DE3724937C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Zerstäu
bungsquelle für Kathodenzerstäubungsanlagen von der im Oberbegriff der Ansprüche 1 und 2 angegebenen Art sowie auf ein
Verfahren zum Betreiben einer Kathodenzerstäubungsanlage
mittels einer derartigen Zerstäubungsquelle.
Der Vorgang des Kathodenzerstäubens hat außer
ordentlich weite Verbreitung zur Herstellung dünner Schichten
gefunden. Das gewünschte Material wird dabei durch Ionenbe
schuß einer geeigneten Quelle zerstäubt. Die dazu erforder
lichen Ionen werden durch Anlegen einer negativen Spannung
an die Kathode durch eine Gasentladung erzeugt und auf die
Kathode beschleunigt. Die Plasmadichte und damit die Zer
stäubungsrate kann dabei durch zusätzliche Magnetfelder er
höht werden. Dabei ist es unerheblich, ob der Plasmagenerator
durch eine DC-, Wechselstrom-, Hochfrequenz- oder Mikrowellen
entladung gebildet wird.
Im Zuge des Zerstäubungsvorganges erodiert
das Targetmaterial mit fortschreitender Gebrauchsdauer.
Ist eine bestimmte Masse des Materials abgestäubt, muß der
Zerstäubungsvorgang unterbrochen und die erodierte Kathode
bzw. der Targetkörper ersetzt werden.
Die Kathodenmaterialien müssen während des
Kathodenzerstäubungsprozesses sehr intensiv gekühlt werden.
Dabei werden zwei Methoden unterschieden. Bei der direkten
Kühlung wird die Rückseite des Targetkörpers vom Kühlmedium direkt be
strichen. Nach der indirekten Methode wird der Targetkörper durch
Anklemmen mit einem geschlossenen Kühlmittelkanal in Wärmekontakt gebracht.
Würde man nun zulassen, daß ein derartiger Targetkörper vollständig
durcherodiert, so würde im einen Fall Kühlmittel
in die Prozeßkammer austreten und im anderen Fall das Kon
struktionsmaterial der Kühlkanäle abgestäubt. Angesichts der
hohen Reinheitsanforderungen, welche an die erzeugten dün
nen Schichten gestellt werden, würde ein derartiges
Durcherodieren zu einer unbrauchbaren Schichtqualität und
damit zu einem Ausfall der gesamten Anlage führen. Die Verun
reinigung der Anlage führt darüber hinaus zu langen Still
standszeiten zur Durchführung der erforderlichen Reinigungs
arbeiten.
Auf der anderen Seite ist es erwünscht,
daß möglichst viel Targetmaterial verbraucht werden
kann, bevor diese ersetzt werden muß, da unter Umständen
sehr wertvolle Werkstoffe wie Silber, Gold, Platin oder
Palladium als Targets eingesetzt werden. Das Beherrschen der
Erosionsvorgänge des Targets bestimmt daher nicht nur die
Betriebssicherheit, sondern auch die Standzeiten der Targets
und dadurch die Wirtschaftlichkeit einer Kathodenzerstäubungs
anlage.
Eine Zerstäubungsquelle der eingangs genannten Art ist aus
US-PS 44 07 708 bekannt. Bei ihr ist unmittelbar hinter der
Rückseite des Targetkörpers ein Temperatursensor angeordnet.
Der von ihm gemessene Temperaturanstieg ist ein Maß
für die fortschreitende Abnahme der Dicke der vor dem Temperatursensor
liegenden Schicht aus Targetmaterial. Der Zusammenhang
zwischen der Schichtdicke und der vom Sensor angezeigten
Temperatur muß in Form einer Eichkurve empirisch
ermittelt werden. Dieser hängt von den jeweiligen Prozeßbedingungen,
wie z. B. Zerstäubungsleistung, Kühlleistung, dem
verwendeten Targetmaterial und dgl. ab und ändert sich somit
bei Änderung dieser Bedingungen. Es ist deshalb mit
dieser bekannten Zerstäubungsquelle schwierig, das Erreichen
einer vorgegebenen Erosionstiefe des Targetkörpers
hinreichend präzise und zuverlässig anzuzeigen. Um einen
Targetdurchbruch mit Sicherheit auszuschließen, muß deshalb
die Abschaltung relativ frühzeitig erfolgen, wenn noch eine
ausreichende Reserve an Targetwanddicke vorhanden ist, was
zu einem unwirtschaftlichen Betrieb der Anlage führt.
Bei einer aus US-PS 45 45 882 bekannten Zerstäubungsquelle
ist im Targetkörper eine Einlage aus targetfremdem Material
angeordnet und es wird detektiert, wenn dieses targetfremde
Material zerstäubt und auf dem Substrat niedergeschlagen
wird. Bei einer aus US-PS 43 74 722 bekannten Zerstäubungsquelle
ist hinter dem Targetkörper ein mit Gas gefüllter
Hohlraum vorgesehen, und es wird der beim Targetdurchbruch
stattfindende Austritt dieses Gases in die Vakuumkammer erfaßt.
In beiden Fällen kommt es zu unerwünschten Verunreinigungen
der Vakuumkammer und der in ihr zu erzeugenden
dünnen Schichten.
