DE2618246B2 - Verfahren zur Herstellung vonmol<!l"llaren Organosiliciumverbindungen mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteilen des Hauptgerüstes - Google Patents

Verfahren zur Herstellung vonmol<!l"llaren Organosiliciumverbindungen mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteilen des Hauptgerüstes

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Description

(R, · R2 - Si)n
(n>4; Ri und R2 = Wasserstoff, Alkyl mit 1—4 C-Atomen, Phenyl, Silyl, Trimethylsilyl oder Halogen) und/oder ein oder mehrere lineare Polysilane der Formel
R2-
i -Si
-R4
20
(n>2; Ri, R2, R3 und R4 = Wasserstoff, Alkyl mit 1—4 C-Atomen, Phenyl, Silyl, Trimethylsilyl oder Halogen) durch Erhitzen auf 300 bis 2000° C unter einer Atmosphäre von Inertgas oder Wasserstoff oder unter Vakuum thermisch zersetzt und polykondensiert
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Umsetzung in Gegenwart von weniger als 10% eines Radikalinitiators, berechnet auf die Organosiliciumverbindung, vornimmt
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man als Radikalinitiator Benzoylperoxid, ditert-Butylperoxyoxalat, ditert-Butylperoxid oder Azobisisobutyronitril verwendet
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Umsetzung unter einem Druck von 1 bis 100 Atmosphären bei 300 bis 7000C durchführt
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung hochmolekularer Organosiliciumverbindungen, welche Silicium und Kohlenstoff als Bestandteile des Grundgerüstes aufweisen, aus Organosiliciumverbindungen mit einem Polysilanhauptgerüst und den hochmolekularen Organosiliciumverbindungen.
Es ist bekannt, daß hochmolekulare Organosiliciumverbindungen mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteilen des Hauptgerüstes aus Organosiliciumverbindungen mit einem Polysilanhauptgerüst hergestellt werden.
Ferner ist es bekannt, daß Organosiliciumpolymere mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteilen des Hauptgerüstes aus Monosilanen durch thermische Zersetzung hergestellt werden. Es ist jedoch niemals versucht worden, Siliciumcarbid durch Wärmebehandlung dieser Organosiliciumpolymeren herzustellen.
Es wurde nun gefunden, daß bisher nicht verwendete ausgewählte Ausgangsmaterialien durch eine thermische Polykondensationsreaktion in ein Gemisch von linearen Polycarbosilanen, cyclischen Polycarbosilanen und Polycarbosilanen, in denen lineares Carbosilan und cyclisches Carbosilan chemisch miteinander verbunden sind, übergeführt werden können.
Die so erhaltenen Polycarbosilane können als Ausgangsmaterial zur Herstellung von Siliciumcarbidfasern mit höherer Zugfestigkeit als Klavierdraht und Siüciumcarbidformlingen mit einer bemerkenswert hohen Zugfestigkeit verwendet werden.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von hochmolekularen Organosilicinmverbindungen mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteilen des Hauptgerüstes, bestehend aus einem Gemisch von linearen Polycarbosilanen, cyclischen Polycarbosilanen und Polycarbosilanen, in denen lineares Carbosilan und cyclisches Carbosilan chemisch miteinander verbunden sind, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man ein oder mehrere cyclische Polysilane der Formel
(R1 - R2 ■ Si)n
(o^4; R, und R2 = Wasserstoff, Alkyl mit 1-4 C-Atomen, Phenyl, Silyl, Trimethylsilyl oder Halogen) und/oder ein oder mehrere lineare Polysilane der Formel
-Si-
25 (n£2; Ri, R2, R3 und R4 = Wasserstoff, Alkyl mit 1—4 C-Atomen, Phenyl, Silyl, Trimethylsilyl oder Halogen) durch Erhitzen auf 300 bis 20000C unter einer Atmosphäre von Inertgas oder Wasserstoff oder unter
Vakuum thermisch zersetzt und polykondensiert
In den gemäß der Erfindung verwendeten cyclischen Polysilanen ist /i£4, da die Herstellung der cyclischen Polysilane, in denen η 3 ist, schwierig ist während die cyclischen Polysilane, worin η 6 ist und Ri und R2 Methylgruppen sind, sich technisch leicht herstellen lassen und die Polysilane, mit η = 5 und Ri und R2 gleich Arylgruppen ebenfalls technisch leicht herstellbar sind.
Jedoch sind gemäß der Erfindung als Ausgangsmaterial die cyclischen Polysilane, in denen Ri und R2 jeweils
Wasserstoff oder eine Alkylgruppe, oder eine Arylgrup-
pe, Silyl oder Trimethylsilyl sind, bevorzugt. Es kann auch ein Gemisch aus verschiedenen cyclischen
Polysilanen verwendet werden. In den gemäß der Erfindung verwendeten linearen
Polysilanen bedeuten Ri, R2, R3 und R4 Wasserstoff, Alkyl, Aryl, Silyl, Trimethylsilyl und/oder ein Halogen und ist π a 2. Die linearen Polysilane, in denen Ri bis R4 Methylgruppen sind, lassen sich am leichtesten herstellen.
Ferner kann das gemäß der Erfindung verwendete Ausgangsmaterial ein Gemisch aus dem vorstehend
beschriebenen cyclischen Polysilan und linearen Polysi lan sein.
Durch das Verfahren der Erfindung wird ein Gemisch
aus a) linearen Polycarbosilanen, b) cyclischen Polycarbosilanen und c) Polycarbosilanen, worin das lineare Carbosilan und das cyclische Carbosilan chemisch miteinander verbunden sind, hergestellt.
Die linearen Polycarbosilane besitzen folgende Strukturformel:
Ri R2
I I
-Si-C
1x4 1x3
worin Ri bis R4 die vorstehend angegebene Bedeutung besitzen.
