DE3687795T2 - Halbleiterbehandlungsvorrichtung. - Google Patents

Halbleiterbehandlungsvorrichtung.

Info

Publication number
DE3687795T2
DE3687795T2 DE8686308980T DE3687795T DE3687795T2 DE 3687795 T2 DE3687795 T2 DE 3687795T2 DE 8686308980 T DE8686308980 T DE 8686308980T DE 3687795 T DE3687795 T DE 3687795T DE 3687795 T2 DE3687795 T2 DE 3687795T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cassette
container
gate
drive rod
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE8686308980T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3687795D1 (de
Inventor
Hiroshi Harada
Tsutomu Ishida
Yoshiyuki Iwasawa
Shintaro Kobayashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimizu Construction Co Ltd
Original Assignee
Shimizu Construction Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimizu Construction Co Ltd filed Critical Shimizu Construction Co Ltd
Publication of DE3687795D1 publication Critical patent/DE3687795D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3687795T2 publication Critical patent/DE3687795T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/34Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H10P72/3408Docking arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/34Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H10P72/3406Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door or cover
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/14Wafer cassette transporting

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterbehandlungsvorrichtung, die zum Herstellen sehr hoch integrierter Schaltungen, sogenannter VLSIs (VLSI = very large skale integration = Integration sehr hohen Grades), und sogenannter ICs (IC = integrated circuit = integrierte Schaltung) und dergleichen verwendet wird.
  • Bekanntlich ist Staub ein schwerwiegendes Hindernis bei der Herstellung von Halbleiterbauteilen, z. B. ICs, insbesondere bei der Ausbildung von Schaltungselementen auf Halbleiterplatten und bei der Übertragung von Platten zwischen Behandlungseinrichtungen. Die Reinheit der Arbeitsatmosphäre bestimmt unmittelbar die Produktivität.
  • Das SMIF-System (SMIF = Standard Mechanical Interface = genormte mechanische Schnittstelle) (Solid State Technology, Juli 1984: "SMIF, A Technology for Wafer Cassette Transfer in VLSI Manufacturing", Seite 111) ist bekannt als herkömmliches Halbleiterbehandlungssystem, das eine derartige Behandlungsbedingung von Halbleiterbauelementen erfüllt.
  • Wie die Fig. 1 und 2 zeigen, besteht das SMIF-System aus einer Halbleiterplattenkassette 6 zur Aufnahme einer vorbestimmten Anzahl von Halbleiterplatten 7, einem SMIF-Behälter 8 zum luftdichten Einschließen der Halbleiterplattenkassette 6 und zum Transportieren der Halbleiterplatten 7 in der Kassette 6, ohne sie einer Kontamination von außen auszusetzen, eine Halbleiterbehandlungseinrichtung 1 zum Behandeln der Halbleiterplatten 7 und einem Paar SMIF-Armen 4, die auf beiden Seiten der Behandlungseinrichtung 1 vorgesehen sind, um die Kassette 6 in die Behandlungseinrichtung 1 zu laden und aus dieser zu entladen. Der SMIF-Behälter 8 besteht aus einem kastenartigen Behälter-Körper mit einem offenen Boden und einer Bodenplatte 10 zum Verschließen des Bodens des Behälter-Körpers 9. Die Bodenplatte 10 ist mittels (nicht dargestellter) Verriegelungen, die am Behälter-Körper 9 Vorgesehen sind, lösbar am Behälter-Körper 9 angebracht und so ausgebildet, daß sie die Kassette 6 an einer geeigneten Position tragen kann, wenn die Kassette 6 im Behälter 8 eingeschlossen ist. Die Bodenplatte 10 des SMIF-Behälters 8 ist am Behälter-Körper 9 befestigt, während der Behälter 8 durch einen Arbeiter oder eine Fördereinrichtung transportiert wird. Wie Fig. 1 zeigt, besteht die Plattenbehandlungseinrichtung 1 aus einem Einrichtungs-Körper 2 mit einem ersten Tor für die Kassette 6, einer transparenten Abdeckung 5 zum Abdecken einer oberen Oberfläche des Einrichtungs-Körpers 2 und einer Reinluft-Versorgungseinheit 3, die auf der Abdeckung 5 montiert ist. Diese Reinluft-Versorgungseinheit 3, die ein Hochleistungsfilter und ein Gebläse enthält, versorgt die Plattenbehandlungseinrichtung 1 mit reiner Luft.
  • Um die Kassette 6 in die Behandlungseinrichtung 1 zu transferieren, wird die in dem SMIF-Behälter 8 eingeschlossene Kassette 6 auf der Oberseite eines der SMIF-Arme 4 angeordnet. Wenn der Behälter 8 darauf angeordnet ist, wird die Bodenplatte 10 des Behälters 8 vom Behälter-Körper 9 entfernt und dann die Bodenplatte 10 mit der darauf angeordneten Kassette 6 in den SMIF-Arm geladen. Danach wird nur die Kassette 6 in die Behandlungseinrichtung 1 transferiert, in das erste Tor eingesetzt, und dann werden die darin angeordneten Platten 7 herausgezogen, um behandelt zu werden. Nachdem die Platten 7 in der Behandlungseinrichtung behandelt worden sind, werden sie in einer anderen (nicht dargestellten) Kassette angeordnet und in den anderen SMIF-Arm 4 geladen. In diesem Arm 4 wird die Kassette in einen anderen (nicht dargestellten) SMIF-Behälter eingebracht, der auf der Oberseite des anderen SMIF-Arms 4 angeordnet wurde, ohne einer Kontamination von außerhalb ausgesetzt zu werden. Danach wird der Behälter 8, der soeben die Kassette aufgenommen hat, beispielsweise durch einen Arbeiter, in eine andere (nicht dargestellte) Behandlungseinrichtung für den nächsten Fabrikationsprozeß transportiert und dann auf einem SMIF-Arm dieser Einrichtung angeordnet. Danach werden die Platten 7 in der Einrichtung auf die gleiche Weise, wie soeben beschrieben, behandelt.
