JP3356115B2 - レジスト硬化装置 - Google Patents
レジスト硬化装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/78—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
製造工程において、シリコンウエハに塗布されたレジス
トに紫外線を含む光を照射して硬化させるレジスト硬化
装置に関するものである。
製造工程において、シリコンウエハに塗布されたレジス
トに紫外線を含む光を照射して硬化させるレジスト硬化
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路を製造する場合、シリコ
ンウエハ上にパターニングを行い、各種の回路を形成す
るために、前処理として、シリコンウエハの表面に、ノ
ボラック樹脂からなるベースポリマと感光剤によって構
成されたレジストを均一に塗布する。そして、このレジ
ストの耐熱性や耐薬品性、耐ドライエッチ性などを向上
させるために、シリコンウエハを加熱しながら紫外線を
照射してレジストを硬化させている。
ンウエハ上にパターニングを行い、各種の回路を形成す
るために、前処理として、シリコンウエハの表面に、ノ
ボラック樹脂からなるベースポリマと感光剤によって構
成されたレジストを均一に塗布する。そして、このレジ
ストの耐熱性や耐薬品性、耐ドライエッチ性などを向上
させるために、シリコンウエハを加熱しながら紫外線を
照射してレジストを硬化させている。
【０００３】かかるレジストの硬化は、先ず、温度制御
手段とワーク保持手段を有するワークステージの上面に
ワークとしてのシリコンウエハを真空吸着して保持す
る。ワークを真空吸着するのは、ワークステージの熱を
均一に効率良くワークに伝えて温度制御を正確に行うた
めである。そして、シリコンウエハに塗布されたレジス
トに紫外線ランプから紫外線を含む光を照射しながらワ
ークステージを１００℃程度から２００℃程度の所定の
温度まで漸次昇温させ、紫外線の照射後に再び１００℃
程度まで降温させることにより行う。これにより、耐熱
性や耐薬品性、耐ドライエッチ性などの優れたレジスト
膜が得られる。例えば、耐熱温度が１４０℃程度であっ
たレジストは、紫外線照射による硬化処理によって耐熱
温度は２５０℃程度に向上する。
手段とワーク保持手段を有するワークステージの上面に
ワークとしてのシリコンウエハを真空吸着して保持す
る。ワークを真空吸着するのは、ワークステージの熱を
均一に効率良くワークに伝えて温度制御を正確に行うた
めである。そして、シリコンウエハに塗布されたレジス
トに紫外線ランプから紫外線を含む光を照射しながらワ
ークステージを１００℃程度から２００℃程度の所定の
温度まで漸次昇温させ、紫外線の照射後に再び１００℃
程度まで降温させることにより行う。これにより、耐熱
性や耐薬品性、耐ドライエッチ性などの優れたレジスト
膜が得られる。例えば、耐熱温度が１４０℃程度であっ
たレジストは、紫外線照射による硬化処理によって耐熱
温度は２５０℃程度に向上する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、紫外線照
射時のシリコンウエハの温度制御を正確に行うために、
ワークとしてのシリコンウエハをワークステージに真空
吸着するが、シリコンウエハは直径が１５０ｍｍや２０
０ｍｍなどの大きさであり、レジストの種類や膜厚など
の条件によっては、この大きなシリコンウエハを１℃／
秒以上の早い昇温速度で処理しなければならない場合が
ある。このため、シリコンウエハの広い面積全体を均一
に加熱し、かつ高速で昇温するためには、ワークステー
ジは熱伝導率の良い金属、例えば銅で成形される。従っ
て、20℃〜300℃における線膨張係数が２．５×１０
−６／Ｋのシリコンの単結晶からなるシリコンウエハ
と、線膨張係数が０．３３４／Ｋの銅からなるワークス
テージとの間に大きな線膨張係数の差が存在する。
射時のシリコンウエハの温度制御を正確に行うために、
ワークとしてのシリコンウエハをワークステージに真空
吸着するが、シリコンウエハは直径が１５０ｍｍや２０
０ｍｍなどの大きさであり、レジストの種類や膜厚など
の条件によっては、この大きなシリコンウエハを１℃／
秒以上の早い昇温速度で処理しなければならない場合が
ある。このため、シリコンウエハの広い面積全体を均一
に加熱し、かつ高速で昇温するためには、ワークステー