3 4
Einige Ausführungsfonnen für die Strukturformel der cyclischen Polycarbosilane sind nachstehend aufgeführt:
CH3 CH3
Si
CH2 CH2
!
CH3-Si Si-CH3
CH3 CH2 CH2
(D
CH3 Si-CH3
CH3-C
CH3-Si
CH3
CH
Si
\,„ Si-CH3 CH3
CH (Π)
CH3 CH2 CH3
Si Si
CH3 CH2 CH3
(III)
CH3-Si
Si —CHj
CH2 CH3 CH CH3 CH2
(IV)
Die Polycarbosilane, in denen das lineare Carbosilan und das cyclische Carbosilan chemisch miteinander gebunden sind, können beispielsweise wie folgt dargestellt werden:
CH3 H
Si
CH2 CH2
CH3
CH3
CH3-Si Si-CH2-Si-CH2-Si-CH2-Si-CH3
CH3 CH2
CH3
CH3
(V)
CH3
CH3
CH3 CH3
CH3 CH2
Si Si — CH2 — Si — CH2 — Si—CH3
CH3 CH2 CH3 CH3
(VI)
Gemäß der Erfindung können nötigenfalls weniger als 10% eines Radikalinitiators zu' dem vorstehend beschriebenen Ausgangsmaterial hinzugegeben werden.
Als Radikalinitiator können Benzoylperoxid, ditert.-Butylperoxyoxalat, ditert.-Butylperoxid, Azobisisobutyronitril u. dgl. verwendet werden.
Gemäß der Erfindung ist der Radikalinitiator nicht unbedingt erforderlich, jedoch kann die Verwendung des Radikalinitiators die Reaktionsstarttemperatur in der Erhitzungsstufe herabsetzen oder das durchschnittliche Molekulargewicht des Polykondensationsproduktes erhöhen.
Die Reaktion der Erfindung benötigt nicht unbedingt Druck, da sich über der thermischen Polykondensationsreaktion naturgemäß Druck ausbildet. Wenn jedoch absichtlich ein Druck angelegt werden soll, wird das Ausgangsmaterial in einen Druckkessel gegeben und die Reaktion unter einem Druck von 1 bis 10(D Atmosphären bei einer Temperatur von etwa 300 bis 700° C, vorzugsweise 350 bis 5000C, ausgeführt.
Unter den beschriebenen Reaktionsbedingungen spaltet sich in den linearen Polysilanen und cyclischen Polysilanen die-f-Si—Si-]— Bindung auf, und es bildet sich ein freies Siliciumradikal, wodurch die Reaktion gestartet wird.
Das gebildete freie Siliciumradikal zieht Wasserstoff aus der Methylgruppe ab unter Bildung eines freien Kohlenstoffradikals, es wird eine Si-an-Si-ßindung auf das gebildete freie Kohlenstoffradikal übertragen, zwischen den beiden Si-Atomen tritt das —CH2--Radikal unter Bildung des Carbosilangrundgerüstes ein und die verbleibenden-f-Si—Si-]--Bindungen spalten sich nacheinander ab, wobei schließlich die vorstehend beschriebenen hochmolekularen Organosiliciumverbindungen gebildet werden. Dieser Reaktionsmechanismus kann wie folgt dargestellt werden:
CH3
-Si-Si — Si-
-Si
CH3
• Si-Si-
-Si
CH3
-Si —Si —Si-
-Si-H
• CH2
-Si — Si — Si-
-Si—^- Si — Si-
-Si-CH2-Si-Si-
Die vorstehend gegebene Erklärung ist anhand des Reaktionsmechanismus für das lineare Polysilan gegeben, jedoch findet der Reaktionsmechanismus in dem cyclischen Polysilan in gleicher Weise statt
In F i g. 1 ist die Relation von Erhitzungstemperatur zur Ausbeute an hochmolekularen Verbindungen dargestellt, wenn Dodecamethylcyclohexasilan (Me2Si)6 unter Argonatmosphäre und einem Druck von etwa 40 Atmosphären 48 Stunden lang erhitzt wird.
Aus F i g. 1 ist ersichtlich, daß die hochmolekularen Organosiliciumverbindungen in der höchsten Ausbeute innerhalb des Temperaturbereiches von 350 bis 500"C erhalten werden können.
Nachdem die Reaktion vollständig beendet ist, worauf der Reaktionsbehälter geöffnet wird, werden die als Nebenprodukte gebildeten flüchtigen Verbindungen verdampft Die genannten flüchtigen Verbindungen bestehen.aus Wasserstoff, niedrigmolekularen Kohlen-Wasserstoffen und niedrigmolekularen Organosiliciumverbindungen.
Das nicht verdampfte verbleibende Reaktionspro
dukt besteht hauptsächlich aus den hochmolekularen Organosiliciumverbindungen mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteile des Hauptgerüstes.
Die hochmolekularen Organosiliciumverbindungen gemäß der Erfindung mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteilen des Hauptgerüstes können kontinuierlich hergestellt werden, indem mindestens ein Strom aus den beschriebenen cyclischen und linearen Polysilanen zusammen mit mindestens einer Atmosphäre eines Inertgases und Wasserstoff in eine geheizte Reaktionskolonne geleitet wird, um die Polysilane zu erhitzen und indem die gebildeten hochmolekularen Verbindungen aus der Reaktionskolonne entnommen werden. In diesem Fall werden die als Nebenprodukte gebildeten niedrigmolekularen Verbindungen in die Reaktionskolonne im Kreislauf zurückgeführt, wobei die thermische Polykondensationsreaktion nochmalig unter Gewin nung der hochmolekularen Organosiliciumverbindun gen gemäß der Erfindung durchgeführt wird.
