DE69231299T2 - Verfahren zur Herstellung einer elektrostatischen Halteplatte - Google Patents

Description

• Diese Anmeldung ist aus der europäischen Patentanmeldung EP- A-0 541 400 abgeteilt, die das Gebiet des Haltens eines Werkstücks in einer Haltevorrichtung in einer Niederdruckumgebung durch elektrostatische Kräfte derart umfaßt, daß dann, wenn die elektrostatischen Kräfte entfernt werden, das Werkstück nicht an der Haltevorrichtung haftet. Die vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung einer derartigen Haltevorrichtung.
• Die Erfindung ist im Anspruch 1 festgelegt.
• Ein Beispiel der Erfindung wird nun unter Bezug auf die anliegende Zeichnung erläutert; in dieser zeigt:
• Fig. 1 (a-d) eine Abfolge von vier Schritten zur Herstellung einer elektrostatischen Haltevorrichtung.
• Die Haltevorrichtung kann oder kann nicht eine Haltevorrichtung des in den Fig. 1 bis 3 der Stammanmeldung (EP-A-0 541 400) erläuterten Typs sein. Zu Erläuterungszwecken ist lediglich die Abwandlung einer Haltevorrichtung aus Fig. 2-3 der Stammanmeldung gezeigt. Ein unteres dielektrisches Element 30 und ein oberes dielektrisches Element 33 gelangen zum Einsatz. Das untere dielektrische Element 30 sollte dicker sein als das obere dielektrische Element 33. Das untere dielektrische Element 30 muß zu mechanischen Tragzwecken und deshalb relativ dick sein, um das Durchbiegen eines auf der Haltevorrichtung bei solchen Anwendungen gehaltenen Werkstücks zu vermeiden, in Element 33 muß aufgrund der Notwendigkeit relativ dünn sein, die elektrostatischen Kräfte, die an dem Werkstück ziehen, maximal zu machen. Ein Problem besteht darin, daß dann, wenn das obere dielektrische Element 33 zu dünn gemacht wird, es reißen kann, was zu einem unerwünschten Elektrodenüberschlag führen würde. Für ein dielektrisches Element 33 aus Saphir beträgt eine bevorzugte Dicke zwischen 0,13 und 0,26 mm (5 mils und 10 mils). Um eine derart dünne Schicht zu erzielen, ist anstelle von Schleifen Läppen angesagt.
• Fig. 1(b) zeigt eine bevorzugte Ausführungsform, in welcher Eintiefungen 31, 32 der Oberseite des unteren dielektrischen Elements 30 ausgeschliffen oder ausgeläppt sind. Löcher 35, 36 sind durch das dielektrische Element 30 in die Eintiefungen 31, 32 gebohrt, um Mittel zum Verbinden mit Spannungsquellen -V und +V aufzunehmen.
• Die Eintiefungen 31, 32 sind mit Lötmittel 11, 13 gefüllt, wie in Fig. 1(c) gezeigt. Die Löcher 35, 36 können entweder mit Lötmittel gefüllt sein, wie in Fig. 1 (c) gezeigt, um die Enden von Drähten 37, 38 zu tragen, die elektrisch mit den Flecken 11, 13 aus Lötmittel verbunden sind und von dem dielektrischen Element 30 abwärts vorstehen.
• Das obere dielektrische Element 33 wird daraufhin auf der Anordnung von Fig. 1(c) angeordnet und die neue Anordnung wird über den Schmelzpunkt des Lötmittels erhitzt. Beim Abkühlen werden die Oberflächen 30 und 33 miteinander verlötet und die Elektroden 11, 13 werden automatisch gebildet. Die Drähte 37, 38 werden daraufhin mit den Spannungsquellen -V und +V verbunden.
• Der Eintiefungsbildungsschritt gemäß Fig. 1(b) ist optional; d. h., das Lötmittel kann direkt auf die Oberseite des dielektrischen Elements 30 verteilt werden, um einen oder mehrere Flecken zu bilden. Das Bilden der Eintiefungen 31, 32 beseitigt jedoch den Luftspalt, der anderweitig zwischen den dielektrischen Elementen 30, 33 gebildet würde. Dieser Luftspalt könnte unerwünschte Verunreinigungen enthalten.
• Gemäß einer alternativen Ausführungsform können die Drähte 37, 38 von den Elektroden 11, 13 auswärts statt abwärts vorstehend gebildet sein.

Claims (3)

1. Verfahren zur Herstellung einer elektrostatischen Haltevorrichtung, wobei das Verfahren die Schritte umfaßt:

Bilden von zumindest einem Fleck aus Lötmittel auf einer ersten Oberfläche einer allgemein flachen ersten dielektrischen Platte,

Anordnen einer zweiten dielektrischen Platte, die dünner als die erste dielektrische Platte ist, auf der mit Flecken versehenen ersten dielektrischen Platte, Heizen der Anordnung, die aus den ersten und zweiten dielektrischen Platten und dem Lötmittel besteht, auf eine Temperatur über dem Schmelzpunkt des Lötmittels, Abkühlen der Anordnung derart, daß die ersten und zweiten dielektrischen Platten miteinander verlötet werden, und

Verbinden von jedem abgekühlten Fleck mit einer Spannungsquelle.

2. Verfahren nach Anspruch 1, außerdem umfassend vor dem Ausbildungsschritt, den Schritt, eine Eintiefung in der ersten Oberfläche der ersten dielektrischen Platte bereitzustellen, um jeden Fleck aus Lötmittel aufzunehmen.

3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die ersten und zweiten dielektrischen Platten aus Materialien hergestellt werden, die keine polaren Moleküle enthalten, die sich ansprechend auf eine Energieversorgung durch eine Spannungsquelle frei bewegen können.