DE2232902A1 - Magnetische granat-einkristallschicht - Google Patents
Magnetische granat-einkristallschichtInfo
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Description
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtl. Aktenzeichen: Neuanmeldung
Aktenzeichen der Anmelderin: YO 971 035
Die Erfindung betrifft eine magnetische Granat-Einkristallschicht mit Lanthaniden-Anteilen sowie mit uniaxialer Anisotropie zur
Aufrechterhaltung und Weiterleitung hierin erzeugter magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen.
Anordnungen mit zylindrischen magnetischen Domänen sind beispielsweise
aus der USA-Patentschrift 3 460 116 bekanntgeworden. Hierbei werden zylindrische magnetische Domänen in einem magnetischen
Film wahlweise erzeugt und hierin nach vorgegebenem Muster verschoben. Wenn diese magnetischen zylindrischen Domänen zur Darstellung
binärer Information dienen, dann lassen sich entsprechende Daten einschreiben, auslesen und verschieben, wie es bei
datenverarbeitenden Einrichtungen gefordert wird.
Magnetische Filme dieser Art können dabei Orthoferrite, Magnetoplumbite
und Granate sein. Speziell sind Granate als magnetische Domänenmaterialien vorgeschlagen worden, wie es sich aus den
nachstehend aufgeführten Literaturstellen ergibt:
1. Van Uitert, et al "Garnets for Bubble Domain Devices", Mat. Res. Bull., Bd. 5, Seiten 825-836, 1970.
2. E. A. Giess, et al "Magnetic Materials for Circular Domain
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Devices", IBM Technical Disclosure Bulletin, Bd. 13., Nr. 2,
S. 517, Juli IP70.
3. A. H. B ob eck, et al "Fniaxial Facnetic C-arnets for Dorain
Wall 'Bubble' Devices", Applied Phvsics Letters, Ed. 17.
Hr. 3, S. 131 (1. Aug. 19 70).
4. J. E. Mee, et al IFEE Transactions on Magnetics, r'l?G-5.
S. 717 (1969) .'
5. J. E. Mee, et al Applied Physics Letters, 13, 60 (1971).
Die unter 1 und 3 zitierten Literaturstellen beschreiben Granat-Kristalle, die eine Mischung aus mehreren Lanthanirien-Elementen
enthalten. Granat-Verbindungen dieser £rt zeichnen sich durch eine v/achstumsbedingte uniaxiale Anisotropie aus. In diesen
Granat-Zusammensetzungen kann die wachstupsbedirgte 'nisotroDie
in der magnetischen Schicht existieren, ohne daß ein besonderes
Substrat erforderlich wäre. Das bedeutet aber; daß hier das
Problen der Citteranpassunc go(""onstfindslo.cs int.
Die unter 1 und 3 zitierten Literaturs teilen beschreiber
Lanthaniden-Granat-Zusammensetzungen, die mehrere Lanthaniden-Elementanteile
enthalten, v/obei das eine Lanthanid (A) einen nagnetostriktiven Koeffizienten λ mit positivem Vorzeichen
besitzt, wohingegen das andere Lanthanid (B) einen maanetostriktiven
Koeffizienten λ mit negativem Vorzeichen besitzt.
Infolgedessen ist die resultierende Magnetostriktion annähernd Null.
Die unter 4 und 5 zitierten Literaturstellen beschreiben Granat-Zusammensetzungen
für zylindrische magnetische Domänen, die auf speziellen Lanthaniden-Mischsubstraten epitaxial aufgewachsen
sind. Es ist schwierig Substrate dieser Art weitgehend fehlerlos zu züchten, und außerdem lassen sie auch für hierauf aufcrewachsene
reproduzierbare magnetische Filme hinsichtlich einer befrie-
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BAD ORi
digenö.en Qualität sehr zu wünschen ti
Ci e eben angeführten magnetischen Filme sind zwar reeignet für
den Gebrauch bei Anwendung magnetischer zylindrischer "Einzelwanddomänen
> sie weisen jedoch nicht alle für diesen besonderen Zweck gewünschten Qualitäten auf.
Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, verbesserte
Granat-Zusammensetzungen bzw. -Verbindungen für magnetische Filme der oben beschriebenen Art bereitzustellen, die sich auf
einfachen Verbindungssubstraten aufwachsen lassen, wobei eine gegenüber bisher wesentlich erhöhte Domär-engeschwindigkeit über
einen weiten Bereich der angelegten Feldstärken zu erzielen ist; und sich außerdem noch hohe Bitdichten bei Verwendung in Speicheranordnungen
ergeben sollen.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß sich -auf
einem Substrat ein Eisengranatfilm mit durch mechanische Beanspruchung bedingter uniaxialer Anisotropie befindet, welcher
neben einen einzigen Lanthaniden-Elementanteil Yttrium enthält, so daß sich eine Gitterfehlanpassung zwischen Substrat und Film
im Bereich von 0,02 bis 0,16 ergibt.
Die mechanische Beanspruchung, die entweder durch Druck oder Zug ausgeübt ist, wird dabei sorgfältig gewählt, um die erwünschte
Anisotropie herbeiführen zu können,- ohne daß der Granat-Film mechanisch beschädigt wird, z.B. durch Bruch. Magnetische Filme
dieser Art lassen sich in einfacher Weise epitaxial auf unkomplizierten Verbindungssubstraten aufwachsen und zeigen dabei
eine äußerst hohe magnetische Einzelwanddomänengeschwirdigkeit. Diese Beweglichkeit existiert über dem gesamten Bereich der
Feldstärken des angelegten magnetischen Weiterleitungsfeldes,
das zur Ausbreitung der zylindrischen Einzelwanddomänen dient.
