DE2450902A1 - Elektrische durchfuehrungsleiter in halbleitervorrichtungen - Google Patents

Elektrische durchfuehrungsleiter in halbleitervorrichtungen

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DE2450902A1 DE19742450902 DE2450902A DE2450902A1 DE 2450902 A1 DE2450902 A1 DE 2450902A1 DE 19742450902 DE19742450902 DE 19742450902 DE 2450902 A DE2450902 A DE 2450902A DE 2450902 A1 DE2450902 A1 DE 2450902A1
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Description

Elektrische Durchführungsleiter in Halbleitervorrichtungen
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleitervorrichtungen und insbesondere auf Mittel zum elektrischen Verbinden elektrischer Elemente, die zu gegenüberliegenden Hauptflächen des Körpers gehören.
Elektrische Leiter zwischen gegenüberliegenden Hauptflächen in integrierten Schaltungsanordnungen sind schwierig herzustellen, beinhalten extensive Verfahrensschritte sowie Sorgfalt bei deren Ausführung und sie neigen zu einem unsicheren Betrieb. Elektrische Pfade zwischen den zwei Oberflächen erfordern einzelne oder doppelte Diffusionsschritte. Die dabei entstehenden Bereiche sind
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übermäßig weit und die elektrische Leitfähigkeit des Bereiches nimmt von der Diffusionsoberfläche mit zunehmender Tiefe in das Halbleitermaterial hinein ab. Die Abnahme der elektrischen Leitfähigkeit setzt die Möglichkeiten eines Schaltungsaufbaues auf ein Minimum herab, der in einer derartigen Vorrichtung zur Anwendung kommen kann. Zusätzlich erfordern die diffundierten Bereiche große Materialvolumina aufgrund der seitlichen' Diffusion des Dotiermaterials während der verschiedenen Eintreibverfahren. Ein zufriedenstellender elektrischer Leiter durch den Materialkörper hindurch würde es einem Schaltungsgestalter ermöglichen, beide Seiten des Körpers für elektrische Stromkreise zu verwenden und eine hohe Packungsdichte der Vorrichtungen auf einzelnen Chips bzw. Plättchen zu erzielen.
Deshalb besteht die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe darin, einen neuen und verbesserten elektrischen Leitungspfad zwischen zwei gegenüberliegenden fiauptflächen eines Körpers aus Halbleitermaterial zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine Halbleitervorrichtung geschaffen wird, die einen Körper aus Halbleitermaterial aufweist. Der Körper besitzt zwei gegenüberliegende Haupt flächen, einen gewählten spezifischen Widerstand, und einen gewählten Leitfähigkeitstyp, Wenigstens ein Bereich aus einem zweiten und entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp und einem gewählten spezifischen Widerstand wird in dem Körper angeordnet und erstreckt sich zwischen den zwei gegenüberliegenden Hauptflächen und endet an diesen. Jeder Bereich des zweiten Leitfähigkeitstypsweist gegenüberliegende Endflächen auf, von denen jede eine gleiche Ausdehnung besitzt wie eine der zwei Hauptflächen des Körpers. Das Material von jedem der Bereiche mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp ist rekristallisiertes Material des Körpers mit einer festen Löslichkeit eines darin enthaltenen Materials, das dem Bereich den gewählten Leitfähigkeitstyp und den gewählten spezifischen Widerstand gibt. Jeder Bereich ist
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ist ein Pfad rait kleinem elektrischem Widerstand zum Leiten von elektrischem Strom zwischen den zwei gegenüberliegenden Hauptflächen. Durch die zusammenhängenden Oberflächen der einen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp aufweisenden Materialien des entsprechenden Bereiches und des Körpers bilden einen PN-Übergang. Die Bereiche wirken als ein elektrischer Durchführungsleiter zum elektrischen Verbinden elektrischer Vorrichtungen, die zu den entsprechenden gegenüberliegenden Haupt flächen führen.
Die Erfindung wird nun mit weiteren Merkmalen und Vorteilen anhand der folgenden Beschreibung und der Zeichnung verschiedener Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Figur 1 ist eine teilweise im Schnitt dargestellte Ansicht von einem Teil einer Halbleitervorrichtung, in der ein Durchführungsleiter gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung inkorporiert ist.
