DE2529366A1 - Vorrichtung zum stuetzen eines kristallinen stabes - Google Patents
Vorrichtung zum stuetzen eines kristallinen stabesInfo
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description
Vorrichtung zum Stützen eines kristallinen Stabes.
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung ssun Stützen eines kristallinen
Stabes, insbesondere Halbleiterstabes,während des tiegelfreien
Zonen schffielzens·
Bt* im bal-amitcm Vorfahren des tiegelfrei«!! Zonenschm&lzens wird polykri&t;?liin.:=s
Halbleitermaterial mit Hilfe von Keimkristallen in jUnkristal j e überführt, indem mit einer geeigneten Heizvorrichtung,
bei üpieJ.Dveise einer IncJnktionKHpulo, der Stab, beginnend an der
Kaintkristo.ll-Stab-Kontr-ktste.ile aufgoschmolünn und durch eine Rola—
ti vhev.'ojy.ir.o des stabföriniQen Körpers gogen die Heisr.vorrichtung die—
co ScliMolv-v.one unter Aufnahme- der Verunreinigungen über die volle
luiige dos Stabe« gezogen wird.
JV;-.! der· V,* c :'t orve rarbei tun g von Halbleitorraverial zu Kalbleiterbau-
cl'..-i'3:iti-n vi i'lcen sich V^iutul Ibrnfehler, vie etwa Versetzungen, be~
se λ el <s rs nachtoilia auö, da sie in&besondore die Lebensdauer der Mir-oritätcntr.^ger
verringern.
'Cine verbreitete Methode, versci-iunrjijfreio ll-iibieiter zu Kichon, beijtok'u
da- in, vor de;a .letzten iiurchgang der ßchßelKzone durch den
Κ.·,Ί blei lci r-xnb 3 de.rion Querschnitt in unc:xttelbareJ' Kähe der Vori:cl,-->el;'.Miio.j.:/.'f.-llo
u.i t den1 Keirkrintail zu vf>rftnijen. Durch diese Eini.--:.-.nür..?ii-:
::%*i ^v-IiO-i Kciukrl; ta! 1 und HaJ blcü-cr^tcb läßt sich die Aus-
'.--■>■·&:!.■':.-J-->.r. ίου ViA-i-tKUiipcn ü-λβ £-:u\ Iv«jir:kriö-;&11 in den Halbleitorstab
609883/0548
/2
252Γ-6
' Der Nachteil dieses Verfahrens liegt darin, daß diese Einschnürung
dem Gewicht uni der Länge des auf dem Keimkristall aufstehenden
Halbleiterstabes enge Grenzen setzt. Gerät ein Stab von großer Länge oder hohsm Gewicht durch äußere Einwirkungen in Schwingungen, so besteht
die Gefahr des Abtropfens der flüssigen Schmolzzone bzw, des Abbrechens des Stabes an der verengten Stelle.
Aus der deutschen Offenlogungsschrift 1 519 901 ist es bekannt, die
vertikale koaxiale Halterung des mit dem Keir-ikristall versehenen
Stabendes mit einer relativ zur Halterung axial verschiebbaren Hülse zu versehen, an deren, dem Halbleiterstab zugewandten Rand sich
mindestens drei Stützen im gleichen Winkelabstand voneinander befinden. Die starr angebrachten Stützen halten den Halbleiterstab im
kegelförmigen Übergangsstück, da dieses aber in der Regel nicht ideal gleichförmig aufwächst, ist hierdurch eine gleichmäßige Druckausübung
nicht gewährleistet.
Aufgabe der Erfindung war es, eine wirksamere mechanische Unterstützung
des aufwachsenden einkristallinen Stabtoiles zu entwickeln.
Die Lösung dieser Aufgabe wird mit einer Vorrichtung zum Stützen eines
kristallinen Stabes, insbesondere Halblciterstabes, während des tiegelfreien
Zonenschmelzens erreicht, die aus einem auf der unteren Drehwello
einer Zonenziehanlage aufsitzenden Gewindebolzen mit an seinem,
zur Aufnahme eines Keimkristalls aufgebohrten oberen Ende angebrachten
zwei oder mehreren aufklappbaren Schwenkarmen und einem in vertikaler
Richtung verstellbaren, den Gewindebolzen koaxial umschließenden
Ring besteht.