Magnetische Filme dieser Art lassen sich auch mit verschiedenen Werten für die liaanetisierung H und die uniaxiale Anisotropie
K herstellen, so daß sich hohe Bitdichten in stabilen Granat-•n
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BAD
Filmen ergeben.
Das Substrat selbst kann aus einem Lanthaniden-Granat, einem
Spinell, einem Saphir oder aus Magnesiumoxid bestehen.
Granat-Zusammensetzungen dieser Art sind speziell geeignet für Betrieb bei Raumtemperatur. Wie bereits gesagt, besitzen diese
magnetischen Filme uniaxiale Anisotropie, bedingt durch mechanische Spannung, wobei die Achse der leichten Magnetisierbarkeit
in Richtung der Normalen der Filmebene fällt. Ob Zugspannung oder Druckspannung wirksam ist, hängt von den jeweils verwendeten Granat-Zusammensetzungen
ab. Der Lanthaniden-Anteil in diesem magnetischen
Film wird jedenfalls in einem solchen Betrag gewählt, daß sich die erwünschte prozentuale Gitterfehlanpassung einstellen
kann.
Die Granat-Zusammensetzungen lassen sich gemäß der Erfindung besonders
vorteilhaft durch die allgemeine Formel RE Y_ Fe1. Ga O, o,
y 3-y 5-x χ 12'
worin y zwischen 0,1 und 0,9 einschließlich und χ zwischen 0,9
und 1,2 einschließlich liegt. RE ist die Bezeichnung für das gewählte Lanthanid wie Gd, Eu, Tb, Dy, Sm, Ce usw.. Um den gewünschten
Wert für die mechanische Spannung und die Sättigungsmagnetisierung 4irM (zwischen lOO und 300 Gauß) zu erhalten, kann der
Wert für y je nach dem verwendeten Substrat den üblichen Bereich überschreiten.
Die erfindungsgemäßen Granat-Filme stellen Einkristall-Filme
dar, die im allgemeinen zwischen 1 bis 10 /um dick sind und epitaxial auf relativ unkomplizierten Substraten aufgewachsen
sind, die z.B. aus seltenen-Erden-Granaten, wie z.B. Gd3Ga-O _>
bestehen können oder den anderen obengenannten Substraten. Die Substrate sind dabei so gewählt, daß sich die gewünschte Gitterfeh lanpassung ergibt.
Obwohl die magnetischen Filme allgemein eine Achse der leichten Magnetisierbarkeit in Richtung der Normalen der (111)-Ebene
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besitzen, sind Kristallorientierungen dieser Art nicht die einzig möglichen. Gewisse Orientierungen, wie z.B. (111), sind
.allgemein für ein Filmschichtwachstum bevorzugt und außerdem für
Anisotropie-Bedingungen. So wachsen z.B. Granate vorzugsweise
schnell in der (111)-Ebene, und die uniaxiale Anisotropie ist vorzugsweise
in Richtung der Normalen dieser Ebene ausgebildet. Die Substrate selbst können mit Hilfe bekannter Verfahren, wie z.B.
im Czochralski-Prozeß, hergestellt sein. Auch die Magnetfilme lassen sich mit Hilfe bekannter Verfahren herstellen, wie mit
dem Flüssigphasenepitaxieverfahren, dem reaktiven Verdampfungsverfahren, der Kathodenzerstäubung und dem Aufschleuderverfahren.
Die Anwendung von Granat-Verbindungen mit nur einem einzigen Lanthaniden-Elementanteil in Kombination mit Yttrium, wie es erfindungsgemäß
vorgesehen ist, führt zu Magnetfilmen mit extrem hoher Beweglichkeit. Dies beruht hauptsächlich auf dem geringen
Dämpfungskoeffizienten, der sich hierfür ergibt. Es hat sich
nämlich gezeigt, daß sich bei Anwendung der erfindungsgemäßen
Magnetfilme zylindrische Einzelwanddomänengeschwindigkeiten ergeben,
die weit höher liegen als es bisher für magnetische Filme der Fall gewesen ist; und zwar gilt dies für den gesamten Bereich
der Feldstärken des angelegten und auf die Domänen einwirkenden magnetischen Weiterleitungsfeldes. Es ergibt sich weiterhin der
Vorteil, daß dank der minimalen Anzahl der benötigten chemischen Anteile zur Erstellung des magnetischen Films die Herstellung in
reproduzierbarer Weise außerdem sehr einfach gehalten werden kann, im Gegensatz zu den komplizierteren Granaten mit Lanthaniden-Mischungen,
wie sie in den oben angeführten Literaturstellen beschrieben sind.
Als besonders vorteilhafte Substanzen für die erfindungsgemäßen Granate lassen sich GdY- Fe^ Ga O- und Eu Y, Fe. Ga O.»
y j ~*y 3"™" λ χ χ A y j ™™y *j """" ·*· *^* **
anwenden, wobei die oben angegebenen Anteile für χ und y einzuhalten
sind.
Um am besten Dünnschichtfilme für kleine zylindrische Einzelwanddomänen
herzustellen, ist jeweils ein gutes Substrat erforderlich.