Bekannt sind ferner indirekte Meßmethoden zur kontinuierlichen
Überwachung der Materialabnahme des Targets, z. B.
durch Messen der Laufzeit von am Targetkörper erzeugten
akustischen Oberflächenwellen (DD-PS 2 16 258),
durch Messung der
Zerstäubungsspannung (CH-PS 6 57 382), bei ferromagnetischen
Targets durch Messung der magnetischen Induktion unterhalb
des Targets mittels Hall-Sonden (GB-OS 21 44 772, Anspruch 8),
durch Messung der Induktion eines magnetischen Streufeldes
(DE-OS 34 25 659, S. 73) oder bei nicht-magnetischen Targetmaterialien
durch Messung der Plasma-Impedanz bzw. der Plasma-
Spannung in der Prozeßkammer (DE-OS 34 25 659,
S. 75 ff.). Alle diese Methoden einer indirekten
Messung der Erosion des Targets erfordern zusätzliche,
zum Teil sehr aufwendige empirische Untersuchungen
zur Eichung des betreffenden Systems und bleiben deshalb mit
verhältnismäßig hohen Unsicherheits
faktoren behaftet, welche in der betrieblichen Praxis, namentlich
beim Betrieb von Produktionsanlagen mit hohem Automatisierungsgrad,
nicht akzeptiert werden können.
Die nicht vorveröffentlichte DE-PS 36 30 737 beschreibt eine
Zerstäubungsquelle, bei der im Targetkörper in vorgegebenem
Abstand von dessen Frontseite eine Sonde angeordnet ist, die
über eine Leitung mit einem außerhalb des Targetkörpers angeordneten
Sensor verbunden ist. Dieser spricht auf eine Meßgröße
an, die eine sprunghafte Änderung zeigt, wenn die Erosion
des Targetkörpers die Sonde erreicht. Die Sonde kann
beispielsweise aus einer gasgefüllten Kammer bestehen, und
der Sensor erfaßt die Druckänderung des Gases, wenn die Erosion
die Kammern erreicht. Die Sonde kann auch ein elektrischer
Meßdraht sein, dessen Potential oder Widerstand vom
Sensor überwacht wird. Bei den beschriebenen Anordnungen wird
nicht vermieden, daß Gas aus der Sonde und/oder Sondenmaterial
in die Vakuumkammer gelangt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Zerstäubungsquelle
der eingangs genannten Art anzugeben, bei der das Erreichen
einer vorgegebenen Erosionstiefe des Targets direkt
und mit hoher Präzision und Zuverlässigkeit festgestellt werden
kann und die dadurch einen Betrieb der Zerstäubungsanlage
mit hoher Betriebssicherheit und Wirtschaftlichkeit ermöglicht.
Erfindungsgemäße Lösungen der Aufgabe sind in den Ansprüchen
1 und 2 angegeben. Hierbei bezieht sich Anspruch 1 auf die
Erosionskontrolle mit einem unmittelbar im Targetkörper angeordneten
Sensor, während sich Anspruch 2 auf die Erosionskontrolle
durch Lichtmessung mit einem entfernt vom Targetkörper
angeordneten Sensor bezieht.
Die Erfindung beruht auf der Überlegung,
daß ein Sensor auf eine Größe anspricht, welche dadurch
in sprunghafter Weise verändert wird, daß der Sensor bzw.
die Ausnehmung des Targetkörpers, in der er befestigt ist,
im Zuge der Erosion des Targetkörpers freigelegt wird und
damit unmittelbaren Zugang zum Innern der Prozeßkammer erhält.
Im Gegensatz zu den vorbekannten
Vorrichtungen und Verfahren ist daher bei Verwendung der erfindungsgemäßen
Zerstäubungsquelle keine vorherige Eichung des Systems notwendig.
Der Zeitpunkt der sprunghaften Veränderung der Meßgröße
kann vielmehr durch eine entsprechende Plazierung des
Sensors bzw. des Lichtleiters nach den Erfordernissen des konkreten Verfahrens
frei ausgewählt werden. Da die gewählte Position des Sen
sors während des Kathodenzerstäubungsvorgangs vorgegeben ist
und nicht mehr verändert wird, bildet die durch die Freilegung
erzeugte sprunghafte Veränderung der betreffenden
Meßgröße ein direktes Maß für die Abtragung der
Targetoberfläche, im Gegensatz zu den im Stand der Technik
offenbarten Vorrichtungen, welche diese Abtragung nur auf
indirekte Weise anhand von Sekundäreffekten erfassen.
Als Meßgrößen sind nach der Erfindung grundsätzlich
alle Variablen geeignet, welche im Innern der Prozeßkammer
während des Kathodenzerstäubungsvorganges wesentlich
unterschiedliche Werte als außerhalb derselben aufweisen
und daher beim Freilegen des Sensors oder des Lichtleiters durch Erosion eine
sprunghafte Veränderung des Signals erzeugen: photometrische
Größen (Lichtstärke, Leuchtdichte, Lichtstrom usw.),
Anzahl und Dichte der elektrischen Ladungsträger, Temperatur,
Druck usw. Für Sonderanwendungen erscheinen auch weitere
Meßgrößen als geeignet, wie beispielsweise der Partialdruck
bestimmter Komponenten in der Prozeßkammer,
die Wellenlänge des emittierten Lichtes usw. Die Realisation
der Erfindung ist besonders einfach und wirkungsvoll,
wenn die Meßgrößen der Plasmaentladung selbst zur Auswertung
verwendet werden.