Figur 2 ist eine Ansicht von oben auf die in Figur 1 dargestellte Vorrichtung.
Figur 3 ist eine Ansicht von oben auf eine andere Halbleitervorrichtung, in der ein Durchführungsleiter gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung inkorporiert ist.
Figur 4 ist eine teilweise im Schnitt dargestellte Seitenansicht von der in Figur 3 gezeigten Vorrichtung entlang der Schnittebene IV - IV in Figur 3.
In Figur 1 ist eine Halbleitervorrichtung 10 gezeigt, die einen Körper 12 aus Halbleitermaterial aufweist. Der Körper 12 besitzt eine gewählte Leitfähigkeit, einen gewählten spezifischen Widerstand und gegenüberliegende Hauptflächen Ik und 16. Das dem Körper 12 bildende Halbleitermaterial kann Silizium, Germanium,
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Siliziumkarbid, Galliumarsenid, eine Verbindung eines Elementes der Gruppe II und eines Elementes der Gruppe VI, sowie eine Verbindung eines Elementes aus der Gruppe III und der Gruppe V sein.
Eine oder mehrere elektrische Vorrichtungen 18 gehören zu der Oberfläche 14 und eine oder mehrere elektrische Vorrichtungen gehören zu der Oberfläche 16. Mit dem Wort zugehörig ist gemeint, daß die elektrische Vorrichtung eine integrierte Schaltungsanordnung oder ein individuelles Element sein kann, das entweder in dem Körper 12 an der bestimmten Oberfläche beispielsweise mit einer Mesakonfiguration gebildet ist oder an der Oberfläche befestigt ist.
Ein Bereich 22 aus rekristallisiertem Halbleitermaterial mit einer festen Löslichkeit eines Störstellen-Dotierungsmittels darin erstreckt sich vollständig durch den Körper 12 hindurch von der Oberfläche I1J zur Oberfläche 16. Der Bereich 22 weist vorzugsweise eine möglichst hohe Konzentration des Dotierungsmittels auf, um dessen elektrischen Widerstand möglichst klein zu machen, damit dessen elektrische Leitfähigkeit möglichst groß wird. Der Bereich 22 bildet einen elektrischen Pfad zwischen den zwei Oberflächen lH und 16. Vorzugsweise besitzt der Bereich 22 den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp gegenüber der Leitfähigkeit des Körpers 12, um nachteilige Veränderungen der elektrischen Parameter des Körpers 12 und der Vorrichtungen 18 und 20 zu verhindern. Ein PN-Übergang 24 wird durch die zusammenhängenden Oberflächen des Materials mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp gebildet.
Der Bereich 22 wird vorzugsweise durch ein Zonenschmelzverfahren mit thermischem Gradienten gebildet. Beispielsweise erzeugt ein
durch
Aluminiumtröpfchen, das/thermische Wirkung durch einen Körper aus η-leitendem Silizium wandert, einen Bereich 22 aus rekristallisiertem Halbleitermaterial des Körpers 12 mit einer p-Leitfähigkeit aus der festen Löslichkeit des darin enthaltenen Alu-
miniums· 509819/0750
Die Bereiche 22 werden durch Läppen und Polieren der Oberfläche des Körpers 12 gebildet. Eine geeignete Maske, wie beispielsweise Siliziumoxid auf einem Körper 12 aus Silizium, wird auf der Oberfläche 12 angeordnet oder auf dieser aufgewachsen. Es werden photolithographische Techniken oder selektive Ätzverfahren angewendet, um Fenster in der Maske zu öffnen, damit vorbestimmte Bereiche der Oberfläche 14 freiliegen. Die Fenster messen weniger als 0,05 cm auf einer Seite und weisen eine dreieckige Konfiguration für eine (111)-Oberfläche und eine quadratische Konfiguration für eine (100)-Oberfläche auf. Das selektive Ätzendes Halbleitermaterials erzeugt geätzte Vertiefungen mit einer Tiefe von 20 Mikron in der Oberfläche 11, die mit den Fenstern in der Maske ausgerichtet sind bzw. fluchten. Ein Metallfilm mit einer Dicke von etwa 20 Mikron wird durch Dampfabscheidung auf der Maske und den geätzten selektiven Bereichen der Oberfläche 14 ausgebildet. Das selektive Ätzen oder das mechanische Polieren wird angewendet, um überschüssiges Metall von der Maske zu entfernen, wodurch nur das Metall in den geätzten Vertiefungen zurückbleibt;
