DE2834761C2 - Steuerschaltung für eine Bildaufnahmeeinrichtung - Google Patents

Steuerschaltung für eine Bildaufnahmeeinrichtung

Info

Publication number
DE2834761C2
DE2834761C2 DE2834761A DE2834761A DE2834761C2 DE 2834761 C2 DE2834761 C2 DE 2834761C2 DE 2834761 A DE2834761 A DE 2834761A DE 2834761 A DE2834761 A DE 2834761A DE 2834761 C2 DE2834761 C2 DE 2834761C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
matrix
switches
lines
vertical
horizontal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2834761A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2834761A1 (de
Inventor
Norio Tokio Koike
Masahuru Kubo
Shusaku Hachioji Tokio Nagahara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE2834761A1 publication Critical patent/DE2834761A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2834761C2 publication Critical patent/DE2834761C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/779Circuitry for scanning or addressing the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/7795Circuitry for generating timing or clock signals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Steuerschaltung der im Oberbegriff des Patentanspruchs angegebenen Gattung jo zur »verschachtelten« Abtastung der in einer Bildaufnahmeeinrichtung vorliegenden optischen Information. Die »Verschachtelung« der Abtastung besteht dabei darin, daß immer jeweils zwei aufeinanderfolgende Matrixzeilen der Bildaufnahmeeinrichtung gleichzeitig j> abgetastet werden. Eine derartige Abtastung ergibt eine sehr hohe Bildqualität.
Bei solchen Steuerschaltungen zur verschachtelten Abtastung einer Bildaufnahmeeinrichtung kommt es auf die Realisierung der Schaltung mit möglichst wenig Bauelementen an. Eine Abtast-Steuerschaltung, die für jede einzelne Matrixzeile eine große Anzahl von Schaltungselementen benötigt, beschränkt den minimalen Abstand zwischen den einzelnen Matrixzeilen, damit die Dichte der in der Matrix angeordneten Wandlerelemente und somit das Auflösungsvermögen der Bildaufnahmeeinrichtung.
Die aus Fig. 7 der deutschen Offenlegungsschrift Nr. 28 30 911 bekannte Steuerschaltung der eingangs bezeichneten Gattung kommt mit einer minimalen Anzahl von vier MOSFET-Schaltern zur Ansteuerung jeweils zweier aufeinanderfolgender Matrixzeilen aus und gestattet es daher, die Matrixzeilen mit geringem Abstand voneinander anzuordnen und dadurch ein hohes Auflösungsvermögen zu erreichen.
Bei der bekannten Steuerschaltung werden die MOSFET-Schalter an ihren Gate-Elektroden mit den Halbbildsignalen beaufschlagt, während die Ausgänge der Vertikai-Tasteinrichtungen über die Source-Drain-Strecken der MOSFET-Schalter mit den Matrixleitun- bo gen verbunden sind. Die von den Vertikai-Tasteinrichtungen abgegebenen Tastimpulse liegen bei dieser Schaltungsweise an der gesamten Länge der jeweiligen Matrix-Zeilenleitungen. Mit der Größe der Bildaufnahme-Matrix und somit auch der Länge der Matrixleitun- b5 gen steigen die auf diesen Leitungen auftretenden Verluste sowie die Möglichkeit von Kurzschlüssen zwischen den Matrixleitungen und dem Substrat, die durch bei der Herstellung unvermeidbar auftretende nadelfeine Löcher verursacht werden. Derartige Verluste oder gar Kurzschlüsse verursachen Störungen oder Fehler im Abtastbetrieb.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Steuerschaltung der eingangs bezeichneten Gattung derart weiterzubilden, daß sie bei der gewünschten minimalen Anzahl von pro Matrixzeile benötigten Schaltelementen eine störungsfreie verschachtelte Abtastung gestattet
Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist im Kennzeichenteil des Patentanspruchs angegeben. Danach enden die Ausgänge der Vertikai-Tasteinrichtungen an den Gate-Elektroden der MOSFET-Schalter, so daß die auf den Matrixzeilen unvermeidbar vorhandenen Verluste sowie möglicherweise auftretenden Kurzschlüsse den Tastbetrieb selbst nicht beeinträchtigen. Aus dem gleichen Grund kommen die Vertikai-Tasteinrichtungen gleichzeitig mit einem geringeren Energiebedarfaus.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen näher erläutert, in denen
F i g. 1 ein Schaltbild eines Teils einer Bildaufnahmeeinrichtung mit zugehörigen Horizontal- und Vertikal-Schalteinrichtungen sowie Horizontal- und Vertikai-Tasteinrichtungen zeigt, während
F i g. 2 ein Diagramm der auf verschiedenen Leitungen der Schaltung nach F i g. 1 auftretenden Signale wiedergibt.
In F i g. 1 ist der Einfachheit halber nur eine Matrixspalte der Bildaufnahmeeinrichtung gezeigt. Mit 1 ist eine Horizontal-Tasteinrichtung bezeichnet, die Tastimpulse zum Ein- und Ausschalten von Horizontal-Schalteinrichtungen bildenden MOS-Feldeffekttransistoren (im folgenden kurz als »MOSTs« bezeichnet) 2 liefert. 3 bezeichnet eine Vertikal-Tasteinrichtung. 4-1, 4-2, 4-3 und 4-4 sind Verschachtelungs-Umschalter (im folgenden kurz als »Schalter« bezeichnet). Auch diese Schalter bestehen gemäß F i g. 1 aus MOSTs, deren Gate-Elektroden mit den Ausgängen QyI, Oy 2... OyM der Vertikai-Tasteinrichtungen 3 verbunden sind. Die Drain-Elektroden der Schalter 4-1 ...4-4 sind mit den Matrixleitungen Lv i,
Lv2... L\{2M-\)... Lv(2M+ 1) verbunden. Über die Source-Elektroden sind die Schalter 4-1... 4-4 an jeweils eine von zwei Leitungen 6, 7 angeschlossen, die von einem (nicht gezeigten) Generator mit einem ersten Halbbildimpuls FV bzw. einem zweiten Halbbildimpuls F2' versorgt werden.
Mit PD 1.1... PD2MX sind die die Wandlerelemente der ersten Matrixspalte bildenden Fotodioden bezeichnet, die die Source-Elektroden von die Vertikal-Schalteinrichtungen bildenden MOSTs 5 benützen. Die MOSTs 5 sind mit ihren Drain-Elektroden an die betreffende Matrix-Spaltenleitung oder Vertikalsignal-Ausgangsleitung Ly 1 sowie mit ihren Gate-Elektroden an die Matrix-Zeilenleitungen Lv 1 ... Lv{2M+1) angeschlossen. Die Vertikal-Signalausgangsleitungen (Ly I...) sind über jeweils eine zugehörige Horizontal-Schalteinrichtung 2 mit einer gemeinsamen Horizontal-Signalausgangsleitung Lx verbunden.
Im folgenden wird die Arbeitsweise der Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung unter Bezugnahme auf das Zeitdiagramm der F i g. 2 beschrieben. Es wird hier der Fall betrachtet, daß die bildenden Elemente P-Kanal-MOSTs sind, und die Beschreibung basiert auf negativer Logik (bei welcher eine hohe Spannung negativer Polarität als »1« und Erd- bzw. Massepotential als »0«
definiert ist). Bei Umkehrung der Polarität gilt genau dasselbe für N-Kanal-MOSTs.
Die Vertikalabtastschaltung 3 liefert aufeinanderfolgend Abtastimpulse V\i, V}2,... und V,m welche sich in festen Zeitabständen auf die Ausgänge Ovi, O>2, - - - und OyM der entsprechenden Stufen der Schaltung 3 während eines Halbbildes auf der Basis von Taktimpulsen zum Betreiben der Schaltung 3 verschieben. Beim Arbeiten mit der Standard-TV-Frequenz betrag' die Ausgangr/requenz der Abtastimpulse V,i, V}2,...und VyM 15,73 kHz (64 ^s), und die Wiederkehrfrequenz der Halbbildimpulse Fi und F2 ist 60 Hz (16,7 ms). Andererseits liefert die Horizontalabtastschaltung 1 Abtastimpulse Vx], V»2, νΛι V',4... an die Ausgänge O, i, O, 2, 0,3, 0,4... der einzelnen Stufen der Schaltungseinheiten, die die Schaltung 1 ausmachen. Die Ausgangsfrequenz (fc) der Abtastimpulse V, 1, V, 2, V, 3, K, 4... hängt von der Anzahl (N)der in horizontaler Richtung angeordneten Bildelemente ab und ergibt sich als der Kehrwert eines Werts, den man so erhält, daß eine Zeitdauer, die sich durch Abziehen einer Horizontalaustastzeit (Tbl) von der Horizontalabtastzeit (64 μ< >) ergibt, durch die Anzahl der Bildelemente dividiert wird
64 - TB
Eine Lage (X, Y) wird durch die zwei, Vertikal- und Horizontal-Abtastimpulse zugeordnet, und die Lichtsignalladungen, welche die Photodioden PD während einer Halbbildperiode gespeichert haben, werden sequentiell auf die gemeinsame Ausgangsleitung Lx über die Vertikalschalter 5 sowie die Horizontalschalter 2 ausgelesen.
Hier werden beim ersten Halbbild die ersten Halbbildimpulse F1 über den Eingang 6 auf die Gates der Schalter 4-1 und 4-2 gegeben. Daher werden die Schalter 4-1 und 4-2 im leitenden Zustand gehalten und ein Paar von abtastimpulsbeaufschlagten Leitungen (Z.,.,, Lr7ULvh L14) ... (L,.,2.w-i), Lrt2M)), mit den Ausgängen 0,i, 0,2, Oy3 ... bzw. O,,i,der Stufen der Vertikalabtastschaltung gekoppelt. Im ersten Halbbild werden dementsprechend Summensignale (S\ 1 + S2 1), (S\ 2 + S\ 2), (Sj 3 + S2 3), (S\ 4 + S2 4)... zugehöriger zwei Photodioden (PD11, PD2^), (PD12, PD2.2), (H),.,, PD23), (/©,,4, PD24) ... sequentiell auf die gemeinsame Signalausgangsleitung Lx während der Zeit abgenommen, in der der Vertikalabtastimpuls '/,., angelegt wird.
Summensignale (S3 , + S4 ,), (S] 2 + S\ 2). (S3 3 + S\ 3), (S] 4 + S4 4) ... der Photodioden (PD3 ,, PZ)4 ,), (/©3,2,PD4,;,), (PZ)3.3, PZ)4.3), (PD34, PZ)4.4) ... werden sequentiell auf die gemeinsame Signalausgangsleitung Lx in der Zeitdauer abgenommen, in der der Abtastimpuls Vy2 angelegt ist. Summensignale (S2h,-, , + S2X1 \), (S2U- 12 + S2A1^X ($2 ,W-1.3 + S2M3), (S2M- i4 + S2-,,.,,) ... der Photodioden (ΡΖ)/-ι ,, PD2MA), (ä^v-i.j, PD2U2), (PZ)2Ai_,,3, /D2JHj), (PZ)2W_|4, PD2U4) ... werden sequentiell auf die gemeinsame Signalausgangsleitung Lx in der Zeitdauer abgenommen, in der eier Abtastimpuls K1 „angelegt ist. Auf der anderen Seite wird im zweiten Halbbild der zweite Halbbildimpuls F2 aufdi» Gates der Schalter 4-3 ■> und 4-4 über den Eingang 7 gelegt. Daher werden die Schalter 4-3 und 4-4 im leitenden Zustand gehalten (die Schalter 4-1 und 4-2 werden im nichtleitenden Zustand gehalten), und ein Paar von abtastimpulsbeaufschlagten Lei-tungen (L0, Lx,), (Z.,4, Z,5)... (Z,,, Λ> £-,: ν- ι) werden
ι» auf die entsprechenden Ausgänge 0,,, 0}2, O13 ... O ,, der Stufen der Schaltung 3 gelegt. Im zweiten Halbbild werden dementsprechend durch ähnliche Vorgänge, wie sie im Zusammenhang mit dem ersten Halbbild erläutert wurden, Summensignale (Si , + S3 ,), (Si ι +
r. Si:), (S]-3 + Sj-3), (S]-4 + S{4) ... sequentiell auf die Signalausgangsleitung L λ in der Zeitdauer des Anlegens des Abtastimpulses Κ,ι gelegt. Summensignale (S4 , + Si1), (Si2 + Si2), [Si3 + S;-3), (Sl4 + Si,)... werden sequentiell auf die Signalausgangsleitung Lx in der
.11 Zeitdauer des Anlegens des Abtastimpulses Va abgenommen. S'jmmensignale (S]n, t + Si1/+1.1), (i'iw.2 + •S2.1/+ 1.2K (-S2Ai.3 + ^2U+1.3)» (-^2.1/.4 + S2M- I-4) ·· · werden sequentiell auf die Signalausgangs-leitung Zn in der Zeitdauer des Anlegens des Abtastimpulses K, w abge-
nommen.
Entsprechend obiger Vorgänge werden Bildelemente in der (2M+ 1 )-ten Reihe und Bildelemente in der ersten Reihe im ersten Halbbild bzw. im zweiten Halbbild nicht ausgewählt. Deshalb wird die Zeit, für die die erste Reihe und die (2Λ·/+ 1)-ten Reihe optische Information speichern doppelt so groß, und es erscheinen Signale, die größer als diejenigen von Bildelementen in anderen Reihen sind. Hinsichtlich dieser Signale ergibt sich kein Problem, weil die Auswahlzeit sowohl für die erste als
.π auch für die (2A/+l)-te Reihe innerhalb der für jedes Halbbild vorgesehenen Vertikalaustastzeit (üblicherweise ungefähr 3 ms = üblicherweise ungefähr 40 Abtastzeilen) abgedeckt werden kann.
Bei der in F i g. 1 gezeigten Schaltung muß, wenn das
4(i Auslesen der letzten Photodiode einer gewählten Zeile beendet ist, der Schalter dieser ausgelesenen Photodiode in den nicht-leitenden Zustand zurückgeführt werden, damit die Photodiode die optische Information speichern kann, die in der nächsten Halbbildperiode eingeht, und die Spannung der entsprechenden tastimpuls-beaufschlagten Leitung Lv muß auf den »O«-Pegel zurückgeführt werden. Wie in dem Diagramm nach F i g. 2 gezeigt, müssen die Spannungen der Halbbildimpulse FY und F2' eine bestimmte Zeitdauer TF, bevor die »1«-Pegeldauer der Abtastimpulse VyX, Vy2, ...und VyM enden, zum »O«-Pegel gemacht werden. Die Zeitdauer TF kann eine Zeit sein, die ausreicht, die Spannung der abtastimpulsbeaufschlagten Leitung vom »1 «-Pegel über die Schalter 4 auf »O«-Pegel zu entladen. Sie kann auf einen Wert eingestellt werden, welcher innerhalb einer Horizontalaustastdauer (ungefähr 10 \&) liegt, die jede Horizontalabtastperiode vorgesehen ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Steuerschaltung für eine von einer Matrix aus photoelektrischen Wandlerelementen (PD 1.1,...) bestehende Bildaufnahmeeinrichtung, mit Horizontal- und Vertikal-Schalteinrichtungen (2, 5) sowie Horizontal- und Vertikai-Tasteinrichtungen (1, 3) zur Steuerung der entsprechenden Schalteinrichtungen (2, S), wobei die Vertikai-Tasteinrichtungen (3) über aus jeweils vier mit ihren Drain-Elektroden (D) an Leitungen (Lv \...) der Matrix angecchlossenen MOSFET-Schaltern (4-1... 4-4) bestehende Schaltstufen (4) jeweils zwei aufeinanderfolgender Matrixleitungen (Lvt...) ansteuern, und wobei zwei der vier MOSFET-Schalter (4-1, 4-2) durch ein erstes Halbbildsignal (Fi) und die anderen beiden MOS-FCT-Schalter (4-3, 4-4) durch ein zweites Halbbildsignal (F2) betätigbar sind, dadurch gekennzeichne t, daß die MOSFET-Schaiter (4-1... 4-4) an ihren Source-Elektroden (S) mit den Halbbildsignalen (Fi, F2) beaufschlagbar und mit ihren Gate-Elektroden (G) an die Vertikai-Tasteinrichtungen (3) angeschlossen sind.
DE2834761A 1977-08-10 1978-08-08 Steuerschaltung für eine Bildaufnahmeeinrichtung Expired DE2834761C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP52095039A JPS585627B2 (ja) 1977-08-10 1977-08-10 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2834761A1 DE2834761A1 (de) 1979-02-15
DE2834761C2 true DE2834761C2 (de) 1982-04-01

Family

ID=14126924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2834761A Expired DE2834761C2 (de) 1977-08-10 1978-08-08 Steuerschaltung für eine Bildaufnahmeeinrichtung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4212034A (de)
JP (1) JPS585627B2 (de)
CA (1) CA1111549A (de)
DE (1) DE2834761C2 (de)
FR (1) FR2400296A1 (de)
GB (1) GB2002618B (de)
NL (1) NL7808186A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3329119A1 (de) * 1982-08-13 1984-02-16 Olympus Optical Co., Ltd., Tokyo Festkoerper-bildaufnahmewandler
DE3236146A1 (de) * 1982-09-29 1984-03-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor und verfahren zu seinem betrieb

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7904654A (nl) * 1979-06-14 1980-12-16 Philips Nv Televisie opneempaneel.
JPS5678364U (de) * 1979-11-14 1981-06-25
US4322752A (en) * 1980-01-16 1982-03-30 Eastman Technology, Inc. Fast frame rate sensor readout
JPS56152382A (en) * 1980-04-25 1981-11-25 Hitachi Ltd Solid image pickup element
JPS5773585A (en) * 1980-10-24 1982-05-08 Matsushita Electronics Corp Solid-state image pickup device
JPS57121374A (en) * 1981-01-21 1982-07-28 Hitachi Ltd Solid image pickup device
JPS57183180A (en) * 1981-05-06 1982-11-11 Hitachi Ltd Pulse generating circuit for solid-state television camera
JPS5820066A (ja) * 1981-07-29 1983-02-05 Hitachi Ltd 固体テレビジヨンカメラ用パルス発生回路
DE3138294A1 (de) * 1981-09-25 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor mit steuerung oder regelung der integrationszeit
JPS58137371A (ja) * 1982-02-10 1983-08-15 Hitachi Ltd 固体撮像装置
US4727406A (en) * 1982-02-12 1988-02-23 Rockwell International Corporation Pre-multiplexed detector array
EP0091678A3 (de) * 1982-04-12 1984-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Festkörper-Fernsehaufnahmeeinrichtung
US4605969A (en) * 1984-08-21 1986-08-12 General Electric Company Video pattern noise processor
FR2599920B1 (fr) * 1985-08-02 1988-12-09 Trt Telecom Radio Electr Procede d'entrelacement electronique pour camera thermique a balayage horizontal
JPH0695735B2 (ja) * 1985-12-25 1994-11-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US4922138A (en) * 1987-05-25 1990-05-01 Canon Kabushiki Kaisha Scan circuit using a plural bootstrap effect for forming scan pulses
US6693670B1 (en) * 1999-07-29 2004-02-17 Vision - Sciences, Inc. Multi-photodetector unit cell
JP2001285720A (ja) * 2000-04-03 2001-10-12 Fuji Film Microdevices Co Ltd Mos型固体撮像装置および電子カメラ
EP1303978A4 (de) * 2000-07-05 2006-08-09 Vision Sciences Inc Verfahren zur komprimierung des dynamikbereiches
WO2002043366A2 (en) * 2000-11-27 2002-05-30 Vision Sciences Inc. Programmable resolution cmos image sensor
JP6587497B2 (ja) * 2014-10-31 2019-10-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5338154B2 (de) * 1973-08-24 1978-10-13
US3932775A (en) * 1974-07-25 1976-01-13 Rca Corporation Interlaced readout of charge stored in a charge coupled image sensing array
US4031315A (en) * 1974-09-27 1977-06-21 Siemens Aktiengesellschaft Solid body image sensor having charge coupled semiconductor charge shift elements and method of operation
JPS5619786B2 (de) * 1975-02-20 1981-05-09
JPS5310433B2 (de) * 1975-03-10 1978-04-13
JPS5853830B2 (ja) * 1977-07-13 1983-12-01 株式会社日立製作所 カラ−固体撮像装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3329119A1 (de) * 1982-08-13 1984-02-16 Olympus Optical Co., Ltd., Tokyo Festkoerper-bildaufnahmewandler
DE3236146A1 (de) * 1982-09-29 1984-03-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor und verfahren zu seinem betrieb

Also Published As

Publication number Publication date
JPS585627B2 (ja) 1983-02-01
NL7808186A (nl) 1979-02-13
JPS5429517A (en) 1979-03-05
DE2834761A1 (de) 1979-02-15
CA1111549A (en) 1981-10-27
GB2002618B (en) 1982-02-10
FR2400296B1 (de) 1984-02-24
US4212034A (en) 1980-07-08
FR2400296A1 (fr) 1979-03-09
GB2002618A (en) 1979-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2834761C2 (de) Steuerschaltung für eine Bildaufnahmeeinrichtung
DE3221972C2 (de)
EP0025168B1 (de) Monolithisch integrierte Schaltung mit einem zweidimensionalen Bildsensor
EP0215972B1 (de) Schaltmatrix
DE69522013T2 (de) Ausleseschaltung für eine bildmatrix mit aktiver matrix
DE2857564C2 (de) Steuerschaltung für eine Bildaufnahmeeinrichtung
DE3345215C2 (de) Festkörper-Bildaufnahmewandler
DE3021470A1 (de) Festkoerper-bildaufnahmevorrichtung
DE3039264C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Ladungsübertragung bei einer Festkörper-Bildabtastvorrichtung
DE2310267C2 (de) Digital/Analog-Umsetzer
DE3338397C2 (de) Taktimpuls-Erzeugungsschaltung
DE3514994A1 (de) Festkoerper-bildsensor
DE2655999A1 (de) Speicherzelle mit transistoren, die mit verschiedenen schwellenwertspannungen arbeiten
DE2834882A1 (de) Elektrostatische aufzeichnungseinrichtung
DE3644266C2 (de)
DE2653285A1 (de) Einrichtung zum speichern und abrufen analoger sowie digitaler signale
DE2248423B2 (de) Ladungsübertragungssy stern
DE3789988T2 (de) Festkörpersbildsensor.
DE69010450T2 (de) Programmierbare Integrationszeit für Photosensor.
DE2341822B2 (de) Digitales Schieberegister
DE2348244B2 (de) Ladungsübertragungsdekodierer mit N Ladungssignal-Eingangspunkten
DE19756039C2 (de) Schaltungsanordnung als Teil eines Schieberegisters
DE4433869C2 (de) Bidirektionales CCD
DE3634332C2 (de)
DE2240428A1 (de) Elektronisches signaluebermittlungstor

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: STREHL, P., DIPL.-ING. DIPL.-WIRTSCH.-ING. SCHUEBEL-HOPF, U., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN

8365 Fully valid after opposition proceedings
8339 Ceased/non-payment of the annual fee