ジは熱伝導率の良い金属、例えば銅で成形される。従っ
て、20℃〜300℃における線膨張係数が２．５×１０
−６／Ｋのシリコンの単結晶からなるシリコンウエハ
と、線膨張係数が０．３３４／Ｋの銅からなるワークス
テージとの間に大きな線膨張係数の差が存在する。
【０００５】このため、シリコンウエハをワークステー
ジに真空吸着した状態で早い速度の昇温および降温を行
うと、両者の熱膨張量および熱収縮量の大きな差によ
り、シリコンウエハとワークステージの間で相互に擦り
が発生し、シリコンウエハの裏面に放射状の擦り傷が生
じる。
ジに真空吸着した状態で早い速度の昇温および降温を行
うと、両者の熱膨張量および熱収縮量の大きな差によ
り、シリコンウエハとワークステージの間で相互に擦り
が発生し、シリコンウエハの裏面に放射状の擦り傷が生
じる。
【０００６】また、シリコンウエハの金属汚染を考慮し
て、シリコンウエハと金属製のワークステージが直接接
触しないように、ワークステージの表面をセラミックス
でコーティングすることがあるが、セラミックスのコー
ティング膜の表面は、十分に研磨を行っても、金属表面
に比べて粗面であり、シリコンウエハの裏面に発生する
擦り傷が多くなる。この擦り傷の個数は、条件によって
は、５０００〜１５０００個にも達し、また、その長さ
はシリコンウエハの周辺部ほど長くなり、０．５ｍｍ程
度に達する。
て、シリコンウエハと金属製のワークステージが直接接
触しないように、ワークステージの表面をセラミックス
でコーティングすることがあるが、セラミックスのコー
ティング膜の表面は、十分に研磨を行っても、金属表面
に比べて粗面であり、シリコンウエハの裏面に発生する
擦り傷が多くなる。この擦り傷の個数は、条件によって
は、５０００〜１５０００個にも達し、また、その長さ
はシリコンウエハの周辺部ほど長くなり、０．５ｍｍ程
度に達する。
【０００７】シリコンウエハの裏面にかかる擦り傷が生
じると、後工程の加熱工程において、シリコン結晶の転
位が発生し、この転位が成長するとシリコンウエハにス
リップが発生し、製造不良になる。また、この擦り傷が
生じると、削られたシリコン粉末のダストが発生する
が、このダストはシリコンウエハの裏面に付着した状態
で後工程に送られる。このため、後工程である洗浄工程
の洗浄液やエッチング工程のエッチング液がダストで汚
染され、製造不良の原因になる。
じると、後工程の加熱工程において、シリコン結晶の転
位が発生し、この転位が成長するとシリコンウエハにス
リップが発生し、製造不良になる。また、この擦り傷が
生じると、削られたシリコン粉末のダストが発生する
が、このダストはシリコンウエハの裏面に付着した状態
で後工程に送られる。このため、後工程である洗浄工程
の洗浄液やエッチング工程のエッチング液がダストで汚
染され、製造不良の原因になる。
【０００８】そこで本発明は、レジストが塗布されたシ
リコンウエハをワークステージに真空吸着し、加熱・冷
却しながら紫外線を照射してレジスト硬化処理を行って
も、シリコンウエハの裏面に擦り傷が生じることのない
レジスト硬化装置を提供することを目的とする。
リコンウエハをワークステージに真空吸着し、加熱・冷
却しながら紫外線を照射してレジスト硬化処理を行って
も、シリコンウエハの裏面に擦り傷が生じることのない
レジスト硬化装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は、紫外線を照射する光源部と、載置され
たワークとしてのシリコンウエハを真空吸着するワーク
保持手段および、ワークを加熱・冷却するワーク温度制
御手段とを有するワークステージとからなり、ワークス
テージの上面に保持されたワークを加熱しつつ、ワーク
に塗布されたレジストに紫外線を照射して硬化するレジ
スト硬化装置において、ワークステージの上面に、Ｓｉ
（シリコン）、ＳｉＯ２ （石英）、ＳｉＣ（炭化ケイ
素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）の何れかの材質からな
り、ワークステージからの吸着用真空をワークに作用さ
せる貫通孔が設けられたプレートを載置するとともに、
このプレートの上にワークを載置し、このプレートとワ
ークとをワーク保持手段にてワークステージに真空吸着
した状態で紫外線を照射する。
めに、本発明は、紫外線を照射する光源部と、載置され
たワークとしてのシリコンウエハを真空吸着するワーク
保持手段および、ワークを加熱・冷却するワーク温度制
