DE19930195C2 - Schaltung zum Verstärken eines Hochfrequenzsignals aus zumindest zwei Hochfrequenzbereichen, 2-Band-Empfänger mit der Schaltung, 2-Band-Mobilfunkvorrichtung mit dem Empfänger und Verwendung einer Serienschaltung aus einem kapazitiven Element und einer Hochfrequenzleitung in einer Verstärkerschaltung - Google Patents
Schaltung zum Verstärken eines Hochfrequenzsignals aus zumindest zwei Hochfrequenzbereichen, 2-Band-Empfänger mit der Schaltung, 2-Band-Mobilfunkvorrichtung mit dem Empfänger und Verwendung einer Serienschaltung aus einem kapazitiven Element und einer Hochfrequenzleitung in einer VerstärkerschaltungInfo
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Classifications
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verstärkerschaltung
zum Verstärken eines Hochfrequenzsignals, einen 2-Band-
Empfänger mit der Verstärkerschaltung, eine 2-Band-
Mobilfunkvorrichtung mit dem Empfänger und eine Verwendung
einer Serienschaltung aus einem kapazitiven Element und einer
Hochfrequenzleitung in einer Verstärkerschaltung nach dem
Oberbegriff der unabhängigen Ansprüche.
Mobilfunkgeräte werden in der Regel mit Batterien oder
wiederaufladbaren Akkumulatoren betrieben. Man ist dabei
bemüht, in derartigen Geräten die Verlustleistungen zu
reduzieren und einen möglichst hohen Wirkungsgrad für die in
den Geräten enthaltenen Leistungsverstärker zu erzielen, um
mit einem einzigen Satz von Batterien eine möglichst lange
Gesprächsdauer zu erzielen. Die Leistungsverstärker werden
zum Erzielen einer hohen Ausgangsleistung in der Regel so
ausgelegt, daß sie einen geringen Ausgangswiderstand von
einigen wenigen Ohm aufweisen. Der Eingangswiderstand von
Komponenten oder Standardleitungen, die in
Hochfrequenzanwendungen Verwendung finden, liegt allerdings
bei 50 Ω. Um daher die Leistungen an den Ausgängen von
Leistungsverstärkern in standardisierte 5 Ω-Systeme leiten
zu können, werden sogenannte Impedanztransformatoren
eingesetzt. Bei den im Telekommunikationsbereich üblichen
hochintegrierten Schaltungen werden bevorzugt sogenannte L-
Transformationen eingesetzt, die aus einer kurzen Leitung,
die eine Induktivität darstellt, sowie aus einem Kondensator,
der gegen Masse geschaltet ist, bestehen. Mit einer
derartigen Transformation kann der niederohmige
Ausgangswiderstand eines Verstärkers auf den hochohmigen
Wellenwiderstand der 50 Ω-Systeme für eine bestimmte
Frequenz umgesetzt werden.
Weltweit kommen heutzutage verschiedene drahtlose
Kommunikationssysteme zur Anwendung, die unterschiedliche
Trägerfrequenzen verwenden. Moderne Mobilfunkgeräte sollten
daher in der Lage sein, leistungsstarke Signale in zumindest
zwei verschiedenen Frequenzbändern übertragen zu können. Um
einen möglichst hohen Wirkungsgrad in beiden
Frequenzbereichen zu erzielen, können beispielsweise zwei
Verstärkerketten mit individuell ausgelegten Verstärkern und
Transformatoren verwendet werden. Eine andere Möglichkeit
besteht darin, am Ende eines Verstärkers oder einer
Verstärkerkette ein umschaltbares Transformationsnetzwerk
einzusetzen. Dieser Variante ist aus Kostengründen
insbesondere dann der Vorzug zu geben, wenn die Verstärker in
einer relativ teuren Technologie, beispielsweise aus Gallium-
Arsenid (GaAs) hergestellt werden.
Aus der Druckschrift DE-197 04 151-C1 ist eine Sende-Empfangs-
Umschalteanordnung zum abwechselnden Verbinden einer ersten
und einer zweiten Empfangs- und einer ersten und einer
zweiten Sendeeinrichtung mit einer einzigen Antenne bekannt.
Dort sind Lambda-Viertel-Leitungen angegeben, welche zusammen
mit Ein-Aus-Schaltern zur Umschaltung der Einrichtungen
dienen.
Aus der Druckschrift UK-2322495-A ist ein
Mikrowellenverstärker mit nachgeschalteter Lambda-Viertel-
Leitung bekannt, an die ein Kondensator angeschlossen ist,
welcher gegen Masse geschaltet ist.
Verstärkerschaltungen mit umschaltbaren
Transformationsnetzwerken sind beispielsweise in dem US-
Patent Nr. US-5,774,017 der Firma Anadigics, Inc.
beschrieben. Zwischen dem Ausgang eines Verstärkers und dem
Eingang eines 5 Ω-Systems befinden sich zwei in Serie
geschaltete Impedanz-Netzwerke, denen jeweils ein durch einen
Schalter mit Masse verbindbarer Kondensator nachgeschaltet
ist. Je nach Frequenzbereich des zu verstärkenden Signals
wird einer der beiden Schalter geschlossen, so daß der
dazugehörige Kondensator in Verbindung mit den beiden
Impedanz-Netzwerken eine geeignete Impedanztransformation für
dieses Frequenzband bewirkt.