  • Die Halbleiterplatten werden daher keiner Kontamination von außen ausgesetzt, sondern in reiner Luft gehalten, während sie durch Arbeiter transportiert und zwischen dem Behälter 8 und der Einrichtung 1 transferiert werden, ebenso wie bei der Behandlung in der Behandlungseinrichtung. Durch Anwendung dieses SMIF-Systems wird mithin eine hohe Produktivität beibehalten, selbst wenn die Reinheit (nach der US-Bundesnorm Nr. 209b) eines Reinraums, in dem das System installiert wird, etwa im Bereich von Klasse 1000 bis 100 000 liegt. Infolgedessen wird möglicherweise ein Luftstromsystem mit nicht-laminarer Strömung, das seine Umgebung im Bereich von etwa Klasse 1000 bis 100 000 rein hält, in dem Reinraum anstelle eines Luftstromsystems mit laminarer Strömung verwendet, das seine Umgebung auf einer ultrahohen Reinheit im Bereich von Klasse 10 bis 100 hält. Das heißt, die zugehörigen Einrichtungen des Reinraums werden vereinfacht, so daß die Kosten für seine Konstruktion, Einrichtungen und Wartung erheblich reduziert werden können. Ferner braucht das Verhalten der Arbeiter in dem Reinraum, wenn das SMIF-System verwendet wird, nicht so streng geregelt zu werden, wie in einem Reinraum mit ultrahoher Reinheit im Bereich von Klasse 10 bis 100. Die Arbeiter dürfen so arbeiten, wie wenn sie in einem normalen Raum wären, vorausgesetzt, daß sie einfache reine Zimmerkleidung tragen. In einem Reinraum, in dem das SMIF- System angewendet wird, können sie bequemer als in einem Raum arbeiten, in dem es nicht angewendet wird.
  • Bei dem oben beschriebenen herkömmlichen Halbleiterbehandlungssystem ist jedoch in einem Reinraum ein Installationsplatz für das System erforderlich, der auch Platz für die beiden SMIF-Arme einschließt, da die SMIF-Arme 4 auf beiden Seiten der Plattenbehandlungseinrichtung 1 angebracht sein müssen. Infolgedessen erschwert das herkömmliche System nicht nur eine effektive Ausnutzung des Platzes am Boden des Reinraums, sondern erhöht auch die Gesamtkosten erheblich.
  • Die internationale Patentanmeldung WO 86/00870 offenbart ein weiteres SMIF-System, bei dem eine Abdeckung ein Ladetor verdeckt und eine Toranordnung zur Aufnahme eines Kastens oder Behälters aufweist, der zum Einschließen einer Kassette verwendet wird.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiterbehandlungsvorrichtung ohne die SMIF-Arme anzugeben, die es leicht macht, den Platz am Boden eines Reinraums effektiv auszunutzen.
  • Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halbleiterbehandlungsvorrichtung anzugeben, deren Gesamtkosten verringert sind.
  • Noch ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Halbleiterbehandlungsvorrichtung anzugeben, bei der eine Horizontalausrichtung der Kassette beim Transferieren der Kassette in eine oder aus einer Behandlungseinrichtung so gesteuert wird, daß sie mit einer vorbestimmten Ausrichtung der Kassette in der Behandlungseinrichtung zusammenfällt.
  • Im Hinblick auf diese und andere Ziele wird durch vorliegende Erfindung eine Halbleiterbehandlungsvorrichtung geschaffen, die aufweist: eine Halbleiterplattenkassette zur Aufnahme von Halbleiterplatten; einen Transfer-Behälter zum luftdichten Einschließen der Kassette; wobei der Behälter einen kastenartigen Körper mit einem offenen Boden und einer Bodenplatte aufweist, die lösbar mit der darauf angeordneten Kassette verbunden ist; eine Plattenbehandlungseinrichtung, die ein Ladetor zum Aufnehmen und Einbehalten der Kassette während der Behandlung der Platten und eine das Ladetor abdeckende Abdeckung aufweist, wobei die Abdeckung ein Einlaßtor aufweist, das eine Öffnung und eine Toranordnung zum Befestigen und Lösen der Bodenplatte des Behälters am bzw. vom Behälter-Körper, wenn der Behälter auf dem Einlaßtor angeordnet ist, aufweist, wobei die Behandlungseinrichtung ferner Mittel zum Herausziehen der Platte aus der Kassette, wenn die Kassette in dem Ladetor eingesetzt ist, und Transfermittel zum Transferieren der Kassette zwischen dem Ladetor und dem Behälter, ohne die Platten einer externen Kontamination auszusetzen, aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß das Einlaßtor vertikal oberhalb des Ladetors angeordnet ist und die Kassette transferiert wird durch Hubmittel zum Befördern der Bodenplatte des Behälters und der darauf angeordneten Kassette aus dem Einlaßtor in das Ladetor, wenn die Bodenplatte des Behälters vom Behälter-Körper gelöst ist, wobei die Hubmittel zum Öffnen und Schließen der Kassettenöffnung des Einlaßtores eine Türplatte, die die Bodenplatte des Behälters stützt, wenn der Behälter auf dem Einlaßtor angeordnet ist, eine Antriebseinheit zum Antreiben der Türplatte nach oben und unten und Mittel zum Drehen der Türplatte des ersten Transferbehälters um eine dazu senkrecht stehende Achse aufweisen, so daß die horizontale Ausrichtung der Kassette auf der Bodenplatte eingestellt wird.
  • Wenn bei dieser Ausbildung der Transferbehälter mit der darin angeordneten Kassette auf dem zweiten Tor angeordnet wird, wird die Bodenplatte des Behälters von dem Behälter- Körper entfernt und dann die Kassette auf der Bodenplatte durch den Hubmechanismus vom zweiten Tor zum ersten Tor transferiert. Die Kassette und die darin angeordneten Halbleiterplatten werden daher, ohne sie einer Kontamination von außen her auszusetzen, aus dem Behälter in die Behandlungseinrichtung transferiert. Darüber hinaus wird in einem Reinraum mit der obigen Vorrichtung die Bodenfläche effektiver als bei einem Reinraum mit einer herkömmlichen Vorrichtung ausgenutzt, da der Transfermechanismus nicht auf den Seiten, sondern oberhalb der Behandlungseinrichtung angeordnet ist.
  • Vorzugsweise hat die Vorrichtung einen zweiten Mechanismus zum Transferieren einer weiteren Kassette in die und aus der Behandlungseinrichtung. Die Behandlungseinrichtung kann zum Laden der Kassette ein drittes Tor, das mit der Abdeckung versehen ist, und einen Mechanismus zum Behandeln der Platten in der ersten Kassette im ersten Tor und zum Transferieren der Platten in die Kassette im dritten Tor, wenn die Kassette mit den Platten und die leere Kassette jeweils in das erste und dritte Tor geladen wird, aufweisen. Der zweite Transfermechanismus kann ein viertes Tor auf der Abdeckung der Behandlungseinrichtung in einer Position unmittelbar über dem dritten Tor aufweisen, um den zweiten Behälter darauf anzuordnen, und einen zweiten Hubmechanismus aufweisen, der hauptsächlich zwischen dem dritten und vierten Tor angeordnet ist, um die Kassette zwischen dem dritten und vierten Tor hin- und herzubefördern. In diesem Falle wird die Kassette mit den darin angeordneten Platten, die durch den Behandlungsmechanismus behandelt wurden, aus dem dritten Tor zum vierten Tor transferiert und in einem weiteren Behälter eingeschlossen.