Der in soweit hergestellte Körper 12 wird in einer einen Strahlungswärmegradienten aufweisenden Einrichtung bei einem Druck -5
von 1 χ 10 Torr angeordnet. Das Metall wandert durch Wärmeeinfluß durch den Körper 12 hindurch, indem ein thermischer Gradient im wesentlichen entlang der vertikalen Achse des Körpers aufrechterhalten wird. Wenn beispielsweise das Metall Aluminium ist, wird ein thermischer Gradient von 50°C/cm bis 200°C/cm angewendet, wobei die Ofentemperatur 7000C bis 135O0C beträgt. Das Verfahren, wird für eine ausreichend lange Zeit durchgeführt, damit das Metalltröpfchen durch den ganzen Körper 12 hindurch zur Oberfläche 16 wandert, überschüssiges Metall wird von der Oberfläche 16 durch mechanisches Polieren oder selektives Ätzen entfernt.
Hinsichtlich einer detaillierten Beschreibung des Verfahrens und der Vorrichtung für eine Thermowanderung von Metalldrähten wird
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Bezug genommen auf gleichzeitig eingereichte Patentanmeldungen der gleichen Anmelderin P .... (Anmelderzeichen 2925-RD-5286,
P (Anmelderzeichen 292O-RD-6466) und P (J9U-KD-
Die entstehenden Bereiche 24 besitzen einen kleinen spezifischen Widerstand und sind elektrisch stark leitend. Die Bereiche 24 enthalten rekristallisiertes Material des Körpers 12 mit einer festen Löslichkeit des darin enthaltenen Materials, um dem Bereich den spezifischen Widerstand und den Leitfähigkeitstyp zu geben. Der PN-Übergang 24 ist gut definiert und zeigt im wesentlichen die idealen elektrischen Charakteristiken, die für die enthaltenen Materialien zu erwarten sind.
Ein elektrischer Kontakt 26 wird durch eine Schicht 28 aus Ohirechen Lötmaterial an der einen Endfläche 30 des Bereiches 22 befestigt. Ein elektrischer Leiter 32 verbindet die Vorrichtung und den Bereich 22 elektrisch miteinander. Ein alternatives Mittel zum elektrischen Verbinden elektrischer Vorrichtungen mit dem Bereich 22 beinhaltet einen elektrischen Kontakt 34, der über einem Teil einer Schicht 36 aus elektrischem Isoliermaterial liegt, wie beispielsweise Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid oder ähnlichen Materialien. Die Schicht 36 trennt elektrisch den Kontakt 34 von zufälligen Verbindungen mit unerwünschten Vorrichtungen, von einer Kurzschlußbildung der Stromkreise der Vorrichtung 10 oder von einem zufälligen Kurzschluß des pN-überganges 24. Eine Ansicht von oben auf diese einfache Anordnung ist in Figur 2 gezeigt.
Elektrische Vorrichtungen 18 und 20 sind elektrisch miteinander verbunden. Der Strom fließt in die Vorrichtung 20 über einen am Kontaktstück 34 befestigten Leiter 38. Der elektrische Strom betätigt die Schaltungsanordnung der Vorrichtung 20 und fließt weiterhin durch den Rest des Kontaktstückes 34 und über den Bereich 22, den Kontakt 30 und den Leiter 32 zur Vorrichtung 18 und betätigt die Schaltungsanordnung oder die Vorrichtung, Der elek-
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trische Strom kann dann über einen Leiter 40 und einen elektrischen Kontakt 4-2, der durch eine Schicht 44 aus Ohmschen Lötmaterial am Bereich 22 befestigt ist, über den Bereich 22 zur Oberfläche 16 geführt werden.