Da am Ausgang der Leistungsverstärker sehr große Ströme
fließen, andererseits aber die anschließenden Schaltungen für
die Impedanztransformation möglichst keine Leistung
absorbieren sollen, müssen die ohmschen Verluste in diesen
Schaltungen so gering wie möglich gehalten werden. Zum
Zuschalten von bestimmten Komponenten, die eine Anpassung der
Impedanzeigenschaften an die verschiedenen Frequenzbereiche
bewirken, werden neben Schalttransistoren bevorzugt
sogenannte PIN-Dioden als verlustarme Schalter verwendet. Der
ohmsche Anteil dieser Dioden liegt im durchgeschalteten Fall
bei ca. 0,7 Ω, der benötigte Schaltstrom liegt bei ungefähr
10 mA.
Eine bekannte Schaltung mit veränderbaren Transformations-
Eigenschaften ist in Fig. 4 dargestellt und soll nun kurz
erläutert werden. Dabei wird der für die Praxis sehr
interessante Fall von GSM-(Global System For Mobile
Communications) Signalen mit ca. 900 MHz und PCN-(Personal
Communications Network) Signalen mit ca. 1800 MHz betrachtet.
Für den PCN-Fall ist der Bandwahl-Schalter S1 geöffnet. In
diesem Fall sperren die beiden PIN-Dioden D1 und D2, so daß
die beiden Kondensatoren C3 und C4 einen vernachlässigbaren
Einfluß auf das elektrische Verhalten der Schaltung haben.
Ein am Eingang 1 eintreffendes Signal wird über den
Verstärker V1, der in diesem Fall von einem Feldeffekt-
Transistor gebildet wird, zum niederohmigen Ausgang des
Verstärkers V1 umgesetzt. Der mit diesem Ausgang und mit
Masse verbundene Kondensator C1 stellt eine
Anpassungsschaltung dar und bewirkt einen harmonischen
Abschluß des PCN-Signals, das heißt er schließt die doppelte
Frequenz von 3600 MHz, was der ersten Harmonischen der PCN-
Frequenz entspricht, kurz. Die anschließende
Impedanztransformation auf 50 Ω zum Ausgang 2 der Schaltung
hin erfolgt dann über die L-Transformationsschaltung, die aus
der kurzen, eine Induktivität darstellenden Leitung TL1 (im
folgenden werden diese Leitungen zur Unterscheidung als
Transformationsleitungen bezeichnet) und aus dem
ausgangsseitigen Kondensator C2 besteht. Mit dieser für den
PCN-Fall optimierten Schaltung (d. h. die Induktivität der
Transformationsleitung TL1 und die Kapazität des Kondensators
C2 wurden für eine Frequenz von 1800 MHz optimiert) können
ähnliche elektrische Eigenschaften wie bei einer zweizügigen
Verstärkerkette erzielt werden. Dieses bringt jedoch in der
Praxis keine großen Vorteile, da die PCN-Spezifikationen in
der Regel leicht erfüllbar sind.
Da zum Anpassen der Transformations-Eigenschaften für
kleinere Frequenzen größere Kapazitätswerte notwendig sind,
werden im GSM-Fall die beiden Kondensatoren C3 und C4
dazugeschaltet. Dies geschieht dadurch, daß der Bandwahl-
Schalter S1 geschlossen wird und über den Anschluß 3 eine
positive Spannung angelegt wird, so daß die beiden Dioden D1
und D2 leitend sind. Die beiden Induktivitäten L1 und L2
dienen lediglich dazu, daß keine Hochfrequenzsignale zum
Anschluß 3 zurückfließen. Es werden somit zwei
Parallelschaltungen der Kondensatoren C1 und C3 bzw. der
Kondensatoren C2 und C4 erzielt, die zum harmonischen
Abschluß des GSM-Signals, also zum Kurzschluß der doppelten
Frequenz des GSM-Trägersignals bzw. zur
Impedanztransformation genutzt werden. Es ist dabei nicht
unbedingt notwendig, daß die Kondensatoren C2 und C4 sich am
gleichen Ort auf der 5 Ω-Leitung (TL1) befinden.
Bei der in Fig. 4 gezeigten Schaltung ist immer noch eine
relativ hohe Anzahl an Bauelementen für die Umschaltung
zwischen den Frequenzbereichen notwendig. Außerdem besteht
die Gefahr, daß die großen Serien-Induktivitätswerte der
beiden PIN-Dioden die Sensibilität der Schaltung so stark
beeinflussen, daß ein harmonischer Abschluß gar nicht mehr
erzielt werden kann. Ein weiterer Nachteil beim Einsatz
dieser PIN-Dioden ergibt sich daraus, daß diese im GSM-Fall
bei einem Ausgangswiderstand des Leistungsverstärkers von
ungefähr 2 Ω relativ große ohmsche Verluste bewirken, was
wiederum eine Reduzierung der Gesprächsdauer zur Folge hat.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine in ihren
Impedanzeigenschaften veränderbare Schaltung mit einer
Anpassungs- und/oder Transformationsschaltung zum Verstärken
eines Signals aus zumindest zwei verschiedenen
Frequenzbereichen anzugeben, die im Vergleich zu den eben
beschriebenen Lösungen bessere oder zumindest gleichwertige
elektrische Eigenschaften aufweist und dabei weniger
Bauelemente benötigt.
Die Aufgabe wird durch eine Schaltung, einen 2-Band-Emfänger, eine 2-Band-Mobilfunkvorrichtung, sowie einer Verwendung einer Serienschaltung, welche die Merkmale
der unabhängigen Ansprüche aufweisen, gelöst. Das Anpassen der
Abschluß- bzw. der Impedanztransformations-Eigenschaften für
den zweiten Hochfrequenzbereich erfolgt durch das
Wirksamschalten von zusätzlichen kapazitiven Elementen, wobei
diese mit Hochfrequenzleitungen in Serie geschaltet sind, die
als Schaltleitungen für die kapazitiven Elemente ausgelegt
sind. Anstelle der in Fig. 4 dargestellten PIN-Dioden und dem
dazugehörigen Schalter werden daher zum Hinzuschalten von
zusätzlichen Kapazitäten einfach derartige
Hochfrequenzleitungen eingesetzt.