Eine Ausführungsform der Vorrichtung zur Herstellung der hochmolekularen Organosiliciumverbindungen
wird unter Bezugnahme auf F i g. 2 erläutert. In F i g. 2 wird das Ausgangsmaterial in eine geheizte Reaktionskolonne 2 durch ein Ventil 1 eingeführt und bei einer Temperatur von 300 bis 20000C, vorzugsweise 500 bis 12000C erhitzt, worauf ein Teil der gebildeten hochmolekularen Organosiliciumverbindungen in dem Reaktionsprodukt aus der Reaktionskolonne durch ein Ventil 3 entnommen und ein größerer Teil der gebildeten hochmolekularen Organosiliciumverbindungen und die in der Reaktionskolonne 2 gebildeten niedrigmolekularen Verbindungen in eine Trennkolonne 5 durch ein Ventil 4 geleitet werden, worin destilliert wird, um Gas von den hochmolekularen Verbindungen zu trennen, worauf das abgetrennte Gas aus der Trennkolonne durch ein Ventil 6 und die abgetrennten hochmolekularen Verbindungen aus der Trennkoionne durch ein Ventil 7 entnommen werden. Die in Kolonne 5 abgetrennten niedrigmolekularen Verbindungen werden in die geheizte Reaktionskolonne 2 durch ein Ventil 8 im Kreislauf geführt.
Die Molekularstruktur der so gebildeten hochmolekularen Organosiliciumverbindungen wurde durch kernmagnetisches Resonanzabsorptionsspektrum und Ultrarotabsorptionsspektrum bestimmt und es wurde gefunden, daß ein größerer Teil von -[-Si—Si J--Bindungen verschwindet und die Anwesenheit von-f-Si—C-Bindungen festzustellen war. Außerdem wurde die Struktur der gebildeten Polycarbosilane durch Röntgenstrahlenbeugung bestimmt. Eine durch Spinnen des Polycarbosilans erhaltene Faser zeigte durch Röntgen- jo beugungsmuster, daß das Polycarbosilan eine amorphe hochmolekulare Verbindung ist, wie aus F i g. 3 ersichtlich.
Das durchschnittliche Molekulargewicht der hochmolekularen Organosiliciumverbindungen wurde mit Hilfe J5 einer Molekulargewichtsmeßapparatur bestimmt. Das durchschnittliche Molekulargewicht variiert in Abhängigkeit von dem Ausgangsmaterial, der Erhitzungstemperatur und der Erhitzungszeit zwischen 300 und 50 000. Die Molekulargewichtsverteilung von beispielsweise to Polycarbosilan, das durch Erhitzen von Dimethylpolysilan bei 4600C während 14 Stunden in einem Autoklaven und anschließende Konzentration des Reaktionsproduktes bis zu 200°C unter Vakuum erhalten wurde, ist in F i g. 4 gezeigt Dort ist ersichtlich, daß die hauptsächliehe Verteilung des Molekulargewichtes des Polycarbosilans zwischen 200 und 4000 liegt Diese Molekulargewichtsverteilung variiert in Abhängigkeit von Temperatur und Zeit bei der Herstellung der Polycarbosilane.
Die Molekulargewichtsverteilung der vorstehend beschriebenen Polycarbosilane, hergestellt bei einer Temperatur von 47O0C während 16 Stunden und durch Konzentration bis zu 2000C unter Vakuum ist in F i g. 5 gezeigt In diesem Fall ist das Molekulargewicht in einem weiten Bereich verteilt zwischen 2000 und 50 000, und die Ausbeute eines anorganischen Produktes, erhalten durch Erhitzen von Polycarbosilan dieses Molekulargewichts, erreicht 75%.
Die grundmolare Viskosität der hochmolekularen Organosiliciumverbindungen beträgt 0,005 bis 1 ,50.
Selbst wenn die Menge von zugegebenem Radikalinitiator, falls erforderlich, im Falle der Erfindung 10% überschreitet, ist der zusätzliche Effekt nicht besonders erhöht so daß eine solche Zugabe nicht wirtschaftlich ist; vielmehr ist die am meisten bevorzugte Menge 0,01 bis 1 %.
Wenn Sauerstoff in der thermischen Polykondensationsreaktion vorhanden ist, tritt die Radikalpolymerisationsreaktion infolge des Sauerstoffes nicht ein, oder, falls die Polymerisationsreaktion eintritt, stoppt sie im Verlaufe der Reaktion, so daß die Polykondensationsreaktion unter mindestens einer Atmosphäre eines Inertgases und Wasserstoffgas oder unter Vakuum durchgeführt werden muß.
Das durchschnittliche Molekulargewicht der nach dem Verfahren der Erfindung erhaltenen Produkte ist verteilt zwischen 300 und 50 000, wie vorstehend beschrieben, worin die niedrigmolekularen Verbindungen enthalten sind. Wenn beabsichtigt ist, Siliciumcarbidfasern aus den Polycarbosilanen herzustellen, müssen die niedrigmolekularen Verbindungen entfernt werden.
Wenn das Verfahren der Erfindung unter Druck oder in einem versiegelten Gefäß durchgeführt wird, sind die als Nebenprodukte gebildeten niedrigmolekularen Verbindungen in dem gebildeten Produkt enthalten, jedoch die Ausbeute an hochmolekularen Verbindungen erhöht. Während die Menge an in den Produkten enthaltenen niedrigmolekularen Verbindungen klein wird, wenn die Polykondensationsreaktion unter der Bedingung durchgeführt wird, daß die als Nebenprodukte gebildeten niedrigmolekularen Verbindungen verdampfen können, sinkt jedoch die Ausbeute an hochmolekularen Verbindungen ab.
Nachstehend wird die Erfindung kurz beispielsweise unter Bezugnahme auf einen Fall erläutert, in welchem Siliciumcarbidfasern aus den hochmolekularen Organosiliciumverbindungen, die durch das Verfahren der Erfindung erhalten wurden, hergestellt wurden.