Als besonders vorteilhaft erscheint es, den
Sensor oder Lichtleiter an derjenigen Stelle des Targetkörpers anzubringen,
an der vermutlich die stärkste Erosion während des Kathodenzerstäubungsprozesses
auftreten wird. Bei Zerstäubungsquellen,
bei denen nicht nur ein Endzustand, sondern auch
Zwischenstadien der Targeterosion erfaßt werden sollen,
ist es darüber hinaus vorteilhaft, eine Mehrheit von Sensoren
an in horizontaler Richtung unterschiedlichen Stellen des
Targetkörpers anzubringen, wodurch eine schrittweise Beobachtung
der Entwicklung des Erosionsbildes möglich ist. Die
Aussagekraft dieses schrittweisen Beobachtungsvorganges
wird noch erhöht, wenn eine Mehrheit von Sensoren an in
vertikaler Richtung unterschiedlichen Stellen des Targets
befestigt werden, welche der fortschreitenden Erosion der
Targetoberfläche entsprechen. In allen diesen Ausführungsformen
der Erfindung können die Sensoren entweder vollständig in Ausnehmungen
im Innern des abzutragenden Targetkörpers oder in Ausnehmungen
einer hinter diesem Targetkörper befindlichen
Kühlplatte befestigt werden, wobei sie
teilweise in eine Ausnehmung des Targetkörpers
hineinreichen oder mit dieser in Verbindung stehen.
Nach dem Durcherodieren eines Targets und der
damit verbundenen Freilegung des Sensors besteht die Gefahr,
daß dieser selbst durch Rücksputtern von Material teilweise
beschichtet wird. Im einfachsten Fall macht dies eine zu
sätzliche Reinigung des Sensors notwendig, im ungünstige
ren Fall wird dadurch das Meßsignal gestört. Dieser unerwünschten
Nebenerscheinung kann dadurch begegnet werden,
daß die vorbestimmte Stelle, an der das Durcherodieren des
Targets festgestellt werden soll und die Stelle, an der der
Sensor befestigt wird, nicht identisch sind und durch eine
Ausnehmung im Targetkörper miteinander verbunden werden.
Allenfalls rückgesputtertes Material setzt sich alsdann an
den Wänden der Ausnehmung ab und der Sensor selbst wird
davon verschont.
Nach dem Durcherodieren des Targets und der
damit verbundenen Freilegung des Sensors wird während eines
kurzen Zeitintervalls Material des Sensors selbst abgestäubt.
Um zu vermeiden, daß dadurch die in der Prozeßkammer
erzeugten dünnen Schichten verunreinigt werden, was
angesichts der hohen Anforderungen an die Reinheit derselben
unter Umständen zu enormen wirtschaftlichen Einbußen
führt, werden die der Zerstäubung evtl. ausgesetzten Teile des
Sensors, gegebenenfalls auch
der Sensorhalterung oder einer Abdeckung im aktiven Bereich
aus dem gleichen Werkstoff wie der Targetkörper gefertigt. Wenn
nunmehr das Material des freigelegten Sensors abgestäubt
wird, beeinträchtigt dies die Schichtqualität in keiner
Weise.
Für die einzelnen Ausführungsformen der vor
liegenden Erfindung steht eine Vielzahl von konstruktiven
Möglichkeiten zur Verfügung. Sensoren können beispiels
weise in Sacklöchern befestigt werden, deren
Achse der Richtung des Erosionsvorganges des Targets ent
spricht. Durch den Erosionsvorgang werden diese Sacklöcher
auch auf der Seite der Prozeßkammer eröffnet. Sensoren
können aber auch in durchgehenden Bohrungen oder Nuten
angebracht werden, deren Achse mehr oder weniger senk
recht zur Richtung des Erosionsvorganges des Targets ver
läuft. Besonders vorteilhaft erscheint diese Variante bei
Zerstäubungsquellen mit direkter Kühlung, bei denen eine
Durchführung des Sensors durch einen Kühlmittelstrom kon
struktive Schwierigkeiten bereiten würde. In dieser Aus
führungsform können die Sensoren auch als Signalgeber und
Signalempfänger ausgestaltet werden, und die Störung eines
konstanten Signals durch die Freilegung der Bohrung oder
Nut im Zuge des Erosionsprozesses bildet ihrerseits ein
direktes Maß für die Abtragung des Targets. Nach dieser
Überlegung können etwa Änderungen eines Lichtstromes,
der elektrischen Leitfähigkeit oder des Druckes in der
Bohrung zur Erfassung des Abtragungsvorganges dienen.
Da die erfindungsgemäße
Zerstäubungsquelle eine sprunghafte Veränderung einer Meßgröße
und damit ein Signal liefert, welches eindeutig und
von geringer Störanfälligkeit ist, kann der
Zeitpunkt dieser sprunghaften Veränderung der Meßgröße
und damit auch der Zeitpunkt des Abschaltens der Zerstäubungsquelle
im Rahmen der vorgegebenen Systemparameter
völlig frei durch Auswählen einer bestimmten Plazierung
des Sensors im Targetkörper festgelegt werden.
Als Meßgrößen können neben photometrischen
Variablen (Lichtstärke, Leuchtdichte, Lichtstrom, spezifi
sche Lichtausstrahlung, Lichtmenge, Beleuchtungsstärke,
Belichtung usw.) elektrostatische oder elektrische Größen
(Anzahl oder Dichte der elektrischen Ladungsträger, elektri
sche Leitfähigkeit usw.), die Temperatur von Wärmequellen
und der Druck in der Prozeßkammer eingesetzt werden.
Eine zusätzliche Ausführungsform der Erfindung besteht in
der Erfassung des Partialdruckes einzelner Komponenten
in der Prozeßkammer unter Verwendung chemischer Detektions
methoden sowie in der selektiven Verarbeitung der erzeugten
Signale anhand charakteristischer Frequenzen der Entladung
während des Kathodenzerstäubungsvorganges oder anhand der
charakteristischen Wellenlänge des Lichtes bei photometri
schen Größen. Im ersteren Fall bedeutet dies, daß die
an den Meßpunkten erfaßten Signale derart verarbeitet
werden, daß ausschließlich charakteristische Frequenzen
der Entladung während des Kathodenzerstäubungsprozesses
ausgewertet, andere Frequenzen dagegen nicht verarbeitet
werden. Im zweiten Fall erfordert die selektive Verarbei
tung anhand der Wellenlänge eine Ergänzung des Verarbei
tungssystems durch einen Monochromator.