Eine konkrete Ausführung solcher Schaltleitungen kann
beispielsweise darin bestehen, daß diese leerlaufend oder mit
einem Kurzschluß abgeschlossen sind und eine derartige
elektrische Länge aufweisen, daß sie für die erste
Harmonische des zweiten Frequenzbereichs bzw. für den zweiten
Hochfrequenzbereich selbst einen Kurzschluß darstellen. Es
läßt sich zeigen, daß leerlaufende Hochfrequenzleitungen mit
einer elektrischen Länge, die einem Viertel der Wellenlänge
einer bestimmten Hochfrequenz entspricht (sog. λ/4-
Leitungen), einen sehr guten Kurzschluß für diese
Hochfrequenz darstellen. Gleichzeitig liegt der ohmsche
Widerstand eines solchen Kurzschlusses, der sich aus dem
Leitwert des Materials der Leitungen sehr gut abschätzen
läßt, in der Praxis bei nur einigen wenigen mΩ und damit
deutlich unter dem Widerstand der PIN-Dioden. Werden daher
Hochfrequenzleitungen mit einer geeigneten elektrischen Länge
gewählt, so bewirken diese automatisch ein Wirksamschalten
der Kapazitäten und Anpassen der Impedanzeigenschaften der
gesamten Schaltung.
Entsprechend einer Weiterbildung der Erfindung kann dann
beispielsweise der harmonische Abschluß für den ersten
Hochfrequenzbereich durch einen ersten Kondensator erfolgen,
der zwischen den Ausgang des Verstärkers und Masse geschaltet
ist, wobei zum Anpassen der Abschlußeigenschaften für den
zweiten Hochfrequenzbereich eine Serienschaltung aus einem
kapazitiven Element, beispielsweise einem weiteren
Kondensator, und einer Hochfrequenzleitung, die für die erste
Harmonische des zweiten Hochfrequenzbereichs einen Kurzschluß
darstellt, ebenfalls mit dem Ausgang des Verstärkers
verbunden ist. In analoger Weise kann auch ein für den ersten
Frequenzbereich ausgelegter Impedanztransformator aus einer
in Serie mit dem Ausgang des Verstärkers geschalteten Leitung
und einen an den Ausgang dieser Leitung und gegen Masse
geschalteten Kondensator für den zweiten Frequenzbereich mit
Hilfe einer weiteren Serienschaltung aus einem Kondensator
und einer Hochfrequenzleitung, die nun für den zweiten
Frequenzbereich selbst einen Kurzschluß darstellt, angepaßt
werden.
Aufgrund des automatischen Anpassens der Schaltung an die
verschiedenen Frequenzbereiche kann die Anzahl der benötigten
Bauelemente gegenüber einer Schaltung mit zwei getrennten
Verstärkerketten bzw. mit den schaltbaren PIN-Dioden nochmals
deutlich reduziert werden. Gegenüber den PIN-Dioden weist die
erfindungsgemäße Schaltung auch ein deutlich besseres
Schaltverhalten auf, da dieses durch die Wahl eines sehr
niedrigen Wellenwiderstands für die Hochfrequenzleitungen
verbessert werden kann und prinzipbedingt weniger ohmsche
Verluste aufweist.
Entsprechend einem weiteren abhängigen Anspruch kann das
Anpassen der Schaltung auch mit Hilfe eines
Serienschwingkreises, der aus zwei Leitungen und einem
Kondensator besteht, erfolgen, wobei der Serienschwingkreis
an den Ausgang des Verstärkers angeschlossenen ist und über
einen Schalter mit Masse verbindbar ist. Dieser
Serienschwingkreis ist so ausgelegt, daß seine
Resonanzfrequenz bei offenem Schalter der ersten Harmonischen
des zweiten Hochfrequenzbereiches entspricht, was einen
idealen harmonischen Abschluß dieses zweiten
Hochfrequenzbereichs bewirkt. Zum Anpassen der
Transformationseigenschaften für den zweiten
Hochfrequenzbereich kann wiederum eine Serienschaltung aus
einem kapazitiven Element und einer Hochfrequenzleitung
verwendet werden, die das kapazitive Element für diesen
zweiten Hochfrequenzbereich wirksam schaltet, so daß dieser
zusammen mit einer dem Serienschwingkreis nachgeschalteten
Leitung eine geeignete Impedanztransformation bewirkt.
Vorzugsweise werden am Ende leerlaufende λ/4-Leitungen
verwendet, da diese die platzsparenste Lösung darstellen. Die
Hochfrequenzleitungen könnten allerdings auch an ihrem Ende
kurzgeschlossen sein, wobei dann ihre Länge zum Erzielen des
gleichen Effekts entsprechend angeglichen - im konkreten Fall
um Faktor 2 verlängert - werden muß.
Die oben genannte Aufgabe wird ebenfalls durch eine Schaltung
entsprechend dem zweiten unabhängigen Anspruch gelöst. Diese
weist eine erste Transformationsschaltung für den ersten
Hochfrequenzbereich auf, wobei zum Anpassen der
Impedanzeigenschaften für den zweiten Hochfrequenzbereich
eine zweite Transformationsschaltung elektrisch wirksam in
Serie zu der ersten Transformationsschaltung geschaltet
werden kann. Beide Transformationsschaltungen gemeinsam
bewirken dann für den zweiten Frequenzbereich eine optimale
Transformation der Ausgangsimpedanz der gesamten Schaltung.
