DE19732837C2 - Verfahren zur Herstellung von Trägern für Bauteile von Schaltungen, sowie ein nach dem Verfahren hergestellter Träger - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Trägern für Bauteile von Schaltungen, sowie ein nach dem Verfahren hergestellter TrägerInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Kupferlegierungen für
die Anwendung in der Elektronik für die Herstellung von
Trägern von Bauteilen.
Das Kupfer, hervorragender elektrischer Leiter, wie das
hinreichend bekannt ist, wird für die verschiedensten
Anwendungen gebraucht, insbesondere in der Elektronik; es
dient als Träger für Bauteile von elektronischen
Schaltungen (Lead Frame) für die verschiedensten Bauteile
und insbesondere für elektronische Chips. Bei der
Herstellung der Leiterplatten werden die Bauteile im
allgemeinen hartgelötet, geklebt und/oder eingefasst, dann
mit einem Überzug aus Kunststoffmasse auf dem Kupferträger
heiss ummantelt, der so der Temperatur widerstehen und
seine charakteristischen mechanischen Eigenschaften be
halten soll.
Wegen dieser Warmfestigkeit (Widerstandsfähigkeit gegen
Kristallerholung) werden Legierungen auf Kupferbasis
verwendet; dies erlaubt die Restaurationsbeständigkeit zu
erhöhen, jedoch unter Wahrung einer guten Leitfähigkeit.
Das was man Restauration (Kristallerholung) nennt,
entspricht einem Ablauf, welcher zum Erweichen der
Kupferlegierung auf Grund Aktivierung der Aufhebung der
Versetzungen bei Wiedererwärmung mit hoher Temperatur
führt. Die Widerstandsfähigkeit gegen Kristallerholungen
kennzeichnet sich durch die maximale Dauer (beispielsweise
oberhalb von 10 mn) einer Aufrechterhaltung einer
angehobenen Temperatur (beispielsweise ca. 450°C), nach
der die Härte des Metalls oberhalb eines vorbestimmten
Wertes bleibt.
Die gemessene Leitfähigkeit der Legierung, in Prozent
angegeben, bezieht sich auf die Leitfähigkeit des reinen
Kupfers gleich 100%. Dieser Prozentsatz der Leitfähigkeit
wird Leitfähigkeit IACS genannt.
Entsprechend dem Beispiel verwendet man die Legierung Cu Sn
0,15, welches eine Legierung aus Kupfer und Zinn ist.
Die in der Elektronik verwendeten Kupferträger sollen nicht
nur eine gute mechanische Widerstandsfähigkeit und
Warmfestigkeit aufweisen, sondern sollten auch eine
hervorragende Schweissbarkeit und/oder Lötbarkeit
aufweisen. Dafür ist die Kupferlegierung mit einer
Nickelschicht überzogen. Diese Nickelschicht wird vor dem
Zuschneiden der Produkte sowie der Träger auf die Legierung
aufgebracht. Dies führt zu einer erheblichen Menge an
Abfallstücken mit vernickelter Kupferlegierung, deren
Wiederaufbereitung kostspielig ist. Man muss in der Tat die
Elektrolyse anwenden, um das Kupfer vom Nickel zu trennen
und es wiederzuverwenden.
Die vorliegende Erfindung hat die Aufgabe, die Legierungen
auf Kupferbasis für die Elektronik zu verbessern, um
Legierungen zu erhalten, welche einen guten
Temperaturwiderstand und eine erhöhte Leitfähigkeit
aufweisen und die Wiederaufbereitung von Fabrikations
abfällen erleichtern.
Zu diesem Zwecke beinhaltet die Erfindung das Verfahren zur
Herstellung von Trägern für Bauteile von elektronischen
Schaltungen, die dazu bestimmt sind, auf den Träger aus
einer Legierung auf Kupferbasis gelötet, geklebt und/oder
heissgefasst zu werden, welche in Masseprozent 0,1% bis 1%
Nickel und 0,005% bis 0,1% Phosphor enthält, wobei der Rest
aus Kupfer oder hauptsächlich Kupfer ist.