Zur Übermittlung der Signale bei photometri
schen Größen eignen sich die bekannten Lichtleitfasern,
die darüber hinaus den konstruktiven Vorteil bieten, daß
der Sensorhalter nicht aus einem isolierenden Werk
stoff gefertigt werden muß.
Die Verarbeitung der Signale kann so angelegt
sein, daß die sprunghafte Veränderung der Meßgröße beim
Durcherodieren des Targetkörpers ohne Verzug zum Abschalten
der Zerstäubungsquelle führt. Zweckmäßiger kann es unter
Umständen sein, die Tiefe des Sensors im Targetkörper der
art auszuwählen, daß nach dem Durcherodieren noch genü
gend Targetmaterial verbleibt, so daß der angefangene
Prozeßschritt noch in jedem Fall zu Ende gefahren werden
kann. Zu diesem Zweck ist zwischen der sprunghaften Ver
änderung des Signals beim Durcherodieren und dem Abschal
ten der Anlage ein Zeitintervall vorzuprogrammieren, wel
ches dem Zeitbedarf für einen vollständigen Prozeßschritt
unter den gegebenen Rahmenbedingungen entspricht. Auf die
se Weise ist dafür gesorgt, daß ein einmal angelaufener
Prozeß nicht vorzeitig abgebrochen werden muß, ein un
erwünschter Vorgang, der zu einer Beeinträchtigung der
Qualität der produzierten Schichten oder sogar zu Aus
schußprodukten sowie zu unwirtschaftlichen Produktions
unterbrechungen führt.
Im folgenden wird die Erfindung anhand verschie
dener Ausführungsformen beispielhaft erläutert, ist jedoch
nicht auf diese besonderen Ausführungsformen beschränkt.
Dabei stellen dar:
Fig. 1 einen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße
Zerstäubungsquelle mit indirekter Kühlung;
Fig. 2 eine vergrößerte Einzelheit aus Fig. 1;
Fig. 3 einen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße
Zerstäubungsquelle mit einer Mehrzahl von Sen
soren und indirekter Kühlung;
Fig. 4 einen weiteren Querschnitt durch eine erfindungs
gemäße Zerstäubungsquelle, bei der die Stelle
des mutmaßlichen Durcherodierens nicht iden
tisch mit der Position des Sensors ist;
Fig. 5 einen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße
Zerstäubungsquelle mit direkter Kühlung;
Fig. 6 einen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße
Zerstäubungsquelle mit indirekter Kühlung, bei
der die beiden Sensoren als Signalgeber und
-empfänger ausgestaltet sind.
Die in Fig. 1 dargestellte Zerstäubungsquelle
ist aufgebaut aus einem plattenförmigen Targetkörper 1, der
im Zuge des Kathodenzerstäubungsverfahrens erodiert wird
und dessen Material zur Erzeugung der betreffenden dünnen
Schichten auf einem Substrat dient. Dieser Targetkörper 1
weist an seinem Rand eine Schulter auf und ist durch einen
der Prozeßkammer zugewandten und in diese Schulter einge
setzten Targethalterrahmen 2 mittels Schraubverbindungen 3
mit einer Kühlplatte 5 verbunden. Der thermische Kontakt
zwischen Targetkörper 1 und Kühlplatte 5 kann durch eine
eingefügte Folie 4 aus einem Werkstoff mit guter Wärmeleit
fähigkeit verbessert werden. Die Kühlplatte 5 weist dabei
eine Anzahl von Kanälen 6 auf, durch die ein Kühlmittel
geleitet wird. Die Zusammensetzung aus Targetkörper 1 und
Kühlplatte 5 ist auf dem Kathodenkörper 11 befestigt, in
dessen Innern sich ein Magnetsystem aus Permanentmagneten
10 befindet. Der Kathodenkörper 11 ist mittels Isolatoren
9 an einem Prozeßkammerflansch 8 befestigt, an dessen der
Prozeßkammer zugewandten Seite ein Dunkelraumschild 7 als
Anode aufgesetzt ist.
Zur Erfassung der Erosion 12 des plattenförmigen
Targetkörpers 1 weist dieser an seiner der Prozeßkammer
abgewandten Seite eine Ausnehmung 13 auf, der eine entspre
chende Bohrung in der Kühlplatte 5 gegenüberliegt. In diese
Bohrung der Kühlplatte 5 ist eine Halterung 15 für einen
Sensor 14 eingeschraubt, dessen plättchenförmig ausgestal
tetes Ende in die Ausnehmung 13 im Targetkörper 1 hinein
ragt. Je nach der Art der von dem Sensor zu erfassenden Meß
größe ist dabei die Sensorhalterung 15 entweder aus einem
isolierenden oder aus einem elektrisch leitenden Werkstoff
ausgeführt.