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Das Substrat selbst sollte deshalb wohlkontrollierte Eigenschaften
besitzen, gleichförmig sein und die geeignete Gitterkonstante aufweisen. Die Wahl eines einfachen Substrats in Form entsprechend
geeigneter chemischer Bestandteile genügt diesen Erfordernissen. Magnetische Filmzusammensetzungen gemäß der Erfindung
lassen sich dann mit diesen relativ einfachen Substraten anwenden.
Da Granate von kubischer Struktur sind, muß eine uniaxiale Anisotropie
in diese Kristalle von außen eingeführt werden. Die in den oben angeführten Literaturstellen 1 und 3 angegebene Herstellungsweise
hierzu führt zu wachstumsbedingter Anisotropie. Es hat sich aber gezeigt, daß Substanzen mit dieser Art Anisotropie
für gewöhnlich hohe Dämpfungsfaktoren und infolgedessen eine geringe Einzelwanddomänenbeweglichkeit besitzen.
Demgegebenüber wird in Granat-Zusammensetzungen gemäß der Erfindung
spannungsbedingte Anisotropie angewendet, so daß sich eine sehr hohe Einzelwanddomänenbeweglichkeit ergibt. Von größerer
Bedeutung dabei ist allerdings, daß eine hohe Domänengeschwindigkeit bei den angelegten magnetischen Weiterleitungsfeldern
zu erzielen ist. Die erfindungsgemäßen Magnetfilme unterliegen sorgfältig ausgewählten mechanischen Spannungen, so daß Bruchstellen
vermieden werden.
Die Sättigungsmagnetisierung M und die Anisotropie K lassen
sich jeweils einstellen, indem die Zusammensetzungsbestandteile des Granat-Films variiert und die Filme einem Aufheizverfahren
(bis etwa 1250 0C) unterworfen werden.
Die Erfindung soll anhand von Ausführungsbeispielen mit Hilfe der unten aufgeführten Zeichnungen näher erläutert werden.
Es zeigen:
Fig. 1 ein Zweistoffdiagramm für ein Europiumsystem
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bei verschiedenen Gitterkonstanten des Substrats und Magnetisierungen als Parameter,
Fig. 2 ein Zweistoffdiagramm eines Gadoliniumsystems
für verschiedene Gitterkonstanten des Substrats und Magnetisierungen als Parameter,
Fig. 3 eine graphische Darstellung, bei der die Magnetisierung
in Abhängigkeit von der Temperatur für das Europium- und das Gadoliniumsystem aufgetragen
ist,
Fig. 4 eine graphische Darstellung, bei der die Domänengeschwindigkeit
in Abhängigkeit vom Weiterleitungsfeld für die verschiedenen Granat-Verbindungen
aufgetragen ist.
Eisen-Lanthaniden-Granate besitzen die allgemeine Formel
RE Y-,^ Fet, Ga O19, worin KE ein Lanthaniden-Element darstellt,
wie z.B. Gadolinium, Europium, Terbium, Samarium, Dysprosium und Cer. Die Verbindungsanteile liegen üblicherweise in einem Bereich
0,9<x<l,2 0,l<y<0,9.
Die Granat-Schichten werden epitaxial auf einem Substrat aufwachsen
gelassen, welches generell ein Lanthaniden-Granat oder ein anderes isolierendes Substrat, wie z.B. Magnesiumoxid,
Saphir und Spinell sein kann. Die kristallographische Orientierung der Magnetschichten entspricht im allgemeinen der (111)-Fläche,
obwohl ohne weiteres auch andere Orientierungen möglich sein können. Diese Magnetschichten besitzen fernerhin eine uniaxiale
Anisotropie, die durch entsprechende mechanische Spannung herbeigeführt ist, wobei sich entweder Zug oder Druck anwenden
läßt. Die magnetische Achse der leichten Magnetisierbarkeit ist in Richtung der Normalen der Magnetschicht gerichtet.
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Im Kristallgitter tritt Gallium anstelle von Eisen und besetzt so gleiche Gitterplätze wie Eisen. Gallium bevorzugt eine
tetraedrische Gitterplatzbesetzung. Anstelle von Gallium läßt sich auch Aliminium im Austausch für Eisen verwenden. Jedoch
wird Gallium bevorzugt, da es eine bessere Kontrolle der Gitterkonstanten zuläßt. Dieser Austausch der Eisenatome durch andere
gestattet einen Abgleich der Sättigungsmagnetisierung.
Die Lanthaniden-Ionen besetzen dodecaedrische Gitterplätze im
Kristall. Der Austausch gegen Lanthaniden beeinflußt die Magneto-Striktionskoeffizienten
von Magnetschichten.
Wie bereits gesagt, gilt für magnetische Granat-Schichten allgemein
die Formel RE Y, Fe1. Ga O10. Wenn auch für y gewöhnlich
V j—*V j—X X 1.Λ
der Bereich zwischen 0,1 und 0,9 einschließlich und für χ zwischen 0,9 und 1,2 einschließlich liegt, dann lassen sich
doch für die benutzten Substanzen jeweils Vorzugsbereiche angeben; z.B. für Gadolinium ein y zwischen 0,1 und 0,5 und ein
χ zwischen 0,9 und 1,2.