Entsprechend der Erfindung kann eine solche Legierung im
übrigen bis zu 0,1% Eisen und/oder bis zu 0,5% Zink
enthalten.
Diese Legierung auf Kupferbasis zeigt eine gute
Leitfähigkeit, im allgemeinen über 80% IACS in dem
angegebenen Bereich der Mischung, sowie eine hervorragende
Warmfestigkeit, d. h., einen Widerstand gegen Kristallerholung,
hauptsächlich zurückzuführen auf die Zusatzelemente Nickel
und Phosphor.
Die Legierung auf Kupferbasis gemäss der Erfindung ist
gleichermassen auf wirtschaftlicher Ebene interessant, denn
sie erleichtert das Recyclieren der Abfälle der
Trägerfabrikation oder der Elemente für die Elektronik,
denn in diesem Fall ist die Legierung erfindungsgemäss mit
einem Nickelüberzug versehen. Die mechanischen
Eigenschaften dieser Legierung sind ausserordentlich
interessant.
Die Legierungen gemäss der vorliegenden Erfindung bieten
zahlreiche Vorteile. Z. B. ist ihre elektrische
Leitfähigkeit sehr gut. Es ist leicht, eine elektrische
Leitfähigkeit höher als 70% IACS zu erhalten.
Es ist sogar möglich, wie die folgenden Beispiele zeigen,
eine elektrische Leitfähigkeit oberhalb 80% IACS sicherzu
stellen, indem der Zusatz von Phosphor im Zusammenhang mit
dem von Nickel und von Eisen variiert und indem der Gehalt
der restlichen Elemente (Zink, . . .) begrenzt wird: Die
speziellen Produktionsprogramme sind also für die
Optimierung der Glühzyklen und die Bildung von feinen
NiαPβ-Niederschläge zu berücksichtigen.
Der restliche Gehalt von Nickel und von Phosphor in Lösung
nach der grösstmöglichen Ausscheidung gewährleistet einen
sehr guten Widerstand gegen Kristallerholung: Die
Entfestigungsvorgänge bleiben, wie das die folgenden Beispiele
bezeugen, während der Durchführung in einem Ofen selbst
jenseits von 450°C schwach und sind bei der Schweissung,
Lötung oder der Verkapselung mit Kunststoff bei
Temperaturen im Bereich zwischen 370° und 425°C
vernachlässigbar.
Die gebildeten Ausscheidungen (aus Ni5P2 gemäss den
aktuellsten thermodynamischen Berechnungen oder sicherer
aus Ni2P gemäss den durchgeführten Analysen durch
Energieverlust in Transmissionsmikroskopie) erlauben eine
signifikante Härtung der erfindungsgemässen Legierungen.
Sie erhöhen parallel den Relaxationswiderstand.
Die erfindungsgemässen Legierungen sind wenig
kostenintensiv. Sie benötigen nur gebräuchliche
Zusatzelemente. Sie erlauben darüberhinaus das preiswerte
Recyclieren der Abfälle aus vernickeltem Kupfer. Kleine
Mengen Unreinheiten (Zink, Silizium, . . .) können toleriert
werden: Sie stufen gemäss den bekannten Gesetzen die
Leitfähigkeit des Produktes ab. Die marginale Zuführung von
anderen Legierungselementen, wie Eisen (bis zu 1.000 ppm
aber bevorzugt weniger als 100 ppm) kann dazu führen, dass
die Glühungen beschleunigt und die mechanischen
Eigenschaften erlangt werden, wobei die Leitfähigkeit nur
wenig berührt wird.
Die erfindungsgemässen Legierungen eignen sich somit
insbesondere für die elektronischen Anwendungen (Gitter,
Leitungsbauteile, . . .) und ersetzen somit vorteilhafter
weise die Legierungen, wie Cu Sn 0,15.
Die erfindungsgemässe Legierung kann im Giessverfahren
hergestellt werden, welches im allgemeinen für die
Legierungen auf Kupferbasis angewendet wird. Der
eigentliche Prozess, der für das Giessen der Legierung
gewählt wird, hat keinen besonderen kritischen Einfluss auf
das gewonnene Produkt.