Wird der Rand der Ausnehmung 13 im Zuge des Katho
denzerstäubungsverfahrens durcherodiert, so verändert sich
der als Meßgröße eingesetzte Parameter (photometrische
Größen, elektrische Ladung, Temperatur, Druck usw.) sprung
artig von einem Nullwert auf den in der Prozeßkammer herr
schenden Wert. Dieser Sprung wird vom Sensor 14 registriert
und als ein entsprechendes Signal durch die Leitung 16 und
die Bohrung 17 im Kathodenkörper 11 an das Verarbeitungssys
tem weitergegeben, welches in an sich bekannter Weise aus
Trennverstärker 18, Schaltverstärker 19 und Schalter 20
aufgebaut ist. Vorteilhafterweise werden dabei die Verhält
nisse derart gewählt, daß die Zerstäubungsquelle erst nach
einem vorgegebenen Zeitintervall abgeschaltet wird, wodurch
eine optimale Ausnutzung des Targetkörpers 1 gewährleistet
ist, welche die Standzeit erhöht und bei teuren Werkstoffen
besonders ins Gewicht fallen kann.
Fig. 2 zeigt eine vergrößerte Einzelheit aus
der Fig. 1. Die Sensorhalterung 15 ist dabei als zapfenför
mige Struktur erkennbar und weist ein Gewinde zum Verschrau
ben in einer entsprechenden Bohrung der Kühlplatte 5 auf.
Der Sensor 14 endet in einem Plättchen 21, das in die Aus
nehmung 13 des Targetkörpers 1 hineinragt und beispielswei
se als Elektrode zur Erfassung der elektrischen Ladungen in
der Prozeßkammer dienen kann. Dieses Plättchen wird zweckmä
ßigerweise aus dem gleichen Werkstoff gefertigt wie der betref
fende Targetkörper 1. Da nach dem Durcherodieren notwendiger
weise während eines kurzen Zeitintervalls Material dieses Plätt
chens abgestäubt wird, verhindert diese Maßnahme, daß die
erzeugte dünne Schicht durch diesen Vorgang verunreinigt wird.
In Fig. 3 ist ein weiterer Targetkörper mit in
direkter Kühlung dargestellt. Dieser weist eine Mehrzahl von
Ausnehmungen 13a, 13b und 13c auf, welche von der Rückseite
des Targetkörpers her in diesen eindringen und unterschied
liche Tiefen aufweisen. Eine derartige Anordnung gestattet
es, das Fortschreiten der Erosion 12 des Targetkörpers 1 zu
verschiedenen Zeitpunkten während des Kathodenzerstäubungs
verfahrens zu verfolgen und das Abschalten der Quelle mit den
entsprechenden Zeitintervallen vorzuprogrammieren.
Die in Fig. 4 dargestellte Ausführungsform der
Erfindung weist die Besonderheit auf, daß die Stelle, an
der das Durcherodieren des Targetkörpers 1 erwartet wird,
nicht mit der Position des Sensors 14 übereinstimmt, der
diesen Durchbruch registrieren soll. Vielmehr sind diese bei
den Positionen lediglich durch eine Ausnehmung 13 miteinander
verbunden. Der Sensor 14 ist darüber hinaus in der Bohrung der
Kühlplatte 5 etwas versenkt eingesetzt und steht daher nicht
in mechanischem Kontakt mit dem Targetkörper 1. Diese beson
ders für optische Sensoren vorteilhafte Ausführungsform der
Erfindung verhindert nicht nur ein Abstäuben von Material des
Sensors nach dem Durcherodieren des Targets, sondern sorgt
auch dafür, daß dieser Sensor 14 nicht selbst durch abge
stäubtes Material beschichtet wird und das Meßresultat da
durch verfälscht und eine aufwendige Reinigung des Sensors
erforderlich wird. Um Verunreinigungen zu vermeiden, kann ein
Abdeckplättchen 1a aus Targetmaterial vorgesehen werden.
Die in Fig. 5 dargestellte Ausführungsform der
Erfindung weist eine direkte Kühlung auf, bei der der Kühl
mittelkanal 6 unmittelbar an den Targetkörper 1 angrenzt und
eine Dichtung 22 zwischen diesem und der Kühlplatte 5 vorge
sehen ist. Bei dieser Ausführungsform erscheint es als weni
ger zweckmäßig, Sensoren von der Rückseite des Targetkörpers
her an diesem zu befestigen. Aussichtsreicher erscheint es
dagegen, den Sensor 14 in einer Ausnehmung 13 an der Seite
des Targetkörpers 1 einzusetzen. Diese Ausnehmung 13 ist da
bei als sog. Sackloch (blind hole) ausgestaltet, dessen Tiefe
von der Lage derjenigen Stelle abhängt, an der die Erosion
12 des Targetkörpers 1 erfaßt werden soll. Besteht der Sen
sor 14, wie in der Figur dargestellt, aus einer Lichtleit
faser, so ergeben sich aus der größeren Tiefe des Sackloches
13 keine zusätzlichen Schwierigkeiten und die Sensorhalterung
15 braucht in diesem Fall auch nicht aus einem isolierenden
Werkstoff gefertigt zu werden.
Eine Variante dieser Ausführungsform der Erfindung
zeigt Fig. 6. Nach dieser Variante werden zwei lateral be
festigte Sensoren als Signalgeber 14a und als Signalempfänger
14b ausgestaltet und mit einer durchgehenden Bohrung 23 mitei
nander verbunden. Wird dabei eine photometrische Größe, wie
beispielsweise die Beleuchtungsdichte als Meßgröße verwen
det, so wirkt die dargestellte Anordnung als Durchlichtschran
ke. Diese Variante bietet den Vorteil, daß die Erosion 12
des Targetkörpers 1 auf der ganzen Ausdehnung desselben gleich
zeitig überwacht werden kann und daß daher die Stelle maxima
ler Erosion 12 nicht punktuell genau vorbestimmt werden muß.