Bei Verwendung von Europium soll der Bereich für y vorzugsweise größer sein, d.h. zwischen 0,2 und 0,9 liegen, wohingegen χ
vorzugsweise einen Wert zwischen 0,9 und 1,2 haben soll. Diese bevorzugten Bereiche fallen aber alle innerhalb der oben angegebenen
Hauptbereiche und sind jeweils so gewählt, daß sich für das benutzte Lanthanid die besten magnetischen Eigenschaften
ergeben. Durch Erhöhen des Anteils y an größeren Lanthaniden-Ionen derart, daß es allgemein auftritt, steigt die Gitterkonstante
der Magnetschicht ebenfalls an, wohingegen die Magnetisierung M abnimmt. Eine Verstärkung des Anteils χ der kleineren
Gallium-Ionen läßt die Schicht-Gitterkonstante abnehmen und wiederum auch die Magnetisierung M . Damit läßt sich durch
Abgleichen der x- und y-Anteile sowohl die Gitterkonstante als
auch die Magnetisierung auf die jeweils gewünschten Werte einstellen. Die oben angegebenen Hauptbereiche für χ und y passen
gut bei Verwendung eines Substrates wie Gd3Ga5O _, wobei sich
10971035 309807/1166
— Q —
Schichten mit einer Magnetisierung 4irM mit Werten zwischen 100
und 300 Gauß unter verbesserter Gitterfehlanpassung herstellen lassen. Jedoch ist für einige Substrate die Gitterkonstante aQ
so groß, daß sich hieraus die Forderung ergibt, den Anteil an Lanthaniden in der Granat-Schicht größer als y=0,9 zu wählen.
Soll z.B. eine Gd Y- Fe1. Ga O0-Magnetschicht auf ein
Sm3Ga5O --Substrat aufgewachsen werden, dann sollte der Anteil
von Gd erhöht werden, um einen geeigneten Betrag für die Gitterfehlanpassung (0,02 bis 0,16) und einen geeigneten Wert für die
Magnetisierung 4ττΜ (100 bis 300 Gauß) zu erhalten. Als brauchbarer
Wert ergibt sich ein Anteil von etwa y=l,8, wie auch aus der weiter unten stehenden Tabelle zu entnehmen ist.
Typische Lanthaniden-Eisen-Granate gemäß der Erfindung sind durch die Zweistoffdiagramme in Fig. 1 und 2 dargestellt. Fig. 1 gilt
für einen Europium-Eisen-Granat, wohingegen in Fig. 2 ein Gadolinium-Eisen-Granat
veranschaulicht ist. Diese Diagramme lassen' den Bereich für die verschiedenen Zusätze erkennen, die für die
jeweiligen Substratgitterparameter und die Magnetisierung 4ττΜ
erforderlich sind.
Das Diagramm nach Fig. 1 gilt für Eu Y_ Fe^ Ga O0, worin die
beiden von links oben nach rechts unten verkaufenden Linien Substanzzusammensetzungen mit der jeweils angegebenen Gitterkonstanten a_ angeben. Die durch die Gerade a =12,384 Ä bezeichneten
Substanzzusammensetzungen besitzen eine vollkommene Gitteranpassung bei einem Substrat mit dieser Gitterkonstanten. In diesem
Falle besitzt ein durch Czochralski-Ziehverfahren gewonnenes Gd-Ga5Ol2-Substrat die oben angegebene Gitterkonstante. Die mit
a =12,437 £ bezeichnete Gerade bezeichnet entsprechende Zusammensetzungen
von Eu Y3 Fe5_xGax0l2. Im letzteren Falle kann das
Substrat entweder aus der Schmelze gewachsen oder nach dem Czochralski-Ziehverfahren als Sm3Ga5012-Kristall hergestellt
sein.
Die von links nach unten nach rechts oben verlaufende Kurven-
Y0 971 03S 30 9 807/1166
schar hat als Parameter die Magnetisierung. Die Magnetisierungsparameter liegen zwischen O und 300. In der Praxis allerdings
liegt die Magnetisierung vorzugsweise zwischen 100 und 300 Gauß einschließlich, urn die für eine zylindrische magnetische Einzelwanddomänenausbreitung
optimale Magnetisierung zur Verfügung zu haben.
Die Abszisse in Fig. 1 gilt für den Galliumanteil, wobei Eisen
als Ausgleich dient (Fe, Ga)5. Auf der Ordinaten ist der Y-Anteil
mit Eu als Ausgleich aufgetragen (Eu, Y).,. Um zugspannungsbedingte
Anisotropie in der Magnetschicht zu erhalten, werden Magnetschichtsubstanzen oberhalb der gewünschten Gitterkonstanten
(a_) ausgewählt. Soll hingegen druckspannungsbedingte Anisotropie herbeigeführt werden, dann werden Schichtzusammensetzungen mit
kleinerer Gitterkonstante (a«) ausgesucht. D.h. also, die Gitterkonstante für die Magnetschicht ist geringer als dieses Substrat
im Falle einer Zugspannung, wohingegen die Verhältnisse umgekehrt sind, wenn Druckspannung erzielt werden soll. Ist der vom Lanthaniden-Ion
und der vom Eisen-Ion herrührende Beitrag zum Magnetostriktions-Koeffizienten
positiv, dann wird eine sich flächenhaft auswirkende Zugspannung in der entsprechenden Granat-Zusammensetzung
ausgenutzt. Diese flächenhafte Auswirkung bezieht sich auf die Ebene der Magnetschicht.