Wie auch bei den anderen erfindungsgemäßen Schaltungen
erfolgt das Anpassen an einen neuen Frequenzbereich durch
Wirksam- bzw. Hinzuschalten eines kapazitiven Elementes zu
den bereits wirksamen Elementen der Schaltung. Mit Hilfe
dieser zweistufigen Transformation kann für den zweiten
Frequenzbereich eine breitbandigere Impedanztransformation
als bei den bekannten Schaltungen erzielt werden, wobei
wiederum die Anzahl der Bauelemente gegenüber den bekannten
Schaltungen reduziert wird.
Im folgenden soll die Erfindung anhand der beiliegenden
Zeichnung näher erläutert werden. Es zeigen:
Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen
Verstärkerschaltung;
Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel einer
erfindungsgemäßen Verstärkerschaltung;
Fig. 3 ein drittes Ausführungsbeispiel einer
erfindungsgemäßen Verstärkerschaltung; und
Fig. 4 eine den Stand der Technik darstellende umschaltbare
Verstärkerschaltung.
Die den Stand der Technik repräsentierende Schaltung in
Fig. 4, in der das Anpassen der Anpassungs- und der
Transformationsschaltung für den zweiten Hochfrequenzbereich
durch Wirksamschalten von kapazitiven Elementen mit Hilfe von
PIN-Dioden realisiert wird, wurde bereits beschrieb. Bei der
in Fig. 1 dargestellten erfindungsgemäßen Verstärkerschaltung
erfolgt das Wirksamschalten der zusätzlichen Kapazitäten
hingegen mit Hilfe von leerlaufenden Hochfrequenzleitungen.
Bauelemente, die denjenigen in Fig. 4 entsprechen, wurden mit
den gleichen Bezugszeichen versehen und weisen auch die
gleichen elektrischen Parameter (Induktivität, Kapazität)
auf. Wie Fig. 1 entnommen werden kann, können daher die
gleichen Kondensatoren C1 bis C4 und auch die gleiche
Transformationsleitung TL1 verwendet werden. Allerdings wird
nunmehr kein Schalter benötigt.
Die erste leerlaufende Hochfrequenzleitung SL1 entspricht in
ihrer elektrischen Länge einem Viertel der Wellenlänge der
ersten Harmonischen der GSM-Frequenz, also einem Viertel der
Wellenlänge von 1800 MHz. Die zweite Hochfrequenzleitung SL2
wiederum wird als λ/4-Leitung für die GSM-Frequenz (900 MHz)
selbst ausgelegt. Im PCN-Fall entsprechen daher die
elektrischen Längen der beiden Hochfrequenzleitungen SL1 und
SL2 jeweils den halben Wellenlängen der ersten Harmonischen
der PCN-Frequenz bzw. der PCN-Frequenz selbst, was jeweils
einen Leerlauf für diese beiden Frequenzen bedeutet.
Dementsprechend sind im PCN-Fall lediglich die Kapazitäten
der beiden Kondensatoren C1 und C2 wirksam, wie dies auch bei
der Schaltung in Fig. 4 der Fall ist. Für den Kondensator C1
wird daher wiederum eine Kapazität gewählt, bei der die erste
Harmonische des PCN-Signals (3600 MHz) kurzgeschlossen wird.
Die Kapazität des Kondensators C2 wird so gewählt, daß sie in
Verbindung mit der Induktivität der Transformationsleitung
TL1 eine Impedanztransformation der Ausgangsimpedanz des
Verstärkers V1 zu dem Abschluß 2 auf 50 Ω bei 1800 MHz
bewirkt.
Wird an den Eingang 1 der Schaltung hingegen ein GSM-Signal
gelegt, stellen die beiden λ/4-Leitungen SL1 und SL2 einen
Kurzschluß für die erste Harmonische des GSM-Signals (1800 MHz)
bzw. für das GSM-Signal selbst dar und die beiden
Kondensatoren C3 und C4 werden wiederum zu den beiden
Kondenstoren C1 und C2 parallel wirksam geschaltet. Das
Anpassen an die GSM-Frequenz erfolgt somit vollkommen
selbständig, was die gesamte Schaltung deutlich vereinfacht.
An den Anschluß 2 kann - wie schematisch angedeutet - auch
ein weiterer Verstärker V2 angeschlossen sein, um auf diese
Weise eine Verstärkerkette zu bilden, durch die das
Hochfrequenzsignal in mehreren Stufen verstärkt wird. In
diesem Fall wird dann durch die Transformationsschaltung die
Ausgangsimpedanz des ihr vorgeschalteten Verstärkers V1 auf
die Eingangsimpedanz des darauffolgenden nächsten Verstärkers
V2 transformiert. Das Bilden derartiger Verstärkerketten ist
auch mit den weiteren erfindungsgemäßen Schaltungen möglich.