Claims (15)
1. Zerstäubungsquelle für Kathodenzerstäubungsanlagen
mit einem Targetkörper (1) aus zu zerstäubendem Targetmate
rial, der eine beim Zerstäuben der Erosion ausgesetzte
Frontseite aufweist, und mit mindestens einem im oder am
Targetkörper im vorgegebenen Abstand von dessen Frontseite
angeordneten Sensor (14) zur Überwachung der Targeterosion,
wobei der Sensor auf eine von der Targeterosion abhängige
Meßgröße anspricht und ein entsprechendes Ausgangssignal in
einer vom Targetkörper wegführenden Signalleitung (16) er
zeugt,
dadurch gekennzeichnet, daß der Sensor (14)
auf eine Meßgröße anspricht, die eine sprunghafte Änderung
zeigt, wenn die Erosion des Targets eine vorgegebene Stelle
im Targetkörper erreicht, bei der der Sensor (14) von der
Frontseite des Targetkörpers her zugänglich wird,
und daß der Sensor (14) derart ausgebildet und/oder ange
ordnet ist, daß alle Oberflächen, die der Zerstäubung aus
gesetzt sind, wenn die Erosion die vorgegebene Stelle im
Targetkörper erreicht hat, aus Targetmaterial bestehen.
2. Zerstäubungsquelle für Kathodenzerstäubungsanlagen
mit einem Targetkörper (1) aus zerstäubendem Targetmate
rial, der einem beim Zerstäuben der Erosion ausgesetzte
Frontseite aufweist, und mit mindestens einem im oder am
Targetkörper im vorgegebenen Abstand von dessen Frontseite
angeordneten Sensor zur Überwachung der Targeterosion, da
durch gekennzeichnet, daß im oder am Tar
getkörper (1) in vorgegebenem Abstand von dessen Frontseite
mindestens ein Lichtleiter (14, Fig. 5) oder Lichtkanal
(13, Fig. 4; 23, Fig. 6) angeordnet ist, in welchem eine
sprunghafte Änderung der Lichtverhältnisse eintritt, wenn
die von der Frontseite fortschreitende Erosion den Ort des
Lichtleiters oder Lichtkanals erreicht hat, und daß an den
Lichtleiter oder Lichtkanal ein diese Änderung der Licht
verhältnisse erfassender Sensor (14, 16) angeschlossen
ist.
3. Zerstäubungsquelle nach den Patentansprüchen 1 oder
2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehr
heit von Sensoren (14) an entlang der Frontseite unter
schiedlichen Stellen des Targetkörpers (1) angebracht sind.
4. Zerstäubungsquelle nach einem der Patentansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine
Mehrheit von Sensoren (14) in unterschiedlichen Abständen
von der Frontseite des Targetkörpers (1) angebracht sind.
5. Zerstäubungsquelle nach einem der Patentansprüche 2
bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß im oder
am Targetkörper (1) mehrere Lichtleiter oder Lichtkanäle
vorgesehen sind.
6. Zerstäubungsquelle nach einem der Patentansprüche 1
bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß Ausneh
mungen (13) im Targetkörper (1) in der Form von Sacklöchern
zur Aufnahme der Sensoren vorgesehen sind.
7. Zerstäubungsquelle nach einem der Patentansprüche 1
bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere
Ausnehmungen (13) im Targetkörper (1) durch durchgehende
Lichtleiter oder Lichtkanäle miteinander verbunden sind.
8. Zerstäubungsquelle nach Patentanspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der Sensor (14) minde
stens einen optischen Signalgeber (14a) und mindestens
einen optischen Signalempfänger (14b) aufweist.
9. Zerstäubungsquelle nach einem der Patentansprüche 1
bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Sen
sor (14) eine an der Frontseite des Targetkörpers (1) herr
schende, photometrische Größe, insbesondere die Beleuch
tungsstärke erfaßt.
10. Zerstäubungsquelle nach einem der Patentansprüche 1
bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Sen
sor (14) elektrische Ladungsträger aus der Prozeßkammer er
faßt.
11. Zerstäubungsquelle nach einem der Patentansprüche 1
bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Sen
sor (14) Wärme aus der Prozeßkammer erfaßt.
12. Zerstäubungsquelle nach einem der Patentansprüche 1
bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Sen
sor (14) ein Drucksensor ist.
13. Zerstäubungsquelle nach einem der Patentansprüche 1
bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß an den
Sensor (14) eine Auswerteeinrichtung zum Auswerten der Sen
sorsignale selektiv in einem oder mehreren vorgegebenen
Frequenzbereichen angeschlossen ist.
14. Verfahren zum Betrieb einer Zerstäubungsanlage mit
einer Zerstäubungsquelle nach einem der Patentansprüche 1
bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß mittels
des Sensors ein Signal erzeugt wird, wenn die Erosion des
Targetkörpers eine vorgegebene Stelle erreicht hat, und daß
der Zerstäubungsprozeß nach einem vorgegebenen Zeitinter
vall nach Auftreten des Signals abgebrochen wird.
15. Verfahren nach Patentanspruch 14, dadurch ge
kennzeichnet, daß eine Zerstäubungsquelle ver
wendet wird, deren Sensor in solchem Abstand von der Front
seite angeordnet ist, daß bei Auftreten des Sensorsignals
noch ausreichend Targetmaterial für die Beendigung einer
angefangenen Zerstäubungscharge vorhanden ist, und daß das
Zeitintervall gleich der für eine vollständige Zerstäu
bungscharge benötigten Zeit gewählt wird.