Jedoch ist unterdessen eine vorhergehende Homogenisierung
der Legierung durch Einbringen aller Legierungselemente in
Lösung bei hoher Temperatur (800°C oder mehr)
wünschenswert, besonders im Fall von beispielsweise
Eisenzugabe.
Zur Herstellung von Platten ist es möglich, beispielsweise
die Legierung in Streifen zu giessen, sie abzufräsen, um
dann, nach einer leichten Kaltverfestigung, ein
Homogenisierungsglühen (800° bis 850°C während etwa 1
Stunde) durchzuführen, gefolgt von einer Härtung. Es ist
ebenso möglich - und zu bevorzugen -, diese Legierung in
Platten der gängigen Grösse zu giessen, sie dann zuerst
heiss (650° bis 1.000°C entsprechend den
Legierungselementen) bis zu einer Dicke von einigen
Millimetern und dann kalt zu walzen.
Danach kann die Legierung bis zu einer gewünschten Dicke
mit zwischenzeitlichen Glühungen kalt gewalzt werden. Eine
grösstmögliche Reduktion und um mindestens von 50% ist
zwischen zwei aufeinanderfolgenden Glühungen zu bevorzugen:
Die Dauer jeder Glühung ist folglich für eine letztlich erhöhte Leitfähigkeit sensibel zu vermindern. Die Temperaturen der optimalen Glühungen liegen in einem Bereich zwischen 400° und 600°C bei Einhaltung der Glühtemperatur während mindestens zwei Stunden, wenn möglich vier Stunden. Die wesentlichen Zeitabläufe gewährleisten im allgemeinen eine erhebliche Leitfähigkeit, ausser im ungünstigen Fall von konkurrierenden Ausscheidungen von Zusatzelementen mit beispielsweise dem Phosphor.
Die Dauer jeder Glühung ist folglich für eine letztlich erhöhte Leitfähigkeit sensibel zu vermindern. Die Temperaturen der optimalen Glühungen liegen in einem Bereich zwischen 400° und 600°C bei Einhaltung der Glühtemperatur während mindestens zwei Stunden, wenn möglich vier Stunden. Die wesentlichen Zeitabläufe gewährleisten im allgemeinen eine erhebliche Leitfähigkeit, ausser im ungünstigen Fall von konkurrierenden Ausscheidungen von Zusatzelementen mit beispielsweise dem Phosphor.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend mit Hilfe von
zwei Beispielen für die Herstellung von Legierungen auf
Kupferbasis erklärt.
Die Messresultate der Härte und der Leitfähigkeit sind in
den beigefügten Fig. 1 und 2 wiedergegeben. Die Fig. 1
ist ein Diagramm des Temperaturverhaltens bei 450°C; in
der Abszisse ist die Zeit gezeigt und in der Ordinate die
Härte HV. Das Diagramm zeigt die Kurven von Cu Sn, Cu Ni
0,4, Cu Ni 0,2 und die Legierung FPG, d. h., eine
Kupferlegierung, welche zwischen 950 und 1.000 ppm Fe und
zwischen 330 und 370 ppm P enthält.
Der Versuch bestand darin, auf eine Temperatur von 450°C
hochzufahren und bei dieser Temperatur über einen Zeitraum
hinweg zu verbleiben, der sich über die Skalierung des
Diagramms hinaus erstreckt hat.
Die Fig. 2 zeigt die Kurven der Leitfähigkeit für
verschiedene Prozentwerte IACS, wobei die Abszisse die
Masse in ppm von Nickel und die Ordinate die Masse ppm von
P in der Legierung auf Kupferbasis darstellt.
