DE4020604C2 - - Google Patents

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine matrixförmige Dünnschicht-Magnetspeicheranordnung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Speicheranordnungen zum selektiven Einschreiben bzw. Speichern von Information und nachfolgendem Auslesen von Information werden als Speicher mit wahlfreiem Zugriff bezeichnet. Ein Typ eines solchen Speichers, der gewöhnlich als Hauptspeicher in Computern verwendet wird, ist ein dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff. Ein solcher Speicher speichert Information mittels kapazitiver Speicher, wobei die in einem speziellen Kondensator gespeicherte Spannung ein spezifisches Informationsbit repräsentiert. Um die Spannungspegel in den Speicherkondensatoren aufrechtzuerhalten, muß der Speicher kontinuierlich immer wieder mit elektrischen Ladungen versorgt werden. Daher muß ein solcher Speicher an eine konstante Versorgungsspannungsquelle angeschlossen sein, um die kontinuierliche Neuaufladung durchführen zu können. Wird die Versorgungsspannungsquelle abgeschaltet, so verschwinden die Ladungen in den Speicherkondensatoren schließlich, so daß die gespeicherte Information verloren geht. Ein solcher Speicher wird wegen dieser Eigenschaft auch oft als flüchtiger Speicher bezeichnet.
Für bestimmte Anwendungsfälle, beispielsweise in Computern, haben derartige flüchtige Speicher zwar mehr und mehr Verwendung gefunden. Die Notwendigkeit einer konstanten Versorgungsspannungsquelle macht sie jedoch für andere Anwendungsfälle ungeeignet. Beispielsweise in Kraftfahrzeugen mit digitalen Anzeigen auf dem Armaturenbrett ist ein nichtflüchtiger Speicher, für den keine konstante Versorgungsspannungsquelle erforderlich ist, notwendig, um eine bestimmte Information, wie beispielsweise die Gesamtfahrleistung, zu speichern. In anderen Anwendungsfällen, beispielsweise in militärischen Anwendungen, müssen Speicher unempfindlich gegen Strahlung sein und neben ihrer Nichtflüchtigkeit eine zerstörungsfreie Auslesung ermöglichen.
Um diese Eigenschaften zu realisieren, werden matrixförmige Magnetspeicheranordnungen, welche die digitale Information statt als kapazitive Ladungen als magnetische Zustände speichern, verwendet. Grundsätzlich besitzt eine matrixförmige Magnetspeicheranordnung eine Vielzahl von parallelen leitenden Bitleitungen sowie eine Vielzahl von zueinander parallelen und senkrecht auf den Bitleitungen stehenden Wortleitungen. Eine magnetische Speicherzelle wird durch Material mit magnetischer Koerzitivkraft gebildet, das an der Schnittstelle einer jeweiligen Wortleitung und Bitleitung vorgesehen ist. Fließen durch eine Wortleitung und eine Bitleitung Ströme, so wird an deren Schnittstelle ein Magnetfeld erzeugt. Die Richtung dieses Magnetfeldes wird als magnetischer Dipol im Material mit magnetischer Koerzitivkraft an der Schnittstelle von Wort- und Bitleitungen gespeichert. Die Richtung dieses Dipols kann zur Auslesung des gespeicherten Informationsbits unter Verwendung induktiver Techniken nachfolgend erfaßt werden.
Zur Erhöhung der Packungsdichte von matrixförmigen Magnet­ speichern und damit zur Erhöhung der Informationsmenge, welche pro Einheitsfläche gespeichert werden kann, werden bei der Herstellung dieser Speicher Dünnschichttechnologien angewendet. Grundsätzlich enthält ein matrixförmiger Dünnschicht- Magnetspeich ein isolierendes Substrat, beispielsweise aus Silizium, auf dem die Bitleitungen abgeschieden sind. Die Bitleitungen bestehen dabei aus einem Dünnschichtleiter, beispielsweise aus Aluminium. Die schneidenden Wortleitungen, welche ebenfalls dünne Metalleiter sind, liegen auf den Bitleitungen. An der Schnittstelle von Wort- und Bitleitungen ist zwischen diesen Wort- und Bitleitungen ein dünner Film aus Material mit magnetischer Koerzitivkraft, vorzugsweise Permalloy, vorgesehen. Dieses Material mit magnetischer Koerzitivkraft bildet die magnetischen Speicherzellen, in denen Informationsbits gespeichert werden.