Da die Magnetisierungsgröße 4πΜ für den Einzelwanddomänendurch-
messer bestimmend ist, soll diese Größe unabhängig vom Vorzeichen zweckmäßigerweise zwischen 100 und 300 Gauß liegen. Das
bedeutet, daß in Abhängigkeit vom gewählten Substrat der Gallium- und Yttrium-Anteil in der Granat-Zusammensetzung zwischen den
Kurven 4ιτΜ = 100 Gauß und 4πΜ = 300 Gauß liegen muß. Da wei-
S S
terhin die auf Fig. 1 bezogenen Granat-Zusammensetzungen Druckspannungen
unterliegen sollen, ist fernerhin bei der Anteilsbestimmung zu berücksichtigen, daß der Wert für aQ der Magnetschicht
größer sein muß als der des Substrats.
Das Zweistoffdiagramm nach Fig. 2 gilt für einen Gadolinium-
YO 971 035 309807/1 166
Yttrium-Eisengranat, der sich durch die verallgemeinerte Formel
Gd Y, Fe1. Ga O „ darstellen läßt. In diesem Zweistoffdiagramm
ist auf der Ordinate der Yttrium-Anteil aufgetragen, wobei vorausgesetzt
ist, daß Gadolinium als Ausgleich für die (Gd, Y)_- Verbindung dient; wohingegen auf der Abzisse der Gallium-Anteil
aufgetragen ist, wobei als Ausgleich für die (Fe, Ga)^-Verbindung Fe als Ausgleich dient. Auch hier wiederum sind die schräg von
links oben nach rechts unten verlaufenden Geraden jeweils für eine bestimmte Substrat-Gitterkonstante aQ aufgetragen. Die von
links unten nach rechts oben verlaufenden Kurven entsprechen dann jeweils einem bestimmten Wert von 4ttM in Gauß. Ein Substrat
nach Fig. 2 mit der Gitterkonstanten a =12,376 Ä ist üblicherweise
ein aus der Schmelze gewachsener Gd3Ga5O „-Kristall.
Für Gadolinium-Yttrium-Eisengranate ist der resultierende Magnetostriktionskoeffizient
negativ, so daß in diesem Falle eine sich flächenhaft auswirkende Zugspannung zur Bereitstellung der uniaxialen
Anisotropie ausgenutzt wird. Wie oben wird auch hier der Wert von 4πΜ so gewählt, daß er zwischen 100 und 300 Gauß liegt,
um ein geeignetes Material für die Erzeugung und Aufrechterhaltung von Einzelwanddomänen zu erhalten. Brauchbare Gadolinium-Yttrium-Eisengranat-Filme
werden mit einer Gitterkonstanten aQ gewählt, die kleiner ist als die des Substrates und wie gesagt
einem Wert für 4πΜ zwischen 100 und 300 Gauß entsprechen. Die
Anisotropie dieser Magnetschichten entsteht durch Gitterfehlanpassung zwischen Magnetschicht und Substrat./So sind Fehlanpassungen
mit 1 Teil auf 500 beobachtet worden. Im allgemeinen wird die Fehlanpassung mit etwa 1 Teil auf 1200 gewählt.
Im Diagramm nach Fig. 3 ist die Magnetisierung in Abhängigkeit von der Temperatur für die in Fig. 1 und Fig. 2 dargestellten Beispiele
aufgetragen. Die verwendeten Granat-Zusammensetzungen weisen Curie-Temperaturen auf, die weit oberhalb der Raumtemperatur
liegen. Der Temperaturkoeffizient der Magnetisierung ist in beiden Fällen, wie aus den Diagrammen ersichtlich, oberhalb
YO 971 035
309807/.1166
der Raumtemperatur negativ. Dies hat zur Folge, daß der Einzelwanddomänendurchmesser
in diesem Bereich konstant bleibt. Nach F. C. Rossol in "Temperature Dependence of Rare-Earth Orthoferrite
Properties Relevant to Propagating Domain Device Applications", IEEE Transactions on Magnetics, Bd. Mag-5, No. 3,
September 1969, Seite 562 rechte Spalte, hängt nämlich der Domänendurchmesser in seiner Temperaturabhängigkeit von der Magnetisierung
und von dem Anisotropie-Energiedichte-Koeffizienten ab, der im allgemeinen ebenfalls einen negativen Temperaturkoeffizienten
besitzt, so daß, da beide durch einen Bruchstrich voneinander getrennt sind, bei Verwendung der oben bezeichneten
erfindungsgemäßen Granate ein Ausgleich eintritt.
Die Kristallorientierung der Magnetschicht ist im allgemeinen (111), obgleich auch andere Orientierungen möglich sind. Gewisse
Orientierungen, z.B. (111), sind aufgrund des Schichtwachstums
und der Anisotropiebedingungen bevorzugt. So wachsen z.B. Granat-Schichten und Granat-Substrate vorzugsweise schnell in der (Hl)-Ebene.
Auch die uniaxiale Anisotropie bevorzugt gewisse Orientierungen vor anderen, wobei die Achse der leichten Magnetisierbarkeit
der Magnetschicht vorzugsweise normal zur (111)-Ebene gerichtet ist.
Bei mit Samarium und Europium dotierten Y-Fe-Ga-O-Granat-Schichten
könnten so die (100)-Orientierungen ebenfalls zweckmäßig sein. Im allgemeinen hängt die Orientierung von den gewählten Substraten
und der bevorzugten Wachstumsrichtung der Granat-Schichten im Substrat ab. Die Auswahl einer geeigneten Orientierung kann
daher dem Fachmann überlassen bleiben.