Praktisch ist die Konfiguration der Vorrichtung 10 eine doppelseitige gedruckte Schaltung. Der· Bereich 22 wirkt als ein Durchführungsloch einer gedruckten Schaltpaneele, um die elektrischen Stromkreise und Schaltungselemente miteinander zu verbinden, die auf den gegenüberliegenden Hauptflächen angebracht sind. Die Bereiche 22 wirken als elektrische Leiterdurchführungen. Dieses neuartige Prinzip ermöglicht, daß dichter gepackte Halbleiterchips hergestellt werden, da beide Seiten des Siliziumkörpers zur Anbringung der Vorrichtungen bzw. Schaltungselemente verwendet werden können. Die elektrischen Leiterdurchführungen oder Bereiche 22 gestatten eine effizientere Ausnutzung des Halbleitermaterials. Die Leiterdurchführungen 22 können gebildet werden, bevor oder nachdem die Vorrichtungen 18 und 20 gefertigt oder auf den entsprechenden Oberflächen 14 und 16 gemäß den Pertigungserfordernissen angeordnet sind.
Es wurde gefunden, daß, wenn der Körper 10 aus Halbleitermaterial wie Silizium, Germanium, Siliziumkarbid, Galliumarsenid und ähnlichem besteht, das Tröpfchen 22 eine bevorzugte Form aufweist, die auch nützlich ist für den Bereich 24, der die gleiche Form besitzt wie das Tröpfchen 22. Bei einer Kristallachsenrichtung von (jUIJ der thermischen Wanderung wandert das Tröpfchen als ein dreieckförmiges Plättchen, das in einer (111) Ebene liegt» Das Plättchen ist an seinen Rändern durch (112) Ebenen begrenzt. Ein Tröpfchen, das größer als 0,10 cm ist, oder ein Rand ist instabil und zerbricht während der Wanderung in mehrere Tröpfchen. Ein Tröpfchen 22, das kleiner als 0,0175 cm ist, wandert nicht in den Körper 10 hinein aufgrund eines Oberflächengrenzproblemes.
Das Verhältnis der Tropfchen-Wanderungsgeschwindigkeit zu dem verbesserten thermischen Gradienten ist eine Funktion der Tempera-
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tür, bei der die thermische Bewegung des Tröpfchens 22 durchgeführt wird. Bei hohen Temperaturen, in der Größenordnung von HOO0C bis 14000C, nimmt die Tröpfchen-Wanderungsgeschwindigkeit rasch mit wachsender Temperatur zu. Eine Geschwindigkeit von 10 cm pro Tag oder 1,2 χ 10 cm/Sekunde ist für Aluminiumtröpfchen in Silizium erhältlich.
Die Tröpfchen-Wanderungsgeschwindigkeit wird auch durch das Tröpfchenvolumen beeinflußt. In einem Aluminium-Siliziumsystem nimmt die Tröpfchen-Wanderungsgeschwindigkeit um einen Paktor 2 ab, wenn das Tröpfchen—Volumen um einen Paktor 200 verringert wird.
Ein Tröpfchen 22 wandert thermisch in der (100) Kristallachsenrichtung als eine Pyramide, die durch vier vordere (111) Ebenen und eine rückwärtige (100) Ebene begrenzt ist. Eine sorgfältige Steuerung bzw. Regelung des thermischen Gradienten und der Wanderungsgeschwindigkeit ist unbedingt erforderlich. Anderenfalls kann ein verdrehter oder gedrillter Bereich 21I entstehen. Es hat den Anschein, daß eine nicht gleichförmige Auflösung der vier vorderen (111) Schrägen auftritt, da sie nicht immer mit einer "^gleichförmigen Geschwindigkeit lösen. Eine ungleichförmige Lösung der vier vorderen (111) Schrägen kann dazu führen, daß die reguläre bzw. gleichmäßige pyramidisohe Form des Tröpfchens verzerrt wird in eine Trapezform.