Matrixförmige Dünnschicht-Magnetspeicher besitzen sowohl hinsichtlich Herstellungskosten als auch Packungsdichte wesentliche Vorteile gegenüber vorhergehenden matrixförmigen Magnetspeichertechnologien. Die Struktur der Dünnschichtma­ trix bedingt jedoch praktische Grenzen hinsichtlich der erreichbaren Packungsdichten. Speziell liegen die Wortleitungen aufgrund der Natur der Dünnschichttechnologie sehr nahe bei den Bitleitungen. Bei Erhöhung der Packungsdichten liegen die Wortleitungen auch näher beieinander. Daher liegt jede gegebene Wortleitung relativ nahe an der durch die Schnittstelle einer benachbarten Wortleitung und einer Bitleitung gebildeten Speicherzelle, so daß das um die interessierende Wortleitung erzeugte Magnetfeld die in benachbarten Speicherzellen gespeicherte Information beeinträchtigen kann. Fließt durch die Wortleitung ein Strom zur Auslesung von Daten aus dem Speicher, so bewirkt das durch diesen Strom erzeugte Magnetfeld unter dem Einfluß von dynamischen aufeinander senkrecht stehenden Feldern von den Wortleitungen eine Ausdehnung bzw. ein "Kriechen" der Randdomänen der in benachbarten Speicherzellen gespeicherten magnetischen Zustände. Die Dichte der an der Schnittstelle einer Wortleitung und einer Bitleitung gespeicherten magnetischen Domäne nimmt daher graduell ab, woraus auch eine Abnahme des Signalpegels resultiert, der bei induktiver Auslesung des gespeicherten Zustandes realisierbar ist. Nach mehreren Auslesungen kann der Signalpegel auf einen Wert abgenommen haben, bei dem es unmöglich ist, die im Speicher gespeicherten Bits zuverlässig zu detektieren.
Eine Lösung zur Eliminierung dieses Problems des Domänenkriechens besteht darin, die durch die Wortleitungen erzeugten magnetischen Felder magnetisch voneinander abzuschirmen. Bei dieser Lösung sind die Wortleitungen von einem magnetischen Abschirmmaterial, wie beispielsweise Permalloy, umgeben, um das Eindringen des durch eine Wortleitung erzeugten Feldes in die anderen Wortleitungen zu verhindern. Diese Lösung ist jedoch mit Beschränkungen behaftet. Beispielsweise ist es zur wirksamen Abschirmung der Magnetfelder notwendig, das magnetische Abschirmmaterial relativ dick zu machen. Die Notwendigkeit von die Wortleitungen umgebenden dicken Schichten trägt zur Gesamtgröße der Speicheranordnung bei und führt zu einer praktischen Grenze hinsichtlich der Dichte, mit welcher die Wortleitungen benachbart zueinander angeordnet werden können. Darüber hinaus muß die magnetische Abschirmschicht von den Bitleitungen ferngehalten werden, um die Funktion der Speicheranordnung nicht nachteilig zu beeinflußen. Diese Notwendigkeit des Fernhaltens der Schicht von bestimmten Teilen der Anordnung vergrößert die Anzahl der notwendigen Verarbeitungsschritte und erhöht daher die Gesamtkosten der Anordnung.
Aus der US-PS 34 611 438 ist eine Dünnschicht-Magnetspeicheranordnung mit sich kreuzenden Bit- und Wortleitungen bekannt geworden, bei der an den Kreuzungsstellen von Bit- und Wortleitungen Speicherbereiche gebildet werden. Die Wirkungsweise einer derartigen Dünnschicht-Magnetspeicheranordnung ist mit der Wirkungsweise der oben bereits erläuterten matrixförmigen Dünnschicht-Magnetspeicheranordnungen vergleichbar. Das vorstehend genannte Domänenkriechproblem wird dabei dadurch gelöst, daß jeweils die Wortleitung aus dem Bereich des gekoppelten Films in der Bitleitung entfernt wird.