Die Legierungen, entsprechend dem Beispiel, sind, wie
nachfolgend aufgezeichnet, hergestellt. Entnahmen von
Kupferlegierungen mit Phosphor (Cu-b1, Cu-b2), mit Nickel
überzogen, werden in einem Rinnenofen geschmolzen: Am Ende
der Verschmelzung, ausgehend von einer Spektrometeranalyse,
garantiert ein Dazumischen in Form von Phosphor die
gewünschte Zusammensetzung. Die Schmelzmasse wird nun
einige Minuten bei einer Temperatur (ungefähr 1.200°C)
unter einer Decke von Holzkohle als Reduktionsmittel
gehalten. Der Guss wird in einer wassergekühlten
Blockkokille von beispielsweise 200 × 400 mm durchgeführt.
Die Zusammensetzung der für dieses Beispiel präparierten
Legierungen wird in der folgenden Tabelle wiedergegeben.
Die so gegossenen Platten werden bei einer Temperatur höher
als 840°C wieder aufgeheizt, dann warmgewalzt von 200 auf
13 mm. Sie können dann bei einer Temperatur höher als 600°
C gehärtet werden oder nicht. Der Rohling wird nun gefräst,
dann bis auf eine Dicke von 1,5 mm kaltgewalzt. Eine
Glühung unter Glocke bei Aufrechterhaltung von 480°C
während vier Stunden ist durchgeführt worden. Die Härte im
geglühten Zustand bewegt sich zwischen 54 und 57 HV. Die in
diesem Zustand gemessenen Leitfähigkeiten der Verbindung Cu
Ni 0,4 und Cu Ni 0,2 betragen entsprechend 78,1% IACS und
79,4% IACS. Der gewonnene Gehalt an Restzink beeinflusst
schwach die Leitfähigkeit. Ausgehend von der bekannten
Wirkung des Zinks in Lösung auf die Leitfähigkeit kann man
abschätzen, dass die Legierungen Cu Ni 0,2 und Cu Ni 0,4,
wenn sie einen anderen Zusatzstoff als Nickel und Phosphor
in den aufgezeigten Werten enthalten, entsprechende
Leitfähigkeiten von 83% IACS und 79% IACS hätten.
In diesem metallurgischen Zustand, nach einer neuerlichen
Reduzierung durch Walzung um 20%, verändert sich die
Leitfähigkeit praktisch nicht und die Härte erreicht 107
bis 210 HV. Sie ist äquivalent zu der, die unter gleichen
Bedingungen mit einer Legierung Cu Sn 0,15 erreicht wird.
Bei diesem Grad der Kaltverfestigung werden die Proben der
Bänder während 10 Minuten mit unterschiedlichen
Temperaturen von 360° bis 480°C geglüht. Das Härtegefälle
mit der Temperatur im Fall der Legierung Cu Ni 0,4 wird
verglichen mit dem, welches für eine Legierung Cu Sn 0,15
gemessen wird. Die Anlasstemperatur der Legierung Cu Ni 0,4
liegt oberhalb von 460°C, während die der Legierung Cu Sn
0,15 im Bereich von 440°C liegen.
Entsprechend diesem Beispiel sind neue Legierungen auf die
nachfolgend beschriebene Art hergestellt worden. Kupfer mit
einem hohen Reinheitsgehalt wird in einem Rinnenofen
geschmolzen: Die Zusatzstoffe zur Legierung sind in Form
von reinem Nickel, von Kupferphosphid 85-15 und
Siliziummetall vorgesehen, bis die beabsichtigte Verbindung
erreicht ist. Die Schmelzmasse wird nun unter einer
Holzkohlenschicht bei Temperatur (ca. 1.200°C) gehalten.
Die Verbindung wird schrittweise verändert, um eine breite
Palette von unterschiedlichen Legierungen zu erhalten. Die
Luppen werden der Schmelze entnommen und für jede neue
Verbindung gegossen (Durchmesser: 25 mm, Höhe: 40 mm). Die
Zusammensetzung jeder für dieses Beispiel hergestellten
Legierung ist in denen in der folgenden Tabelle
aufgeführten Werten enthalten.