In den Figuren 3 und 4 ist die thermische Wanderung von Metalldrähten verwendet worden, um Bereiche zu erzeugen für sowohl eine elektrische Trennung bzw. Isolierung von gegenseitig benachbarten Bereichen und die dennoch als eine elektrische Leiterdurchführung wirken. Eine elektrische Vorrichtung 50 umfaßt elektrische Vorrichtungen 52, 54, 56 und 58, die zu einer Oberfläche 60 eines Körpers 62 aus Halbleitermaterial gehören. Der Körper kann aus irgendeinem der Materialien gebildet sein, aus dem der Körper 12 gemäß den Figuren 1 und 2 aufgebaut ist. Eine elektrische Vorrichtung 64 gehört zu einer Oberfläche 65 des Körpers
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Die elektrischen Vorrichtungen 52, 52I, 56, 58 und 6k können integrierte Schaltungen, Gedächtnisspeicher, diskrete Elemente und ähnliches sein. In dem Körper 62 sind weiterhin planare Bereiche 66, 68, 70 und 72 gebildet. Die planaren Bereiche 66 bis 72 besitzen eine feste Löslichkeit eines dotierenden Metalls von ausreichender Konzentration, um den Bereichen einen entgegenge^ setzten Leitfähigke.itstyp zu demjenigen des Körpers 12. Die benachbarten bzw. angrenzenden Oberflächen des Materials der Bereiche 66 bis 72 und des Materials des Körpers 62 bilden entsprechende PN-übergänge 72J, 76, 78 und 80. Die planaren Bereiche 66 bis 72 arbeiten als elektrische Leiterdurchführungen zwischen Oberflächen 60 und' 65, um elektrische Vorrichtungen miteinander zu verbinden, die zu den entsprechenden Oberflächen 60 und 65 gehören. Zusätzlich bilden die Bereiche 66 bis 72 P-N-Übergangs-Isolationsbereiche als eine Gitterkonfiguration, um nach Erfordernis für eine elektrische Isolation zwischen benachbarten elektrischen Vorrichtungen zu sorgen. Die planaren Bereiche 66 bis werden durch die thermische Bewegung der Metalldrähte durch den Körper 62 hindurch mittels eines ZonenschmelzVerfahrens mit einem Temperaturgradienten erzeugt.
Die bevorzugten planaren Orientierungen, die Drahtrichtungen auf der planaren Oberfläche und die Achse der Wanderung für Materialmit einer gewünschten kubischen Kristallstruktur und ähnliches sind in der folgenden Tabelle I zusammengestellt.
Wanderungs- Tabelle I Stabile Draht-
Plättchen- richtung Stabile Draht- großen
Ebene 4100? richtungen 100 Mikron
(100) <0U>* 100 Mikron
<Ί10? 150 Mikron
(110) · 4.111 > θΓο>* .500 Mikron
(111) aXOlT?
<101>		 500 Mikron
< lTo >
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- ίο -
Plättchen- Wanderungs- Stabile Draht- stabile Draht-Ebene richtung, richtungen größen
c) jede andere Rieh- 500 Mikron tung in der (Hl)-Ebene
* Die Stabilität des wandernden Drahtes ist empfindlich gegenüber der Ausrichtung des thermischen Gradienten in bezug auf die (10O)-, (HO)- bzw. (lll)-Achse.
+· Gruppe a) ist stabiler als Gruppe b, die wiederum stabiler als Gruppe c ist.
Stabile Halbleitermaterialien für diese kristalline Struktur sind Silizium, Siliziumkarbid, Germanium und Galliumarsenid.
Die planaren Bereiche 66 bis 72 wirken auch als Sammelschienen. Die elektrischen Leiter können direkt an den Bereichen 66 bis 72 befestigt sein, jedoch wird elektrisches Kontaktmaterial 84 und 86 durch entsprechende Schichten 88 und 90 aus Ohmschen Lötmaterial an gewählten Bereichen der entsprechenden gegenüberliegenden Oberflächen 92 und 94 der Bereiche 66 bzw. 70 befestigt. Kin Leiter 961 verbindet elektrisch den Kontakt 84 mit einer äußeren Leistungsquelle. Leiter 96, 98, 100, 102 und 104 verbinden entsprechende Vorrichtungen 52, 5^> 56, 58 mit dem Kontakt. 84 der Sammelschiene. Elektrischer Strom wird durch die Bereiche 66 und 70 zum Kontakt 86 geleitet, von wo aus ein elektrischer Kontakt 104, der über einer Schicht aus nicht gezeigtem elektrischem Isoliermaterial liegt, erforderlich ist, um die Vorrichtung 64 elektrisch mit dem Kontakt 86 zu verbinden. Wiederum ist das elektrische Isoliermaterial beispielsweise Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid oder ähnliches.