Die erfindungsgemäßen Granat-Verbindungen lassen sich mit Hilfe
üblicher Verfahren als Epitaxialschichten auf den vorgesehenen Substraten aufwachsen. So sind z.B. das Epitaxieverfahren aus
der flüssigen Phase, reaktive Aufdampfungsverfahren, Kathodenzerstäubung
und Aufschleudern geeignete Methoden.
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309807/11 SS
Verbindungen dieser Art sind insbesondere im Flüssig-Phasenepi- ■
taxieverfahren auf Galliumgranatsubstraten unter Verwendung von PbO-B2O3-Schmelzfluß und Anwendung der Kipp- oder der einfacheren
Eintauchmethode aufgetragen. Die Schichten wachsen bei einem. PbO-B2O3-Schmelzfluß in einem Temperaturbereich von 800 0C bis
850 0C auf. Filme dieser Art werden auf (111)-orientierten
Gd_Ga,-Ol2-Substraten aufgewachsen, um die Anzahl der in Betracht
kommenden Variablen möglichst zu begrenzen. Wie weiter unten noch ausgeführt, lassen sich beliebige Arten von Substraten anwenden.
Werden reaktive Aufdampfverfahren angewendet, dann stellen
Halide geeignete Transportmedien dar.
Aufschleudern und Aktivieren von Alkoholnitratlösungen stellt eine andere Methode für die Bereitstellung dieser Granat-Schichten
dar.
Durch Kathodenzerstäubung sind Seltene-Erden-Eisen-Einkristallgranatfilme
auf Granat-Substraten mit einer [111]-Orientierung
niedergeschlagen worden.
Wie bereits erwähnt, ist es vorteilhaft, gute Substrate zu verwenden,
deren Eigenschaften unter Kontrolle stehen, die leicht geformt und gleichförmig sind und die in bezug auf die zu verwendende
Granat-2usammensetzung geeignete Gitterkonstanten besitzen.
Fernerhin ist es zweckmäßig als Substrate solche Materialien zu verwenden, die kongruent schmelzen. Hierunter wird
verstanden, daß Komponenten gleicher Phase zu gleichen Anteilen !©we-hl im schmelzflüssigen als auch im erstarrten Zustand vorhanden
sind. Hierdurch wird gewährleistet, daß sich die GitterkQnatante
im Substrat nicht ändert, so daß sichergestellt ist, daß die dem magnetischen Granat-Film eingeprägten mechanischen
Spannungen in der Schicht gleichmäßig verteilt sind.
Rein© Verbindungen ergeben geeignete Substrate. Beispiele hierfür sind Gallium-Granat-Verbindungen, die sich durch die allge-
971 Θ*5 309807/1166
meine Formel RE3Ga5O12 darstellen lassen, worin RE ein Lanthanid
bedeutet, wie z.B. Gd, Dy, Sm, Nd usw. oder Yttrium.
Es lassen sich auch andere Substratverbindungen als Granate verwenden. Es ist lediglich erforderlich, daß die Substrate
gute gleichförmige Eigenschaften und.zweckentsprechende Gitterkonstanten in bezug auf die aufzutragenden Granat-Film besitzen.
Spezielle Beispiele hierfür sind MgO und Spinelle.
Die Substrate lassen sich mit Hilfe bekannter Verfahren herstellen,
wie z.B. durch Züchtung aus der Schmelze oder durch Czochralski-Prozesse. In einigen Fällen kann die Gitterkonstante
aQ des Substrates geringfügig verschieden sein, je nachdem, ob
eine Züchtung aus der Schmelze stattgefunden oder ein Czochralski-Prozeß angewendet worden ist. Ein Ordnung-Unordnungsphänomen
mag verantwortlich für diesen Unterschied in der Gitterkonstanten sein, da Gitterkonstantenänderungen nach Hochtemperaturglühbehandlungen
beobachtet worden sind.
Speziell sind Lanthaniden-Gallium-Granat-Substrate unter Anwendung
von Czochralski-Prozessen in induktiv beheizten Iridium-Tiegeln hergestellt worden. Die Substratkristall-Wachstumsbedingungen
entsprechen im wesentlichen denen, wie sie durch R. C. Linares in Solid State Comm. Nr. 2 (1964), Seite 229 beschrieben
sind, ausgenommen, daß als Behandlungsatmosphäre 1 % Sauerstoff und 99 % Stickstoff verwendet ist. Die orientierten
Rohstücke sind anschließend mit der Diamantsäge in 1 mm dicke Scheiben zerlegt worden. Zum erfolgreichen Aufwachsen von Schichten
werden Substratscheiben äußerst guter Oberflächenqualität benötigt. Aus diesem Grunde muß nach dem Zersägen ein aufeinanderfolgendes
Läppen mit Diamantgrieß einer 30-, 9- und 3-pm-Körnung
erfolgen. Ein chemomechanischer Polierverfahrensschritt unter Anwendung einer kolloidalen Silikatmischung in alkalischem
Medium dient anschließend zum Entfernen der letzten Reste der durch das Sägen erfolgten Oberflächenbeschädigungen. Die dieser
Art polierten Substrate werden dann bei Luft für 4 Stunden auf
YO 971 035
309807/1166
1250 °C aufgeheizt.