  • Vorzugsweise hat das zweite Tor eine Kassettenöffnung, die in der Abdeckung der Behandlungseinrichtung ausgebildet ist.
  • Bei Vorhandensein des drehenden oder rotierenden Mechanismus für die Bodenplatte des Transfer-Behälters braucht nicht dafür gesorgt zu werden, daß die Ausrichtung der Kassette mit der vorbestimmten Ausrichtung zusammenfällt, bevor der Behälter auf dem zweiten Tor angeordnet wird, da die Ausrichtung der Kassette auch dann noch geändert werden kann, wenn der Behälter auf dem zweiten Tor angeordnet ist. Mit anderen Worten, eine Vorrichtung mit dieser Anordnung beschleunigt die Gesamtvorrichtungsautomation ebenso wie die Vorrichtung vom oben beschriebenen Aufbau mit automatischen Förderern zwischen verschiedenen Behandlungseinrichtungen.
  • Ferner kann die Behandlungseinrichtung eine Reinluft-Versorgungseinheit zur Einhaltung einer ultrahohen Reinheit im inneren der Verarbeitungseinrichtung aufweisen.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Fig. 1 stellt eine schematische perspektivische Ansicht einer herkömmlichen Halbleiterbehandlungsvorrichtung dar;
  • Fig. 2 stellt einen Querschnitt eines SMIF-Behälters der Halbleiterbehandlungsvorrichtung nach Fig. 1 dar,
  • Fig. 3 stellt eine schematische Vorderansicht einer erfindungsgemäßen Halbleiterbehandlungsvorrichtung dar,
  • Fig. 4 stellt eine schematische Draufsicht auf die Halbleiterbehandlungsvorrichtung nach Fig. 3 dar,
  • Fig. 5 stellt einen vergrößerten Querschnitt eines zweiten Tores, eines ersten Tores und eines Hubmechanismus der Vorrichtung nach Fig. 3 dar,
  • Fig. 6 stellt den Schnitt VI-VI von Fig. 5 dar;
  • Fig. 7 stellt den Schnitt VII-VII der Fig. 5 dar;
  • Fig. 8 stellt einen Querschnitt des zweiten Tores in Fig. 3 dar und zeigt einen darauf angeordneten Transfer-Behälter;
  • Fig. 9 stellt einen Querschnitt des zweiten Tores und des ersten Tores von Fig. 5 dar und zeigt eine in das erste Tor geladene Kassette; und
  • Fig. 10 stellt eine vergrößerte perspektivische Ansicht der Kassette von Fig. 3 mit darin angeordneten Halbleiterplatten dar.
  • Ausführliche Beschreibung des bevorzugten Ausführungsbeispiels
  • In den Fig. 3 bis 10 sind die gleichen Teile, wie sie in den Fig. 1 und 2 dargestellt sind, mit den gleichen Bezugszahlen versehen, so daß ihre Beschreibung weggelassen wird.
  • Die Fig. 3 und 4 zeigen eine erfindungsgemäße Halbleiterbehandlungsvorrichtung. Nach den Fig. 3 und 4 hat eine Halbleiterplatten-Behandlungseinrichtung 20 ein nach oben offenes erstes Tor 22 und ein nach oben offenes drittes Tor 24 zum Einladen und Entladen der Halbleiterplattenkassette 6 und eine Abdeckung, die das erste und dritte Tor 22 bzw. 24 abdeckt. Die Abdeckung 26 ist an unmittelbar über dem ersten und dritten Tor 22 und 24 liegenden Stellen mit einem zweiten Tor 28 und einem vierten Tor 30 versehen, auf denen die Transfer-Behälter (SMIF-Behälter) 8 angeordnet werden. Nach den Fig. 3 und 4 ist auf beiden Toren 28 und 30 ein Behälter 8 angeordnet. Der Behälter 8 auf dem zweiten Tor 28 enthält eine Kassette 6 mit Platten 7 darin, und der andere Behälter 8 auf dem vierten Tor 30 schließt eine leere Kassette 6 ein. Die Behandlungseinrichtung 20 enthält eine Behandlungsanordnung, die die Platten 7 aus der Kassette 6 in dem ersten Tor 22 behandelt und die Platten 7 in die Kassette 6 in dem dritten Tor 24 transferiert, wenn die Kassette 6 mit den Platten 7 in das erste Tor 22 und die leere Kassette 6 in das dritte Tor 24 eingesetzt ist. Das erste Tor 22 ist daher ein Ladetor und das dritte Tor 24 ein Entladetor.
  • Die Reinluft-Versorgungseinheit 3, die auf der Abdeckung 26 angeordnet ist, besteht aus einem Gebläse und einem Hochleistungsfilter, z. B. einem Luftfilter mit ultraniedriger Eindringung und einem Hochleistungsteilchenfilter. Die Reinluft-Versorgungseinheit 3 versorgt die Behandlungseinrichtung 20 mit reiner Luft, um das Innere der Einrichtung ultrarein zu halten. Die Einheit 3 setzt das Innere der Behandlungseinrichtung 20 auch unter Überdruck, der höher als Atmosphärendruck ist, so daß innerhalb der Einrichtung 20 erzeugter Staub sofort über Ventilationsschlitze 32 in der Seitenwand der Abdeckung 26 und Luftauslaßöffnungen am Boden der Behandlungseinrichtung 20 aus der Behandlungseinrichtung 20 ausgestoßen wird.
  • Wie Fig. 5 zeigt, haben das zweite und vierte Tor 28 bzw. 30 jeweils eine Kassettenöffnung 34 in der Abdeckung 26 und eine um die Öffnung 34 herum angeordnete Toranordnung 36. Der Innendurchmesser der Öffnung 34 ist etwas größer als der Durchmesser der Bodenplatte 10 des Behälters 8 und kleiner als der Außendurchmesser des Behälter-Körpers 9. Die Toranordnung 36 hat um den Rand der Öffnung 34 herum angeordnete Führungen 38, die an Schiebern 40 anliegen, die verschiebbar auf den Führungen 38 angeordnet sind, eine Antriebsquelle, z. B. einen (nicht dargestellten) Motor, zur Horizontalverschiebung der Schieber 40 zur Mitte der Öffnung 34 hin und von dieser weg und einen (nicht dargestellten) Fühler, z. B. einen optischen Fühler, zum Feststellen, ob ein Behälter 8 in dem entsprechenden Tor 28 oder 30 vorhanden ist. Der Fühler erzeugt ein Signal zum Einschalten der Antriebsquelle der Toranordnung 36, wenn er den Behälter 8 in dem Tor feststellt.