Für den Fall, daß der Ausgangswiderstand des Verstärkers
keinen ausgesprochenen Frequenzgang aufweist, kann jedoch mit
der in Fig. 1 gezeigten Verstärkerschaltung keine Anpassung
an den PCN-Fall bei gleichzeitigem harmonischen Abschluß des
GSM-Signals erreicht werden. In diesem Fall kann die in
Fig. 2 gezeigte Verstärkerschaltung verwendet werden. Am
Ausgang des Verstärkers V1 befindet sich ein
Serienschwingkreis aus zwei Leitungen TL2 und TL3 sowie einem
Kondensator C5, der über einen Schalter S2 mit Masse
verbindbar ist. Die Kapazitätswerte und Induktivitätswerte
des Kondensators C5 und der Leitungen TL2 und TL3 werden so
gewählt, daß für den Fall, daß der Schalter S2 offen ist, bei
der ersten Harmonischen der GSM-Frequenz eine Serienresonanz
auftritt. Auf diese Weise wird eine idealer harmonischer
Abschluß des GSM-Signals erzielt. Ferner entspricht die
elektrische Länge der Hochfrequenzleitung SL3 einem Viertel
der Wellenlänge des GSM-Signals, so daß der Kondensator C6
wirksam geschaltet wird und in Verbindung mit der
Transformationsleitung TL4 und der Serieninduktivität der
Transformationsleitung TL2 eine Impedanztransformation bei
900 MHz auf die gewünschte 50 Ω-Ausgangsimpedanz bewirkt.
Beim Anlegen eines PCN-Signals an den Anschluß 1 der
Verstärkerschaltung wird hingegen der Schalter S2
geschlossen, wodurch sich der Schwingkreis in einer
Parallelresonanz befindet. Nun bewirken die
Transformationsleitung TL2 und der Kondensator C5 eine
Transformation der niederohmigen Ausgangsimpedanz des
Verstärkers V1 auf die 50 Ω-System-Impedanz des Ausgangs 2
der gesamten Schaltung, da der Kondensator C6 aufgrund der
Tatsache, daß die Hochfrequenzleitung SL3 nunmehr eine
elektrische Länge hat, die der Hälfte der Wellenlänge der
PCN-Frequenz entspricht und diese somit einen virtuellen
Leerlauf für das PCN-Signal darstellt, keinen Einfluß mehr
auf die Schaltung hat. Ein automatischer harmonischer
Abschluß für das PCN-Signal könnte wiederum durch eine (nicht
dargestellte) Serienschaltung aus einem kapazitiven Element
und einer geeigneten λ/4-Leitung für eine Frequenz von
3600 MHz erzielt werden. Bei dieser Schaltung sind somit die
Elemente des Schwingkreises Bestandteil der Anpassungs- und
der Transformationsschaltung.
Gegenüber der in Fig. 4 gezeigten Schaltung ergibt sich der
wesentliche Vorteil, daß eine für den Schalter S2 eingesetzte
PIN-Diode nun im PCN-Fall leitend ist, während sie im GSM-
Fall gesperrt ist. Da nämlich im GSM-Fall deutlich höhere
Ausgangsleistungen notwendig sind und der Ausgangswiderstand
des Verstärkers V1 niederohmiger ist, ist es vorteilhaft,
wenn die PIN-Diode nur im PCN-Fall leitend ist und im GSM-
Fall keine Verlustleistungen hervorruft. Wiederum wird zum
Anpassen der Schaltung für den GSM-Fall ein zusätzliches
Element wirksam geschaltet.
Dies ist auch bei dem in Fig. 3 gezeigten dritten
Ausführungsbeispiel einer umschaltbaren Schaltung der Fall.
Zwischen dem Eingang 1 der in Fig. 3 Verstärkerschaltung und
ihrem Ausgang 2 findet sich der den Verstärker V1 bildende
Feldeffekt-Transistor, (optional) ein gegen Masse
geschalteter Kondensator C7, der einen idealen harmonischen
Abschluß des PCN-Signals bewirkt, sowie eine erste
Transformationsschaltung für das 1800 MHz PCN-Signal,
bestehend aus einer Transformationsleitung TL5 und einem
Kondensator C8. In Serie zu dieser ersten
Transformationsschaltung befindet sich eine weitere
Transformationsleitung TL6 sowie der Anschluß eines weiteren
Kondensators C9, der über eine Schaltung, bestehend aus einem
Schalter S3, einer Induktivität L3 und einer PIN-Diode D3 mit
Masse verbunden und damit wirksam geschaltet werden kann.
Im Fall eines am Eingang 1 anliegenden PCN-Signals wird der
Schalter S3 geöffnet, was zur Folge hat, daß die PIN-Diode D3
nicht leitend ist und somit die Kapazität des Kondensators C9
keinen Einfluß auf das Hochfrequenzsignal hat. In diesem Fall
bewirkt die für das PCN-Signal ausgelegte erste
Transformationsschaltung eine Transformation der
Ausgangsimpedanz auf die gewünschte 50 Ω-System-Impedanz. Im
GSM-Fall wird hingegen der Schalter S3 geschlossen und somit
der Kondensator C9 zu der gesamten Schaltung wirksam
hinzugeschaltet. Dabei werden für die Transformationsleitung
TL6 und den Kondensator C9 solche Induktivitäts- und
Kapazitätswerte gewählt, daß diese zweite
Transformationsschaltung in Kombination mit der ersten
Transformationsschaltung eine zweistufige L-Transformation
für den GSM-Fall bewirkt. Analog zu Fig. 1 wäre auch in
diesem Beispiel durch Anschließen eines weiteren Verstärkers
V2 die Bildung eine Verstärkerkette möglich.