Vorteilhaft sind die Schirenkarme außen abgerundet und so am oberen
Ende des Gewindebolzens befestigt, daß sie eingeschwenkt dessen Querschnittfläche
einnehmen, also nicht über dessen äußere koaxiale Begrenzung
hinausragen. Die Schvenkarme werden an ihrem freien Ende bevorsugt
schaufeiförmig ausgebildet, wobei in diesen schaufeiförmig
ausgebildeten Teilen der Schwenkarnie ein oder mehrere Justierschrauben
eingepaßt worden können, die es ermöglichen, auch beispielsweise
unregelmäßig aufwachsende Stäbe wirkpam zu unterstützen.
609883/0548 ORIGINAL INSPECTED
2528366
VeAtorc Einzelheiten und Vorteile v;srd«n an einem Ausführungsbei-
&\i\ el anhand der Zeichnung näher erläutert.
Ein r.uitallischc? , beispiolsv;eise stählerner Gewindebolzen 1 wird
voi "i!«r>v,eise mittels ein·;:;; unteren konischen Teils 2 in die untere
drohende Welle 3 einer Zo*-enziehanl{uje gesteckt, und durch einen
Stift 4 in öinoi· Nut 5 der unteren Volle 3 gesichert. Das obere Ende6
dos Gewindebolzens 1 ist so aufgeführt, daß zwei oder mehr
Sciivri.'.ikarnc 7 durch Stifte 8 daran befestigt werden können. Die
Scliv/«ril-n.rnie 7 s-'ind außen abgerundet, zur Drehach ε^β konisch verjüngt
un-.ϊ ntjhraon ei iv;i<?.•schwenkt die Querschnittsflache des Gewindebolzens 1
ein. An ihrem oberen freien Ende gehen die Schvenkarrae 7 in Schaufeln
9 über, in denen Justierschrauben 10 cincj&paiSt sind.
An ücintu oberen linde 6 ist der Gewindebolzen J. zwischen den Schwenkarmen
7 aufriobohrt, um «inon Keinskri stall 11 ;-.uf isunehrien, auf den
übr-r C-in Einschnürung 12 und das kep eiförmige Übergangsstück 13 der
krL:-LaIline Str.b lh. aufwi-ichst.
Auf df>M Gtiwindobolzcn 1 ist eine, vorzugsweise aus Messing gefertigte
i?inf!r.ii!tter 15 aufgeschraubt, die mit einen p'eststellbolzen 16 an~
gr-!-,,-.;11en werden kann. An der Oberseite der Ringmutter 15 ist eine
rinfiförnige Nut 17 ausgebildet, in die ein Kugellager 18 eingepaßt
if-i: « Dan Kuciollaoor 1°' trügt einen, den Gewindebolzen 1 koaxial urascM
i.eiionden Ring 19, %,-elcher durch die Abdeckung 20 gegen abtrop.iem!«s
flüssiges 5tabmatci"ial, boispielsvreise Silicium, geschützt
ir.t.
Die Ai'bcitsweise der Stützvorrichtung gestaltet sich wie folgt:
Tin K:■-'« > :*cvj rital 1 11 vird in das auf gebohrte obere? Ende 6 des auf der
Drch.j el ■;.?·. 3 der Zonenziehanlage aufsitzenden Gewindebolzens 1 gesteckt ι
Die P.inrj.Mutter 15 ist hierbei auf dem Gei/indebolzen 1 ganz nach unten
ciesehiWibt, so daß die" Schwoiikarme 7 über die ringförmige Fassung 19
r-i-eh ufifci-;n hsugcn« Jetzt %/irü arir Zie!*tpro2;e«i begonnen und in der behsniiien
V'eisG fortgeführt, bis ein Siliciumstab j4 von einigen Zenti-
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meiern Länge gezüchtet ist» Zu dienern Zeitpunkt wird durch Einrasten
eines Artaos 21 durch den Feststcllbol2-en l6 die Ringmutter
15 so angehalten, daß sie sich nicht mehl" mit dem Gewindebolzen 1
mitdrehen kann und sich infolgedessen auf dem Gewindebolzen 1 in
die Höhe schraubt. Die dadurch ebenfalls in die Höhe bewegte ringförrjige
Fassung 19 schwenkt nun die Schwenkarme 7 in die Höhe und
danit die Stützschaufel 9 am oberen Ende der Schwenkarme 7 langsam
an das kegelförmige Übergangsstück 13 des Siliciumstabes l4 heran.