  • Zwischen dem ersten Tor 22 und dem zweiten Tor 28 ist ein erster Hubmechanismus 42 angeordnet. Ein zweiter Hubmechanismus 44 ist zwischen dem dritten Tor 24 und dem vierten Tor 30 angeordnet. Beide Hubmechanismen 42 und 44 haben eine Türplatte 46 zum Öffnen und Schließen der Kassettenöffnung 34. Die Türplatte 46 trägt die Bodenplatte 10 des Behälters 8, wenn der Behälter 8 auf dem entsprechenden zweiten oder vierten Tor 28 bzw. 30 angeordnet ist. Die Platte 46 wird durch eine hohle Antriebsstange 52 getragen. Die Antriebsstange 52 hat einen oberen Endteil 52a mit größerem Durchmesser als dem ihres übrigen Teils, und der obere Endteil 52a ist über ein magnetisch abgedichtetes Axiallager 48 mit der Unterseite der Türplatte 46 verbunden, so daß die Türplatte 46 in einer horizontalen Ebene relativ zur Stange 52 drehbar ist. Der untere Endteil 52b der Stange 52 steht konzentrisch mit einem vertikalen Führungsrohr 50 in Eingriff, das unter dem entsprechenden Tor 22 oder 24 angeordnet ist, so daß die Stange 52 vertikal relativ zu dem Führungsrohr 50 verschiebbar ist. Nach Fig. 6 hat die Antriebsstange 52 Keile 51 auf ihrer Außenseite, die in Nuten 55 eingreifen, die in der Innenseite des Führungsrohres 50 ausgebildet sind, so daß eine Drehung der Stange 52 relativ zum Führungsrohr 50 verhindert wird. Längs der Antriebsstange 52 sind Zähne 53 ausgebildet, so daß ein unterer Teil der Antriebsstange 52 als Zahnstange wirkt. Ein Ritzel 54 steht mit den Zähnen 53 durch einen Schlitz 58 hindurch in Eingriff, der die Wand des Führungsrohres 50 durchsetzt, und ist mit einem Schrittschaltmotor 56 Verbunden, der an einem Gehäuse der Einrichtung 20 befestigt ist. Wenn der Schrittschaltmotor 56 das Ritzel 54 dreht, wird die Antriebsstange 52 vertikal hin- und herbewegt, um die Türplatte 46 nach oben und unten anzutreiben.
  • Nach Fig. 7 ist ein inneres Zahnrad 62 an der Unterseite der Türplatte 46 befestigt, und ein kleines Zahnrad 64 steht mit dem inneren Zahnrad 62 in Eingriff. Das Zahnrad 64 ist unmittelbar an einem Ausrichtungs-Steuermotor 66 angeschlossen, der an der Innenseite des oberen Endteils 52a der Welle 52 befestigt ist. Das heißt, durch Ein- und Ausschalten des Steuermotors 66 mittels einer geeigneten Steuereinheit wird die Türplatte 46 in einer horizontalen Ebene relativ zur Antriebsstange 52 gedreht, so daß die Ausrichtung bzw. Drehwinkellage der Bodenplatte 10 des Behälters 8, der auf der Türplatte 46 angeordnet ist, d. h. die horizontale Ausrichtung der Kassette 6 auf der Bodenplatte 10 in geeigneter Weise gesteuert wird. Das Führungsrohr 50 steht in Fluidverbindung mit einer (nicht dargestellten) Vakuumpumpe, so daß innerhalb des oberen Endteils 52a der Stange 52 erzeugter Staub durch das Führungsrohr 50 nach außen befördert wird.
  • Auf der Oberseite der Türplatte 46 sind mehrere Vorsprünge 68 vorgesehen. Diese Vorsprünge 68 stehen mit der Bodenplatte 10 des Behälters 8 in Eingriff, um zu verhindern, daß die Bodenplatte 10 bei der Drehung der Türplatte 46 in Umfangsrichtung verrutscht.
  • Nach Fig. 8 hat der Behälter-Körper 9 des Behälters 8 einen äußeren Flansch 70 an seinem unteren Ende. Am äußeren Flansch 70 sind mehrere Riegel 72 um Bolzen schwenkbar befestigt. Ein oberer Endteil jedes Riegels 72 ragt über den äußeren Flansch 70 nach oben hinaus, und sein unterer Endteil ist wie ein Haken gebogen. Der untere Endteil jedes Riegels 72 ist durch eine (nicht dargestellte) Feder in Richtung zur Mitte der Öffnung 34 vorbelastet, so daß er in der in Fig. 8 dargestellten Lage gehalten wird und an der Unterseite der Bodenplatte 10 des Behälters 8 anliegt. Die Bodenplatte 10 wird durch Abstellen der Riegel 72 von der Unterseite der Bodenplatte 10 vom Behälter-Körper 9 gelöst. Außerdem hat die Bodenplatte 10 des Behälters 8 Vertiefungen 76 auf ihrer Unterseite für den Eingriff der Vorsprünge 68 der Türplatte 46.
  • Wenn der Behälter 8 nicht auf dem entsprechenden zweiten oder vierten Tor 28 bzw. 30 angeordnet ist, wie es in Fig. 5 dargestellt ist, steht die Türplatte 46 des entsprechenden Hubmechanismus 42 bzw. 44 in unmittelbarer Berührung mit demjenigen Teil der Abdeckung 26, der die Öffnung 34 umgibt, so daß die Öffnung 34 luftdicht verschlossen ist. Wenn der Behälter 8, in dem die Kassette 6 mit den Platten 7 eingeschlossen ist, auf dem zweiten Tor 28 angeordnet wird, wie es in Fig. 8 dargestellt ist, stellt der Fühler der Toranordnung 36 die Anwesenheit des Behälters 8 fest und setzt die Antriebsquelle der Toranordnung 36 in Betrieb. Dann wird der Schieber 40 zur Mitte der Öffnung 34 (in der durch den Pfeil A dargestellten Richtung) verschoben, so daß er mit dem äußeren Flansch 70 des Behälter-Körpers 9 zur Anlage kommt, um den BehälterKörper 9 an der Abdeckung 26 der Einrichtung 20 zu befestigen. Da ferner der Schieber 40 während seiner Verschiebung die oberen Endteile der Riegel 72 zur Mitte der Öffnung 34 hin drückt, werden die unteren Endteile der Riegel 72 in der durch den Pfeil B dargestellten Richtung verschwenkt, so daß sie mit der Unterseite der Bodenplatte 10 des Behälters 8 außer Eingriff kommen. Wenn daher der Behälter 8 auf dem zweiten Tor 28 angeordnet wird, wird praktisch gleichzeitig die Bodenplatte 10 vom Behälter-Körper 9 gelöst und von der Türplatte 46 abgestützt.