Weiterhin ist aus "Elektronische Rechenanlagen", Nr. 9, 1967, Heft 6, Seiten 253-260 ein supraleitender Schichtspeicher bekannt geworden, bei dem gemäß einer Ausführungsform eine supraleitende Speicherschicht zwischen Wort- und Bitleitungen angeordnet ist. Dabei wird an Löchern in der supraleitenden Speicherschicht im Bereich der Schnittstellen zwischen Wort- und Bitleitungen der magnetische Fluß eingefroren, wenn die Speicherschicht aus ihrem Normalzustand in den supraleitenden Zustand übergeht. Die supraleitende Speicherschicht schirmt die Bitleitungen elektrisch und magnetisch von den Wortleitungen ab, so daß beim Auslesen keine Störsignale auf den Bitleitungen induziert werden können.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Magnetspeicheranordnung der in Rede stehenden Art mit großer Packungsdichte der Bitleitungen und damit großer Speicherkapazität unter Vermeidung des Domänenkriechens anzugeben.
Diese Aufgabe wird bei einer matrixförmigen Dünnschicht-Magnetspeicheranordnung der eingangs genannten Art erfindungs­ gemäß durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Magnetspeicheranordnung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Erfindungsgemäß wird bei einer matrixförmigen Dünnschicht- Magnetspeicheranordnung mit relativ hoher Packungsdichte das Problem des magnetischen Kriechens durch Verwendung von Dünnschichten aus supraleitendem Material gelöst. Im Gegensatz zu Magnetfelder blockierenden magnetischen Abschirmmaterialien leiten supraleitende Schichten magnetische Felder aufgrund des Meissner-Effektes ab. Erfindungsgemäß sind die Wortleitungen in einer matrixförmigen Dünnschicht-Magnetspeicheranordnung von Schichten aus supraleitendem Material umgeben, um zu verhindern, daß das durch eine Wortleitung erzeugte magnetische Feld benachbarten Wortleitungen zugeordnete Speicherzellen beeinflußt. Da das supraleitende Material das Magnetfeld nicht abschirmt, sondern wirksam ableitet, ist es möglich, zur Realisierung des gewünschten Effektes eine Dünnschicht zu verwenden. Daher können die Wortleitungen sehr nahe benachbart zueinander angeordnet werden, ohne daß ein magnetisches Kriechen auftritt, wodurch eine erhöhte Packungsdichte gewährleistet ist.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels gemäß den Figuren der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine perspekitivische Ansicht einer erfindungsge­ mäßen matrixförmigen Dünnschicht-Speicheranord­ nung;
Fig. 2 eine Endansicht der Matrix, aus welcher der Aufbau der Wortleitungen näher ersichtlich ist; und
Fig. 3A und 3B jeweils eine Draufsicht der Schnittstelle einer Wortleitung und einer Bitleitung, woraus das resultierende Feld ersichtlich ist, das durch die in den Leitungen fließenden Ströme erzeugt wird.
Eine matrixförmige Dünnschicht-Magnetspeicheranordnung gemäß der Erfindung ist in Fig. 1 dargestellt. Die Speicheranord­ nung wird durch ein Substrat aus einer auf einer Grundplatte 12 ausgebildeten Schicht aus isolierendem Material 10 gebildet. Zur Erleichterung der Herstellung der Speicheran­ ordnung mittels bekannter Halbleitertechnologien, wird die Anordnung vorzugsweise mit gewöhnlich in diesen Technologien verwendeten Materialien hergestellt. So kann die Grundplatte 12 beispielsweise dotiertes Silizium und die Isolations­ schicht 10 Siliziumdioxid sein.