御手段とを有するワークステージとからなり、ワークス
テージの上面に保持されたワークを加熱しつつ、ワーク
に塗布されたレジストに紫外線を照射して硬化するレジ
スト硬化装置において、ワークステージの上面に、Ｓｉ
（シリコン）、ＳｉＯ２ （石英）、ＳｉＣ（炭化ケイ
素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）の何れかの材質からな
り、ワークステージからの吸着用真空をワークに作用さ
せる貫通孔が設けられたプレートを載置するとともに、
このプレートの上にワークを載置し、このプレートとワ
ークとをワーク保持手段にてワークステージに真空吸着
した状態で紫外線を照射する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、図面に基づいて本発明の
実施の形態を具体的に説明する。図１は、本発明の実施
の形態に係るレジスト硬化装置の概略を示すものであ
る。図１において、ワークステージ１０は熱伝導率の良
い銅にて台状に成形されたものであり、その上面には、
ワークステージ１０の上面に載置された後述するプレー
ト６０を真空吸着するための第２吸着溝１２およびプレ
ート６０に載置されるワークであるシリコンウエハを真
空吸着するための第１吸着溝１１が形成されている。第
１吸着溝１１は第１真空パイプ３１に接続され、第２吸
着溝１２は第２真空パイプ３２に接続されており、第１
真空パイプ３１は第１電磁弁３３を介して減圧装置（図
示せず）に接続され、第２真空パイプ３２は第２電磁弁
３４を介して減圧装置に接続されている。従って、第２
電磁弁３４が作動することによりプレート６０はワーク
ステージ１０の上面に真空吸着され、第１電磁弁３３が
作動することによりワークはプレート６０を介してワー
クステージ１０の上面に真空吸着される。これらの吸着
溝１１，１２、真空パイプ３１，３２、電磁弁３３，３
４、減圧装置などでワーク保持手段を構成している。
実施の形態を具体的に説明する。図１は、本発明の実施
の形態に係るレジスト硬化装置の概略を示すものであ
る。図１において、ワークステージ１０は熱伝導率の良
い銅にて台状に成形されたものであり、その上面には、
ワークステージ１０の上面に載置された後述するプレー
ト６０を真空吸着するための第２吸着溝１２およびプレ
ート６０に載置されるワークであるシリコンウエハを真
空吸着するための第１吸着溝１１が形成されている。第
１吸着溝１１は第１真空パイプ３１に接続され、第２吸
着溝１２は第２真空パイプ３２に接続されており、第１
真空パイプ３１は第１電磁弁３３を介して減圧装置（図
示せず）に接続され、第２真空パイプ３２は第２電磁弁
３４を介して減圧装置に接続されている。従って、第２
電磁弁３４が作動することによりプレート６０はワーク
ステージ１０の上面に真空吸着され、第１電磁弁３３が
作動することによりワークはプレート６０を介してワー
クステージ１０の上面に真空吸着される。これらの吸着
溝１１，１２、真空パイプ３１，３２、電磁弁３３，３
４、減圧装置などでワーク保持手段を構成している。
【００１１】ワークステージ１０内には、ヒータである
加熱手段２１および冷却水が流れる水冷パイプからなる
冷却手段２２が配置されている。ワークの温度を検知す
るセンサ（図示せず）の信号がコントローラ２３に入力
され、この信号に基づいて、この加熱手段２１および冷
却手段２２はコントローラ２３によって制御される。こ
の加熱・冷却手段２１，２２およびコントローラ２３な
どでワーク温度制御手段を構成している。
加熱手段２１および冷却水が流れる水冷パイプからなる
冷却手段２２が配置されている。ワークの温度を検知す
るセンサ（図示せず）の信号がコントローラ２３に入力
され、この信号に基づいて、この加熱手段２１および冷
却手段２２はコントローラ２３によって制御される。こ
の加熱・冷却手段２１，２２およびコントローラ２３な
どでワーク温度制御手段を構成している。
【００１２】ワークステージ１０内には、高さ方向に貫
通して昇降する複数本、例えば４本のワーク受渡しピン
４１が配置されている。ワーク受渡しピン４１はその下
端を昇降板４２によって保持され、ワーク受渡しピン４
１はアクチュエータ４３によって昇降動作を行う。
通して昇降する複数本、例えば４本のワーク受渡しピン
４１が配置されている。ワーク受渡しピン４１はその下
端を昇降板４２によって保持され、ワーク受渡しピン４