Gegenüber dem in Fig. 4 gezeigten Stand der Technik ist die
Anzahl der Bauelemente um drei reduziert. Nachteilig hingegen
ist, daß diese Schaltung keine Möglichkeit eines harmonischen
Abschlusses für das GSM-Signal ermöglicht. Allerdings erzielt
diese zweistufige L-Transformation eine breitbandigere
Transformation als die einstufige Transformation gemäß
Fig. 4. Ein wesentlicher Vorteil ist auch darin zu sehen, daß
sich bei der Erstellung dieser Schaltung die Kondensatoren
während der Optimierungsphase entlang der Leitungen in
einfacher Weise verschieben lassen und somit die gesamte
Verstärkerschaltung einfach für die verwendeten
Frequenzbereiche optimiert werden kann. Ferner wird auf eine
Lösung mit zwei getrennten Verstärker- oder
Transformationsschaltungen verzichtet, da wie auch bei den
anderen erfindungsgemäßen Schaltungen das Anpassen an einen
neuen Frequenzbereich durch Wirksam- bzw. Hinzuschalten eines
kapazitiven Elementes zu den bereits wirksamen Elementen der
Schaltung erfolgt und diese somit effektiv genützt werden.
Auch hier wäre natürlich anstelle der PIN-Diode D3 die
Verwendung einer geeigneten λ/4-Leitung möglich.
Es ist anzumerken, daß die Verwendung von
Hochfrequenzleitungen mit geeigneten elektrischen Längen zum
Kurzschließen von bestimmten Frequenzen und/oder
Wirksamschalten von kapazitiven Elementen nicht auf die
dargestellten Beispiele beschränkt ist. Derartige - für
verschiedene Frequenzbereiche umschaltbare -
Transformationsschaltungen zum Transformieren von Impedanzen
können auch unabhängig von den zum harmonischen Abschluß
verwendeten Anpassungsschaltungen eingesetzt werden und auch
vor und/oder hinter andere Komponenten als
Leistungsverstärker geschaltet werden. Die erfindungsgemäßen
Transformationsschaltungen können aber auch sehr sinnvoll
hinter einzelnen Verstärkerstufen einer mehrgliedrigen
Verstärkerkette eingesetzt werden, um die Ausgangsimpedanz
eine Verstärkers auf eine geeignete Eingangsimpedanz für den
nächsten Verstärker hochzutransformieren.
Eine Weiterbildung der Erfindung kann beispielsweise auch
darin bestehen, im sogenannten F-Betrieb weitere
ungeradzahlige Harmonische einer bestimmten Frequenz mittels
entsprechend ausgelegten Kombinationen aus Kondensatoren und
Hochfrequenzleitungen, die wiederum bei den entsprechenden
ungeradzahligen Harmonischen einen Kurzschluß bilden,
abzuschließen. Damit die relative Bandbreite der
Impedanztransformation der gesamten Schaltung vergrößert
werden kann, und damit beispielsweise Exemplarstreuungen
weniger Einfluß auf das Transformationsverhalten der
Schaltung haben können, kann die Transformationsschaltung
auch mehrstufig ausgelegt werden.
Wie bereits angedeutet wurde, können anstelle von
leerlaufenden λ/4-Leitungen auch mit einem Kurzschluß
abgeschlossene Hochfrequenzleitungen verwendet werden, die
allerdings dann dementsprechend verlängert werden müssen, um
die gleiche gewünschte Wirkung zu erzielen. Eine Möglichkeit
zur Weiterbildung der Erfindung besteht dann, wenn
beispielsweise zwei Frequenzbänder gewählt werden, die sich
um weniger als Faktor 2 unterscheiden. In diesem Fall können
die Hochfrequenzleitungen so gewählt werden, daß sie für die
erste Harmonische des höheren Frequenzbandes bzw. für das
höhere Frequenzband selbst einen Leerlauf darstellen, indem
sei eine elektrische Länge aufweisen, die der Hälfte der
entsprechenden Frequenz entspricht. Diese
Hochfrequenzleitungen stellen dann für die erste Harmonischen
des unteren Frequenzbandes bzw. für das untere Frequenzband
selbst zusätzlich einen Kondensator dar. In diesem Fall kann
dann die Leitungsbreite dieser Hochfrequenzleitungen so
gewählt werden, daß automatisch der gewünschte Kapazitätswert
erzielt wird und somit auf zusätzliche Kondensatoren
verzichtet werden kann. Es können somit im Vergleich zu der
in Fig. 1 gezeigten Schaltung nochmals Bauteile eingespart
werden.
Schließlich ist die Erfindung auch nicht auf die
dargestellten Frequenz-Beispiele für PCN- und GSM-Frequenzen
beschränkt sondern kann selbstverständlich in alle
Hochfrequenzbereiche übertragen werden.
Claims (13)
1. Schaltung zum Verstärken eines Hochfrequenzsignals aus
einem ersten schmalbandigen Hochfrequenzbereich sowie aus
mindestens einem weiteren schmalbandigen zweiten
Hochfrequenzbereich,
wobei die Verstärkerschaltung einen Verstärker (V1) und eine mit dem Ausgang des Verstärkers (V1) verbundene Anpassungsschaltung (C1) zum harmonischen Abschluß des ersten Hochfrequenzbereichs, bei der zum Anpassen der Abschluß- Eigenschaften der Anpassungsschaltung (C1) für den zweiten Hochfrequenzbereich mindestens ein kapazitives Element (C3, C4) elektrisch wirksam schaltbar ist, aufweist, oder
wobei die Verstärkerschaltung einen Verstärker (V1) und eine mit dem Ausgang des Verstärkers (V1) verbundene Transformationsschaltung (TL1, C2) zum Transformieren der Ausgangsimpedanz der Verstärkerschaltung für den ersten Hochfrequenzbereich, bei der zum Anpassen der Impedanztransformations-Eigenschaften der Transformationsschaltung (TL1, C2) für den zweiten Hochfrequenzbereich mindestens ein kapazitives Element (C3, C4) elektrisch wirksam schaltbar ist, aufweist,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine mit dem kapazitiven Element (C3, C4) in Serie geschaltete Hochfrequenzleitung (SL1, SL2) als Schaltleitung, welche leerlaufend oder mit einem Kurzschluß abgeschlossenen ist und eine derartige elektrische Länge aufweist, daß sie für einen Hochfrequenzbereich einen Kurzschluß darstellt, für dieses kapazitive Element (C3, C4) ausgelegt ist.