Auf der Isolationsschicht 10 wird eine Vielzahl von Bitlei­ tungen 14 angeordnet. Diese Bitleitungen umfassen jeweils einen dünnen metallischen Leiter 16, der mit einer Schicht aus Material 18 mit magnetischer Koerzitivkraft und hoher Permeabilität umgeben ist. Der metallische Leiter 16 ist vorzugsweise aus Aluminium hergestellt, während die Schicht 18 aus Permalloy, einer Kobalt-Nickel-Legierung oder einem anderen Material mit hoher Permeabilität und Koerzitivkraft gebildet ist. Über den Bitleitungen ist eine Isolations­ schicht 20, beispielsweise aus Siliziumdioxid, vorgesehen.
Über den Bitleitungen und von denen getragen, ist eine Vielzahl von parallelen Wortleitungen 22 vorgesehen. Diese Wortleitungen sind generell senkrecht zu den Bitleitungen 14 orientiert. Im Bedarfsfall können die Wortleitungen über den Bitleitungen durch eine geeignete (nicht dargestellte) Struktur gehalten werden, wozu eine Feldisolationsschicht in Betracht kommt, die aus dem gleichen Material wie die Isolationsschicht 20 auf den Bitleitungen gebildet ist. Die Schnittstelle einer Bitleitung 14 und einer Wortleitung 22 definiert eine Speicherzelle 24 im magnetischen Material 18 der Bitleitung.
Der Aufbau der Wortleitungen 22 ist im einzelnen in der Endansicht der Speicheranordnung nach Fig. 2 dargestellt. Danach besteht eine Wortleitung aus einem Streifen 26 aus leitendem Material, welcher bei Lese- und Schreibvorgängen einen elektrischen Strom führt. Das elektrisch leitende Material ist auf drei Seiten durch eine Dünnschicht aus isolierendem Material 28 bedeckt. Dieses isolierende Material kann an die Isolationsschicht 20 auf den Bitleitun­ gen angrenzen, so daß das leitende Material 26 vollständig von einem Isolator umgeben ist. Der Isolator ist von einer Dünnschicht 30 aus supraleitendem Material umgeben. Diese Schicht bedeckt drei Seiten der Wortleitung, welche der Bitleitung nicht benachbart ist; zwischen einer Bitleitung und einer Wortleitung ist sie nicht vorgesehen, so daß von der Wortleitung erzeugte magnetische Nutzfelder nicht nachteilig beeinflußt werden.
Zur Einschreibung eines Informationsbits in eine Speicher­ zelle 24 wird durch den leitenden Teil 26 einer Wortleitung 22 ein Strom in vorgegebener Richtung geleitet, wie dies in Fig. 3A durch einen Pfeil 32 angedeutet ist. Weiterhin wird durch den dünnen metallischen Leiter 16 einer Bitleitung 14 ein Strom in einer speziellen Richtung geleitet, wie dies durch einen Pfeil 34 angedeutet ist. Die Ströme erzeugen jeweils ein Magnetfeld um ihren Leiter, so daß sich an der Schnittstelle einer Wortleitung und einer Bitleitung ein resultierendes Magnetfeld ergibt. Im Material 18 mit magnetischer Koerzitivkraft, das zwischen der Wortleitung und der Bitleitung vorgesehen ist, besitzt das resultierende Magnetfeld eine Orientierung, wie dies durch Pfeile 36 in Fig. 3A angedeutet ist. Generell gesprochen, ist das Magnetfeld unter einem Winkel von etwa 45° in bezug auf die Längsrichtungen der Wort- und Bitleitungen orientiert. Das resultierende Magnetfeld bewirkt, daß die magnetischen Domänen im Material 18 mit magnetischer Koerzitivkraft in der gleichen Richtung orientiert sind, wodurch ein Informa­ tionsbit gespeichert wird.
Gemäß Fig. 3B ist das Magnetfeld zwischen der Wortleitung und der Bitleitung in einer durch Pfeile 38 angegebenen Richtung orientiert, wenn der Strom in entgegengesetzter Richtung durch die Bitleitung 14 fließt, wie dies durch einen Pfeil 37 angedeutet ist. Dieses Feld bewirkt eine gegensinnige Ausrichtung der magnetischen Domänen in dem die Speicherzelle 24 bildenden Material 18 mit magnetischer Koerzitivkraft. Durch Einstellung der Richtung des durch die Bitleitungen 14 fließenden Stromes in Verbindung mit der Einspeisung eines Stroms in eine Wortleitung können daher komplementäre Informationsbit selektiv in den Speicherzellen gespeichert werden.