Die Substrate lassen sich auch durch normale Schmelzzüchtungsverfahren
erstellen. So werden z.B. die Kristallsubstanzen bei hoher Temperatur aufgelöst, um sie anschließend langsam
abzukühlen, so daß sich eine gesättigte Schmelze ergibt. Die Kristalle werden dann in geschlossenen. Platintiegeln gezüchtet.
Es sollen nun einige spezielle Granat-Verbindungen mit der
allgemeinen Formel RE Y-, Fe,._ Ga O0 beschrieben werden, wobei
y j™y dx χ i/
wiederum RE ein Lanthanid darstellt und 0,9<x<_l,2 und 0,l<y<0,9
gilt. Diese Substanzen stellen Einkristall-Granat-Filme auf den oben erwähnten Substraten dar.
Bevor auf die Besonderheiten dieser Zusammensetzungen eingegangen wird, sei auf eine der hervorstechendsten Eigenschaften dieser
Zusammensetzungen, wie es sich aus der graphischen Darstellung nach Fig. 4 ergibt, hingewiesen. Wie ersichtlich, ist hier die
Domänenwandgeschwindigkeit als Funktion des angelegten magnetischen Weiterleitungsfeldes H^ aufgetragen, das zur Verschiebung
der Domänen dient, wobei in an sich bekannter Weise weichmagnetische Streifenmuster als Weiterleitungsmittel auf der magnetischen
Schicht aufgebracht sind. Hierzu dienen z.B. T-förmige Permalloystreifen, die mit dem sich in der Ebene der magnetischen
Schicht drehenden Weiterleitungsfeld H, zusammenwirken.
Die Beweglichkeit ρ des Magnetschichtmaterials entspricht dem Verhältnis aus Domänenwandgeschwindigkeit zur Feldstärke des
Weiterleitugsfeldes H.. In diesem Falle sind drei Kurven aufgetragen:
Eine Kurve entspricht dabei den hier bevorzugten Granat-Zusammensetzungen, wohingegen die anderen Kurven für
Magnetschichten gelten, wie sie bisher in bekannter Weise Verwendung gefunden haben. Die mit RE y Y3_yFe5_x Ga x°i2 bezeichnete
Kurve gilt für bevorzugte Granat-Zusammensetzungen der Erfindung. Die mit Y-(Fe, Ga)rO., bezeichnete Kurve gilt ebenso wie die
mit (RE7-REn) (Fe, Ga)1-O1 ο bezeichnete Kurve für Granat-Zusammen-
Yo 971 O35 309807/1 166 ''
Setzungen bekannter Art.
Wie sich aus der graphischen Darstellung nach Fig. 4 ergibt,
besitzen die hier beschriebenen Granat-Zusammensetzungen nicht nur eine höhere Beweglichkeit p, sondern auch höhere Domänenwandgeschwindigkeiten
über ausgedehnte Bereiche der Feldstärke des Weiterleitungsfeldes H, gegenüber denen bekannter Art. Dies ist
aber von ganz besonderer Bedeutung bei Herstellung arbeitsfähiger Anordnungen, da die Domänenwandgeschwindigkeit als Funktion
des angelegten Weiterleitungsfeldes wichtiger ist als die Beweglichkeit an sich. So sind tatsächlich Domänenwandgeschwindigkeiten
mit Werten größer als 4000 cm/Sekunde in einem Gd Y__ Fe1- Ga O19-FiIm gemessen worden. Diese hohen Domänengeschwindigkeiten
sind wesentlich notwendig, wenn Datengeschwindigkeiten von wenigstens 10 Bits/Sekunde verlangt werden.
Die unten stehende Tabelle bringt Granat-Zusammensetzungsbeispiele
gemäß der Erfindung mit den zugehörigen Daten. Bei allen Beispielen sind Epitaxieverfahren unter Züchtung aus der flüssigen Phase
bei Anwendung eines PbO-B^O.-Flusses ausgeführt worden. Die Substrate
bestehen aus in Czochralski-Prozessen gezüchteten Gd^Ga1-O1 „-Kristallen mit einer (ill)-Orientierung, wenn nicht
anders vermerkt. Der Domänendurchmesser ist in Mikrometer angegeben. Die Angabe für die Sättigung 4irM erfolgt in Gauß. Die
Größe (H,-4ttM ) wird in Oersted gemessen. Ha stellt das Anisotropiefeld
dar und entspricht derjenigen Feldstärke, die benötigt wird, um die magnetischen Schichten von der Achse der leichten
Magnetisierbarkeit in die der schweren Magnetisierbarkeit zu schalten. Ist die Größe (H.-4<irM ) negativ, dann existiert keine
/V S
uniaxiale Anisotropie. Steht hinter der Zahl in dieser Spalte ein "(A)", dann heißt das, daß in diesem Falle ein Glühvorgang bei
1220 °C in Luft für 3 Stunden stattgefunden hat, um die erforderliche Anisotropie herbeizuführen. Die Größe H, gibt das Vormagnetisierungsfeld
an, das auf die Magnetschichten einwirkt und ist ebenfalls in Oersted gemessen. Die Filmdicke ist in
Mikrometer angegeben. Zur Substratorientierung dienen die
Yo 973 °35 309807/1166
-Γ
Miller-Indizes (hkl). Die Größe AaQ ist in Angström angegeben.
Die Größe AaQ dient als Angabe für den Unterschied in den Gitterkonstanten des Substrats und des Films nach Auftragen der Schicht
und nach Aufheizen, d.h. Gitterkonstante des Substrates minus der
Gitterkonstanten des Films ergibt den Wert für AaQ.· Infolgedessen
gilt für positives Aa daß der Film unter Zugbeanspruch
steht.