Die niedrigmolekularen Verbindungen, die in den genannten hochmolekularen Organosiliciumverbindungen enthalten sind, werden mit einem Lösungsmittel, in welchem die niedrigmolekularen Verbindungen löslich sind, extrahiert, die rückständigen hochmolekularen Verbindungen werden in einem Lösungsmittel gelöst oder erhitzt und unter Bildung einer Spinnlösung geschmolzen, wobei die Spinnlösung in für das Spinnen synthetischer Harze zu Fäden üblicher Weise versponnen wird. Danach werden die gesponnenen Fäden unter Vakuum erhitzt, um die zurückgebliebenen niedrigmolekularen Verbindungen zu verdampfen und dann bei einer höheren Temperatur unter Vakuum oder unter einer Atmosphäre eines Inertgases, CO-Gases und Wasserstoffgases unter Bildung von Siliciumcarbidfasern gebrannt
Zum besseren Verständnis der Erfindung wird nachstehend auf die Zeichnungen Bezug benommen.
F i g. 1 zeigt die Beziehung der Ausbeute der hochmolekularen Organosiliciumverbindungen zu der Temperatur bei der thermischen Polykondensation, wenn Dodecamethylcyclohexasilan als Ausgangsmaterial verwendet wurde;
F i g. 2 zeigt eine Ausführungsform einer Vorrichtung zur Herstellung der hochmolekularen Organosiliciumverbindungen;
F i g. 3 zeigt ein Röntgenstrahlenbeugungsmuster von Polycarbosilan, nachdem es zu Fäden versponnen wurde;
Fi g. 4 und 5 zeigen die Molekulargewichtsverteilungen der jeweiligen Polycarbosilane.
Die Erfindung wird im einzelnen anhand der folgenden Beispiele näher erläutert
Beispiel 1
10 g Dodecamethylcyclohexasilan [(Me2Si)6] wurden in einen Autoklaven eingeführt, worauf Luft in dem Autoklaven mit Argongas ausgespült wurde. Dann
wurde die thermische Polykondensation bei 4300C 48 Stunden lang unter etwa 40 Atmosphären Druck ausgeführt, wobei die hochmolekularen Organosiliciumverbindungen erhalten wurden. Das resultierende Produkt wurde bei Raumtemperatur abkühlen gelassen und mit Äther versetzt. Die gebildete Ätherlösung wurde aus dem Autoklaven entnommen.
Äther wurde verdampft, wobei 6,6 g eines Feststoffes erhalten wurden. Das durchschnittliche Molekulargewicht des Produktes betrug mehr als 1500. Dieser ι ο Feststoff wurde in Benzol gelöst, und die resultierende Benzollösung konnte zu Fäden versponnen werden.
Beispiel 2
10 g linearen Polydimethylsilans, das aus Dimethyldichiorsiian synthetisiert worden war, wurden in einen Autoklaven gegeben und bei 4200C 48 Stunden lang unter einem Druck von etwa 30 Atmosphären unter Argongas erhitzt, wobei die hochmolekularen Organosiliciumverbindungen erhalten wurden. Das Reaktionsprodukt wurde in Äther gelöst und der unlösliche Anteil entfernt, während Äther aus der Ätherlösung verdampft wurde.
Hierbei wurden 4,3 g eines Feststoffes erhalten. Das durchschnittliche Molekulargewicht dieses Produktes betrug 5000 bis 15 000. Dieses Produkt wurde in Benzol gelöst und die resultierende Lösung konnte in einem Trockenverfahren zu Fäden versponnen werden.
Beispiel 3 3Q
Zu 10 g Octaphenylcyclotetrasilan wurden zu 0,1g Benzoylperoxid gegeben, und das Gemisch wurde in einen Autoklaven gegeben und bei 3700C 24 Stunden lang unter einem Druck von etwa 35 Atmosphären unter Argongas erhitzt Nach Beendigung der Reaktion wurde das resultierende Produkt in Hexan gelöst und die Lösung wurde aus dem Autoklaven entnommen und filtriert, worauf Hexan verdampft wurde.
Hierbei wurden 7,1 g einer festen hochmolekularen Verbindung erhalten. Das durchschnittliche Molekulargewicht dieses Produktes lag über 8000. Diese feste hochmolekulare Verbindung wurde in Benzol gelöst und die Lösung konnte in einem Trockenverfahren zu Fäden versponnen werden. Die gebildeten Fasern waren bis zu 450° C bei der Hitzebehandlung unter Argonatmosphäre stabil.
Beispiel 4
10 g eines Gemisches von cyclischen Dimethylpolysilanen (Me2Si)5 und (Me2Si)6 und 0,5 g Azoisobutyronitril wurden in einen Autoklaven gegeben und bei 4000C 12 Stunden lang unter einem Druck von etwa 80 Atmosphären unter Argongas erhitzt Nach Beendigung der Reaktion wurde das Reaktionsprodukt in Benzol gelöst und die resultierende Benzollcisung wurde aus dem Autoklaven entnommen und filtriert
Die Benzollösung wurde unter reduziertem Druck zur Verdampfung von Benzol destilliert, wobei 4,8 g einer festen hochmolekularen Verbindung erhalten wurden. Das durchschnittliche Molekulargewicht des reduzie- to renden Produktes betrug 7000 bis 8000 und eine Lösung dieses Produktes in Benzol konnte in einem Trockenverfahren zu Fäden versponnen werden.