Zur Auslesung der in den Speicherzellen gespeicherten Information wird ein kleinerer Strom durch eine interessie­ rende Wortleitung geschickt und die Orientierung der magnetischen Domänen induktiv durch die Bitleitungen erfaßt.
Um die in einen Speicher zu speichernde Informationsmenge zu erhöhen, ist es zweckmäßig, die einzelnen Wortleitungen 22 so nahe wie praktisch möglich zueinander anzuordnen. Durch eng benachbarte Anordnung der Wortleitungen kann in der Matrixstruktur eine größere Anzahl von Wortleitungen vorgesehen werden, wodurch die Anzahl der pro Bitleitung gespeicherten Bits erhöht werden kann. Werden jedoch die Wortleitungen näher beieinanderliegend angeordnet, so kann das bei einem durch eine Wortleitung fließenden Strom erzeugte Magnetfeld die Information, die in benachbarten Wortleitungen zugeordneten Speicherzellen gespeichert ist, nachteilig beeinflussen.
Gemäß Fig. 2 ist das bei einem Stromfluß durch eine Wortlei­ tung 22 erzeugte Magnetfeld durch konzentrische gestrichelte Linien 40 angedeutet. Ersichtlich verläuft dieses Magnetfeld durch benachbarten Wortleitungen 22 zugeordnete Speicherzel­ len 24. Sind die Wortleitungen relativ weit beabstandet, so ist der durch die benachbarten Speicherzellen verlaufende Teil des Magnetfeldes relativ schwach, so daß er die magnetischen Domänen in diesen Zellen nicht beeinflußt. Liegen die Wortleitungen jedoch näher beieinander, so nimmt die Stärke des durch die benachbarten Speicherzellen verlaufenden Magnetfeldes zu. Ist das Magnetfeld stark genug so kann dadurch ein "Kriechen" der Grenzen der die Speicherzelle 24 definierenden magnetischen Domänen hervor­ gerufen werden. Mit anderen Worten beginnt sich der Bereich der Speicherzelle 24 in Längsrichtung der Bitleitung 14 auszudehnen. Die Dichte des in der Speicherzelle gespeicher­ ten Magnetfeldes wird daher reduziert, so daß auch die Stärke des magnetischen Signals, das in der Bitleitung bei einem durch die Wortleitung fließenden Strom induktiv erfaßt werden kann, abnimmt. Nach mehreren Leseoperationen, in denen ein sich dynamisch änderndes Feld durch benachbarte Speicherzellen 24 verläuft, können die magnetischen Domämen bis zu einem Ausmaß kriechen, daß zuverlässige Auslesungen der gespeicherten Information nicht mehr möglich sind.
Durch Verwendung einer Dünnschicht 30 aus supraleitendem Material an drei Seiten der Wortleitung 22, welche einer Bitleitung nicht benachbart sind, kann dieses Problem jedoch vermieden werden. Im Effekt leitet das supraleitende Material das durch den Strom in der Wortleitung erzeugte Magnetfeld aufgrund des Meissner-Effektes ab. Das Magnetfeld dringt dann nicht mehr von der Wortleitung nach allen Richtungen nach außen, wie dies durch die gestrichelten Linien 40 dargestellt ist; es wird vielmehr nach unten in das magnetische Speichermaterial der Bitleitung abgeleitet. Bei dieser Ausgestaltung ist das Magnetfeld auf den Bereich beschränkt, in dem es nützlich ist, d.h., es ist auf die magnetische Speicherzelle unterhalb der Wortleitung be­ schränkt, von der es erzeugt wird und beeinflußt die magnetischen Domänen in anderen Wortleitungen zugeordneten Speicherzellen nicht mehr nachteilig. Die Wortleitungen können daher so nah benachbart zueinander angeordnet werden, wie dies in der Dünnschichttechnologie praktisch realisier­ bar ist, wodurch die Packungsdichte der Speicheranordnung wesentlich erhöht wird.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der zentrale leitende Teil 26 der Wortleitung ebenfalls aus supraleitendem Material hergestellt. Dieses supraleitende Material ist vorzugsweise das gleiche, wie es in der dünnen äußeren Schicht 30 verwendet wird. Beispiele für supralei­ tende Materialien, welche erfindungsgemäß verwendbar sind, sind Yttrium-Barium-Kupfer-Oxid (YBa2Cu3O7), Lanthan- Barium-Kupfer-Oxid ((La,Ba)2CuO4), Wismut-Kalzium- Strontium-Kupfer-Oxid (Bi-(Ca,Sr)-Cu-O) und Thallium-Kal­ zium-Barium-Kupfer-Oxid (Tl-Ca-Ba-Cu-O). Diese Materialien besitzen supraleitende Eigenschaften bei Temperaturen von flüssigem Stickstoff oder im Bereich von flüssigem Stick­ stoff.