１はアクチュエータ４３によって昇降動作を行う。
【００１３】ワークステージ１０の上方には、紫外線ラ
ンプ５１および紫外線ランプ５１を取り囲むミラー５２
からなる光源部が配置されている。紫外線ランプ５１
は、例えば定格消費電力が８ｋＷの超高圧水銀ランプで
あり、紫外線ランプ５１から放射される紫外線を含む光
がミラー５２で反射されてワークステージ１０の上面に
保持されたワークに照射される。
ンプ５１および紫外線ランプ５１を取り囲むミラー５２
からなる光源部が配置されている。紫外線ランプ５１
は、例えば定格消費電力が８ｋＷの超高圧水銀ランプで
あり、紫外線ランプ５１から放射される紫外線を含む光
がミラー５２で反射されてワークステージ１０の上面に
保持されたワークに照射される。
【００１４】プレート６０は、図２に示すように、肉厚
が例えば約０．６７５ｍｍの薄い円形板であり、円弧状
の貫通孔６１が同心円状に形成されている。この貫通孔
６１は、プレート６０をワークステージ１０の上面に載
置したときに、ワークステージ１０の上面に形成された
第１吸着溝１１と一致する。従って、プレート６０上に
ワークを載置すると、減圧装置で発生した減圧が第１吸
着溝１１および貫通孔６１を介してワークに作用し、ワ
ークはプレート６０を介してワークステージ１０の上面
に真空吸着される。また、プレート６０には、ワーク受
渡しピン４１の昇降位置に一致するピン孔６２が４個穿
設されている。従って、プレート６０上のワークは、ワ
ークステージ１０の上面から突出したワーク受渡しピン
４１によって昇降するようになっている。
が例えば約０．６７５ｍｍの薄い円形板であり、円弧状
の貫通孔６１が同心円状に形成されている。この貫通孔
６１は、プレート６０をワークステージ１０の上面に載
置したときに、ワークステージ１０の上面に形成された
第１吸着溝１１と一致する。従って、プレート６０上に
ワークを載置すると、減圧装置で発生した減圧が第１吸
着溝１１および貫通孔６１を介してワークに作用し、ワ
ークはプレート６０を介してワークステージ１０の上面
に真空吸着される。また、プレート６０には、ワーク受
渡しピン４１の昇降位置に一致するピン孔６２が４個穿
設されている。従って、プレート６０上のワークは、ワ
ークステージ１０の上面から突出したワーク受渡しピン
４１によって昇降するようになっている。
【００１５】ここで、プレート６０は、線膨張係数が単
結晶シリコンからなるシリコンウエハの線膨張係数と同
じであるＳｉ（シリコン）、あるいはその線膨張係数に
近い材料である、ＳｉＯ２（石英）、ＳｉＣ（炭化ケイ
素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）の何れかよりなる。因
に、それぞれの20℃〜300℃における線膨張係数は次の
通りである。 Ｓｉ ２．５×１０−６／Ｋ ＳｉＯ２ ０．５×１０−６／Ｋ ＳｉＣ ４．３×１０−６／Ｋ Ｓｉ３Ｎ４ ３．４×１０−６／Ｋ
結晶シリコンからなるシリコンウエハの線膨張係数と同
じであるＳｉ（シリコン）、あるいはその線膨張係数に
近い材料である、ＳｉＯ２（石英）、ＳｉＣ（炭化ケイ
素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）の何れかよりなる。因
に、それぞれの20℃〜300℃における線膨張係数は次の
通りである。 Ｓｉ ２．５×１０−６／Ｋ ＳｉＯ２ ０．５×１０−６／Ｋ ＳｉＣ ４．３×１０−６／Ｋ Ｓｉ３Ｎ４ ３．４×１０−６／Ｋ
【００１６】以下に、図３に基づいて本発明のレジスト
硬化装置の操作方法を説明すると、先ず、図３（Ａ）に
示すように、上面にレジストが塗布されたシリコンウエ
ハであるワークＷをチャックフィンガー７０で把持し、
チャックフィンガー７０を前進させてワークＷをワーク
ステージ１０の上方の所定位置に移動させる。このと
き、図１に示す第２電磁弁３４を作動させてプレート６
０をワークステージ１０の上面の所定位置に真空吸着し
ておく。
硬化装置の操作方法を説明すると、先ず、図３（Ａ）に
示すように、上面にレジストが塗布されたシリコンウエ
ハであるワークＷをチャックフィンガー７０で把持し、
チャックフィンガー７０を前進させてワークＷをワーク
ステージ１０の上方の所定位置に移動させる。このと
き、図１に示す第２電磁弁３４を作動させてプレート６
０をワークステージ１０の上面の所定位置に真空吸着し
ておく。
【００１７】次に、図３（Ｂ）に示すように、ワーク受
渡しピン４１を上昇させてワークＷをチャックフィンガ