Beispiel 5
10 g eines Gemisches von cyclischen Diphenylsilanen (Ph2Si)4 und (Ph2Si)S und linearem, kettenendständig je 1 Chlor tragendem Polydiphenylsilan wurden in einen Autoklaven gegeben und die Luft in dem Autoklaven mit. Argongas ausgespült. Dann wurde die Polykondensation bei 3800C 50 Stunden lang unter einem Druck von etwa 60 Atmosphären durchgeführt. Nach Beendigung der Reaktion wurde Benzol in den Autoklaven hinzugegeben, um das Reaktionsprodukt aufzulösen. Die resultierende Benzollösung wurde aus dem Autoklaven entnommen und unter reduziertem Druck konzentriert, wobei 6,9 g eines festen Produktes erhalten wurden.
Das durchschnittliche Molekulargewicht dieses Produktes betrug 1500 bis 3000. Dieses feste Produkt wurde in Benzol gelöst, und die Benzollösung konnte zu Fäden versponnen werden. Die gebildeten Fäden waren bis zu 4500C bei der Hitzebehandlung unter Vakuum stabil.
Die verwendeten Diphenylsilanc (PhjSfy und (Ph2SiJs werden durch Lösen von Diphenyldichlorsilan in Tetrahydrofuran und Zugabe von Lithiummetall zu der Lösung zwecks Dechlorierung entsprechen allgemein bekanntem Reaktionsweg erhalten.
Beispiel 6
Die hochmolekularen Organosiliciumverbindungen gemäß der Erfindung wurde aus Hexamethyldisilan unter atmosphärischem Druck hergestellt, wobei die in F i g. 2 gezeigte Vorrichtung verwendet wurde. Es wurde ein Hexamethyldisilanstrom zusammen mit Argongas bei einer Zufuhrgeschwindigkeit von 1 l/h in eine auf 8500C erhitzte Reaktionskolonne eingeführt. Das eingeführte Hexamethyldisilan wurde einer Zersetzungsreaktion und einer Polykondensationsreaktion in der erhitzten Reaktionskolonne unterworfen, um die hochmolekularen Verbindungen zusammen mit niedrigmolekularen Verbindungen herzustellen. Ein Teil der gebildeten hochmolekularen Verbindungen wurden aus der Reaktionskolonne entnommen und ein größerer Teil der hochmolekularen Verbindungen wurde in eine Trennkolonne zusammen mit den niedrigmolekularen Verbindungen in der Kolonne eingeführt, worin das Gas und die niedrigmolekularen Verbindungen aus den hochmolekularen Verbindungen abgetrennt wurden. Die abgetrennten niedrigmolekularen Verbindungen wurden im Kreislauf in die erhitzte Reaktionskolonne zurückgeführt
Nach Durchführung dieser Arbeitsweise während 10 Stunden wurden 5,4 kg der hochmolekularen Verbindungen erhalten. Das durchschnittliche Molekulargewicht dieses Produktes betrug 3500. Dieses Produkt konnte durch Erhitzen bei 680C versponnen werden.
Beispiel 7
100 g lineares Polysilan wurden in ein Quarzreaktionsgefäß eingeführt und unter Erhitzung bei 350° Z während 5 Stunden zirkuliert und dann allmählich auf 4700C erhitzt, während die verdampfte Fraktion entfernt wurde. Danach wurde gekühlt Das Reaktionsprodukt wurde in η-Hexan gelöst und die resultierende Lösung wurde aus dem Reaktionsgefäß entnommen und filtriert und dann mittels einer Saugvorrichtung konzentriert, um η-Hexan zu entfernen. Dann wurde weiter mit einer Vakuumpumpe konzentriert, um η-Hexan vollständig zu entfernen, wobei 43 g der hochmolekularen Verbindungen erhalten wurden.
Das durchschnittliche Molekulargewicht des Produktes betrug 980 und die grundmolare Viskosität war 0,17. Wenn dieses Produkt bis zu 1300°C bei einer
Temperatursteigungsgeschwindigkeit von 250°C/h unter Vakuum gebrannt wurde, wurde eine Ausbeute von 61% SiC erhalten.
Beispiel 8
Verschiedene Disilanverbindungen mit der in der Tabelle I aufgeführten Formel wurden als Ausgangsmaterial verwendet und hochmolekulare Organosiliciumverbindungen unter Verwendung des Reaktionsgefäßes, wie in F i g. 2 gezeigt ist, hergestellt.
Die Reaktionskolonne 2 des Reaktionsgefäßes wurde auf die in der Tabelle I aufgeführte Temperatur erhitzt und jedes Ausgangsmaterial mit der in der Tabelle 1 angegebenen Zufuhrrate zusammen mit Argon eingespeist, wobei die Disilanverbindung umgesetzt wurde. Das Reaktionsprodukt wurde in Gas, niedermolekulare Verbindungen und hochmolekulare Verbindungen (mit einem höheren Siedepunkt als 250° C) in der Fraktionierkolonne (5) fraktioniert, wobei das Gas ausströmen gelassen wurde. Die niedermolekularen Verbindungen wurden wieder in die Reaktionskolonne (2) zusammen mit dem Ausgangsmaterial eingespeist und umgesetzt. Nach Vollendung der Reaktion wurde jeweils die Ausbeute des Gases, der niedermolekularen Verbindungen und der hochmolekularen Verbindungen bestimmt. Die Ergebnisse sind in der Tabelle I gezeigt.
Die Struktur der hochmolekularen Verbindungen wurde durch NMR und IR bestimmt. Es wurden keine
Si—Si-Bindungen gefunden und es waren nur Si-C-Bindungen vorhanden.
Beispiel 9
Unter Verwendung der in der folgenden Tabelle H gezeigten vier Silanverbindungen wurden hochmolekulare Organosiliciumverbindungen unter Verwendung eines Autoklaven synthetisiert.