Abwandlungen von den vorstehend beschriebenen Ausführungs­ formen sind möglich. So können beispielswei­ se die Wortleitungen direkt auf dem Substrat abgeschieden werden, wobei die Bitleitungen über den Wortleitungen liegen. Gemäß einer weiteren Ausführungsform können Bitlei­ tungen auf beiden Seiten der Wortleitungen angeordnet werden, um zwei magnetische Speicherstellen pro Informa­ tionsbit zu realisieren, wodurch die Signalstärke erhöht wird.

Claims (10)

1. Matrixförmige Dünnschicht-Magnetspeicheranordnung mit einem Substrat (10, 12), einer Vielzahl von parallel zueinander auf dem Substrat (10, 12) angeordneten Bitleitungen (14) die jeweils durch ein von einem Material (18) mit hoher magnetischer Koerzitivkraft und hoher Permeabilität umgebenen leitenden Material (16) gebildet sind und magnetische Zustände zu speichern vermögen, und mit einer Vielzahl von über Isolationsfilmen (20) auf den Bitleitungen (14) parallel zueinander und quer zu diesen angeordneten Wortleitungen (22) aus elektrisch leitendem Material (26) zur Bildung einer Matrix von Speicherzellen (24) jeweils im Schnittpunkt einer Wortleitung (22) und einer Bitleitung (14), dadurch gekennzeichnet, daß auf dem elektrisch leitenden Material (26) der Wortleitungen (22) auf den den Bitleitungen (14) nicht zugekehrten Teilen ein isolierendes Material (28) und auf diesem ein Film (30) aus supraleitendem Material vorgesehen ist.
2. Magnetspeicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch leitende Material (26) in den Wortleitungen (22) ein supraleitendes Material ist.
3. Magnetspeicheranordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch leitende Material (26) der Wortleitungen (22) das gleiche Material wie das supraleitende Material des auf dem isolierenden Material (28) angeordneten Films (30) ist.
4. Magnetspeicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wortleitungen (22) einen im wesentlichen rechteckförmigen Querschnitt besitzen und daß die drei den Bitleitungen (14) nicht zugekehrten Seiten der Wortleitungen (22) mit dem isoliereneden Material (28) und dem Film (30) aus supraleitendem Material bedeckt sind.
5. Materialspeicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Material (18) mit hoher magnetischer Koerzitivkraft und hoher Permeabilität Permalloy ist.
6. Magnetspeicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Material (18) mit hoher magnetischer Koerzitivkraft und hoher Permeabilität eine Kobalt-Nickel-Legierung ist.
7. Magnetspeicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das supraleitende Material (30) ein Yttrium-Barium-Kupfer-Oxid ist.
8. Magnetspeicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das supraleitende Material (30) ein Lanthan-Barium-Kupfer-Oxid ist.
9. Magnetspeicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das supraleitende Material (30) ein Wismut-Kalzium-Strontium-Kupfer-Oxid ist.
10. Magnetspeicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das supraleitende Material (30) ein Thallium-Kalzium-Barium-Kupfer-Oxid ist.
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