Es sind neuartige Granat-Zusammensetzungen beschrieben worden, die jeweils nur ein Element der Lanthaniden-Gruppe besitzen und
uniaxiale Anisotropie aufweisen, die durch mechanische Spannungsbeanspruchung eingeprägt ist. Diese Magnetschichten lassen Domä-
5 2
nenbitdichten von mindestens 1Ö Bits/cm und Datengeschwindigkeiten
von mindestens 10 Bits/sec zu.- Die erfindungsgemäßen Magnetschichten zeichnen sich durch eine wesentlich höhere Domänenwandgeschwindigkeit
aus, als es bei bisherigen Granat-Zusammensetzungen der Fall ist. Weiterhin lassen sich diese Granat-Zusammensetzungen
auf einfache Weise gemäß bekannter Verfahren epitaxial auf Substraten, bestehend aus reinen Verbindungen, .
aufwachsen, so daß eine Verwendung von Substraten, bestehend aus komplexen gemischten Verbindungen, speziell nicht erforderlich
ist.
Obgleich Granat-Zusammensetzungen für Domänen-Speichervorrichtungen
bereits bekannt sind, hat sich doch gezeigt, daß die durch die Erfindung bereitgestellten Granat-Zusammensetzungen
ganz besondere Vorteile bei der magnetischen Domänen-Anwendung bieten und dabei Eigenschaften entwickeln, die mit Filmschichten
bekannter Art nicht zu erzielen sind. Dabei ist.es äußerst bemerkenswert, daß die mit diesen Granat-Zusammensetzungen erzielbaren
Eigenschaften lediglich eine minimale Auswahl von Komponenten aus einer großen Anzahl zur Verfügung stehender Substanzen
bedingen.
YO 971 035
309 007/1166
σ
co
co
ο
co
co
ο
Nenn-Zusammensetzung
GdO/2 Y2,5Fe4,OGal,O°12
GdOf5Y2,5Fe4,O5GaO,95Ol2
Gdl/8Yl,2Fe4,O5GaO,95°l2
EuO,45Y2,55Fe4GalO12
EuO,6Y2,5Fe4Gal°12
Eu0,6Y2,4Fe3,95Gal,O5°12
EuO,6Y 2/4Fe3,85Gal,l5°12
EuO,7Y2,3Fe3,8Gai,2°12
EuO,9Y 2/lFe4,O5GaO,95°l2
TbO,6Y 2/4Fe3,95Gal,O5°12
Negatives Aan (a
u uSubstr.
GGG = Gd3Ga50l2-Substrat
SGG = Sm3Ga5O,2-Substrat
GRANAT-SCHICHT-DATEN
Domänendurch messer
(pm) 4 ttMs
(G)
(G)
ΗΑ-4πΜ5
(Oe)
(Oe)
Filmdicke
(pm)
Orient, (hkl)
2 2 3 3 2
5 3 4 215
150
380
560
490
510
380
560
490
510
280
125
300
200
300
200
-26
-360
+150(A)
+540(A)
+210 +1100 +1020 +1230
+270(A) +2200
+320(A) +200O +1280
+800
125
120 250 355 310 340
130
45
80
100
•χ,
6 8 6
GGG GGG
SGG GGG GGG GGG GGG
GGG
GGG GGG GGG
+0,008 0,0
+0,008 -0,003 -0,003
-0,015 +0,003 -0,015 +0,002 -0,014 -0,021
-a
) ergibt sich, wenn ein Film einer Druckbeanspruchung ausgesetzt
Film war.
(A) Aufheizung bei 1220 °c für 3 Stunden in Luft.
Claims (6)
1. Magnetische Granat-Einkristallschicht mit Lanthaniden-Anteilen sowie mit uniaxialer Anisotropie zur Aufrechterhaltung
und Weiterleitung hierin erzeugter magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen, dadurch gekennzeichnet, daß
sich auf einem Substrat ein Eisen-Granat-Film mit durch mechanische Beanspruchung bedingter uniaxialer Anisotropie
befindet, welcher neben einem einzigen Lanthaniden-Elementanteil
Yttrium enthält, so daß sich eine Gitter-Fehlanpassung zwischen Substrat und Film im Bereich vom 0/02
bis 0,16 ergibt.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus einem Lanthaniöen-Granat besteht.
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus einem Spinell, Saphir oder aus Magnesiumoxid
besteht.
4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die chemische Zusammensetzung des Eisengranats allgemein
aus der Formel:
BV3-yPe5-xGax°12
ergibt, worin RE für den Lanthaniden-Anteil steht und
0,9<x£l,2; O,1<Y<O,9.
5. Anordnung mindestens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Granat-Film eine Magnetisierung 4irM
(cgs-Systera) zwischen 100 und 300 Gauß besitzt.
6. Anordnung mindestens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Granat-Film aus einer Epitaxieschicht mit einer Dicke von etwa 1 bis 10 um besteht.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1972
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- 1972-08-03 CA CA148,608A patent/CA945357A/en not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0044586A3 (en) * | 1980-07-22 | 1982-02-03 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | Device for propagating magnetic domains |
| US4435484A (en) | 1980-07-22 | 1984-03-06 | U.S. Philips Corporation | Device for propagating magnetic domains |
Also Published As
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| FR2148314B1 (de) | 1975-03-07 |
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