wobei die Verstärkerschaltung einen Verstärker (V1) und eine mit dem Ausgang des Verstärkers (V1) verbundene Anpassungsschaltung (C1) zum harmonischen Abschluß des ersten Hochfrequenzbereichs, bei der zum Anpassen der Abschluß- Eigenschaften der Anpassungsschaltung (C1) für den zweiten Hochfrequenzbereich mindestens ein kapazitives Element (C3, C4) elektrisch wirksam schaltbar ist, aufweist, oder
wobei die Verstärkerschaltung einen Verstärker (V1) und eine mit dem Ausgang des Verstärkers (V1) verbundene Transformationsschaltung (TL1, C2) zum Transformieren der Ausgangsimpedanz der Verstärkerschaltung für den ersten Hochfrequenzbereich, bei der zum Anpassen der Impedanztransformations-Eigenschaften der Transformationsschaltung (TL1, C2) für den zweiten Hochfrequenzbereich mindestens ein kapazitives Element (C3, C4) elektrisch wirksam schaltbar ist, aufweist,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine mit dem kapazitiven Element (C3, C4) in Serie geschaltete Hochfrequenzleitung (SL1, SL2) als Schaltleitung, welche leerlaufend oder mit einem Kurzschluß abgeschlossenen ist und eine derartige elektrische Länge aufweist, daß sie für einen Hochfrequenzbereich einen Kurzschluß darstellt, für dieses kapazitive Element (C3, C4) ausgelegt ist.
2. Schaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die als Schaltleitung ausgelegte Hochfrequenzleitung
(SL1, SL2) für die erste Harmonische des zweiten
Hochfrequenzbereichs oder für den zweiten Hochfrequenzbereich
selbst einen Kurzschluß darstellt.
3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Anpassungsschaltung durch einen ersten Kondensator
(C1) gebildet wird, der auf der einen Seite mit dem Ausgang
des Verstärkers (V1) und auf der anderen Seite mit Masse
verbunden ist und zum Anpassen der Abschluß-Eigenschaften für
den zweiten Hochfrequenzbereich eine Serienschaltung aus
einem kapazitiven Element (C3) und einer Hochfrequenzleitung
(SL1), die für die erste Harmonische des zweiten
Hochfrequenzbereichs einen Kurzschluß darstellt, mit dem
Ausgang des Verstärkers (V1) verbunden ist.
4. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Transformationsschaltung durch eine in Serie mit dem
Ausgang des Verstärkers (V1) geschaltete Leitung (TL1) und
einen an den Ausgang der Leitung (TL1) und gegen Masse
geschalteten zweiten Kondensator (C2) gebildet wird und zum
Anpassen der Transformations-Eigenschaften für den zweiten
Hochfrequenzbereich eine Serienschaltung aus einem
kapazitiven Element (C4) und einer Hochfrequenzleitung (SL2),
die für den zweiten Hochfrequenzbereichs einen Kurzschluß
darstellt, mit dem Ausgang der Leitung (TL1) verbunden ist.
5. Schaltung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß diese einen weiteren Verstärker (V2) aufweist, welcher
der Transformationsschaltung (TL1, C2) nachgeschaltet ist,
wobei die Transformationsschaltung (TL1, C2) die
Ausgangsimpedanz des ihr vorgeschalteten Verstärkers (V1) auf
die Eingangsimpedanz des ihr nachgeschalteten weiteren
Verstärkers (V2) transformiert.
6. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß an den Ausgang des Verstärkers (V1) ein Schwingkreis aus
einem Kondensator (C5), einer ersten und einer zweiten
Leitung (TL2, TL3) angeschlossen ist, der über einen Schalter
(52) mit Masse verbindbar ist, wobei die erste Leitung (TL2)
in Serie zum dem Verstärker (V1) und parallel zu dem
Kondensator (C5) und der zweiten Leitung (TL3) liegt,
und wobei die Resonanzfrequenz des Schwingkreises der
ersten Harmonischen des zweiten Hochfrequenzbereichs
entspricht und zum Anpassen der Transformations-Eigenschaften
an den zweiten Hochfrequenzbereich eine dritte Leitung (TL4)
in Serie zu dem Schwingkreis geschaltet ist, an deren Ausgang
eine Serienschaltung aus einem kapazitiven Element (C6) und
einer Hochfrequenzleitung (SL3), die für den zweiten
Hochfrequenzbereich einen Kurzschluß darstellt, geschaltet
ist.
7. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß das kapazitive Element (C3, C4, C5) ein Kondensator ist
und die Hochfrequenzleitungen (SL1, SL2, SL3) am Ende
leerlaufend sind, wobei sie jeweils eine elektrische Länge
aufweisen, die einem Viertel der Wellenlänge des
kurzzuschließenden Frequenzbereichs entspricht.