  • Wenn der Hubmechanismus 42 betrieben wird, um die Türplatte 46 nach unten zu bewegen, wird die Bodenplatte 10 des Behälters 8 zusammen mit der Türplatte 46 nach unten befördert. Die Kassette 6 auf der Bodenplatte 10 wird daher in das Ladetor 22 transferiert, wie es in Fig. 9 dargestellt ist. Während dieser Abwärtsbewegung wird die Türplatte 46 so gedreht, daß die horizontale Ausrichtung der Kassette mit der vorbestimmten Ausrichtung der Kassette in der Behandlungseinrichtung 20 übereinstimmt.
  • Nach Fig. 9 werden die Platten 7 in der Kassette 6, die in dem ersten Tor 22 angeordnet worden ist, nacheinander unten aus der Kassette 6 herausgezogen und zu einer Behandlungsanordnung in der Einrichtung 20 befördert. Immer wenn eine Platte 7 durch einen Saugkopf 78 aus der Kassette 6 entfernt worden ist, wird die Türplatte 46 in vorbestimmten Teilungseinheiten abgesenkt. Die als nächste herauszuholende Platte 7 nimmt daher stets eine Lage ein, in der sie hinreichend nahe bei dem Saugkopf 78 liegt, ohne daß der Saugkopf 78 eine Vertikalbewegung ausführen muß. Im Gegensatz zu herkömmlichen Vorrichtungen wird die Kassette 6 zusammen mit der Bodenplatte 10 des Behälters 8 in das erste Tor 22 geladen. Nach Fig. 10 ist die Kassette 6 daher am Boden mit Beinen 80 versehen, so daß ein Freiraum in der Kassette 6 verbleibt, in den der Saugkopf 78 eintreten kann.
  • Dagegen wird mittels des vierten Tores 30 und des Hubmechanismus 44 in das Entladetor 24 eine leere Kassette 6 eingesetzt. Dann werden die in der Einrichtung 20 behandelten Platten 7 im Entladetor 24 in die Kassette 6 transferiert. Hierbei füllen die Platten 7 die Kassette 6 nacheinander von der obersten Stufe der Kassette 6 bis zur untersten Stufe. Diese Reihenfolge des Füllvorgangs ist entgegengesetzt zu der beim Herausziehen der Platten. Die Türplatte 46 wird daher diesmal in vorbestimmten Teilungseinheiten jedesmal nach oben bewegt, wenn eine Platte 7 in der Kassette 6 angeordnet worden ist.
  • Die Kassetten 6 werden daher in den Lade- und Entladetoren 22 und 24 durch die Hubmechanismen jeweils zum zweiten und vierten Tor 28 bzw. 30 nach oben befördert und in den jeweiligen Behälter-Körpern 9 eingeschlossen, die am zweiten und vierten Tor 28 und 30 befestigt sind. Wenn die Schieber 40 der Toranordnung 36 entgegengesetzt zur Richtung des Pfeils A verschoben werden, wird der Behälter-Körper 9 jedes Behälters 8 von der Abdeckung 26 getrennt, und die unteren Endteile der Riegel 72 werden durch die Vorspannungskraft der Federn in die in Fig. 8 dargestellte Lage zurückgedreht. Auf diese Weise wird die Bodenplatte 10 jedes Behälters 8 an ihrem Behälter-Körper 9 befestigt. Danach kann jeder Behälter 8 weitertransportiert werden.
  • So wird der Behälter 8 auf dem zweiten Tor 28 aus der Einrichtung 20 entfernt und der Behälter 8 auf dem vierten Tor 30 durch einen Arbeiter, eine Fördereinrichtung oder dergleichen zu einer weiteren (nicht dargestellten) Behandlungseinrichtung zur Durchführung des nächsten Prozesses befördert.
  • Da die Kassette zwischen dem Behälter und der Behandlungseinrichtung durch das zweite und vierte Tor 28 und 30 befördert wird, die jeweils unmittelbar über dem ersten und dritten Tor 22 und 24 und den Hubmechanismen 42 und 44 angeordnet sind, ist es, wie gesagt, nicht erforderlich, auf beiden Seiten der Behandlungseinrichtung SMIF-Arme vorzusehen. Der Einbaubereich für die SMIF-Arme kann daher durch geringfügige Abwandlung herkömmlicher Halbleiterbehandlungsvorrichtungen effektiv als frei verfügbarer Platz in einem Reinraum ausgenutzt werden, so daß die Kosten der gesamten Behandlungsvorrichtung verringert werden.
  • Das Führungsrohr 50 kann mit einer vertikalen Führungsschiene verbunden werden, so daß sie auf- und abbewegt werden kann. Hierbei können auf der Außenseite des Rohres 50 Zähne ausgebildet sein, um das Rohr durch einen Schrittschaltmotor anzutreiben, und das Ritzel 54 kann mit den Zähnen 53 derart in Eingriff stehen, daß es von diesem entfernt werden kann.
  • Obwohl eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben worden ist, ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungsform beschränkt. Beispielsweise kann in einem Hauptluftbereiter erzeugte Reinluft über eine Leitung in die Behandlungseinrichtung 20 geleitet werden, statt durch die Reinluftversorgungseinheit 3 zugeführt zu werden. Außerdem kann der Hubmechanismus aus einem Kugelgewindetrieb oder einem Verlängerbaren Bauteil, das wie ein Storchschnabel (Pantograph) ausgebildet ist, anstelle der Zahnstangen-Antriebsstange 52, des Schrittschaltmotors 56 und dergleichen, gebildet sein.

Claims (6)

1. Halbleiterbehandlungsvorrichtung, die aufweist: eine Halbleiterplattenkassette (6) zur Aufnahme von Halbleiterplatten (7); einen Transfer-Behälter (8) zum luftdichten Einschließen der Kassette (6); wobei der Behälter (8) einen kastenartigen Körper (9) mit einem offenen Boden und einer Bodenplatte (10) aufweist, die lösbar mit der darauf angeordneten Kassette (6) verbunden ist; eine Plattenbehandlungseinrichtung (20), die ein Ladetor (22) zum Aufnehmen und Einbehalten der Kassette (6) während der Behandlung der Platten (7) und eine das Ladetor (22) abdeckende Abdeckung (26) aufweist, wobei die Abdeckung (26) ein Einlaßtor (28) aufweist, das eine Öffnung (34) und eine Toranordnung (36) zum Befestigen und Lösen der Bodenplatte (10) des Behälters (8) am bzw. vom Behälter-Körper (9), wenn der Behälter (8) auf dem Einlaßtor (28) angeordnet ist, aufweist, wobei die Behandlungseinrichtung (20) ferner Mittel (78) zum Herausziehen der Platten (7) aus der Kassette (6), wenn die Kassette (6) in dem Ladetor (22) eingesetzt ist, und Transfermittel zum Transferieren der Kassette (6) zwischen dem Ladetor (22) und dem Behälter (8), ohne die Platten (7) einer externen Kontamination auszusetzen, aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß das Einlaßtor (28) vertikal oberhalb des Ladetors (22) angeordnet ist und die Kassette (6) transferiert wird durch Hubmittel (42) zum Befördern der Bodenplatte (10) des Behälters (8) und der darauf angeordneten Kassette (6) aus dem Einlaßtor (28) in das Ladetor (22), wenn die Bodenplatte (10) des Behälters (8) vom BehälterKörper (9) gelöst ist, wobei die Hubmittel (42) zum Öffnen und Schließen der Kassettenöffnung des Einlaßtores (28) eine Türplatte (46), die die Bodenplatte (10) des Behälters (8) abstützt, wenn der Behälter (8) auf dem Einlaßtor (28) angeordnet ist, eine Antriebseinheit zum Antreiben der Türplatte (46) nach oben und unten und Mittel zum Drehen der Türplatte (46) um eine dazu senkrecht stehende Achse aufweisen, so daß die horizontale Ausrichtung der Kassette auf der Bodenplatte eingestellt wird.
2. Halbleiterbehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, die eine weitere Kassette (6) und einen weiteren Transfer- Behälter (8) aufweist, wobei die Behandlungseinrichtung (20) ferner ein Entladetor (24), das durch die Abdeckung (26) abgedeckt ist, um die weitere Kassette (6) aufzunehmen und einzubehalten, wobei die Abdeckung ferner ein Auslaßtor (30) mit einer Öffnung (34) enthält, und eine Toranordnung (36) zum Anbringen und Lösen der Behälter-Bodenplatte (10) an und von dem Behälter-Körper (9) des weiteren Behälters (8) aufweist; wobei die Behandlungseinrichtung (20) auch ein weiteres Mittel (78) zum Laden der behandelten Platten (7) in die weitere Kassette (6) und ein weiteres Transfermittel zum Transferieren der weiteren Kassette (6) in die und aus der Behandlungseinrichtung (20) aufweist, und wobei das weitere Transfermittel ein weiteres Hubmittel (44) aufweist, und zwar zum Befördern der Bodenplatte (10) des weiteren Behälters (8), wenn die Bodenplatte (10) des weiteren Behälters (8) von ihrem Behälter-Körper (9) gelöst ist, mit der auf ihr angeordneten weiteren Kassette (6) zwischen dem Auslaßtor (30) und dem Entladetor (24), die direkt vertikal miteinander ausgerichtet sind.
3. Halbleiterbehandlungsvorrichtung nach Anspruch 2, bei der das Auslaßtor (30) ferner eine Kassettenöffnung (34) aufweist, die in der Abdeckung (26) der Behandlungseinrichtung (20) ausgebildet ist, und wobei das weitere Hubmittel (44) aufweist:
eine Türplatte (46) zum Öffnen und Schließen der Kassettenöffnung des Auslaßtores (30), wobei die Türplatte (46) eine Unterseite aufweist und die Bodenplatte (10) des weiteren Behälters (8) abstützt, wenn der weitere Behälter (8) auf dem Auslaßtor (30) angeordnet ist;
ein vertikales Führungsglied (50), das unter dem Entladetor (24) angeordnet ist;
eine Antriebsstange (52) mit einem oberen Endteil und einem hohlen Aufbau, wobei die Antriebsstange (52) mit dem vertikalen Führungsglied (50) vertikal verschiebbar und der obere Endteil der Antriebsstange (52) mit der Unterseite der Türplatte (46) verbunden ist; und
einen ersten Antriebsmotor (56) zum vertikalen Verschieben der Antriebsstange (52), wobei das erwähnte weitere Transfermittel ferner Mittel zum Drehen der Bodenplatte (10) des weiteren Transferbehälters (8) um eine dazu senkrechte Achse aufweist, so daß die horizontale Ausrichtung der Kassette (6) auf der Bodenplatte (10) des weiteren Moduls eingestellt wird, wobei die Drehmittel aufweisen:
ein Lagerglied (48) zwischen dem oberen Endteil der Antriebsstange (52) und der Unterseite der Türplatte (46), so daß die Türplatte (46) um die Achse der Antriebsstange (52) drehbar ist;
einen zweiten Antriebsmotor (66), der in der Antriebsstange (52) zum Drehen der Türplatte angeordnet ist;
und Mittel zum antriebsmäßigen Verbinden des zweiten Antriebsmotors mit der Türplatte.
4. Halbleiterbehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Antriebseinheit aufweist:
ein vertikales Führungsglied (50), das unter dem Ladetor (22) angeordnet ist;
eine Antriebsstange (52) mit einem oberen Endteil, die mit dem vertikalen Führungsglied (50) vertikal verschiebbar verbunden ist, während der obere Endteil der Antriebsstange mit der Unterseite der Türplatte (46) verbunden ist, und
einen ersten Antriebsmotor (56) zum Bewegen der Antriebsstange (52).
5. Halbleiterbehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Antriebsstange hohl ist und das Drehmittel aufweist:
ein Lagerglied (48) zwischen dem oberen Endteil der Antriebsstange und der Unterseite der Türplatte, so daß die Türplatte (46) um die Achse der Antriebsstange (52) drehbar ist;
einen zweiten Antriebsmotor (66), der in der Antriebsstange (52) zum Drehen der Türplatte (46) angeordnet ist, und
Mittel zum antriebsmäßigen Verbinden des zweiten Antriebsmotors mit der Türplatte.
6. Halbleiterbehandlungsvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei der die Plattenbehandlungseinrichtung (20) ferner eine Reinluft-Versorgungseinheit (3) zur Ultrareinhaltung des Inneren der Behandlungseinrichtung (20) aufweist.