Es wurde ferner gefunden, daß die thermische Wanderung der Tröpfchen und Metalldrähte in einer inerten Gasatmosphäre bei einem positiven Druck durchgeführt werden kann, wobei der Körper aus Halbleitermaterial ein- dünnes Plättchen (wafer) ist mit einer
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- li -
Dicke in der Größenordnung von 0,25 mm (10 mil). Das Fehlen einer- Steuerung der seitlichen Temperaturgradienten scheint das Verfahren nicht merklich zu beeinträchtigen aufgrund des großen Verhältnises des planaren Oberflächenbereiches zum seitlichen Oberflächenbereich.
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Claims (1)

  1. - 12 Ansprüche
    [1. !Elektrische Vorrichtung mit einem Körper aus einkristallinem ^^Halbleitermaterial, das erste und zweite gegenüberliegende Haupt flächen und einen gewählten spezifischen Widerstand und einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, und mit wenigstens einem Bereich mit einem zweiten und entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp und einem gewählten spezifischen Widerstand, der in dem Körper angeordnet ist und sich zwischen den zwei gegenüberliegenden Hauptflächen erstreckt und an diesen endet, und mit gegenüberliegenden Endflächen, die jeweils in der gleichen Ebene liegen wie eine der Hauptflächen, dadurch gekennzeichnet , daß das Material von jedem der Bereiche aus rekristallisiertem Halbleitermaterial des. Körpers mit einer festen Löslichkeit des einen Materials darin gebildet ist, um dem Körper den zweiten Leitfähigkeitstyp und die Größe des spezifischen Widerstandes zu geben, wobei jeder Bereiche einen Pfad mit kleinen elektrischen Widerstand bildet zum Leiten elektrischer Ströme zwischen den gegenüberliegenden Oberflächen des Körpers, und daß ein PN-Übergang gebildet ist durch die angrenzenden Oberflächen der Materialien von jedem Bereich und dem Körper.
    2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß wenigstens eine elektrische Vorrichtung zu einer der zwei Haupt flächen des Körpers gehört, wenigstens eine elektrische Vorrichtung zu der anderen der zwei Hauptflächen des Körpers gehört und Mittel vorgesehen sind zum elektrischen Verbinden der elektrischen Vorrichtungen, die zu den entsprechenden zwei gegenüberliegenden Haupt flächen gehören, über die Bereiche mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp.
    3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß wenigstens der eine der Bereiche mit dem·zweiten Leitfähigkeitstyp ein planarer Bereich ist,
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    wenigstens zwei elektrische Vorrichtungen zu einer der zwei gegenüberliegenden Haupt flächen des Körpers gehören und voneinander durch den wenigstens einen planaren Bereich elektrisch isoliert sind, wenigstens eine elektrische Vorrichtung zu der anderen der zwei gegenüberliegenden Hauptflächen des Körpers gehört und Mittel vorgesehen sind zum elektrischen Verbinden wenigstens einer der zwei elektrischen Vorrichtungen, die zu der einen Hauptfläche gehört, mit der elektrischen Vorrichtung, die zu der anderen Haupt fläche gehört, über den wenigstens einen planaren Bereich.
    h. Vorrichtung nach Anspruch 3> dadurch gekennzeichnet , daß ein erster elektrischer Leiter an der einen Endfläche des wenigstens einen planares Bereiches befestigt ist zum elektrischen Verbinden der ,Halbleitervorrichtung in eine äußere elektrische Schaltungsanordnung, eine Vielzahl zweiter elektrischer Leiter vorgesehen ist, die jeweils an einem gewählten Oberflächenbereich der gleichen Endfläche des wenigstens einen planaren Bereiches als dem ersten elektrischen Leiter und an nur einer der elektrischen Vorrichtungen befestigt ist, die zu der einen Hauptfläche gehört, und ein dritter elektrischer Leiter an der anderen Endfläche des wenigstens einen planaren Bereiches und der elektrischen Vorrichtung befestigt ist, die zu der anderen der zwei Hauptflächen des Körpers gehört.