8. Schaltung zum Verstärken eines Hochfrequenzsignals aus
einem ersten schmalbandigen Hochfrequenzbereich sowie aus
mindestens einem weiteren schmalbandigen zweiten
Hochfrequenzbereich,
wobei die Schaltung einen Verstärker (V1) und eine mit dem Ausgang des Verstärkers (V1) verbundene erste Transformationsschaltung (C8, TL5) zum Transformieren der Ausgangsimpedanz der Verstärkerschaltung für den ersten Hochfrequenzbereich aufweist,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Schaltung zum Anpassen der Transformations- Eigenschaften für den zweiten Hochfrequenzbereich ein in Serie zu der ersten Transformationsschaltung (C8, TL5) geschaltetes induktives Hochfrequenz-Element (TL6) aufweist,
wobei ein kapazitives Element (C9) zwischen dem ausgangsseitigen Ende dieses induktiven Hochfrequenz-Elements (TL6) und Masse elektrisch wirksam schaltbar ist, und
wobei die Verstärkerschaltung zwischen dem Verstärker (V1) und der ersten Transformationsschaltung (C8, TL5) eine Anpassungsschaltung (C7) zum harmonischen Abschluß des ersten Hochfrequenzbereichs durch Kurzschließen der ersten Harmonischen aufweist.
wobei die Schaltung einen Verstärker (V1) und eine mit dem Ausgang des Verstärkers (V1) verbundene erste Transformationsschaltung (C8, TL5) zum Transformieren der Ausgangsimpedanz der Verstärkerschaltung für den ersten Hochfrequenzbereich aufweist,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Schaltung zum Anpassen der Transformations- Eigenschaften für den zweiten Hochfrequenzbereich ein in Serie zu der ersten Transformationsschaltung (C8, TL5) geschaltetes induktives Hochfrequenz-Element (TL6) aufweist,
wobei ein kapazitives Element (C9) zwischen dem ausgangsseitigen Ende dieses induktiven Hochfrequenz-Elements (TL6) und Masse elektrisch wirksam schaltbar ist, und
wobei die Verstärkerschaltung zwischen dem Verstärker (V1) und der ersten Transformationsschaltung (C8, TL5) eine Anpassungsschaltung (C7) zum harmonischen Abschluß des ersten Hochfrequenzbereichs durch Kurzschließen der ersten Harmonischen aufweist.
9. Schaltung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß diese einen weiteren Verstärker (V2) aufweist, welcher
der Transformationsschaltung (C8, C9, TL5, TL6)
nachgeschaltet ist, wobei die Transformationsschaltung (C8,
C9, TL5, TL6) die Ausgangsimpedanz des ihr vorgeschalteten
Verstärkers (V1) auf die Eingangsimpedanz des ihr
nachgeschalteten Verstärkers (V2) transformiert.
10. 2-Band-Empfänger zum Senden und/oder Empfangen eines
Signals aus zwei unterschiedlichen Hochfrequenzbereichen,
dadurch gekennzeichnet,
daß dieser eine Schaltung nach einem der vorherigen Ansprüche
aufweist.
11. 2-Band-Mobilfunkvorrichtung, die einen 2-Band-Empfänger
nach Anspruch 10 aufweist.
12. Verwendung einer Serienschaltung aus einem kapazitiven
Element (C3) und einer Hochfrequenzleitung (SL1) in einer
Schaltung zum Verstärken von Hochfrequenzsignalen,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Hochfrequenzleitung (SL1), die am Ende leerlaufend
ist, eine derartige elektrische Länge aufweist, daß sie für
einen bestimmten Frequenzbereich, für den das kapazitive
Element (C3) zum Verändern der Impedanzeigenschaften wirksam
geschaltet werden soll, einen Kurzschluß darstellt.
13. Verwendung einer Serienschaltung aus einem kapazitiven
Element (C3) und einer Hochfrequenzleitung (SL1) nach
Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß das kapazitive Element ein Kondensator (C3) ist und die
Hochfrequenzleitung (SL1) eine elektrische Länge aufweist,
die im wesentlichen einem Viertel der Wellenlänge des
kurzzuschließenden Frequenzbereichs entspricht.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DE1999130195 DE19930195C2 (de) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | Schaltung zum Verstärken eines Hochfrequenzsignals aus zumindest zwei Hochfrequenzbereichen, 2-Band-Empfänger mit der Schaltung, 2-Band-Mobilfunkvorrichtung mit dem Empfänger und Verwendung einer Serienschaltung aus einem kapazitiven Element und einer Hochfrequenzleitung in einer Verstärkerschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1999130195 DE19930195C2 (de) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | Schaltung zum Verstärken eines Hochfrequenzsignals aus zumindest zwei Hochfrequenzbereichen, 2-Band-Empfänger mit der Schaltung, 2-Band-Mobilfunkvorrichtung mit dem Empfänger und Verwendung einer Serienschaltung aus einem kapazitiven Element und einer Hochfrequenzleitung in einer Verstärkerschaltung |
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|---|---|
| DE19930195A1 DE19930195A1 (de) | 2001-01-18 |
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|---|---|---|---|
| DE1999130195 Expired - Fee Related DE19930195C2 (de) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | Schaltung zum Verstärken eines Hochfrequenzsignals aus zumindest zwei Hochfrequenzbereichen, 2-Band-Empfänger mit der Schaltung, 2-Band-Mobilfunkvorrichtung mit dem Empfänger und Verwendung einer Serienschaltung aus einem kapazitiven Element und einer Hochfrequenzleitung in einer Verstärkerschaltung |
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|---|---|---|---|---|
| US5774017A (en) * | 1996-06-03 | 1998-06-30 | Anadigics, Inc. | Multiple-band amplifier |
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-
1999
- 1999-06-30 DE DE1999130195 patent/DE19930195C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE19704151C1 (de) * | 1997-02-04 | 1998-08-27 | Siemens Ag | Sende-Empfangs-Umschalteanordnung |
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| Publication number | Publication date |
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| DE19930195A1 (de) | 2001-01-18 |
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