2010-04-15 | 2013-02-05 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers |
| US9275029B2 (en) | 2009-12-02 | 2016-03-01 | International Business Machines Corporation | Automated form layout based upon usage patterns |
| US9837295B2 (en) | 2010-04-15 | 2017-12-05 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Apparatus and method for semiconductor wafer leveling, force balancing and contact sensing |
| US9064686B2 (en) | 2010-04-15 | 2015-06-23 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Method and apparatus for temporary bonding of ultra thin wafers |
| US9859141B2 (en) | 2010-04-15 | 2018-01-02 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Apparatus and method for aligning and centering wafers |
| US9233452B2 (en) * | 2012-10-29 | 2016-01-12 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder |
| KR102036907B1 (ko) * | 2013-04-17 | 2019-10-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패턴 마스크 제작을 위한 금속 시트의 고정 장치 |
| US10586727B2 (en) * | 2013-09-25 | 2020-03-10 | Shibaura Mechatronics Corporation | Suction stage, lamination device, and method for manufacturing laminated substrate |
| USD723077S1 (en) * | 2013-12-03 | 2015-02-24 | Applied Materials, Inc. | Chuck carrier film |
| US20170140971A1 (en) * | 2015-11-14 | 2017-05-18 | Nachiket R. Raravikar | Adhesive with tunable adhesion for handling ultra-thin wafer |
| USD947802S1 (en) | 2020-05-20 | 2022-04-05 | Applied Materials, Inc. | Replaceable substrate carrier interfacing film |
| CN112053937B (zh) * | 2020-08-05 | 2024-02-20 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种降低破损率的晶圆解键合方法及装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020094766A1 (en) * | 1997-05-23 | 2002-07-18 | Zuniga Steven M. | Carrier head with a substrate sensor |
| US6431623B1 (en) * | 1999-06-11 | 2002-08-13 | Honeywell International Inc. | Vacuum device for peeling off thin sheets |
| DE69836398T2 (de) * | 1997-06-12 | 2007-03-15 | Lintec Corp. | Verfahren und Vorrichtung zum Zerteilen eines Wafers und zum Trennen von Bauelementen |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3307869A (en) * | 1965-03-15 | 1967-03-07 | Banbury Mfg Corp | Vacuum lifting pad |
| US3627369A (en) * | 1969-10-10 | 1971-12-14 | Charles H Nixon | High-temperature vacuum pickup |
| HU215333B (hu) * | 1990-05-22 | 1998-12-28 | Glasstech Inc. | Berendezés és eljárás felhevített üvegtáblák vákuumformázására |
| JPH05315434A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Nec Yamagata Ltd | 半導体ウェーハ保持具 |
| US5607718A (en) * | 1993-03-26 | 1997-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing method and polishing apparatus |
| US5674115A (en) * | 1994-07-06 | 1997-10-07 | Sony Corporation | Apparatus for grinding a master disc |
| JPH08267357A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-15 | Nec Corp | 基板の研磨装置及びその研磨方法 |
| USRE38854E1 (en) * | 1996-02-27 | 2005-10-25 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
| TW324835B (en) * | 1996-05-31 | 1998-01-11 | Memc Electronic Materials | Method for mountong semiconductor |
| US5851140A (en) * | 1997-02-13 | 1998-12-22 | Integrated Process Equipment Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate |
| JP4022306B2 (ja) * | 1998-03-03 | 2007-12-19 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハの接着方法及び接着装置 |
| US6173948B1 (en) * | 1999-01-20 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Dimensional compensating vacuum fixture |
| US6991524B1 (en) * | 2000-07-07 | 2006-01-31 | Disc Go Technologies Inc. | Method and apparatus for reconditioning digital discs |
| US6652362B2 (en) * | 2000-11-23 | 2003-11-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for polishing a semiconductor wafer and method therefor |
| US6769973B2 (en) * | 2001-05-31 | 2004-08-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same |
| DE10140133A1 (de) * | 2001-08-16 | 2003-03-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer klebenden Verbindung zwischen einer Halbleiterscheibe und einer Trägerplatte |
| JP3892703B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2007-03-14 | 富士通株式会社 | 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP4201564B2 (ja) * | 2001-12-03 | 2008-12-24 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ搬送方法およびこれを用いた半導体ウエハ搬送装置 |
| AU2003248610A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-28 | Systems On Silicon Manufacturing Co. Pte. Ltd. | Perforated plate for wafer chuck |
| JP2005150453A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 薄型半導体ウェハーの剥離方法及びその装置並びに薄型半導体ウェハーの製造方法 |
| US7549833B2 (en) * | 2006-05-04 | 2009-06-23 | David Tang | Unstacking apparatus and method for placing a sheet of glass from an upright glass stack into a tiltable glass frame |
| JP2009539626A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-11-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | メンブレン膨張ステップなしの研磨ヘッドへの高速基板ローディング |
-
2008
- 2008-04-12 DE DE102008018536.1A patent/DE102008018536B4/de active Active
-
2009
- 2009-03-05 AT ATA357/2009A patent/AT506622B1/de active
- 2009-03-12 US US12/402,542 patent/US8157615B2/en active Active
- 2009-03-23 JP JP2009070508A patent/JP5421629B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020094766A1 (en) * | 1997-05-23 | 2002-07-18 | Zuniga Steven M. | Carrier head with a substrate sensor |