ー７０から受け取り、原位置にチャックフィンガー７０
を後退させる。そして、図３（Ｃ）に示すように、ワー
ク受渡しピン４１を降下させ、ワークＷをプレート６０
に載置するとともに、図１に示す第１電磁弁３３を作動
させるとワークＷをプレート６０を介してワークステー
ジ１０の上面に真空吸着することができる。すなわち、
ワークＷは、線膨張係数が同じか、あるいは近似したプ
レート６０には接触するが、銅で成形されて線膨張係数
が大きく異なるワークステージ１０には直接接触してい
ない。
渡しピン４１を上昇させてワークＷをチャックフィンガ
ー７０から受け取り、原位置にチャックフィンガー７０
を後退させる。そして、図３（Ｃ）に示すように、ワー
ク受渡しピン４１を降下させ、ワークＷをプレート６０
に載置するとともに、図１に示す第１電磁弁３３を作動
させるとワークＷをプレート６０を介してワークステー
ジ１０の上面に真空吸着することができる。すなわち、
ワークＷは、線膨張係数が同じか、あるいは近似したプ
レート６０には接触するが、銅で成形されて線膨張係数
が大きく異なるワークステージ１０には直接接触してい
ない。
【００１８】ワークＷを所定位置に保持すると、加熱手
段２１を作動させてワークＷの温度を例えば１００℃ま
で昇温し、しかる後、紫外線ランプ５１とワークステー
ジ１０との間のシャッタ５３を開放し、紫外線を含む光
をワークＷの上面に塗布されたレジストに照射するとと
もに、ワークＷの温度を１００℃から例えば２００℃ま
で所定の昇温速度で昇温する。そして、シャッタ５３を
閉じて紫外線の照射を停止し、冷却手段２２を作動させ
てワークＷの温度を所定の降温速度で１００℃まで降温
すると硬化処理は完了する。硬化処理が完了すると、第
１電磁弁３３を閉じてワークＷの真空吸着を解除し、ワ
ーク受渡しピン４１を上昇させてワークＷをワークステ
ージ１０から持ち上げ、チャックフィンガー７０で把持
して後工程に搬送する。
段２１を作動させてワークＷの温度を例えば１００℃ま
で昇温し、しかる後、紫外線ランプ５１とワークステー
ジ１０との間のシャッタ５３を開放し、紫外線を含む光
をワークＷの上面に塗布されたレジストに照射するとと
もに、ワークＷの温度を１００℃から例えば２００℃ま
で所定の昇温速度で昇温する。そして、シャッタ５３を
閉じて紫外線の照射を停止し、冷却手段２２を作動させ
てワークＷの温度を所定の降温速度で１００℃まで降温
すると硬化処理は完了する。硬化処理が完了すると、第
１電磁弁３３を閉じてワークＷの真空吸着を解除し、ワ
ーク受渡しピン４１を上昇させてワークＷをワークステ
ージ１０から持ち上げ、チャックフィンガー７０で把持
して後工程に搬送する。
【００１９】ここで、前述の昇温および降温に伴って、
ワークＷ、プレート６０およびワークステージ１０はそ
れぞれその線膨張係数に応じて熱膨張及び熱収縮する
が、ワークＷは、熱膨張量および熱収縮量が大きく異な
るワークステージ１０には接触せず、熱膨張量および熱
収縮量が同じか、あるいは近似したプレート６０にのみ
接触しているので、ワークＷとプレート６０の間には、
相互に擦りが発生せず、ワークＷの裏面に放射状の擦り
傷が生じることはない。従って、ダストが発生せず、ダ
ストに起因する後工程における製造不良を回避すること
ができる。また、ワークＷが接触するプレート６０の材
質は、シリコンもしくはシリコン化合物であるので、シ
リコンの単結晶からなるワークＷが金属汚染されること
もない。
ワークＷ、プレート６０およびワークステージ１０はそ
れぞれその線膨張係数に応じて熱膨張及び熱収縮する
が、ワークＷは、熱膨張量および熱収縮量が大きく異な
るワークステージ１０には接触せず、熱膨張量および熱
収縮量が同じか、あるいは近似したプレート６０にのみ
接触しているので、ワークＷとプレート６０の間には、
相互に擦りが発生せず、ワークＷの裏面に放射状の擦り
傷が生じることはない。従って、ダストが発生せず、ダ
ストに起因する後工程における製造不良を回避すること
ができる。また、ワークＷが接触するプレート６０の材
質は、シリコンもしくはシリコン化合物であるので、シ
リコンの単結晶からなるワークＷが金属汚染されること
もない。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ワーク
としてのシリコンウエハを真空吸着するワーク保持手段
および、ワークを加熱・冷却するワーク温度制御手段と
を有するワークステージの上面に、Ｓｉ、ＳｉＯ２ 、
ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４の何れかの材質からなり、ワークス
テージからの吸着用真空をワークに作用させる貫通孔が
設けられたプレートを載置するとともに、このプレート
の上にワークを載置し、このプレートとワークとをワー
ク保持手段にてワークステージに真空吸着した状態で、
ワークに塗布されたレジストに光源部から紫外線を照射
するので、ワークの裏面に擦り傷が生じることのないレ
ジスト硬化装置とすることができる。
としてのシリコンウエハを真空吸着するワーク保持手段
および、ワークを加熱・冷却するワーク温度制御手段と
を有するワークステージの上面に、Ｓｉ、ＳｉＯ２ 、
ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４の何れかの材質からなり、ワークス
テージからの吸着用真空をワークに作用させる貫通孔が
設けられたプレートを載置するとともに、このプレート
の上にワークを載置し、このプレートとワークとをワー
ク保持手段にてワークステージに真空吸着した状態で、
ワークに塗布されたレジストに光源部から紫外線を照射
するので、ワークの裏面に擦り傷が生じることのないレ
ジスト硬化装置とすることができる。
【図１】本発明実施例の正面図である。
【図２】プレートの平面図である。
【図３】硬化処理方法の説明図である。
１０ ワークステージ １１ 第１吸着溝 １２ 第２吸着溝 ２１ 加熱手段 ２２ 冷却手段 ２３ コントローラ ３１ 第１真空パイプ ３２ 第２真空パイプ ３３ 第１電磁弁 ３４ 第２電磁弁 ４１ 受渡しピン ４３ アクチュエータ ５１ 紫外線ランプ ５２ ミラー ６０ プレート ６１ 貫通孔 ６２ ピン孔 ７０ チャックフィンガー Ｗ ワーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６７ (56)参考文献 特開 平３−69111（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−313855（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−193117（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−101381（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−146283（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−47909（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−360512（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−190936（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−135121（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−1327（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】 紫外線を照射する光源部と、載置された
ワークとしてのシリコンウエハを真空吸着するワーク保
持手段および、ワークを加熱・冷却するワーク温度制御
手段とを有するワークステージとからなり、ワークステ
ージの上面に保持されたワークを加熱しつつ、ワークに
塗布されたレジストに紫外線を照射して硬化するレジス
ト硬化装置において、 ワークステージの上面に、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＯ２
（石英）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケ
イ素）の何れかの材質からなり、ワークステージからの
吸着用真空をワークに作用させる貫通孔が設けられたプ
レートを載置するとともに、該プレートの上にワークを
載置し、該プレートとワークとをワーク保持手段にてワ
ークステージに真空吸着した状態で紫外線を照射するこ
とを特徴とするレジスト硬化装置。
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