Aufgrund des abnehmenden Anstellwinkels zwischen Schwenkarmen 7 und ringförmiger Fassung 19 geht das Bei schwenken der Schwenkarme 7
trotz konstanter Drehzahl der unteren Well 3 immer langsamer vor sich. JJine fest versteifte Stützwirk.ung wird insbesondere durch die
konische Verjüngung dos unteren Teils der Schwenkarme 7 erreicht.
Durch entsprechendes Nachdrehen der Justierschrauben 10 in den Schaufeln
9 der Schwenkarme 7 können auch ungleichmäüig aufgewachsene Stäbe
gut gehalten werden*
Die erfindungsgeraäße Vorrichtung ermöglicht die Züchtung von einkristallinen
Stäben von großer Länge und großem Durchmesser. Stäbe, die
unter Einsatz der erfindungsgeraäßen Vorrichtung gezogen werden, zeichnen
sich durch eine hohe Kristallqualität aus, da keine Undefinierten
Bewegungen im asymmetrischem Toraperaturfeld bzw. Hochfrequenzfeld auftreten
können. Andererseits empfiehlt sich der Einsatz der erfinduncjS"
gemäßen Vorrichtung aber auch dann, wenn der wiedererstarrende einkristalline Stabteil zur Erzielung eines gleichmäßigen Verlaufs des
spezifischen Widerstandes definierten und stabilisierten exzentrischen Drehbewegungen j wie insbesondere RosettcnbeweQur.gen, gegen die Heizeinrichtung
ausführen soll.
609883/0548
Claims (4)
1) Vorrichtung y.nia Stützen eines kristallinen Stabes, insbesondere
'IrOM.o-itevKta'ißs, während des tiegelfreien Zonenschmelzcns, beri'h.md
uns einem auf der unteren Drehwelle einer Zonenziehan—
lane aufsitzenden Gewindebolzen mit an seinem, zur Aufnahme eines
K'-i: ■-■',rri:;talJ κ auf gebohrten, oberen Ende angebrachten zwei oder
rcc-hroren aufklappbare« Schwenkarmen und einem in vertikaler Richtung
verstellbaren, den Gewindebolzen koaxial umschließenden Ring.
2) Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Schvonkarme außen abgerundet sind
und ο j ngciiclivi'iikt die Qucrschnittsf lache des Gewindebolzens einr.fihr.icrt*
3) Vorrichtung no.ch Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gek
c η η ζ e i c h η e t , daß die Schvenkarrae an ihi'em freien
Γ-udD schaufel i'-ürinig ausgebildet sind.
4) Vorrit-hturiy n--ich Anspruch 35 dadurch gekennzeichnet
, daß ia den schaufeiförmig ausgeoildeten Teilen
ciür Kchweakarpi» Justierschrttuben eingepaßt sind.
609883 / ΰ ö 4 8
Leerseite
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19752529366 DE2529366A1 (de) | 1975-07-01 | 1975-07-01 | Vorrichtung zum stuetzen eines kristallinen stabes |
| US05/687,711 US4060392A (en) | 1975-07-01 | 1976-05-19 | Device for the support of a crystalline rod |
| JP51078482A JPS526310A (en) | 1975-07-01 | 1976-07-01 | Device to support crystal rod |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19752529366 DE2529366A1 (de) | 1975-07-01 | 1975-07-01 | Vorrichtung zum stuetzen eines kristallinen stabes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2529366A1 true DE2529366A1 (de) | 1977-01-20 |
Family
ID=5950402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19752529366 Pending DE2529366A1 (de) | 1975-07-01 | 1975-07-01 | Vorrichtung zum stuetzen eines kristallinen stabes |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4060392A (de) |
| JP (1) | JPS526310A (de) |
| DE (1) | DE2529366A1 (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE3322629A1 (de) * | 1983-06-23 | 1985-01-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen |
| EP0288639A1 (de) * | 1987-04-27 | 1988-11-02 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Vorrichtung zum Stützen eines Halbleiterkristallstabes |
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-
1975
- 1975-07-01 DE DE19752529366 patent/DE2529366A1/de active Pending
-
1976
- 1976-05-19 US US05/687,711 patent/US4060392A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-07-01 JP JP51078482A patent/JPS526310A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS526310A (en) | 1977-01-18 |
| US4060392A (en) | 1977-11-29 |
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