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|---|---|---|---|
| CH5207/86A CH669609A5 (de) | 1986-12-23 | 1986-12-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3724937A1 DE3724937A1 (de) | 1988-07-07 |
| DE3724937C2 true DE3724937C2 (de) | 1991-02-28 |
Family
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Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE8710321U Expired DE8710321U1 (de) | 1986-12-23 | 1987-07-28 | Zerstäubungsquelle für Kathodenzerstäubungsanlagen |
| DE19873724937 Granted DE3724937A1 (de) | 1986-12-23 | 1987-07-28 | Zerstaeubungsquelle fuer kathodenzerstaeubungsanlagen |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE8710321U Expired DE8710321U1 (de) | 1986-12-23 | 1987-07-28 | Zerstäubungsquelle für Kathodenzerstäubungsanlagen |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4983269A (de) |
| JP (1) | JP2739080B2 (de) |
| CH (1) | CH669609A5 (de) |
| DE (2) | DE8710321U1 (de) |
| FR (1) | FR2608633B1 (de) |
| GB (1) | GB2199340B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010052341A1 (de) * | 2010-11-25 | 2012-05-31 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Schutzvorrichtung an Rohrtargets |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4022461A1 (de) * | 1990-07-14 | 1992-01-23 | Leybold Ag | Zerstaeubungskathode |
| DE4123589C2 (de) * | 1991-07-17 | 2001-03-29 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Messen der Lichtstrahlung eines Plasmas |
| EP0615273A1 (de) * | 1993-03-12 | 1994-09-14 | Applied Materials, Inc. | Verfahren und Vorrichtung zur Erfassung der Erosion eines Zerstäubungstargets |
| JPH08176808A (ja) * | 1993-04-28 | 1996-07-09 | Japan Energy Corp | 寿命警報機能を備えたスパッタリングタ−ゲット |
| DE19508405A1 (de) * | 1995-03-09 | 1996-09-12 | Leybold Ag | Kathodenanordnung für eine Vorrichtung zum Zerstäuben von einem Target-Paar |
| DE19535894A1 (de) * | 1995-09-27 | 1997-04-03 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE19648390A1 (de) * | 1995-09-27 | 1998-05-28 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage |
| DE19540543A1 (de) * | 1995-10-31 | 1997-05-07 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit Hilfe des Chemical-Vapor-Deposition-Verfahrens |
| DE19607803A1 (de) * | 1996-03-01 | 1997-09-04 | Leybold Ag | Vorrichtung zur Überwachung der Targetabnutzung von Sputterkathoden |
| US6280579B1 (en) * | 1997-12-19 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Target misalignment detector |
| KR20030024868A (ko) * | 2000-08-17 | 2003-03-26 | 토소우 에스엠디, 인크 | 수명-종료-표시를 갖는 고순도 스퍼터 타켓과 이의 제조방법 |
| WO2004024979A1 (en) * | 2002-09-12 | 2004-03-25 | Honeywell International Inc. | Sensor system and methods used to detect material wear and surface deterioration |
| EP1556526B1 (de) * | 2002-10-21 | 2009-03-11 | Cabot Corporation | Verfahren zur herstellung eines sputtertargets und sputtertarget |
| US6811657B2 (en) * | 2003-01-27 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Device for measuring the profile of a metal film sputter deposition target, and system and method employing same |
| WO2004094688A1 (en) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Honeywell International Inc. | Pvd target/backing plate constructions; and methods of forming pvd target/backing plate constructions |
| US7282122B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-10-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method and system for target lifetime |
| US20060081459A1 (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ monitoring of target erosion |
| US20060171848A1 (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Advanced Energy Industries, Inc. | Diagnostic plasma sensors for endpoint and end-of-life detection |
| US8795486B2 (en) * | 2005-09-26 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
| US20070068796A1 (en) * | 2005-09-26 | 2007-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of using a target having end of service life detection capability |
| US7891536B2 (en) * | 2005-09-26 | 2011-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
| TWI337301B (en) * | 2005-09-26 | 2011-02-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | System and method for detecting a lifetime of a slab consumable material used by a process tool |
| US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
| US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
| US20080145688A1 (en) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | H.C. Starck Inc. | Method of joining tantalum clade steel structures |
| US8197894B2 (en) | 2007-05-04 | 2012-06-12 | H.C. Starck Gmbh | Methods of forming sputtering targets |
| US8968536B2 (en) * | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
| US7901552B2 (en) | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
| US8246903B2 (en) | 2008-09-09 | 2012-08-21 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| TW201200614A (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Coating device |
| US8703233B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-04-22 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets by cold spray |
| WO2013088600A1 (ja) | 2011-12-12 | 2013-06-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置、ターゲットおよびシールド |
| US10060023B2 (en) | 2012-10-19 | 2018-08-28 | Infineon Technologies Ag | Backing plate for a sputter target, sputter target, and sputter device |
| DE102013216303A1 (de) * | 2013-08-16 | 2015-02-19 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Sputtertarget, Vorrichtung zum Befestigen eines Sputtertargets, Verfahren zum Erkennen des Lösens eines Sputtermaterials sowie Herstellungsverfahren |
| CN104213089B (zh) * | 2014-08-22 | 2016-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 磁控溅射设备及磁控溅射方法 |