DE8686308980T 1986-03-25 1986-11-18 Halbleiterbehandlungsvorrichtung. Expired - Fee Related DE3687795T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61066761A JPS62222625A (ja) 1986-03-25 1986-03-25 半導体製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3687795D1 DE3687795D1 (de) 1993-03-25
DE3687795T2 true DE3687795T2 (de) 1993-06-09

Family

ID=13325187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8686308980T Expired - Fee Related DE3687795T2 (de) 1986-03-25 1986-11-18 Halbleiterbehandlungsvorrichtung.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4781511A (de)
EP (1) EP0238751B1 (de)
JP (1) JPS62222625A (de)
KR (1) KR940002914B1 (de)
CA (1) CA1267978A (de)
DE (1) DE3687795T2 (de)

Families Citing this family (347)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4987673A (en) * 1987-06-18 1991-01-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for packaging semiconductor devices
JPS6411320A (en) * 1987-07-06 1989-01-13 Toshiba Corp Photo-cvd device
US5092728A (en) * 1987-10-15 1992-03-03 Epsilon Technology, Inc. Substrate loading apparatus for a CVD process
US5156521A (en) * 1987-10-15 1992-10-20 Epsilon Technology, Inc. Method for loading a substrate into a GVD apparatus
DE3814924A1 (de) * 1988-05-03 1989-11-16 Leybold Ag Vorrichtung zum ein- und ausschleusen von substraten aus einem vakuumkessel
JPH0654788B2 (ja) * 1988-07-08 1994-07-20 日本電信電話株式会社 ウエハ移送装置
DE3901824A1 (de) * 1989-01-23 1990-07-26 Leybold Ag Hub- und drehaggregat fuer eine schmelz- und/oder giessanlage
US5176493A (en) * 1989-02-24 1993-01-05 North American Philips Corporation High speed wafer handling method
FR2644567A1 (fr) * 1989-03-17 1990-09-21 Etudes Const Mecaniques Dispositif pour l'execution de traitements thermiques enchaines en continu sous vide
US5261776A (en) * 1989-04-27 1993-11-16 Micron Technology, Inc. Vacuum operated wafer transfer apparatus
US5100287A (en) * 1989-04-27 1992-03-31 Micron Technology, Inc. Method of transferring wafers using vacuum
CH680317A5 (de) * 1990-03-05 1992-07-31 Tet Techno Investment Trust
US5058491A (en) * 1990-08-27 1991-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Building and method for manufacture of integrated circuits
US5169272A (en) * 1990-11-01 1992-12-08 Asyst Technologies, Inc. Method and apparatus for transferring articles between two controlled environments
US5145303A (en) * 1991-02-28 1992-09-08 Mcnc Method and apparatus for reducing particulate contamination in processing chambers
JP2947380B2 (ja) * 1992-01-22 1999-09-13 東京応化工業株式会社 プラズマ処理装置
US5404894A (en) * 1992-05-20 1995-04-11 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Conveyor apparatus
US5364225A (en) * 1992-06-19 1994-11-15 Ibm Method of printed circuit panel manufacture
US5451131A (en) * 1992-06-19 1995-09-19 International Business Machines Corporation Dockable interface airlock between process enclosure and interprocess transfer container
US5339952A (en) * 1992-06-19 1994-08-23 International Business Machines Corporation Transfer container for transferring flimsy circuit panels under clean room conditions
US5395198A (en) * 1992-06-19 1995-03-07 International Business Machines Corporation Vacuum loading chuck and fixture for flexible printed circuit panels
US5697749A (en) * 1992-07-17 1997-12-16 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus
KR100302012B1 (ko) * 1992-11-06 2001-11-30 조셉 제이. 스위니 미소-환경 콘테이너 연결방법 및 미소-환경 로드 로크
KR100303075B1 (ko) * 1992-11-06 2001-11-30 조셉 제이. 스위니 집적회로 웨이퍼 이송 방법 및 장치
EP0596537A1 (de) * 1992-11-06 1994-05-11 Applied Materials, Inc. Ladungsschleuse mit Mikroumgebung und Methode zur Kupplung von einem Mikroumgebungsbehälter mit einer Prozesskammer
JP3250628B2 (ja) * 1992-12-17 2002-01-28 東芝セラミックス株式会社 縦型半導体熱処理用治具
JP2683208B2 (ja) * 1993-01-28 1997-11-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ロボット機構を用いた搬入および搬出のためのワークピース位置合わせ方法および装置
US5642978A (en) * 1993-03-29 1997-07-01 Jenoptik Gmbh Device for handling disk-shaped objects in a handling plane of a local clean room
DE4310149C2 (de) * 1993-03-29 1996-05-02 Jenoptik Jena Gmbh Einrichtung zur Handhabung von scheibenförmigen Objekten in einer Handhabungsebene eines lokalen Reinraumes
US5350336A (en) * 1993-04-23 1994-09-27 Industrial Technology Research Institute Building and method for manufacture of integrated semiconductor circuit devices
US5538390A (en) * 1993-10-29 1996-07-23 Applied Materials, Inc. Enclosure for load lock interface
JP3331746B2 (ja) * 1994-05-17 2002-10-07 神鋼電機株式会社 搬送システム
US5713711A (en) * 1995-01-17 1998-02-03 Bye/Oasis Multiple interface door for wafer storage and handling container
US5700725A (en) * 1995-06-26 1997-12-23 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for making integrated circuits
WO1997003222A1 (en) * 1995-07-10 1997-01-30 Asyst Technologies, Inc. Cassette support and rotation assembly
DE19549045C1 (de) * 1995-12-28 1997-06-05 Jenoptik Jena Gmbh Einrichtung zur Handhabung von scheibenförmigen Objekten
US5674039A (en) * 1996-07-12 1997-10-07 Fusion Systems Corporation System for transferring articles between controlled environments
KR100245647B1 (ko) * 1996-09-05 2000-02-15 윤종용 반도체 제조설비용 웨이퍼 스토퍼
US5769184A (en) * 1996-09-27 1998-06-23 Brooks Automation, Inc. Coaxial drive elevator
US5951776A (en) * 1996-10-25 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Self aligning lift mechanism
JPH10139159A (ja) * 1996-11-13 1998-05-26 Tokyo Electron Ltd カセットチャンバ及びカセット搬入搬出機構
US5957648A (en) * 1996-12-11 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Factory automation apparatus and method for handling, moving and storing semiconductor wafer carriers
US5964561A (en) * 1996-12-11 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Compact apparatus and method for storing and loading semiconductor wafer carriers
US6540466B2 (en) * 1996-12-11 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Compact apparatus and method for storing and loading semiconductor wafer carriers
NL1005410C2 (nl) * 1997-02-28 1998-08-31 Advanced Semiconductor Mat Stelsel voor het laden, behandelen en ontladen van op een drager aangebrachte substraten.
US6157866A (en) * 1997-06-19 2000-12-05 Advanced Micro Devices, Inc. Automated material handling system for a manufacturing facility divided into separate fabrication areas
US6704998B1 (en) * 1997-12-24 2004-03-16 Asyst Technologies, Inc. Port door removal and wafer handling robotic system
US6398032B2 (en) * 1998-05-05 2002-06-04 Asyst Technologies, Inc. SMIF pod including independently supported wafer cassette
CH693309A5 (de) * 1998-06-03 2003-05-30 Tec Sem Ag Vorrichtung und Verfahren zum Handhaben eines Behälters.
NL1010317C2 (nl) 1998-10-14 2000-05-01 Asm Int Sorteer/opslaginrichting voor wafers en werkwijze voor het hanteren daarvan.