250 g Polysilan wurden in einem 1-1-Autoklaven eingesetzt und dann wurde die Luft in dem Autoklaven durch Stickstoffgas ersetzt. Die Reaktion wurde bei der in der Tabelle 11 aufgeführten Reaktionstemperatur 14 Stunden lang durchgeführt. Der Druck in dem Autoklaven wurde mit fortschreitender Reaktion erhöht. Der Druck nach vollendeter Reaktion ist in der Tabelle Π aufgeführt. Nach Vollendung der Reaktion wurde das Reaktionsprodukt in Form einer Hexanlösung herausgenommen. Die Lösung wurde zur Entfernung von Verunreinigungen filtriert. Dieses Filtrat wurde unter einem reduzierten Druck zur Abdestillation des Hexans konzentriert und danach durch Erhitzen auf 200°C im Vakuum konzentriert, wobei hochmolekulare Urganosiliciuniverbindungen mit der in der Tabelle II aufgeführten Ausbeute erhalten. Die Struktur der erhaltenen Produkte wurde durch IR und NMR bestimmt. Es wurde gefunden, daß keine Si—Si-Bindung vorlag und daß die Polymeren nur Si—C-Bindungen enthielten.
Tabelle I
Ausgangsverbindung Siedepunkt
(°C)		 Temperatur Zufuhrrate
in der Reak- des Aus-
tionskolonne gangs-
materials
(°C) (l/h)		 Ausbeute der
Gas		 Reaktionsprodukte (%)
nieder- hoch
molekulare molekulare
Verbindung Verbindung		 50,5
[CI(C2H5)2Si]2 105
-107		 760 5,0 37,4 12,1 53,0
Kn-C3H7J3Si]2 128,5
-129		 790 5,5 36,9 10,1 55,5
Kn-C4H9J3Si]2 187,5
-188,5		 820 5,0 34,5 10,0
Tabelle II
Ausgangsverbindung Reaktions
temperatur		 Reaktions
druck		 Produkt
ausbeute
( C) (kg/cm2) (%)
(CH3J3SiSiH 2Si(CH3J3 SiR2
R2 I
Si SiR2
R3Si / \ \ /
\ / Si
I
Si I
R2 R = CH3
/ \
R X
110
100
13
Fortsetzung
14
Ausgangsvcrbindung
Reaktionstempcralur
Reaklionsdruck
(kg/cm-)
Produktuusbeule
\ / R R I SiR2 / R = C2Hs / \ SiR2 / R = CH3
Si Si I I
R3Si / \ SiR2 SiR2
R3Si / \ \ /
I Si
R,Si R2
' \ /
Si \ ,
/ \ Si
I
I
R2
R2
I
Si
95
100
65
61
Bemerkung:
In den vorstehenden Formeln bedeutet
SiR.. = Si
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von hochmolekularen Organosiliciumverbindungen mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteilen des Hauptgerüstes, bestehend aus einem Gemisch von linearen Polycarbosilanen, cyclischen Polycarbosilanen und Polycarbosilanen, in denen lineares Carbosilan und cyclisches Carbosilan chemisch miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß man ein oder mehrere cyclische Polysilane der Formel
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Families Citing this family (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2009196B (en) * 1977-10-26 1982-04-15 Res Inst For Special Inorganic Polycarbosilane process for its prudiction and its use as material for producing silicon carbide
JPS54101525A (en) * 1978-01-27 1979-08-10 Tokai Konetsu Kogyo Kk Method of making heater of silicon carbide
JPS6054906B2 (ja) * 1978-01-31 1985-12-02 財団法人特殊無機材料研究所 セラミツクス焼結成形体の製造法
CA1121971A (en) * 1978-05-30 1982-04-20 Dow Corning Corporation Method for preparing silicon carbide
JPS554040A (en) * 1978-06-26 1980-01-12 Hitachi Ltd Photoconductive material
US4310651A (en) * 1979-03-26 1982-01-12 Dow Corning Corporation Method for preparing silicon carbide
JPS5671642U (de) * 1979-11-02 1981-06-12
CA1154032A (en) * 1979-11-21 1983-09-20 Seishi Yajima Polymetallocarbosilane, and process for its production
JPS5674127A (en) * 1979-11-22 1981-06-19 Mitsubishi Chem Ind Ltd Production of organosilicon polymer
US4260780A (en) * 1979-11-27 1981-04-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Phenylmethylpolysilane polymers and process for their preparation
JPS56147827A (en) * 1980-04-17 1981-11-17 Seishi Yajima Organometallic polymer and its preparation
USRE31447E (en) * 1980-07-23 1983-11-22 Dow Corning Corporation High yield silicon carbide pre-ceramic polymers
US4310481A (en) * 1980-07-23 1982-01-12 Dow Corning Corporation High yield silicon carbide pre-ceramic polymers
US4310482A (en) * 1980-07-23 1982-01-12 Dow Corning Corporation High yield silicon carbide pre-polymers
US4314956A (en) * 1980-07-23 1982-02-09 Dow Corning Corporation High yield silicon carbide pre-ceramic polymers
US4298558A (en) * 1980-07-23 1981-11-03 Dow Corning Corporation High yield silicon carbide pre-ceramic polymers
US4298559A (en) * 1980-07-23 1981-11-03 Dow Corning Corporation High yield silicon carbide from alkylated or arylated pre-ceramic polymers
US4291167A (en) * 1980-07-28 1981-09-22 Nalco Chemical Company Preparation of tetramethyldisilane from 1,2-tetramethyldichlorodisilane
JPS6046131B2 (ja) * 1980-11-11 1985-10-14 宇部興産株式会社 ポリカルボシランの製造法
US4414403A (en) * 1980-11-21 1983-11-08 Union Carbide Corporation Branched polycarbosilanes and their use in the production of silicon carbide
CA1167216A (en) * 1980-12-18 1984-05-15 Kiyohito Okamura Continuous inorganic fibers and process for production thereof
US4324901A (en) * 1981-04-29 1982-04-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Soluble polysilastyrene and method for preparation