| DE69836398T2 (de) * | 1997-06-12 | 2007-03-15 | Lintec Corp. | Verfahren und Vorrichtung zum Zerteilen eines Wafers und zum Trennen von Bauelementen |
| US6431623B1 (en) * | 1999-06-11 | 2002-08-13 | Honeywell International Inc. | Vacuum device for peeling off thin sheets |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130048224A1 (en) * | 2009-04-16 | 2013-02-28 | Gregory George | Debonding Temporarily Bonded Semiconductor Wafers |
| US8950459B2 (en) * | 2009-04-16 | 2015-02-10 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Debonding temporarily bonded semiconductor wafers |
| US9472437B2 (en) | 2009-04-16 | 2016-10-18 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Debonding temporarily bonded semiconductor wafers |
| US9583374B2 (en) | 2009-04-16 | 2017-02-28 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Debonding temporarily bonded semiconductor wafers |
| WO2012139627A1 (de) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Biegsame trägerhalterung, vorrichtung und verfahren zum lösen eines trägersubstrats |
| US9296193B2 (en) | 2011-04-11 | 2016-03-29 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Bendable carrier mount, device and method for releasing a carrier substrate |
| US10272660B2 (en) | 2011-04-11 | 2019-04-30 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Bendable carrier mount, device and method for releasing a carrier substrate |
| WO2013091714A1 (de) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Biegsame substrathalterung, vorrichtung und verfahren zum lösen eines ersten substrats |
| US9806054B2 (en) | 2011-12-22 | 2017-10-31 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Flexible substrate holder, device and method for detaching a first substrate |
| DE102019135499B3 (de) * | 2019-12-20 | 2021-04-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Ablöseelement, Ablöseeinheit und Verfahren zum Ablösen einer Halbleiterschicht von einem Substrat |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102008018536B4 (de) | 2020-08-13 |
| JP5421629B2 (ja) | 2014-02-19 |
| AT506622A3 (de) | 2012-11-15 |
| AT506622B1 (de) | 2016-01-15 |
| AT506622A2 (de) | 2009-10-15 |
| JP2009260317A (ja) | 2009-11-05 |
| US20090258583A1 (en) | 2009-10-15 |
| US8157615B2 (en) | 2012-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102008018536B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger | |
| EP2795669B1 (de) | Biegsame substrathalterung, vorrichtung und verfahren zum lösen eines ersten substrats | |
| EP3312871B1 (de) | Aufnahmeeinrichtung zur aufnahme eines substratstapels | |
| EP2697823B1 (de) | Biegsame trägerhalterung, vorrichtung und verfahren zum lösen eines trägersubstrats | |
| AT503053B1 (de) | Kombination aus einem träger und einem wafer | |
| DE102013205126B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| DE102008044200B4 (de) | Bonding-Verfahren | |
| DE102020209954B4 (de) | Schutzelementausbildungsverfahren und schutzelementausbildungsvorrichtung | |
| AT503848A2 (de) | Handhabungsvorrichtung sowie handhabungsverfahren für wafer | |
| EP2422357B1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum trennen eines substrats von einem trägersubstrat | |
| EP2422364B1 (de) | Vorrichtung zur ausrichtung und vorfixierung eines wafers | |
| EP1587138B1 (de) | Einrichtung für die Montage von Halbleiterchips und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterchips von einer Folie | |
| EP2490253B1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Abnahme mindestens eines chipförmigen Halbleiterbauelements von einer Folie | |
| DE602004001948T2 (de) | Verfahren zum Trennen von Platten, die miteinander geklebt sind und eine gestapelte Struktur bilden | |
| WO2014079677A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum bonden | |
| EP1332516A1 (de) | Verfahren zum aufbringen eines substrats | |
| AT516595B1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger | |
| DE102008064817B3 (de) | Vorrichtung zum Ablösen eines Wafers von einem Träger | |
| EP3886149A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum bonden von substraten | |
| DE102022208189B4 (de) | Schutzelement-ausbildungsvorrichtung und verfahren zum ausbilden eines schutzelements | |
| DE10142073C1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Verbinden und Trennen von Systemwafern und Trägerwafern | |
| EP3216049A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines produktsubstrats | |
| DE102015114964A1 (de) | Substratträger, Substrathaltevorrichtung, Substrattransportvorrichtung und Prozessiervorrichtung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R130 | Divisional application to |
Ref document number: 102008064817 Country of ref document: DE Effective date: 20140311 |
|
| R016 | Response to examination communication | ||
| R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0021673000 Ipc: H01L0021683000 |
|
| R016 | Response to examination communication | ||
| R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
| R020 | Patent grant now final | ||
| R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0021683000 Ipc: H10P0072700000 |