Jede dieser Luppen wird durch eine Aufrechterhaltung von
850°C während einer Stunde und dann einer Wasserhärtung
homogenisiert. In diesem Zustand werden sie um mehr als 70%
(Reduktion der Höhe) durch Pressen auf einer hydraulischen
Presse verformt. Sie werden nun so geglüht, dass für jede
Legierung die maximale Leitfähigkeit erreicht wird. Nun
werden Beziehungen zwischen diesen gemessenen Werten der
Leitfähigkeit und den Verbindungen der Legierungen
hergestellt. Diese Korrelationen zeigen auch die früheren
Eigenschaften, aufgeführt im Rahmen des Beispiels 1.
Linien gleicher Leitfähigkeit können in den
Zusammensetzungsplan für Nickel und Phosphor, ausser
anderer Zusatzstoffe, für die reinen Legierungen aus
Kupfer, Nickel, Phosphor eingezeichnet werden. Diese
Ergebnisse sind in Fig. 2 zusammengefasst.
Claims (12)
1. Verfahren zur Herstellung von Trägern für Bauteile von
elektronischen Schaltungen, insbesondere von elektronischen
Chips, die nach Herstellung des Trägers aufgelötet, geklebt
und/oder heissgefasst werden, wobei zur Herstellung der
Träger:
- a) eine Kupfer-Legierung mit Phosphor- und Nickelbestandteilen aufgeschmolzen wird;
- b) nach dem Aufschmelzen Phosphor (0,005% bis 0,1%) beigegeben wird;
- c) nach dem Aufschmelzen auf eine Schmelztemperatur von etwa 1.200°C unter einer Decke von Holzkohle als Reduktionsmittel einige Minuten gehalten wird und
- d) anschliessend die Schmelze in ggf. gekühlte Kokillen platten- oder streifenartig vergossen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
die gegossenen Platten wieder auf eine Temperatur höher als
etwa 840°C aufgeheizt, anschliessend zur Reduktion ihrer
Dicke warmgewalzt und ggf. gehärtet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass
nach dem Warmwalzen und ggf. nach dem Härten der Rohling
gefräst und anschliessend auf eine Dicke von etwa 1,5 mm
kaltgewalzt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass
das Härten durch Glühen ggf. unter einer Glocke bei
Aufrechterhaltung einer Temperatur von etwa 480°C etwa zwei
bis vier Stunden lang durchgeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die vergossenen Träger bei
etwa 650°C bis 1.000°C zuerst heissgewalzt und anschliessend
auf eine geringe Dicke von einigen Millimetern kaltgewalzt
werden, wobei anschliessend die Legierung bis zu einer
gewünschten Dicke mit ggf. zwischenzeitlichem Glühen
kaltgewalzt wird.
6. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, dass beim Aufschmelzen der Träger,
die im wesentlichen aus Kupfer bestehen, Zusatzstoffe zur
Legierung in Form von einem Nickel, Kupferphosphid, Eisen
und Zink zugegeben werden.
7. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung von Trägern
beim Aufschmelzen der Materialbestandteile Kupferlegie
rungen mit vernickeltem Phosphor eingegeben werden, wobei
die Zusammensetzung der Legierung durch die Zugabe von
Phosphor nach dem Aufschmelzen beeinflusst wird.
8. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, dass nach Herstellen des Trägers
und nach dem Aufsetzen der elektronischen Bauteile durch
Hartlöten, Kleben und/oder Einfassen dieser anschliessend
auf einen Formgussträger aufgesetzt und mit einem Überzug
aus Kunststoffmasse ummantelt wird.
9. Träger für elektrische Bauteile von Schaltungen, aus im
wesentlichen einer Kupferlegierung, dadurch gekennzeichnet,
dass der Kupferlegierung 0,1% bis 1% Nickel und 0,005% bis
0,1% Phosphor zugesetzt sind.
10. Träger nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass
die Kupferlegierung bis zu 0,1% Eisen enthält.
11. Träger nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet,
dass die Legierung bis zu 0,5% Zink enthält.
12. Träger nach wenigstens einem der Ansprüche 9 bis 12,
dadurch gekennzeichnet, dass die Legierung Feinpräzipitate
von NiαPβ enthält.
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