US4590253A (en) * 1981-08-26 1986-05-20 Kurosaki Refractoris Co., Ltd. Organosilicon polymer and process for production thereof
DE3136786A1 (de) * 1981-09-16 1983-04-07 Kurosaki Refractories Co., Ltd., Kitakyushu, Fukuoka "siliciumorganisches polymeres und verfahren zu dessen herstellung"
US4497787A (en) * 1982-03-23 1985-02-05 Union Carbide Corporation Branched polycarbosilanes and their use in the production of silicon carbide
JPS59174575A (ja) * 1983-03-18 1984-10-03 日本曹達株式会社 炭化ケイ素成形体の製造方法
US4608242A (en) * 1983-03-28 1986-08-26 Union Carbide Corporation Hydrosilyl-modified polycarbosilane precursors for silicon carbide
US4472591A (en) * 1983-03-28 1984-09-18 Union Carbide Corporation Hydrosilyl-modified polycarbosilane precursors for silicon carbide
US4783516A (en) * 1983-03-31 1988-11-08 Union Carbide Corporation Polysilane precursors containing olefinic groups for silicon carbide
JPS60120725A (ja) * 1983-12-05 1985-06-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 有機金属共重合体およびその製造方法
US4537942A (en) * 1984-02-10 1985-08-27 Minnesota Mining And Manufacturing Company Polyhydridosilanes and their conversion to pyropolymers
US4587205A (en) * 1984-04-05 1986-05-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of using polysilane positive photoresist materials
US4588801A (en) * 1984-04-05 1986-05-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Polysilane positive photoresist materials and methods for their use
US4631179A (en) * 1985-05-28 1986-12-23 Ethyl Corporation Process for the production of silicon carbide by the pyrolysis of a polycarbosilane polymer
EP0212485A3 (de) * 1985-08-16 1988-06-15 Teijin Limited Verfahren zur Herstellung von geformten Siliziumkarbidgegenständen
DE3790151T (de) * 1986-03-11 1988-06-01
US4737552A (en) * 1986-06-30 1988-04-12 Dow Corning Corporation Ceramic materials from polycarbosilanes
US4820788A (en) * 1986-10-31 1989-04-11 John M. Zeigler Poly(silyl silane)homo and copolymers
US5039593A (en) * 1986-10-31 1991-08-13 Zeigler John K Poly(silyl silane) homo and copolymers
GB8629593D0 (en) * 1986-12-11 1987-01-21 Dow Corning Ltd Polysilanes
US4847027A (en) * 1987-07-06 1989-07-11 Dow Corning Corporation Infusible preceramic polymers via nitric oxide treatment
FR2617854B1 (fr) * 1987-07-10 1989-10-27 Rhone Poulenc Chimie Composition a base d'un nouveau polycarbosilane, sa preparation et son application a la fabrication de produits et articles ceramiques a base de carbure de silicium
US4761458A (en) * 1987-08-17 1988-08-02 Dow Corning Corporation Preceramic polycarbosilane derivatives
US4800221A (en) * 1987-08-25 1989-01-24 Dow Corning Corporation Silicon carbide preceramic polymers
US4942011A (en) * 1988-05-03 1990-07-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparing silicon carbide fibers
US4897229A (en) * 1988-10-12 1990-01-30 Teijin Limited Process for producing a shaped silicon carbide-based ceramic article
US5013609A (en) * 1989-02-06 1991-05-07 Ethyl Corporation Ceramic products derived from polycarbosilanes and boroxines
US4873353A (en) * 1989-02-06 1989-10-10 Ethyl Corporation Preceramic compositions and ceramic products
US5247028A (en) * 1989-06-01 1993-09-21 Kali-Chemie Ag Halogenated polycarbosilanes and processes for preparing them
US5223461A (en) * 1989-06-05 1993-06-29 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Ceramic silicon-boron-carhon fibers from organic silicon-boron-polymers
US5071600A (en) * 1990-01-16 1991-12-10 Dow Corning Corporation Preparation of substantially crystalline silicon carbide fibers from polycarbosilane
US5051215A (en) * 1990-03-21 1991-09-24 Dow Corning Corporation Curing preceramic polymers by exposure to nitrogen dioxide
US5292830A (en) * 1991-06-20 1994-03-08 Tonen Corporation Thermosetting copolymers, silicon carbide-based fiber and processes for producing same
US5863848A (en) * 1991-09-27 1999-01-26 Dow Corning Corporation Preparation of substantially crystalline silicon carbide fibers from borosilazanes
US5171722A (en) * 1991-10-09 1992-12-15 University Of Florida SiC fibers having low oxygen content and methods of preparation
JP2725535B2 (ja) * 1992-07-30 1998-03-11 信越化学工業株式会社 両末端ヒドロポリシランの製造方法
GB2319022B (en) * 1992-12-22 1998-09-02 Dow Corning Preparation of substantionally crystalline silicon carbide fibers from borosilazanes
DE4405603A1 (de) * 1994-02-22 1995-08-24 Solvay Deutschland Verfahren zur Herstellung von sauerstofffreien bzw. sauerstoffarmen hochtemperaturbeständigen Siliciumcarbidformkörpern
US6146559A (en) 1994-07-28 2000-11-14 Dow Corning Corporation Preparation of high density titanium diboride ceramics with preceramic polymer binders
US5449646A (en) 1994-07-29 1995-09-12 Dow Corning Corporation Preparation of high density zirconium diboride ceramics with preceramic polymer binders