| US10041868B2 (en) | 2015-01-28 | 2018-08-07 | Lam Research Corporation | Estimation of lifetime remaining for a consumable-part in a semiconductor manufacturing chamber |
| JP2016211040A (ja) * | 2015-05-11 | 2016-12-15 | 株式会社アルバック | ターゲットアッセンブリ、スパッタリング装置並びにターゲット材の使用限界判定方法 |
| JP6527786B2 (ja) * | 2015-08-20 | 2019-06-05 | 株式会社アルバック | ターゲットアッセンブリ |
| CN107058961A (zh) * | 2017-04-27 | 2017-08-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种物理溅射成膜装置及方法 |
| BE1027175B1 (nl) * | 2019-04-05 | 2020-11-03 | Soleras Advanced Coatings Bv | Magneetstaaf met aangehechte sensor |
| US11424111B2 (en) * | 2020-06-25 | 2022-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Sputtering target assembly to prevent overetch of backing plate and methods of using the same |
| JP7604847B2 (ja) * | 2020-11-11 | 2024-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | スパッタ装置 |
| US11965237B2 (en) * | 2020-11-13 | 2024-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for detecting abnormality of thin-film deposition process |
| CN112663015B (zh) * | 2020-12-14 | 2022-10-14 | 上海超导科技股份有限公司 | 靶材凹坑测试装置及其反馈控制走靶方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3664942A (en) * | 1970-12-31 | 1972-05-23 | Ibm | End point detection method and apparatus for sputter etching |
| US4140078A (en) * | 1974-03-16 | 1979-02-20 | Leybold Heraeus Gmbh & Co. Kg | Method and apparatus for regulating evaporating rate and layer build up in the production of thin layers |
| US4312732A (en) * | 1976-08-31 | 1982-01-26 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method for the optical monitoring of plasma discharge processing operations |
| US4166783A (en) * | 1978-04-17 | 1979-09-04 | Varian Associates, Inc. | Deposition rate regulation by computer control of sputtering systems |
| CH634424A5 (fr) * | 1978-08-18 | 1983-01-31 | Nat Res Dev | Procede et appareil de detection et de commande de depot d'une pellicule fine. |
| US4208240A (en) * | 1979-01-26 | 1980-06-17 | Gould Inc. | Method and apparatus for controlling plasma etching |
| US4263088A (en) * | 1979-06-25 | 1981-04-21 | Motorola, Inc. | Method for process control of a plasma reaction |
| US4324631A (en) * | 1979-07-23 | 1982-04-13 | Spin Physics, Inc. | Magnetron sputtering of magnetic materials |
| US4358338A (en) * | 1980-05-16 | 1982-11-09 | Varian Associates, Inc. | End point detection method for physical etching process |
| EP0046154B1 (de) * | 1980-08-08 | 1984-11-28 | Battelle Development Corporation | Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Hochleistungskathodenzerstäubung sowie Zerstäuberkathode für diese Vorrichtung |
| US4336119A (en) * | 1981-01-29 | 1982-06-22 | Ppg Industries, Inc. | Method of and apparatus for control of reactive sputtering deposition |
| US4407708A (en) * | 1981-08-06 | 1983-10-04 | Eaton Corporation | Method for operating a magnetron sputtering apparatus |
| DD216258A1 (de) * | 1983-06-29 | 1984-12-05 | Elektronische Bauelemente Veb | verfahren und anordnung zum steuern des katodenzerstaeubungsprozesses |
| CA1242989A (en) * | 1983-07-19 | 1988-10-11 | Donald R. Boys | Apparatus for and method of controlling sputter coating |
| NL8402012A (nl) * | 1983-07-19 | 1985-02-18 | Varian Associates | Magnetron spetter deklaag opbrengbron voor zowel magnetische als niet-magnetische trefplaatmaterialen. |
| US4545882A (en) * | 1983-09-02 | 1985-10-08 | Shatterproof Glass Corporation | Method and apparatus for detecting sputtering target depletion |
| US4553853A (en) * | 1984-02-27 | 1985-11-19 | International Business Machines Corporation | End point detector for a tin lead evaporator |
| DE3630737C1 (de) * | 1986-09-10 | 1987-11-05 | Philips & Du Pont Optical | Kathodenzerstaeubungseinrichtung mit einer Vorrichtung zur Messung eines kritischen Target-Abtrages |
| JPS63145770A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-17 | Toshiba Corp | スパツタリング装置 |
-
1986
- 1986-12-23 CH CH5207/86A patent/CH669609A5/de unknown
-
1987
- 1987-07-28 DE DE8710321U patent/DE8710321U1/de not_active Expired
- 1987-07-28 DE DE19873724937 patent/DE3724937A1/de active Granted
- 1987-11-17 JP JP62288590A patent/JP2739080B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-25 GB GB8727620A patent/GB2199340B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-17 FR FR8717663A patent/FR2608633B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-03-15 US US07/324,210 patent/US4983269A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010052341A1 (de) * | 2010-11-25 | 2012-05-31 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Schutzvorrichtung an Rohrtargets |
| DE102010052341B4 (de) * | 2010-11-25 | 2015-02-12 | Von Ardenne Gmbh | Schutzvorrichtung an Rohrtargets |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63169377A (ja) | 1988-07-13 |
| FR2608633A1 (fr) | 1988-06-24 |
| GB2199340A (en) | 1988-07-06 |
| US4983269A (en) | 1991-01-08 |
| CH669609A5 (de) | 1989-03-31 |
| FR2608633B1 (fr) | 1993-06-04 |
| DE8710321U1 (de) | 1988-02-18 |
| DE3724937A1 (de) | 1988-07-07 |
| JP2739080B2 (ja) | 1998-04-08 |
| GB8727620D0 (en) | 1987-12-31 |
| GB2199340B (en) | 1991-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3724937C2 (de) | ||
| DE4441206C2 (de) | Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen | |
| DE19506515C1 (de) | Verfahren zur reaktiven Beschichtung | |
| EP0235770B1 (de) | Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Substraten in einer durch Hochfrequenz angeregten Plasmaentladung | |
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| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8363 | Opposition against the patent | ||
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Owner name: BALZERS AG, BALZERS, LI |
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