US6168427B1 (en) * 1999-10-05 2001-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus for guiding the removal of a processing tube from a semiconductor furnace
US6692209B1 (en) * 1999-11-19 2004-02-17 Litton Systems, Inc. Method and system for manufacturing a photocathode
TW512478B (en) * 2000-09-14 2002-12-01 Olympus Optical Co Alignment apparatus
US6835039B2 (en) 2002-03-15 2004-12-28 Asm International N.V. Method and apparatus for batch processing of wafers in a furnace
JP2003332402A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Kondo Kogyo Kk ミニエンバライメント方式の半導体製造装置
US6843541B1 (en) * 2002-06-06 2005-01-18 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Glove box for water pit applications
US7256375B2 (en) 2002-08-30 2007-08-14 Asm International N.V. Susceptor plate for high temperature heat treatment
JP3759492B2 (ja) 2002-12-03 2006-03-22 近藤工業株式会社 ミニエンバライメント方式の半導体製造装置
US7033126B2 (en) 2003-04-02 2006-04-25 Asm International N.V. Method and apparatus for loading a batch of wafers into a wafer boat
US7181132B2 (en) 2003-08-20 2007-02-20 Asm International N.V. Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
WO2015023591A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-19 Applied Materials, Inc Substrate processing systems, apparatus, and methods with factory interface environmental controls
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR20210080633A (ko) 2014-11-25 2021-06-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 캐리어 및 퍼지 챔버 환경 제어들을 이용하는 기판 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10069030B2 (en) * 2015-12-14 2018-09-04 Solarcity Corporation Load lock solar cell transfer system
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN120591748A (zh) 2018-06-27 2025-09-05 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及膜和结构
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
EP3918106A4 (de) * 2019-02-19 2022-11-02 Veeco Instruments Inc. Automatisierte dünnschichtabscheidungssysteme mit massenfertigung und verfahren zur verwendung davon
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
TWI908758B (zh) 2020-02-04 2025-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
TWI911214B (zh) 2020-05-19 2026-01-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
KR102902629B1 (ko) * 2021-07-02 2025-12-22 삼성전자주식회사 초임계 유체를 이용한 반도체 공정 방법 및 설비
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
CN115360119B (zh) * 2022-07-27 2023-11-03 徐州市沂芯微电子有限公司 一种半导体芯片的自动化包封设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3972424A (en) * 1973-03-12 1976-08-03 The Computervision Corporation Automatic wafer loading and pre-alignment system
US4405435A (en) * 1980-08-27 1983-09-20 Hitachi, Ltd. Apparatus for performing continuous treatment in vacuum
US4355937A (en) * 1980-12-24 1982-10-26 International Business Machines Corporation Low shock transmissive antechamber seal mechanisms for vacuum chamber type semi-conductor wafer electron beam writing apparatus
JPS57149748A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Treating device for substrate
US4412771A (en) * 1981-07-30 1983-11-01 The Perkin-Elmer Corporation Sample transport system
US4530635A (en) * 1983-06-15 1985-07-23 The Perkin-Elmer Corporation Wafer transferring chuck assembly
JPH067566B2 (ja) * 1983-09-28 1994-01-26 ヒューレット・パッカード・カンパニー 集積回路処理装置
US4532970A (en) * 1983-09-28 1985-08-06 Hewlett-Packard Company Particle-free dockable interface for integrated circuit processing
US4674939A (en) * 1984-07-30 1987-06-23 Asyst Technologies Sealed standard interface apparatus
US4636128A (en) * 1984-08-30 1987-01-13 Texas Instruments Incorporated Semiconductor slice cassette transport unit
US4674936A (en) * 1985-08-26 1987-06-23 Asyst Technologies Short arm manipulator for standard mechanical interface apparatus
US4676709A (en) * 1985-08-26 1987-06-30 Asyst Technologies Long arm manipulator for standard mechanical interface apparatus
US4657475A (en) * 1985-09-23 1987-04-14 Sumitomo Rubber Industries, Ltd. Method for positioning seamed balls

Also Published As

Publication number Publication date
EP0238751B1 (de) 1993-02-17
JPS62222625A (ja) 1987-09-30
DE3687795D1 (de) 1993-03-25
EP0238751A3 (en) 1989-07-19
CA1267978A (en) 1990-04-17
US4781511A (en) 1988-11-01
KR940002914B1 (ko) 1994-04-07
EP0238751A2 (de) 1987-09-30
KR870009445A (ko) 1987-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3687795T2 (de) Halbleiterbehandlungsvorrichtung.
DE3686614T2 (de) Vorrichtung und verfahren zum automatisierten manipulieren einer kassette.
DE19726305C2 (de) System zum Transportieren von Objekten zwischen Umgebungen mit kontrollierten Bedingungen
DE69208937T2 (de) Halbleiter-Herstellungseinrichtung
DE60025708T2 (de) Mehrstufiger einzelantrieb für foup-türöffnungssystem
DE10222851B4 (de) Schneidmaschine
DE69428618T2 (de) Thermischer Reaktor für Operationen zur Bearbeitung von Halbleiter-Wafer
DE69935039T2 (de) Verfahren und vorrichtung zum transport von halbleiterplättchen
EP0805480A3 (de) SMIF-System zum Einschleusen von Substraten in Schleusenreinsträume
DE4326309C1 (de) Vorrichtung zum Transport von Wafermagazinen
EP0542793A1 (de) Anordnung zum lagern, transportieren und einschleusen von substraten.
DE19781822B4 (de) Reinigungsstation zur Verwendung bei einem System zum Reinigen, Spülen und Trocknen von Halbleiterscheiben
DE102019207133B4 (de) Beförderungssystem
EP0158900A2 (de) Anlage zum automatischen Beschicken einer Ofenanordnung mit Halbleiterscheiben
DE102020208907B4 (de) Transportsystem
DE19611713A1 (de) Vorrichtung zum Bearbeiten von flachen Werkstücken, wie z. B. Karten oder Buchdokumenten
DE19716690B4 (de) Wärmebehandlungsvorrichtung für Halbleiterkristallscheiben
DE112005003767B4 (de) Ablage-Halteeinrichtung
DE19932735A1 (de) Mikroelektronik-Fabrikationssystem sowie Verfahren und Vorrichtung zu dessen Reinigung
DE4210960A1 (de) Einrichtung und Verfahren zur Handhabung von Gegenständen
DE112016001704T5 (de) Werkstück-Anbringungs-/Entfernungsvorrichtung
DE4332657C2 (de) Vorrichtung zum Handhaben von Substraten in Reinsträumen und mit einer derartigen Vorrichtung versehene Schleuseneinrichtung
DE3317574A1 (de) Werkstueck-sammel- und transportvorrichtung
DE3686943T2 (de) Manipulator fuer mechanische standardkoppelsysteme.
DE3686314T2 (de) Vorrichtung zur bestimmung der haftkraefte eines klebstoffes zwischen einem halbleiter und seinem substrat.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee