DE3045281T1 - Solution for activation of dielectric surface and obtaining conducting layer thereon - Google Patents
Solution for activation of dielectric surface and obtaining conducting layer thereonInfo
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Description
18. Februar 1981 -^- P 80 544
LÖSUNG ZUR ELSKTROCHEIViISCHEN METALLISIERUNG Vo3 045 281
DIELEKTRIKA UNU TOHFAHREN ZUR ELEKTROCHEMISCHEN
METALLISIERUNG VON DIELEKTRIKA
Die vorliegende Erfindung bezieht aich auf das Gebiet
der elektrochemischen Metallisierung, insbesondere betrifft sie eine Lösung zur elektrochemischen Metallisierung
von Dielektrika und ein Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika.
Bisheriger Stand der Technik .
Es sind bekannt und werden breit eingesetzt zum Zwecke,
der elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika Lo- *·
sungen verschiedener Zusammensetzungen. So verwendet man·-- Lösungen oberflächenaktiver Stoffe zum Entfetten der Obei-"I
fläche, das heißt, um ihr hydrophile Eigenschaften zu
^ verleihen; saure Lösungen von Zinnchlorid zur Sensibili- ■
sierung der Oberfläche; Lösungen von Palladiumchlorid zur Aktivierung
der Oberfläche, das heißt zur Erzeugung<^an der;
Oberfläche des Dielektrikums)von Teilchen metallischen Palladiums-, die den Prozeß der chemischen Verkupferung
katalysieren; Lösungen zur chemischen Verkupferung zum Aufbringen^auf die Oberfläche des Dielektrikums^einer
dünnen (1 bis 3 /Um) stromleitenden Schicht/; Lösungen
von Elektrolyten zum galvanischen Aufwachsen einer Metall schicht erforderlicher Dicke (UdSSR-Urheberschein Nr.
2$ 240061, bekanntgemacht am 21. März 1969, Bulletin Nr. 12,
Klasse H05K 3/06).
Bekannt sind Abarten der oben angeführten Gesamtheit
der Lösungen, die insbesondere daduroh ge kennzeichnet werden,
daß man zur Aktivierung der Oberfläche Salze von Edelmetallen (Gold, Silber, Platin u.a.m.) verwendet und
auf die aktivierte Oberfläche eine stromleitende Scnicht
aus anderen Metallen (Nickel, Kobalt, Eisen u.a.m.) chemisch absoheidet. Entsprechend unterscheiden sich auch
die Lösungen zur chemischen Metallisierung, die aus einem
Salz des zu reduzierenden Metalls (Kupfer, Nickel, Kobalt, Eisen u.a.m.), einem Reduktionsmittel (Natriumborhydrid,
Formaldehyd, Hydrazin u.a.m.) und einem Stabilisator, einer Lösung eines Komplexbildners für Metall ionen (Zitronensäure,
Seignette-iSaln u.a.m.), oder einem oberfläohen-
1 30617/0044
304528'ί
"" ti* "■
aktiven Stoff (Dodezylaminazetat u.a.m.) bestehen (US-
-PS Nr. 3·515·649, bekannt ge macht ata 2. Juni 191Zu, IPK,
C. 25C 17/00, US-Klasse 204-38; US-PS Nr. 3.555-085, bekannt
gemacht am 5.Januar 1971, IPK C23d 5/60, US-Klasse
ι, 204-30; US-PS Nr. 3.764.488, bekanntgemacht am 9. Oktober
I973, IPK B 44d I/O92, US-Klasse 240-3813; US-PS
Nr. 3.563.784, bekanntgemacht, am 16.Oktober 1971» IHK
C23c 3/00, US-Klasse 117-47).'
Bekannt ist auch eine Lösung zur elektrochemische^ :
Metallisierung von Dielektrika, die für die Aktivierung : .:
der überfläche vor der chemischen Metallisierung verwendet',
wird. Diese weist folgende Zusammensetzung auf: PdCl2 0,5
bis 1 g/l; U2SO4 40 bis 200 ml/1; SnCl2 30 bis 50 g/l; HCl
10 bis 50 ml/1 ( US-PS Nr.3 650.913» bekannt ge macht am
Vj 21. März I972, IPK 023b 5/60, US-Klasse 204-30).
Bekannt ist außerdem eine Gesamtheit von Lösungen zur
elektröchemischeni/letallisierung von Durchgang β löchern mehrschichtiger
Druckplatten, die sich von den oben genannten durch die zusätzliche Verwendung vor der Aktivierung der
Oberfläche der Wandungen der Löcher einer salzsauren Lösung
von Rhodiumchlorid der folgenden Zusammensetzung unterscheidet:
iihodiumchlorid 4,5 bis 5 S/l» Salzsäure 200 bis 250 g/l (UdSSR-Urheberschein Nr. 470940, bekanntgemacht
am 15. Iviai 1975, Bulletin Nr. Ib, Klasse H05K 3/00).
Alle oben genannten Lösungen zur elektrochemische Metallisierung
enthalten wirtschaftlich nicht vertretbare und schwer zugängliche Stoffe, wie Salze der iädelmetalle (P<dladium,
Gold, Silber, Platin, Rhodium), Stabilisatoren wie
Zitronensäure1^ Seignette-Salz. l>ie oben genannten Lösungen
VjQ zur elektrochemischen wile tallisierung sind wenig bestandig
und erfordern es, daß sie häufig eingestellt und ersetzt werden. Die genannten Lösungen zur elektrochemischen Metallisierung
erlauben es nicht, einwandfreie chemische Überzüge mit hoher Reproduzierbarkeit aufzubringen.
^ Bekannt ist auch eine Lösung zur elektrochemischen Metallisierung
von Dielektrika der folgenden Zusammensetzung,
g/l: Kupfersalz (umgerechnet auf metallisches Kupfer) 35 bis 40, Kaliumpyrophosphat 450 bis 500,. Ammoniak 3 bis 6,
130617/0044
- if -
Zitronensäure IO bis 20 (UdSSR-Ur heber a ehe in
Nr. 15936.8, bekannt ge macht 1965, Bulletin Nr. 24, Klasse
C25 B 5/18).
Diese Lösung besitzt ein schwaches Aktivierungsverc
mögen gegenüber den Dielektrika; infolgedessen gewährleistet sie nicht die erforderliohe Qualität der stroia-
die ist das
leitenden Schicht,/ bestiiniat/für, galvanische Aufwachsen
eines ■ ' ' '
/ Metallüberzuges an der Oberfläche des Dielektrikums.
Bekannt sind auch verschiedene Verfahren zur elek-
IQ trochemischen Metallisierung von Dielektrika» die breit . "■.
in der Praxis angewandt werden.
So wird beispielsweise die elektrochemische Metalli---sierung
von Dielektrika wie folgt durchgeführt. Die Ober·- ·.. fläche wird entfettet und mit Wasser gewaschen. Dann wird \
I^ die Aktivierung der Oberfläche vor dem Aufbringen der
' stromleitenden Schicht durch Behandlung der Oberfläche m>.t--:
einer Zinnchloridlösung, Waschen, Behandlung mit einer Palladiumchloridlösung und Waschen durchgeführt. Durch die
Aktivierung werden an der Oberfläche Teilohen metal-
2Q lischen Palladiums erzeugt, die als Initiator des Prozesses
der chemischen Verkupferung dienen. Durch die chemische Verkupferung erzeugt man an der Oberfläche des Dielektrikums
eine stromleitende Schicht. Dann führt man nach
dem Waschen das galvanische Aufwachsen eines Überzuges erforderlicher Dicke durch. Somit ist die das genannte
Verfahren kennzeichnende Gesamtheit der aufeinanderfolgenden
Operationen wie folgt: iftitfetten, Waschen, Aktivierung,
Erzeugung (durch chemische Verkupferung) der stromleitenden Schicht, Waschen, galvanisches Aufwaohsen des Überzuges
(UdSSR-Urheberschein Nr.240061, bekanntgemacht am 21.Hi>ärz
1969 Bulletin Nr. 12, Klasse H05K 3/06).
Ein weiteres bekanntes Verfahren zur elektrochemischen
Metallisierung von Dielektrika unterscheidet sich von dem genannten dadurch, daß die Aktivierung der Oberfläche
unter Verwendung einer vereinigten Lösung von Zinnchlorid und Palladiumchlorid durchgeführt wird, wodurch
es möglich wird, die Operationen der Sensibilisierung und der Aktivierung in einem Arbeitsgang durchzu-
130617/0044
— 3 —
führen und einen vaschvorgang zu vermeiden (Ui]-PS
JMr. 3.650.91$, bekannt gemacht am 21. März 1972, IPK
C 23 B 5/60, US-Klasse 204-30).
Die genannten Verfahren zur elektrochemischen Iw at allisierung
von Dielektrika zeichnen sich durch Kompliziertheit aus, bedingt durch die kehrst ufigke it, lange
Dauer des technologischen Prozesses, die Notwendigkeit,
unbeständige Lösungen von Zinnchlor J.d, vereinigte Aktivierungslösungen,
Lösungen zur chemischen Metallisierung
zu bereiten und häufig einzustellen, die Notwendigkeit,
die Abfälle der Edelmetalle Palladium und Rhodium zu ver-. werten, die Arbeitsintensität und schlechte Reproduzier—-barkeit
der Prozesse der chemischen Metallisierung. Aulier-
eine .
dem sehen diese Verfahren/wirtschaftlich nicht vertrat ba-'
3_c re Verwendung schwer zugänglicher Stoffe wie Salze von
Palladium, Gold,. Silber, Platin, Rhodium, Zitronensäure, ..
ßaignette-Salz u.a.m. vor.
Bekannt ist auch ein Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung, welches bei der Metallisierung von Wandun-
2Q gen der Durchgangslöcher mehrschichtiger Druckplatten angewandt
wird. Das Verfahren unterscheidet sich von den oben
genannten Verfahren durch die Einschaltung einer
Behandlung der Oberfläche in der Lösung von Rhodiumchlorid
nach dem Entfetten und Wascheiuter
Zweck dieser Operation besteht in folgendem. Wenn die Metallisierung
nach dem oben genannten Verfahren durchgeführt wird, so kommt es bei der -Behandlung der Wandungen
der Löcher in der Palladiumchlor id lösung zur Kontaktabscheidung
eines .Filmes metallischen Palladiums an den
^q Stirnseiten der Kupferkontaktflächen. Dieser Palladiumfilm nimmt im Prozeß der Herstellung und des Betriebs der
Druckplatte wirksam Wasserstoff auf und wird zu Palla-
diumh./drid, einem spröden elektrisch nichtleitenden Material,
umgewandelt,wodurch der mechanische und elektrische Kontakt gestört wird und die Platte ausfällt. Die Einschaltung
der Operation der Behandlung der Wandungen der Löcher in der Rhodiumchlor idlösung gestattet es, an den Stirnseiten
der Kupferfolie einen Schutzfilm metallischen Rho-
130617/0044
diums abzuscheiden, der die Bildung eines Palladium? ilms
in der Folgezeit verhindert (UdSSR-Urheberschein Nr.470940,
bekanntgemacht am 15· Mai 1975, Bulletin Nr. 18, IHC H05K
3/00).
Dieses Verfahren ist, wie auch die oben genannten Verfahren, mehrstufig, zeichnet sich durch große Dauer der
technologischen Operationen, die Notwendigkeit, die unbeständigen
Zinnchloridlösungen, die vereinigten Aktivierungslösungen, die Lösungen zur chemischen Metallisierung ein-
zustellen, die Notwendigkeit, die Abfälle der Edelmetalle :.;
Palladium und Rhodium zu verwerten, aus. Außerdem gewährleistet dieses Verfahren nicht die hohe Zuverlässigkeit
der Zwischenschichtverbindungen in den Druckplatten, weil die Haftfestigkeit der Metallisierungsschicht an der dielektrischen
Oberfläche der Lochwandung nur drei- bis ,fünffache Umlötung der Löcher gewährleistet.
Offenbarung der Erfindung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrund, durch
einer Schaffung einer neuen Zusammensetzung / Lösung zur elektrochemische
Metallisierung von Dielektrika und die Veränderung der technologischen Verfahrensschritte
zur elektrochemischen Metallisierung das Aktivierungsvermögen der Lösung zu erhöhen, die Technologie des Prozesses
der elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika
zu vereinfachend/die Adhäsion der Metallschichtfder Oberfläche
des Dielektrikums zu erhöhen.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Lösung zur elektrochemische» Metallisierung von Dielektrika, welche ein
Kupfersalz, ein phosphorhaltiges Salz, einen Stabilisa-
*or und Wasser enthält, erfindungsgeraäß als phosphorhaltiges
Salz ein ^aIz der hypophosphorigeh Säure bei folgendem
Verhältnis der genannten Komponenten in g/l enthält;
Kupfersalz 35 bis 350
Salz der hypophosphorigen Säure 35 bis 400
Stabilisator 0,04 bis 250
Wasser bis zur Auffüllung auf 1 Liter.
Zur gleichmäßigeren Kristallisation des metallischen
Kupfers an der überfläche des Dielektrikums kann die ge,-nannte
Lösung zusätzlich Alkaliorthophosphat in einer
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Menge von 1 bis 14 g/l enthalten. Außerdem kann die Lösung
zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika zusätzlich Aramoniumfluorid in einer Menge von 2 bis 36 g/l
enthalten. In Gegenwart des genannten Zusatzes von Ammoniumfluorid
wird es möglich, den Prozeß der Erzeugung der stromleitenden Schicht ^11 der Oberfläche des Dielektrikums
bei einer niedrigeren Temperatur durchzuführen. Die erfindungsgemäße Lösung zur elektrochemischen Metallisierung
von Dielektrika kann auch zusätzlich Alkaliortho- ; — phosphat in einer Menge von 1 bis 14 g/l und Ammoniui.i- : :
fluorid in einer Menge von 2 bis 36 g/l enthalten, was eine Erhöhung des Aktivierungsvermögens der Lösung bewirkt.
. : Die gestellte Aufgabe wird auch dadurch, gelöst, daß man in dem Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung : :
von Dielektrika, das Vorbereitung der Oberfläche des
Dielektrikums, Aktivierung der Oberfläche des Dielektri-
kums, Erzeugung einer stromleitenden Schicht auf dieser/
elektrochemisches Aufwachsen eines Metallüberzuges vor-
2Q sieht, erfindungsgemäß die Aktivierung der Oberfläche des
Dielektrikums und die Erzeugung der stromleitenden Schicht
auf dieser gleichzeitig durch Benetzen der Oberfläche des Dielektrikums mit der oben genannten Lösung durchführt
unter anschließender Wärmebehandlung bei einer Temperatur
von 80 bis 35O0C. Man führt vorzugsweise die Wärmebehandlung
durch Bestrahlung mit IR-Strahlen bei einer Temperatur von 220 bis 27O0C innerhalb von 7 bis 20 Sekunden
durch. Man führt zweckmäßigerweise die Wärmebehandlung
auch durch gemeinsame Bestrahlung mit IR- und UV- -Strahlen bei einer Temperatur von 180 bis 2200C innerhalb
von 5 bis 12 Sekunden durch.
Zur Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit der strom-
,, eine
leitenden Schicht kann nach der Wärmebehandlung/chemische
Verkupferung der Oberfläche des Dielektrikums durchgeführt
werden.
Die erfindungsgeniäiäe Lösung zur elektrochemische11 Me-
Θ-ΐη
tallisierung von Dielektrika besitzt/erhöhtes Aktivierungsvermögen.
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Das erf indungsgemäße Verfahren ermöglicht es, die
'l'echnologie des Prozesses zu vereinfachen die Adhäsion
an
der Metallschichtider Oberfläche des Dielektrikums zu erhöhen.
Die erfindungsgemäße Losung beziehungsweise das
Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika/ermöglichen
es, Überzüge von gegenüber den bekannten Lösungen und Verfahren höherer Qualität aufzubringen, besonders
bei der elektrochemischen Metallisierung von · Durchgangslöchern der Druckplatten sowie in vielen Fäl- -.-len,
wo sich die bekannten Lösungen und Verfahren als ungeeignet erweisen,/beispielsweise bei der Metallisierung "".
der Piezokeramik. "■
Beste AusführungsVariante der Erfindung
Die erfindungsgemäße Lösung enthält Kupferionen ■-.-.
-[C (starkes Oxydationsmittel) und Hypophosphit ionen (starkes"
Beduktionsmittel). Als Kupfersalze kommen beliebige in Wusser
gut lösliche Kupfersalze ,wie Kupfersulfat, Kupferselenat, Kupfernitrat und andere in Frage.
Als Balze der hypophosphorigen Säure werden solche
Salze wie Natriumhypophosphit, Kaliumhypophosphit, AIuminiumhypophosphit
und andere verwendet.
Die erfindungsgemäßen mengenmäßigen Verhältnisse der
genannten Komponenten der Lösung gestatten es, das höchste Aktivierungsvermögen zu gewährleisten. Die erfindun^'sgemäße
Lösung kann durch gewöhnliche Auflösung der Komponenten in der genannten tfeihenfolge in. destilliertem
Wasser bei Zimmertemperatur bereitet werden.
Zur Verhinderung der Oxydationa-Keduktiöns-Wechselwirkung
enthält die Lösung einen St ii.ilisator. Als Stabilisa-
,Q tor für eine solche Lösung können Komplexbildner für Kupferionen,
wie Triethylendiamin, Ithylendiamiii, Ammoniak,
Glyzerin und andere dienen. Die stabilisierende Wirkung solcher Komplexbildner besteht darin, daß sie die
Übertragung der Elektronen von den Hypophosphitionen an die
Kupferionen verhindern. Andererseits können als Stabilisatoren für eine solche Lösung oberflächenaktive Stoffe,
wie Dodezyl aminazetat,dienen. Solche Stabilisatoren
können nicht eine direkte übertragung der Elektronen von
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_ 3 —
den Hypoaphitionen an die Ionen des Reduktionsmittels
verhindern, üln solcher Prozeti aber, wenn er auch Zustandekommen
kann, ist nach seiner Natur ein autokatalytischer Prozeß, das heißt die entstandenen teilchen des me-
^ tallischen Kupfers werden zu Zentren, die diesen Prozeß initiieren und beschleunigen. Die stabilisierende Wirkung
solcher oberflächenaktiver Stoffe aber besteht darin, daß...
sie die in der Lösung entstehenden Kupferteilchen passi- -.
vieren und den Übergang des Oxydations-Reduktions-Pro- ' '
zesses in den autokatalytisehen Prozeß verhindern.
Somit ist die Kupferionen und I-Iypophosphitionen ent-· ".
haltende Lösung in Gegenwart von Stabilisiatoren hinrai- *·■'
chend beständig bei Zimmertemperatur. Sie ist jedoch ine- ■-.·
t astabil.
L^ Bei der Erhitzung des mit einer solchen Lösung be~
. netzten Dielektrikums aber entwickelt sich infolge der Aktivierung
der chemischen Umwandlungen der Prozeß der Reduktion des Kupfers, wobei die Kristallisation des metallischen
Kupfers an der Oberfläche des Dielektrikums vor allern·
an den Unvollkommenheiten der Oberfläche, das heißt in
den Poren, Rissen u.a.m. erfolgt, was gerade im Endergebnis
die erzielte Haftfestigkeit gewährleistet.
In Gegenwart eines Zusatzes von Alkaliphosphaten (solcher wie Matriumphosphat, Kaliumphosphat und andere) wird
^u, eine gleichmäßigere Ausfüllung der Oberfläche herbei^et'iihi.t,
während in Gegenwart eines Zusatzes von Auimonj umfiuorid
es möglieh wird, den Prozeli der Urzeugung dor
stromleitenden Schicht an der Oberfläche des Dielektrikums
bei einer niedrigeren Temperatur durchzuführen.
j)O' Die Erzeugung der stromleitenden Schicht an der Oberfläche
de3 Dielektrikums kann in einem breiten 'ieiaperaturenbereich
durchgeführt werden, wobei die Wärmebehandlung unter der Wirkung der IR-Strahlung bei einer Temperatur
von 220 bis 2?0°C innerhalb von 7 bis 20 Sekunden
■/,5 wirksamer ist. Ein besonders wirksames Resultat erhalt
man bei gemeinsamer Wirkung der IR- und UV-Strahlung bei einer Temperatur von 180 bis 2200G innerhalb von 5 bis
12 Sekunden, weil die UV-Strahlung die chemischen Umset-
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zungen zusätzlich stimuliert.
Durch die Wärmebehandlung der Oberfläche des mit der
oben genannten Lösung benetzten Dielektrikums bildet sich
an der Oberfläche des Dielektrikums ein Niederschlag von
schwarzer Farbe, welcher aus Teilchen feindispersen metallischen Kupfers besteht.
Aufgrund der spezifischen "Eigenschaften des feindispersen lüet alls ist eine solche Oberfläche bei
-^es angelegtem elektrischen JPeId stromleitend .".
trotz des möglichen Fehlens eines engen mechanischen Kon-;,,
taktes solcher Teilchen. Gerade dadurch wird es möglich,
eine Metallschicht erforderlicher Dicke direkt, unter Vel- :
melden einer chemischen Verkupferung galvanisch
aufzuwachsen. Jedoch können aufgrund derselben spezifischen-.
Eigenschaften des Metalls in hochdispersem. Zustand die au..:
' der Oberfläche bei der Wärmebehandlung entstandenen Teilchen
des metallischen Kupfers als Katalysator für den Prozeß der chemischen Verkupferung dienen. Daduroh wird es
möglich, im Bedarfsfall die chemische Verkupferung der Oberfläche nach der Wärmebehandlung und Wäsche des Dielektrikums
zum Zwecke einer Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit der stromleitenden Schicht durchzuführen, was
sich bei dem darauffolgenden galvanischen Aufwachsen der
Metallschicht erforderlicher Dicke günstig auswirkt. Die
Erzeugung/an der Oberfläche des Dielektrikums<einer stroinleitenden
Schicht^)gestattet ea, verschiedene Metalle aus entsprechenden Elektrolyten galvanisch aufzuwachsen.
Die Wirksamkeit der Anwendung der erfindungsgemäßen
Lösung beziehungsweise des Verfahrens zur elektrochemisehen
Metallisierung kann am Beispiel eines konkreten technologischen Prozesses der Metallisierung der Wandungen
von Durchgangslöchern in Druckplatten illustriert werden, der ein besonders wichtiges Problem auf dem Gebiete der
Metallisierung von Dielektrika darstellt.
Die elektrochemische Metallisierung der Wandungen von
Durchgangslöchern in Druckplatten wird wie folgt durchgeführt. Aus einer Folie von TQxtolit (mit Kunstharz getränkter
Glasfacerstoff) schneidet man Halbzeuge von der
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Größe der jeweiligen Platten, bringt Fotoresist auf, exponiert, bringt Schutzlack auf, bohrt Löcher nach
dem Leitungsbild, entfettet die Wandungen der Löcher und
wäscht. Dann benetzt man die Wandungen der Löcher mit der erfindungsgemäßen Lösung und fuhrt danach die Wärmebehandlung
vorzugsweise mit den IR-Strahlen oder gemeinsam mit den
IR- und UV-Strahlen bis zur Schwärzung der Wandungen der
Löcher der Druckplatten durch/ wäscht/. Nach der Wäsche --
das ' '<—>
führt man/elektrochemische Aufwachsen/auf die Wandungen ;
der Löcher^einer Metallschicht erforderlicher Dick«i>
durch. Das genannte Verfahren weist gegenüber dem bekannten Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung von Durctigangslöchern
der Druckplatten folgende Vorteile auf.
Erstens wird der technologische Prozeß der elektro- '■/-chemischen
Metallisierung von Durchgangslöchern der Druckplatten wesentlich vereinfacht, wie dies aus dem angeführ-,
ten technologischen Schema folgt. Die Vereinfachung ist verbunden mit der Verringerung der Anzahl der Operationen,
mit der Senkung der Dauer des Prozesses (die für die Vorbereitung der Löcher zum elektrochemischen Aufwachsen des
Überzuges benötigte Zeit sinkt von 35 ■·"' 4-0 Minuten bis
2 — 15 Minuten in Abhängigkeit von den Bedingungen der Wärmebehandlung), mit dem Wegfall der Notwendigkeit, bei
der Aktivierung der Wandungen der Löcher und ihrer chemisehen
Verkupferung verschiedene Lösungen zu bereiten, zu verwenden, einzustellen und die Abfälle dieser Lösungen
zu veiwerten. Die Ausschaltung der chemischen Ve rkupfe rung gestattet es, in einem Betrieb mit Serienfertigung
die Straße der Metallisierung von Löchern
JO von 20 m auf 8 m zu verkürzen, Produktionsflächen und Arbeitskräfte
freizumachen.
Zweitens wird die Adhäsion des Metallüberzuges an-den
den Wandungen der Löcher verbessert. Das erfindungsgemäße Verfahren schließt die Probleme der technologischen Zuverlässigkeit
des Haftens des Metallüberzuges an den Stirnseiten der Kupferlcontaktflächen aus, da die Verwendung von
Palladiumsalzen vermieden wird. Andererseits bewirkt das
Verfahren eine Erhöhung der Haftfestigkeit an der dielek-
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trIschen Oberfläche der Wandungen der Löcher. Die Ergebnisse
der Prüfung der Haftfestigkeit des metallisierten Hohlniets
an den Wandungen der Löcher ergaben, daß die Löcher
in den Platten eine 12 bis 15fache UiulÖtung zulassen,
während nach dem bekannten Verfahren nur eine 3 bis 5fache Umlötung ermöglicht wird.
Drittens schließt das Verfahren die wirtschaftlich
nicht vertretbare Verwendung schwerzugänglicher Stoffe
aus, die in dem bekannten Verfahren verwendet werden.
Zum besseren Verstehen der vorliegenden Erfindung werden nachstehend konkrete Varianten der erfindungsgemäßen
Lösung beziehungsweise des Verfahrens zur elektro- .
chemischen Metallisierung von Dielektrika angeführt. '. Beispiel 1. Man verwendet eine Lösung zur elaktrocnemischenMetallisierung
von Dielektrika der folgenden Zu-' sammensetzung, g/l
Kupf er sulfat 350
Natriumhypophosphit 400
Tr iäthylend i amin 180
^is Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten
in der genaruiten Reihenfolge in destilliertem Wasser.
Die Lösung verwendet man zur elektrochemischen Metallisierung der Wandungen von Durchgangslöchern von Druckplatten
bei der Erzeugung der stroraleitenden Schicht an der Oberfläche
der Wandungen vor dem galvanischen Aufwachsen.
Die Herstellung von Druckplatten erfolgt in folgender Reihenfolge. Aus einer Folie von Textulit (mit Kunstharz
getränkter Glasfaserstoff) schneidet man Halbzeuge von der Größe der jeweiligen Platten mit einer Zugabe von
XQ 15 mm, bringt Fotoresist auf, exponiei/t, bringt
Schutzlack auf, bohrt Löcher nach dem Leitungsbild, entfettet die Wandungen der Löcher in der Lösung eines ober-
und einer
flächenaktiven Stoffes ^ wäscht. Die Erzeugung / stromleitenden
Schicht an der Oberfläche der Wandungen der Löeher erfolgt wie folgt. Man benetzt die Halbzeuge mit der
oben genannten Lösung innerhalb von 0,5 Minuten, führt die Wärmebehandlung mit den IR-Strahlen bei einer Temperatur
von 2200C innerhalb von 20 Sekunden bis zur Schwärzung dar
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und Wandungen der Löcher der Druckplatten durch wäscht in
kaltem fließendem Wasser. Danach entfernt man den Schutzlack, scheidet auf die Wandungen der Löcher und die stromführenden
Spuren eine Kupferschient unter folgenden Be-
^ dingun^en galvanisch ab:
Zusammensetzung des Elektrolyten, g/l:
Kupfervitriol 230
Schwefelsäure (spezifisches Gewicht 1,84) 60
Äthanol 10 ^
stromdichte 3 bis 4 A/dm ,....
Zeitdauer der elektrochemischen Verkupferung 60 Minuten, --Kupf
erschichtd icke 30 um, 'Temperatur der Lösung 18 bis. -..
Dann scheidet man galvanisch einen Schutzüberzug aus-'
Silber von 12 Jum Dicke ab, ätzt das Kupfer von den -----nichtdruckenden Elementen weg und führt die mechanische
Fertigbearbeitung der Platten durch.
Durch die elektrochemische ivietallisierung wird an der
Oberfläche der Wandungen der Löcher der Druckplatten eine
dichte, gleichmäßige, feinkristalline leuchtend rosafarbene
Schicht abgeschieden. Die Haftfestigkeit der Metallschicht.·
an der Oberfläche der Wandungen der Löcher ermöglicht eine mindestens 12fache Umlötung der Löcher, was
den an die metallisierten Löcher der Druckplatten gestellten Forderungen durchaus genügt.
Beispiel 2. ivian verwendet eine Lösung zur elektrochemische
Metallisierung der folgenden Zusammensetzung, g/l:
■Kupferselenat .180
.Natriuuihypophosphit 160
VQ Glyzerin 90
Ammoniumfluorid .....36
Die Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten in der genannten Reihenfolge in destilliertem Wasser.
Die Lösung verwendet man zur elektrochemischen Metallisierung der Wandungen von Durchgangslöchern der Druckplatten
bei der Erzeugung der stromleitenden Schicht an der Oberfläche der Wandungen vor dem galvanischen Aufwachsen.
Die Herstellung der Druckplatte erfolgt analog
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dem in Beispiel 1 beschriebenen. Die Erzeugung der strom-Ieitenden
Schicht an der Oberfläche der Wandungen der Löcher
erfolgt wie folgt. Man benetzt das Halbzeug mit der oben genannten Losung 1 Minute lang, führt dann
die Wärmebehandlung mit den IH-Btrahleη bei einer Temperatur
von 27O0C innerhalb von 7 Sekunden bis zur Schwärzung
der Wandungen der Löcher durch / wäscht in f lie Ii end em
Wasser. Dann führt man zum Zwecke einer Erhöhung der eleic-:
tr iseheη Leitfähigkeit der stromleitenden Schicht die Y
chemische Verkupferung der Wandungen der Löcher in der bekannten
Lösung mit der Zusammensetzung, g/l:
Kupfersulfat 60
Kaliumnatriumtartrat 180
Ät znatr on 50
Natriumkarbonat .. 46
Nickelchlorid J
Formald ehyd 15
innerhalb von 15 Minuten bei einer Temperatur von 200C
durch.
Danach wird die Herstellung der Druckplatte analog der in Beispiel 1 beschriebenen durchgeführt.
Durch die elektrochemische Metallisierung wird an der
Oberfläche der Wandungen der Löcher der Druckplatten eine
dichte, gleichmäßige, feinkristalline leuchtend rosafar-ibene
Schicht abgeschieden. Die Haftfestigkeit der Metallschicht an der Oberfläche der Wandungen der Löoher ermöglicht
eine mindestens 12fache ümlötung der Löcher, was den
an die metallisierten Löcher der Druckplatten gestellten Forderungen durchaus genügt.
^O Beispiel 3« Iviaa verwendet eine Lösung für elektrochemische
Metallisierung von Dielektrika der folgenden Zusammensetzung, g/l:
Kupfersulfat 55
Kaliumhypophoaphit 55
Dodezylaminazetat 0,004
Die Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten in der genannten Reihenfolge in destilliertem Wasser.
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iHe Lösung verwendet man zur elektrochemischen kitallis
K1 rung sowohl der Wandungen der Durchgang si ocher als auch
der Oberfläche der Druckplatte bei ihrer Herstellung 3iach
der halbadditiven Methode.
t Die Herstellung der Druckplatte nach der halbadditiven
Methode wird wie folgt durchgeführt. Das Halbzeug aus mit
einem Haftmittel aus Epoxykautsch.uk überzogenem Textolit-(mit
Kunstharz durchtränkter Glasfaserstoff) mit durenge- bohrten
Löchern entfettet man durch Waschen in Dimethyl- - ■
-|_q formamid innerhalb von 30 Minuten, ätzt das Haftmittel beieiner
Temperatur von 200C 2 Minuten lang in einer"
Lösung, welche (g/l) Chromsäureanhydrid 950, Bchwefelsäu-'■
re u5,5, üisensulfat 3 enthält / wäscht mit Wasser. Die Er-zeugung
der stromleitenden Schicht an der Oberfläche der' *
-, c Wandungen der Löcher und der Platte erfolgt" wie folgt. : ■"
*-s 2 Minuten laiig .
Das Plalbzeug benetzt man/mit der oben genannten Lösurg
' ' es
und unterwirft/einer Wärmebehandlung mit IR-Strahleη bei einer Temperatur von 2500C
für 15 Sekunden bi3 zur Schwärzung der Wandungen
dev Löcher und der Oberfläche der Platte, wonach die Platte
gewaschen wird. Zum Zwecke einer Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit der streinleitenden Schicht führt man
die chemische Verkupferung der Wandungen der Löcher und
der Oberfläche der Platte in der bekannten Lösung der foltuenden
Zusammensetzung, g/l, durch:
Kupfersulfat 35
Kaliumnatriumtartrat 60
Δt znatr on 50
!Natriumkarbonat 30 .
Formalin (Jäfcig) ♦ 20 bis 30 ml/1
Die Zeitdauer der chemischen Verkupferung beträgt 30 IViinuten, die Temperatur 2O0C. Die Platte wäscht man mit
Wasser und führt das galvanische Aufwachsen einer Kupferschicht auf die Wandungen der Löcher und die Oberfläche
der Platte durch. Die weitere Herstellung der Druckplatte
erfolgt in an sich bekannter Weise.
Durch die elektrochemische Metallisierung wird an der Oberfläche der Wandungen der Löcher der Druckplatten eine
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w 30A5281
dichte, gleichmäßige, feinkristalline leuchtend rosafarbene
Schicht abgeschieden. Die Haftfestigkeit der Metallschicht
an der Oberfläche der Wandungen der Löcher ermöglicht eine mindestens 12fache Uinlötung der Löcher, was den an die metallisierten
Löcher der Druckplatten gestellten Forderungen durchaus genügt. Die Haftfestigkeit der Metallschicht
an der Oberfläche der Hatte beträgt 380 bis 420 p/Jmia, was,
die in den bekannten Verfahren zur elektrochemischen toetälr. lisierung von Dielektrika erreichten Haftfestigkeitswerte -"·
übersteigt.
Beispiel 4. Man verwendet eine Lösung zur elektro- -;
cheiüische^jietallisierung von Dielektrika der folgenden Zu--.,
sainmensetzung, g/l: .
Kupfernitrat 280
l_5 Kaliumhypophosphit 240 --:
Ammoniak 235
Kaliumphosphat 14
Aimiioniumf luor id 2
Die Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten
in der genannten Reihenfolge in destilliertem Wasser.
Die Lösung verwendet man zur elektrochemischen Metallisierung von Piezokeramik. Dazu entfettet man eine Platte
aus Piezokeramik, hergestellt aus Bariumtitanat, in einer
Lösung eines oberflächenaktiven Stoffes und wäscht. Die Erzeugung der stromleitenden Schicht an der Platte aus
Piezokeramik erfolgt wie folgt, ftian benetzt die Platte
mit der oben genannten Lösung 20 Sekunden lang und unterwirft/dann eiaer Wärmebehandlung bei einer Temperatur
von 8O0G innerhalb von 10 Minuten bis zur üchwär-
^O ζung der Oberfläche dec Platte, wonach die Platte mit Wasser
gewaschen wird.
Das galvanische Aufwachsen einer Kupferschicht auf die Oberfläche der Platte erfolgt analog dem in Beispiel 1
beschriebenen.
Durch die elektrochemische Metallisierung wird an der
überfläche der Platte eine dichte, gleichmäßige, feinkristalline leuchtend rosafarbene Schicht abgeschieden.
Die Haftfestigkeit der to et all schicht: an der Oberflüche der
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Platte aus Piezokeramik beträgt 400 bis 430 p/3mm.
Beispiel 5. Man verwendet eine Lösung zur elektrochemische^Metallisierung
von Dielektrika der folgenden Zusammensetzung, g/l:
Kupferselenat 110
Ammoniumhypophosphit 100
Ammoniak 150
Die Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten
in der genannten Keihenfolge in destilliertem Was- :
ser. Die Lösung verwendet man zur elektrochemischen Metallisierung von Sital bei der Erzeugung einer stromleitenden
Schicht an der Oberfläche vor dem galvanischen; Aufwachsen. Dazu entfettet man eine Platte aus nicht geschliffenem
Sitall in einur Lösung eines oberflächenaktiven Stoffes und wäscht. Die Erzeugung der stromleitenden
Schicht an der Platte erfolgt wie folgt. Man benetzt die Platte 40.Sekunden lang mit der oben genannten Lösung und
unter unterwirft sie danach 10 Sekunden lang einer WärrnebehandlungT
^^^ und UV-Strahlen bei einer
Temperatur von 200°C bis zur
Schwärzung der Oberfläche der Platte, wonach die Platte mit Wasser gewaschen wird.
Das galvanische Aufwachsen einer Kupferschicht auf die Oberfläche der Platte erfolgt analog dem in Beispiel
1 beschriebenen.
Durch die elektrochemische Metallisierung wird an der Oberfläche der Platte aus Sitall eine dichte,
gleichmäßige, feinkristalline leuchtend rosafarbene Schicht abgeschieden. Die Haftfestigkeit der Metallschicht
an der Oberfläche der Platte aus Sitall beträgt 460 bis 480 p/3 mm.
Beispiell6. Man verwendet eine Lösung für elektrochemische
Metallisierung von Dielektrika der folgenden Zusammensetzung, g/l;
Kupfersulfat 50
Kaliumhypophosphit , 50
Äthylendiamin ...*...., 34
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Dodezylaminazetat 0,00?
Kaliumphosphat .. 14
Die Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten in der genannten Reihenfolge in destilliertem
Wasser. Die Lösung verwendet man zur elektrochemischen Metallisierung von Karton bei der Erzeugung einer stromleitenden
Schicht an seiner Oberfläche vor dem galvani- : sehen Aufwachsen. Dazu entfettet man eine Platte aus
Karton in einer Lösung einea oberflächenaktiven Stoffes
und wäscht. Die Erzeugung der stromleitenden Schicht an
der Platte erfolgt wie folgt. Man benetzt die Platte mit der oben genannten Lösung 30 Sekunden lang und
unterwirft sie danach 5 Sekunden lang einer Wärmebehandlung unter
aleizeitiger Einwirkung ' . .
"pön jlH-Strahlen und UV-Strahlen bei einer Temperatur von
35O0O bis zur Schwärzung der
' Oberfläche der Platte, wonach die Platte mit Wasser gewaschen
wird.
Das galvanische Aufwachsen einer Kupferschicht auf die Oberfläche der Platte erfolgt analog dem in Beispiel
1 beschriebenen.
Durch die elektrochemische Metallisierung wird an der Oberfläche der Platte aus Karton eine dichte, gleichmäßige,
feinkristalline leuchtend rosafarbene Schicht abgeschieden. Die Haftfestigkeit der Metallschicht an
der Oberfläche der Platte aus Karton beträgt 350 bis
370 p/3 mm.
Beispiel 7. Man verwendet eine Lösung zur elektrochemische*1
Metallisierung von DielektriKa der folgenden
Zusammensetzung, g/1:
Kupfernitrat 200
Natriumhypophosphit 190
Äthylendiamin 84
Natriumphosphat 1
Die Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten in der genannten Reihenfolge in destilliertem
Wasser. Die Lösung verwendet man zur elektrochemischen Metallisierung eines Erzeugnisses aus Hartgummi bei der
Erzeugung einer stromleitenden Schicht an der Oberfläche vor dem galvanischen Aufwachsen. Dazu unterwirft
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man eine Platte aus Hartgummi einer ßandatrahlbeHandlung,
um ihre Oberfläche aufzurauhen, entfettet in einer Lösung eines oberflächenaktiven
Stoffes und wäscht. Die Erzeugung der stromleitenden
1 Minute lang Schicht an der Platte erfolgt wie folgt« Man benetzt
die Oberfläche der Platte mit der oben genannten Lösung und unterwirft sie 12 Sekunden lang einer Wärmebe- :
Einwirkung von
handlung unter gleichzeitiger / Ifi-Stiahlen und UV-Strahlen :
handlung unter gleichzeitiger / Ifi-Stiahlen und UV-Strahlen :
bei einer Temperatur von 220 C
bis zur Schwärzung der Oberfläche der Platte, wonach die Platte mit Wasser gewaschen wird.
Das galvanische Aufwachsen einer Kupferschicht auf die Oberfläche der Platte erfolgt analog dem in Bei- :
spiel 1 beschriebenen.
Durch die elektrochemische Metallisierung wird an . der Oberfläche der Platte aus Hartgummi eine leuchtend
rosafarbene Schicht abgeschieden. Die Haftfestigkeit der Metallschicht an der Oberfläche der Platte aus Hartgummi
beträgt 520 bis 5^-0 p/5 mm.
Industrielle Anwendbarkeit
Die erfindungsgemäße Lösung zur elektrochemischen
Metallisierung kann hauptsächlich zur Erzeugung einer stromleitenden Schicht an der Oberfläche von Dielektrika
vor dem anschließenden elektrochemischen Aufbringen sowohl funktioneller als auch dekorativer Metalläberzüge
auf die Oberfläche von Textolit (mit Kunstharz getränkter
Glasfaserstoff), Glas, Keramik, Aktivkohlen, Kunststoffpulvern,
Papier, Gewebe und verschiedener anderer Dielektrika angewandt werden. Die erfindungsgemäße Lösung,
beziehungsweise das Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung
von Dielektrika,findet Anwendung in der elektrotechnischen Industrie, in der Haushaltstechnik,
im Schiffs-, Flugzeug- und Kraftfahrzeug bau, im Gerätebau und in anderen Teilgebieten der Technik. Sie können
unter anderem bei der Metallisierung von Durchgangslöchern einseitiger, doppelseitiger und mehrschichtiger
Druckplatten verwendet werden.
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Claims (6)
1. Lösung zur elektrochemischere tall is ierung von Dielektrika,
welche ein Kupfersalz, ein phosphorhaltiges
Salz, einen Stabilisator und Wasser enthält, dadurch
gekennzeichnet, daß sie als phosphorhalt iges
Salz ein Salz der hypophosphorigen Säure bei folgendem
Verhältnis der genannten Komponenten in g/l enthält:
Kupfersalz .. 35 bis 350
Salz der hypophosphorigen Säure .. 35 bis 400
Stabilisator 0,004 bis 250 .-
Wasser bis zur Auffüllung auf 1 Liter.
2. Lösung nach Anspruch 1, dadurch ge- '-k
e η η ζ e. i c h η e t, daß sie zusätzlich Alkaliorthophosphat
in einer Menge von 1 bis 14 g/l und/oder Ammoniumfluorid
in einer Menge von 2 bis 3.6 g/l enthält.
3· Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung
von Dielektrika, das Vorbereitung der Oberfläche des Dielektrikums,
Aktivierung der Oberfläche des Dielektrikums, Erzeugung einer stromleitenden Schicht auf die-
und
ser / elektrochemisches Aufwachsen eines Metallüberzuges vorsieht, daduroh gekennzeichnet, daß man die Aktivierung der Oberfläche des Dielektrikums und die Erzeugung der stromleitenden Schicht auf dieser gleichzeitig durch Benetzen der Oberfläche des Dielektrikums mit einer Lösung naoh Anspruch 1, 2 durchführt unter anschließender Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 80 bis 35O0G.
ser / elektrochemisches Aufwachsen eines Metallüberzuges vorsieht, daduroh gekennzeichnet, daß man die Aktivierung der Oberfläche des Dielektrikums und die Erzeugung der stromleitenden Schicht auf dieser gleichzeitig durch Benetzen der Oberfläche des Dielektrikums mit einer Lösung naoh Anspruch 1, 2 durchführt unter anschließender Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 80 bis 35O0G.
4. Verfahren nach Anspruch 3i dadurch gekenn
ze ichnet, daß die Wärmebehandlung durch
Bestrahlung mit IR-Struhlen bei einer Temperatur von
220 bis 2?0°G innerhalb von 7 bis 20 Sekunden durchgeführt
w ird. ■ - .
5. Verfahren nach Anspruch 3, d a d u r c h g ekennze
ich net, daß die Wärmebehandlung durch
gemeinsame Bestrahlung mit IR- und UV-Strahlen bei
einer Temperatur von 180 bis 2200C innerhalb von 5 bis
12 Sekunden durchgeführt wird.
6. Verfahren nach einem beliebigen dur Ansprüche 3-5,
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dadurch gekennzeichnet, daß zur
Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit der stromleiton-
eine
den Schicht nach der Wärmebehandlung/chemische Verkupferung
der Oberfläche dea Dielektrikums durchgeführt wird
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Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792772501A SU921124A1 (ru) | 1979-06-19 | 1979-06-19 | Способ металлизации отверстий печатных плат |
| PCT/SU1980/000063 WO1980002570A1 (fr) | 1979-06-19 | 1980-04-25 | Solution d'activation d'une surface dielectrique et obtention d'une couche conductrice sur celle-ci |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3045281T1 true DE3045281T1 (de) | 1982-02-18 |
| DE3045281C2 DE3045281C2 (de) | 1984-03-08 |
Family
ID=20830407
Family Applications (1)
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