CA2154216A1 (en) 1994-08-01 1996-02-02 Gregg Alan Zank Preparation of high density zirconium carbide ceramics with preceramic polymer binders
US5811564A (en) * 1997-12-17 1998-09-22 Dow Corning Corporation Polycarbosilane hydroxides and methods for their preparation
US6162743A (en) * 1998-02-10 2000-12-19 Chu; Cheng-Jye Low dielectric constant film and method thereof
US20060004169A1 (en) * 2003-01-10 2006-01-05 Sherwood Walter J Jr Ceramic-forming polymer material
KR100515239B1 (ko) * 2003-05-22 2005-09-21 주식회사 데크 제올라이트를 촉매로 사용한 폴리카보실란의 제조 방법
US7879696B2 (en) * 2003-07-08 2011-02-01 Kovio, Inc. Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom
US7498015B1 (en) 2004-02-27 2009-03-03 Kovio, Inc. Method of making silane compositions
US7476791B2 (en) * 2004-04-29 2009-01-13 Rohrbacher Technologies, Llc Organosilane surface treated musical instrument strings and method for making the same
US7485691B1 (en) * 2004-10-08 2009-02-03 Kovio, Inc Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
JP2006152063A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Jsr Corp 新規ポリカルボシランおよびその製造方法、膜形成用組成物、ならびに膜およびその形成方法
KR100776251B1 (ko) 2006-02-23 2007-11-13 요업기술원 다단계 반응공정을 이용한 폴리페닐카보실란의 제조 방법및 그에 의해 제조되는 폴리페닐카보실란
US9051491B2 (en) * 2006-06-13 2015-06-09 Braggone Oy Carbosilane polymer compositions for anti-reflective coatings
WO2008045327A2 (en) * 2006-10-06 2008-04-17 Kovio, Inc. Silicon polymers, methods of polymerizing silicon compounds, and methods of forming thin films from such silicon polymers
EP2212457B1 (de) * 2007-11-20 2013-07-24 Dow Corning Corporation Artikel und verfahren zu seiner herstellung
CN101978008A (zh) * 2008-04-02 2011-02-16 Jsr株式会社 含有含硅聚合物的组合物及其固化物
KR100968803B1 (ko) * 2008-06-24 2010-07-08 주식회사 티씨케이 폴리카르보실란 및 그 제조방법
TW201016909A (en) * 2008-08-29 2010-05-01 Dow Corning Article formed from electrospinning a dispersion
US20110155956A1 (en) * 2008-08-29 2011-06-30 Muhammad Ather Ashraf Fibers Including Nanoparticles And A Method Of Producing The Nanoparticles
WO2010025140A2 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Dow Corning Corporation Metallized particles formed from a dispersion
US8669390B2 (en) * 2009-04-13 2014-03-11 Nippon Soda Co., Ltd. Process for production of cyclic silane compound and/or cyclic carbosilane compound
RU2410401C2 (ru) * 2009-04-14 2011-01-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) Способ получения поликарбосилана
US20120108761A1 (en) 2009-05-22 2012-05-03 Lintec Corporation Formed article, method of producing same, electronic device member, and electronic device
JP2013506035A (ja) * 2009-09-25 2013-02-21 フェローテック（ユーエスエー）コーポレイション 高強度の結合及びコーティング混合物
US8431189B2 (en) 2009-12-22 2013-04-30 Korea University Research And Business Foundation Carbon nanotube-nanofiber composite structure
DE102010007780A1 (de) 2010-02-12 2011-08-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 Spritzgießverfahren für Kondensationsharze und Vorrichtung für das Verfahren
TWI552883B (zh) 2011-07-25 2016-10-11 Lintec Corp Gas barrier film laminates and electronic components
KR102064143B1 (ko) 2011-11-04 2020-01-08 린텍 가부시키가이샤 가스 배리어 필름 및 그 제조 방법, 가스 배리어 필름 적층체, 전자 디바이스용 부재, 그리고 전자 디바이스
EP2830068B1 (de) 2012-03-22 2018-05-23 LINTEC Corporation Transparentes leitendes laminat und elektronische vorrichtung oder modul
DE102012221669A1 (de) * 2012-11-27 2014-05-28 Evonik Industries Ag Verfahren zum Herstellen kohlenstoffhaltiger Hydridosilane
JP2019034993A (ja) * 2017-08-10 2019-03-07 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ ポリカルボシランを含んでなるシリコンカーバイド質膜形成組成物、およびそれを用いたシリコンカーバイド質膜の製造方法
JP7122833B2 (ja) * 2018-02-08 2022-08-22 株式会社Ｉｈｉエアロスペース 炭化ケイ素繊維の製造方法
CN113226746B (zh) 2018-12-27 2023-08-11 琳得科株式会社 阻气性层叠体
EP3953416B1 (de) * 2019-04-08 2022-10-26 Merck Patent GmbH BLOCKCOPOLYMER ENTHALTENDE ZUSAMMENSETZUNG UND&#xA;VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KIESELSÄUREFILMS DAMIT
JP7223910B1 (ja) 2022-07-01 2023-02-16 株式会社クレハ ポリカルボシラン、ポリカルボシランの製造方法および炭化ケイ素繊維の製造方法
CN118693268B (zh) * 2024-08-23 2025-01-24 至华新能源科技(浙江)有限公司 一种聚碳硅烷制备硅碳复合材料及其应用

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2850514A (en) * 1955-10-25 1958-09-02 Du Pont Organometalloids
US3422039A (en) * 1965-06-16 1969-01-14 Inst Neftechimicheskogo Sintez Method for producing silylmethylene polymer(elastomer)

Also Published As

Publication number Publication date
SU639457A3 (ru) 1978-12-25
GB1551952A (en) 1979-09-05
IT1058205B (it) 1982-04-10
DE2618246C3 (de) 1981-10-15
DE2618246A1 (de) 1976-11-11
FR2308650B1 (de) 1979-04-20
SE7604700L (sv) 1976-10-27
JPS5726527B2 (de) 1982-06-04
CA1077512A (en) 1980-05-13
US4052430A (en) 1977-10-04
FR2308650A1 (fr) 1976-11-19
SE427561B (sv) 1983-04-18
JPS51126300A (en) 1976-11-04

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