    5. Halbleitervorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Körpers Silizium mit n-Leitfähigkeit ist und der zweite Bereich p-Leitfähigkeit besitzt und das Material fester Löslichkeit in dem rekristallisierten Silizium Aluminium ist.
    6. Halbleitervorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5>. dadurch gekennzeichnet, daß die gegenüberliegenden Hauptflächen eine bevorzugte planare
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    - 14 Kristallorientierung (111) aufweisen.
    7. Halbleitervorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Körpers Silizium, Siliziumkarbid, Germanium oder Galliumarsenid ist.
    8. Halbleitervorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die gegenüberliegenden Hauptflächen eine bevorzugte planare Kristallorientieru.ig (100) aufweisen und jeder planare Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps eine bevorzugte Kristallrichtung (011) oder (0Ϊ1) lufweist.
    9. Halbleitermaterial nach einem oder mehreren der Ansprüche
    1 bis 5 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß die gegenüberliegenden Hauptoberflächen eine bevorzugte planare Kristallorientierung (110) besitzen und jeder planare Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps eine bevorzugte Kristallrichtung (110) aufweist.
    10. Halbleitermaterial nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadur.ch gekennzeichnet, daß jeder planare Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps eine bevorzugte Kristallrichtung (011), (10Ϊ) oder (1Ϊ0) aufweist.
    11. Halbleitervorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche
    1 bis 7, dadurch s e Jc e nnzeichnet , daß jeder planare Bereich des"/Leitfähigkeitstyps eine bevorzugte Kristallrichtung (112), (211) oder (121)-aufweist.
    12. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet; , daß eine Masse eines selektiven Metalls auf einem gewählten Abschnitt einer Hauptober-
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    fläche eines Körpers aus Halbleitermaterial mit zwei gegenüberliegenden Hauptflächen gebildet wird, eine thermischer Gradient im wesentlichen entlang einer Achse des Körpers senkrecht zu den zwei gegenüberliegenden Hauptflächen gebildet wird und durch thermische Wanderung die Masse des
    wird
    selektiven Metalls durch den Körper geführt /in Richtung der höheren Temperatur des thermischen Gradienten von der einen Hauptfläche zur anderen gegenüberliegenden Haupt fläche, um einen Bereich aus rekristallisiertem Material des Körpers mit zwei gegenüberliegenden Endflächen zu bilden, die jeweils in
    liegen
    der gleichen Ebene/wie eine der zwei gegenüberliegenden Hauptflächen und eine feste Löslichkeit des selektiven Metalls darin und einen zweiten und entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp zu demjenigen des Körpers aufweisen und ferner einen P-N-Übergang an den angrenzenden Oberflächen des Bereiches und des Körpers bilden, wobei der Bereich aus rekristallisiertem Material des Körpers einen gewählten spezifischen Widerstand zum Hindurchleiten elektrischer Energie aufweist.
    13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Bildung der Masse aus selektivem Metall ein gewählter Abschnitt der Hauptfläche des Körpers selektiv geätzt wird, um darin eine Vertiefung zu bilden, in die die Metallmasse abgeschieden wird.
    14. Verfahren nach Anspruch 12 und/oder 13, dadurch gekennzeichnet , daß die Metallmasse durch Dampf abgeschieden wird.
    15. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Hauptflächen eine bevorzugte planare Kristallorientierung (111) aufweisen und die Achse des Körpers in einer Kristallrichtung (111) orientiert ist.
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    16. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 1Ί, dadurch gekennzeichnet, daß die Hauptflächen eine bevorzugte planare Kristallorientierung (100) aufweisen und die Achse des Körpers in einer Kristallachsenrichtung (100) orientiert ist.
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